CN201195763Y - 一种多晶硅铸锭炉 - Google Patents

一种多晶硅铸锭炉 Download PDF

Info

Publication number
CN201195763Y
CN201195763Y CNU2008200806408U CN200820080640U CN201195763Y CN 201195763 Y CN201195763 Y CN 201195763Y CN U2008200806408 U CNU2008200806408 U CN U2008200806408U CN 200820080640 U CN200820080640 U CN 200820080640U CN 201195763 Y CN201195763 Y CN 201195763Y
Authority
CN
China
Prior art keywords
bell
screw mandrel
body frame
motor
thermally
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNU2008200806408U
Other languages
English (en)
Inventor
张志新
王军
李占贤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing JingyuntongTechnology Co.,Ltd.
Original Assignee
BEIJING JINGYUNTONG TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BEIJING JINGYUNTONG TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical BEIJING JINGYUNTONG TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CNU2008200806408U priority Critical patent/CN201195763Y/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201195763Y publication Critical patent/CN201195763Y/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本实用新型属于一种多晶硅铸锭炉，采用炉体固定在支架上，炉盖位于炉体下端，启闭开合炉盖的炉盖提升装置位于支架上，该炉盖提升装置的丝杆下端与炉盖轴接，炉盖上设坩埚支架，坩埚支架内设坩埚，隔热体架与坩埚支架上端扣合，隔热体架提升机构位于炉体上端面，隔热体架提升机构的丝杆下端密封穿过炉体与隔热体架上端连接，各电器元件置在炉体上端面。本实用新型克服现有设备的不足，能有效保护操作人员的安全，提高了生产多晶硅铸锭的速度和质量，延长了设备使用寿命。

Description

一种多晶硅铸锭炉
技术领域
本实用新型属于一种多晶硅铸锭炉。
背景技术
目前多晶硅铸锭炉，主要用于以铸锭方式生产硅半导体材料，多晶硅铸锭炉包括用于硅半导体材料生长合成的炉膛、及保温系统和电控加热和控制系统。传统的多晶硅铸锭炉由炉体和炉盖所组成，通常炉盖位于炉体上端，存在结构复杂，炉体密封性差，装卸料不方便，电控加热和控制系统的带电元件下置，安全操作性能差和设备使用寿命短的不足。
发明内容
本实用新型的目的是设计一种多晶硅铸锭炉，克服现有设备的不足，能有效保护操作人员的安全，简化多晶硅铸锭炉的机构分布，延长设备使用寿命。为此，本实用新型采用炉体固定在支架上，炉盖位于炉体下端，启闭炉盖的炉盖提升装置位于支架上，该炉盖提升装置的丝杆下端与炉盖轴接，炉盖上设坩埚支架，坩埚支架内设坩埚，隔热体架与坩埚支架上端扣合，隔热体架提升机构位于炉体上端面，隔热体架提升机构的丝杆下端密封穿过炉体与隔热体架上端连接，各电器元件置在炉体上端面。上述结构达到了本实用新型的目的。
本实用新型的优点是将炉盖下置，将电控加热和控制系统的带电元件等置在炉体上端，将带电元件高置，有效保护操作人员的安全。同时使隔热体架提升机构缓慢对坩埚内的硅铸锭液降温有效地保证了硅液结晶质量，本实用新型的结构设计合理，简化了炉体结构，大幅度延长设备使用寿命，且还具有结构简单，制作使用成本低，使用方便的优点。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图
图2是本实用新型的结构示意图
图3是本实用新型的炉盖提升装置结构示意图
具体实施方案
如图1和图3所示，一种多晶硅铸锭炉，主要由炉体9、炉盖3、气路控制仪12和支架2所组成。气路控制仪分别控制真空泵及通过真空管道17到炉体内的各管路阀门及电磁阀等，为市场所购产品，故不冉累述。炉体固定在支架上，炉盖位于炉体下端，炉体和炉盖围成的空间形成炉膛1。启闭炉盖的炉盖提升装置7位于支架上，该炉盖提升装置的丝杆73下端与炉盖轴接。炉盖上设坩埚支架4，坩埚支架内设坩埚。坩埚支架外包设有隔热层，隔热层用隔热耐高温的矿渣棉等制成，将坩埚包设在其内。隔热体架6与坩埚支架上端扣合，显然隔热体架的进口向下，倒吊在炉膛上端的。隔热体架提升机构10位于炉体外上端面。隔热体架提升机构的丝杆14下端密封穿过炉体与隔热体架上端连接。各电器元件置在炉体上端面，如连接加热体的并绝缘穿过炉体上端的电极杆及其上的各导线接头和扣合在各导线接头上的各电极箱11等，均位于炉体上端面。加热体坩埚侧边。为防止炉盖和炉体之间的法兰盘开启时或炉体异常时，导致高温蒸汽喷出伤人，在前部的支架上还设有防护板8。
如图3所示，所述的炉盖提升装置由驱动电机71、电机轮77、皮带76、轴78、连轴器72、丝杆73、软轴74和底座75所构成。底座与支架固定为一体，底座上设有驱动电机，驱动电机带动丝杆和两连轴器，设有驱动电机的底座中置，驱动电机通过两连轴器和软轴向两边带动另两底座上的连轴器和丝杆。驱动电机带动电机轮并通过皮带带动轴78，驱动丝杆升降的蜗轮传动装置和连轴器同轴，轴通过轴承座与底座板轴接。两连轴器在通过软轴分别带动位于另两底座上的连轴器和丝杆，使呈三角分布在炉盖周边的丝杆同步升降，平稳开启关闭炉盖。
所述的隔热体架提升机构的提升电机13中置，提升电机带动丝杆14并通过两连轴器15和软轴16向两边带动另两柱板上的连轴器和丝杆。使隔热体架提升机构能带动隔热体架平稳升降。所述的隔热体架与坩埚支架上设有隔热层5。所述的支架上设有防护板。
使用时，在炉盖上的坩埚内装入硅料，开动炉盖提升装置，使炉盖与炉体扣合密封，打开真空泵将炉体内抽成真空。隔热体架提升机构的丝杆下行将隔热体架与坩埚支架扣合形成隔热层包裹坩埚，接通电源，加热体对坩埚内硅料加热溶化铸锭。而后，开动隔热体架提升机构的提升电机带丝杆缓慢提升隔热体架，使钳锅内硅液接触炉膛内相对低温，对坩埚内的硅铸锭液缓慢降温有效地保证了硅液结晶质量。反之，取料。
总之，本实用新型能有效保护操作人员的安全，提高了生产多晶硅铸锭的速度和质量，延长了设备使用寿命。

