CN201243417Y - 复合壳体结构 - Google Patents

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CN201243417Y CNU2008201306353U CN200820130635U CN201243417Y CN 201243417 Y CN201243417 Y CN 201243417Y CN U2008201306353 U CNU2008201306353 U CN U2008201306353U CN 200820130635 U CN200820130635 U CN 200820130635U CN 201243417 Y CN201243417 Y CN 201243417Y
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蔡呈振
廖敏雄
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Abstract

本实用新型涉及一种复合壳体结构,为一可隔绝及释放静电荷的复合壳体结构,该复合壳体结构包括一壳体、一金属片以及一导电体。该金属片贴附于该壳体外部,且该金属片外侧及内侧各镀有一阳极薄膜镀层。该导电体设于该壳体上的任一处,以供与金属片的阳极薄膜镀层接触,并外露一接触面,用以连接系统的接地。由此使本实用新型具有低电压时隔绝、高电压时释放静电荷及组成结构简单的效用。

Description

复合壳体结构
技术领域
本实用新型涉及一种复合壳体结构,特别是指一种具有可隔绝及释放静电荷的复合壳体结构,而适用于各式电子产品或类似结构。
背景技术
静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)是造成大多数电子元件或电子系统受到过度电性应力(Electrical Overstress,EOS)破坏的主要因素。这种破坏会导致电子元件以及计算机系统等,形成一种永久性的毁坏,因而影响电路功能,而使得电子产品工作不正常。
对于静电放电的防护,除了加强工作场所对静电累积的控制之外,最好在电子产品中加入具有防患静电放电破坏的装置。现有的静电放电防护装置是利用电流传导的原理,在电子产品中设计一静电放电防护电路,提供静电放电电流路径,将电流传导至接地处。
然而在电子产品中设计一静电放电防护电路,将电流传导至接地处固然有其一定的功效,但是,如果电路设计不良或敏感度较差,对于微弱的静电荷,在感应上会有落差或是遗漏,倘若未在第一时间将该静电传导至接地处,该静电荷所产生的电流亦会影响电子元件的正常运作,甚至将其破坏而导致电子产品丧失某些功能。
发明内容
本实用新型的主要目的在于克服现有技术的不足与缺陷,提出一种复合壳体结构,通过金属片上镀有阳极薄膜镀层,以具有低电压时隔绝静电荷的效用,且该阳极薄膜镀层极薄,高电压时,静电荷便能穿透而与导电体电性相通,再经由系统的接地而被释放掉,以具有高电压时释放静电荷的效用,进而增加本实用新型的实用性与进步性。
本实用新型的次一目的在于,提出一种复合壳体结构,通过壳体、金属片以及导电体的组合而具有可隔绝及释放静电荷的效用,由于组成结构简单,使本实用新型具有加工上的便利性。
为达上述目的,本实用新型提供一种复合壳体结构,包括:一壳体;一金属片,该金属片贴附于该壳体外部,且该金属片外侧及内侧各镀有一不导电的阳极薄膜镀层;以及一导电体,该导电体设于该壳体上的任一处,以供与金属片的阳极薄膜镀层接触,并外露一接触面,用以连接系统的接地。
本实用新型具有以下有益技术效果:
1、本实用新型通过金属片上镀有阳极薄膜镀层,以具有低电压时隔绝静电荷的效用,且该阳极薄膜镀层极薄,高电压时,静电荷便能穿透而与导电体电性相通,再经由系统的接地而被释放掉,以具有高电压时释放静电荷的效用,进而增加本实用新型的实用性与进步性。
2、本实用新型通过壳体、金属片以及导电体的组合而具有可隔绝及释放静电荷的效用,由于组成结构简单,使本实用新型具有加工上的便利性。
为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,只是所附图式仅提供参考与说明用,非用以限制本实用新型。
附图说明
图1为本实用新型第一种实施例的立体图;
图2为本实用新型第一种实施例的元件分解图;
图3为本实用新型第一种实施例局的立体部分分解图;
图4为本实用新型第一种实施例的使用状态示意图;
图5为本实用新型第二种实施例的立体部分分解图;
图6为本实用新型第三种实施例的元件分解图。
图中符号说明
10      壳体
11      上壳
12      下壳
20      金属片
21      外侧
22      内侧
23      阳极薄膜镀层
30      导电体
31      接触面
32      导电双面胶带
40      电池组
50      接地
60      笔记本电脑
具体实施方式
请参阅图1至图2所示,为本实用新型第一种实施例的立体图及元件分解图。本实用新型的复合壳体结构包括:一壳体10、一金属片20以及一导电体30。
该壳体10为塑料材质且采用一体成型的壳体。
该金属片20贴附于该壳体10外部,且该金属片20外侧21及内侧22各镀有一不导电的阳极薄膜镀层23,该阳极薄膜镀层23为采用溅镀制程而在金属片20表面形成的镀膜,该阳极薄膜镀层23均匀且极薄(厚度约数十至数百μm),该金属片20外侧21的阳极薄膜镀层23用以隔绝外来的静电荷传入金属片20;该金属片20内侧22的阳极薄膜镀层23用以隔绝金属片20的静电荷传入壳体10。
该导电体30为设于该壳体10上的任一处,形成该导电体30的方式计有电镀制程、溅镀制程、涂布方式及压合方式其中任一者,该导电体30为金属材质,可为铝、铜、铜加镍、铜加不锈钢、铝箔及铜箔其中任一者。该导电体30与金属片20内侧22的阳极薄膜镀层23接触,并外露一接触面31,以供与接地端连接而将静电荷释放掉。
请参阅图3所示,为本实用新型第一种实施例的立体部分分解图。该壳体10内容置一电池组40(本实施例为3颗,实际上使用时亦可为一颗或多颗),该电池组40采用串联(亦可为并联)而且电性相通。将一金属片20贴附于该壳体10外部而使其内侧22的阳极薄膜镀层23与壳体10上的导电体30互相接触,而且该阳极薄膜镀层23极薄,静电荷在高电压时(即电荷量较多时),利用高压跳电原理自金属片20穿透阳极薄膜镀层23而转移至导电体30上。
请参阅图4所示,为本实用新型第一种实施例的使用状态示意图,将该壳体10结合于笔记本电脑60上,并使导电体30的接触面31与笔记本电脑60的系统的接地50相互连接形成电性相通,因此,静电荷可自导电体30传导至系统的接地50而释放掉。
另外,金属片20贴附于壳体10后,金属片20内侧的阳极薄膜镀层23与壳体10上的导电体30的间隔距离在0.1mm以下亦可实施。
为更进一步确保金属片20与导电体30电性相通,请参阅图5所示,为本实用新型第二种实施例的立体部分分解图,该金属片20内侧的阳极薄膜镀层23与该导电体30之间贴附导电双面胶带32,使该阳极薄膜镀层23与该导电体30紧密接触,由此而与第一种实施例具有相同的效用。
请参阅如图6所示,为本实用新型第三种实施例的元件分解图。该壳体10为塑料材质且包括一上壳11及一下壳12,该上壳11与下壳12可相互组合成为壳体10。该金属片20贴附于该壳体10外部,且该金属片20外侧21及内侧22各镀有一不导电的阳极薄膜镀层23。该导电体30设于该壳体10上的任一处,以供与金属片20内侧22的阳极薄膜镀层23接触,并外露一接触面31。由此而与第一种实施例具有相同的效用。
本实用新型的复合壳体结构的特点在于:通过金属片20外侧21的阳极薄膜镀层23可隔绝外来的静电荷传入金属片20;金属片20内侧22的阳极薄膜镀层23低电压时可隔绝金属片20的静电荷传入壳体10,以具有隔绝静电荷的效用,进而增加本实用新型的进步性。通过该金属片20贴附于壳体10外部,该壳体10上设有导电体30,在高电压时该金属片20与该导电体30形成电性相通,又该导电体30的接触面31与系统的接地50相互连接,而将静电荷有效释放掉,以具有高电压时释放静电荷的效用,进而增加本实用新型的实用性。再者,本实用新型的组成结构简单,使具有加工上的便利性。总合而言,本实用新型具有低电压时隔绝、高电压时释放静电荷及组成结构简单的效用,确具有实用性、进步性以及加工上的便利性。
以上所述仅为本实用新型的较佳可行实施例,非因此即局限本实用新型的保护范围,举凡运用本实用新型说明书及附图内容所为之等效结构变化,均理同包含于本实用新型的范围内。