Claims (5)

1.一种多晶硅铸锭炉，主要由炉体、炉盖、气路控制仪和支架所组成，其特征在于：炉体固定在支架上，炉盖位于炉体下端，启闭炉盖的炉盖提升装置位于支架上，该炉盖提升装置的丝杆下端与炉盖轴接，炉盖上设坩埚支架，坩埚支架内设坩埚，隔热体架与坩埚支架上端扣合，隔热体架提升机构位于炉体上端面，隔热体架提升机构的丝杆下端密封穿过炉体与隔热体架上端连接，各电器元件置在炉体上端面。
2.按权利要求1所述的一种多晶硅铸锭炉，其特征在于：所述的炉盖提升装置由驱动电机、电机轮、皮带、轴、连轴器、丝杆、软轴和底座所构成，底座与支架固定为一体，底座上设有驱动电机，驱动电机带动丝杆和两连轴器，设有驱动电机的底座中置，驱动电机通过两连轴器和软轴向两边带动另两底座上的连轴器和丝杆。
3.按权利要求1所述的一种多晶硅铸锭炉，其特征在于：所述的隔热体架提升机构的提升电机中置，提升电机带动丝杆并通过两连轴器和软轴向两边带动另两柱板上的连轴器和丝杆。
4.按权利要求1所述的一种多晶硅铸锭炉，其特征在于：所述的隔热体架与坩埚支架上设有隔热层。
5.按权利要求1所述的一种多晶硅铸锭炉，其特征在于：所述的支架上设有防护板。
CNU2008200806408U 2008-05-15 2008-05-15 一种多晶硅铸锭炉 Expired - Lifetime CN201195763Y (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNU2008200806408U CN201195763Y (zh) 2008-05-15 2008-05-15 一种多晶硅铸锭炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNU2008200806408U CN201195763Y (zh) 2008-05-15 2008-05-15 一种多晶硅铸锭炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201195763Y true CN201195763Y (zh) 2009-02-18

Family

ID=40415400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNU2008200806408U Expired - Lifetime CN201195763Y (zh) 2008-05-15 2008-05-15 一种多晶硅铸锭炉

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201195763Y (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101824656A (zh) * 2010-04-29 2010-09-08 杭州富通半导体设备科技有限公司 副炉开门式单晶炉
CN101871124A (zh) * 2010-06-02 2010-10-27 王敬 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统
CN101892518A (zh) * 2010-07-08 2010-11-24 王敬 制造多晶锭的系统和方法
CN101949059A (zh) * 2010-08-23 2011-01-19 清华大学 光伏多晶硅铸锭炉炉底多轴同步提升装置
CN102051679A (zh) * 2010-12-29 2011-05-11 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种热门及多晶铸锭炉
CN102051669A (zh) * 2010-11-04 2011-05-11 西北工业大学 一种用于激光悬浮区熔定向凝固的装置及定向凝固方法
CN102261835A (zh) * 2011-08-31 2011-11-30 太仓市华瑞真空炉业有限公司 一种立式真空烧结炉
CN102808218A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 浙江昱辉阳光能源有限公司 上装料多晶炉
CN104457270A (zh) * 2014-12-25 2015-03-25 大连理工大学 一种精确控制大型设备炉盖开启的装置
CN111398770A (zh) * 2020-04-14 2020-07-10 西安易恩电气科技有限公司 一种带防护结构的功率半导体器件测试工装
CN111398771A (zh) * 2020-04-14 2020-07-10 西安易恩电气科技有限公司 一种可推拉功率半导体器件测试工装

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101824656A (zh) * 2010-04-29 2010-09-08 杭州富通半导体设备科技有限公司 副炉开门式单晶炉
CN101871124A (zh) * 2010-06-02 2010-10-27 王敬 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统
CN101871124B (zh) * 2010-06-02 2013-01-16 王敬 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统
CN101892518B (zh) * 2010-07-08 2013-01-16 王敬 制造多晶锭的系统和方法
CN101892518A (zh) * 2010-07-08 2010-11-24 王敬 制造多晶锭的系统和方法
CN101949059A (zh) * 2010-08-23 2011-01-19 清华大学 光伏多晶硅铸锭炉炉底多轴同步提升装置
CN101949059B (zh) * 2010-08-23 2012-04-18 清华大学 光伏多晶硅铸锭炉炉底多轴同步提升装置
CN102051669A (zh) * 2010-11-04 2011-05-11 西北工业大学 一种用于激光悬浮区熔定向凝固的装置及定向凝固方法
CN102051679A (zh) * 2010-12-29 2011-05-11 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种热门及多晶铸锭炉
CN102051679B (zh) * 2010-12-29 2012-12-05 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种热门及多晶铸锭炉
CN102808218A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 浙江昱辉阳光能源有限公司 上装料多晶炉
CN102808218B (zh) * 2011-05-31 2015-04-08 浙江昱辉阳光能源有限公司 上装料多晶炉
CN102261835A (zh) * 2011-08-31 2011-11-30 太仓市华瑞真空炉业有限公司 一种立式真空烧结炉
CN102261835B (zh) * 2011-08-31 2013-03-20 太仓市华瑞真空炉业有限公司 一种立式真空烧结炉
CN104457270A (zh) * 2014-12-25 2015-03-25 大连理工大学 一种精确控制大型设备炉盖开启的装置
CN111398770A (zh) * 2020-04-14 2020-07-10 西安易恩电气科技有限公司 一种带防护结构的功率半导体器件测试工装
CN111398771A (zh) * 2020-04-14 2020-07-10 西安易恩电气科技有限公司 一种可推拉功率半导体器件测试工装

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201195763Y (zh) 一种多晶硅铸锭炉
CN202063970U (zh) 一种闷罐式热风循环退火炉
CN101498047B (zh) 一种砷化镓多晶无液封合成方法和装置
CN206747580U (zh) 一种全自动化有色铸造用熔化改进装置
CN201858865U (zh) 具有快速降温功能的旋转式气氛烧结电炉
CN200968773Y (zh) 制备多晶硅用铸锭炉
CN105861849B (zh) 一种电渣重熔炉
CN102701213B (zh) 定向凝固冶金法太阳能多晶硅提纯设备
CN201195767Y (zh) 多晶硅铸锭炉
CN201495107U (zh) 一种具有高质量提纯多晶硅的多晶炉
CN102021660B (zh) 多晶硅坩埚烧结炉
CN212645336U (zh) 一种金属连续熔炼炉
KR101249808B1 (ko) 태양전지용 고순도 다결정 실리콘 제작 장치 및 방법
CN207472031U (zh) 一种可倾斜式电加热熔铝炉
CN102912414A (zh) 一种多晶硅铸锭炉及其坩埚
CN107587194B (zh) 多晶硅锭铸锭炉及方法
US20110247364A1 (en) Process for producing multicrystalline silicon ingots by the induction method and apparatus for carrying out the same
CN103409789B (zh) 一种多晶硅定向凝固装置
CN105018715B (zh) 卧式罩式炉
CN203947181U (zh) 移动式热场加热器
CN206069962U (zh) 环形真空电阻炉
CN212082009U (zh) 一种多重密封具有净化功能的铝液保温炉
CN102912432A (zh) 一种800kg以上大硅锭铸锭炉及铸锭工艺
CN202529852U (zh) 多晶硅离心提纯炉
CN218864808U (zh) 一种窑炉用降温装置

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: BEIJING JINGYUNTONG TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: BEIJING JINGYUNTONG SCIENCE CO., LTD.

CP03 Change of name, title or address

Address after: No. four, No. 158, Hai Jing Road, Beijing economic and Technological Development Zone, Beijing, China: 100176

Patentee after: Beijing JingyuntongTechnology Co.,Ltd.

Address before: Beijing, Xicheng District, Desheng street, No. 11, zip code: 100044

Patentee before: Beijing Jingyuntong Technology Co., Ltd.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20090218