Claims (10)

1.一种复合壳体结构,其特征在于,包括:
一壳体;
一金属片,该金属片贴附于该壳体外部,且该金属片外侧及内侧各镀有一不导电的阳极薄膜镀层;以及
一导电体,该导电体设于该壳体上的任一处,以供与金属片的阳极薄膜镀层接触,并外露一接触面,用以连接系统的接地。
2.如权利要求1所述的复合壳体结构,其特征在于,该壳体为塑料材质的壳体。
3.如权利要求1所述的复合壳体结构,其特征在于,该壳体为一体成型的壳体。
4.如权利要求1所述的复合壳体结构,其特征在于,该壳体进一步设有上壳及下壳以供组合。
5.如权利要求1所述的复合壳体结构,其特征在于,该金属片采用铝片、铜片、铁片、不锈钢片及铝镁合金片其中任一者。
6.如权利要求1所述的复合壳体结构,其特征在于,该阳极薄膜镀层采用溅镀制成的镀层。
7.如权利要求1所述的复合壳体结构,其特征在于,该导电体为金属材质导电体。
8.如权利要求1所述的复合壳体结构,其特征在于,该导电体形成方式采用电镀制程、溅镀制程、涂布方式及压合方式其中任一者。
9.如权利要求1所述的复合壳体结构,其特征在于,该导电体采用铝、铜、铜加镍、铜加不锈钢、铝箔及铜箔其中任一者。
10.如权利要求1所述的复合壳体结构,其特征在于,该金属片与该壳体结合时,该金属片内侧的阳极薄膜镀层与该导电体的间隔距离在0.1mm以下,且可贴附一导电双面胶带于该阳极薄膜镀层与该导电体之间。
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