CN101871124A - 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统 - Google Patents
具有改进加料能力的制造多晶锭的系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101871124A CN101871124A CN201010197294A CN201010197294A CN101871124A CN 101871124 A CN101871124 A CN 101871124A CN 201010197294 A CN201010197294 A CN 201010197294A CN 201010197294 A CN201010197294 A CN 201010197294A CN 101871124 A CN101871124 A CN 101871124A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- cover plate
- polycrystalline ingot
- boride
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000007600 charging Methods 0.000 title description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 16
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 9
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 8
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 4
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 12007-10-2 Chemical compound [W].[W]=[B] OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N B#[Ti]#B Chemical compound B#[Ti]#B QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N azanylidynevanadium Chemical compound [V]#N SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N boranylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#B LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AUVPWTYQZMLSKY-UHFFFAOYSA-N boron;vanadium Chemical compound [V]#B AUVPWTYQZMLSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002801 charged material Substances 0.000 abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000010086 Hypertelorism Diseases 0.000 description 1
- 206010020771 Hypertelorism of orbit Diseases 0.000 description 1
- 240000003936 Plumbago auriculata Species 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005713 exacerbation Effects 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种制造多晶锭的系统,包括:上炉体;下炉体;坩埚,所述坩埚设置在炉体空间内并被构造成容纳给料;至少一个加热器,所述加热器用于加热坩埚并熔化容纳在坩埚中的给料;坩埚保持器,所述坩埚保持器用于保持所述坩埚;隔热部件;盖板,所述盖板用于在坩埚被加热时盖住坩埚的开口端;其中所述坩埚保持器和盖板之一上形成有至少两个导向件,所述盖板通过所述导向件相对于所述坩埚保持器沿着纵向可滑动。根据本发明的制造多晶锭的系统,可以将一次熔融的给料提高20-30%,提高了生产效率、降低了多晶锭的制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及多晶锭的生产设备,尤其是涉及一种改进加料能力的制造多晶锭的系统。
背景技术
在现有的制造多晶锭的设备或者系统中,由于用于生产多晶锭(例如多晶硅锭等)的原料为块状或颗粒状,料块之间存在大量缝隙,导致装满石英坩埚的固态多晶给料熔化后体积大幅缩小。为了实现多装料,可以考虑在加装多晶给料时,坩埚装满后继续加装多晶给料,使多晶给料在坩埚的上部堆积,然后将盖板直接放置在多晶给料上。但是,在现有的盖板及坩埚保持器的材质和结构条件下,可能带入碳成分沾污,更为重要的是也容易造成盖板在化料过程中滑落或偏离。
图1为现有技术的多晶炉装料时的结构示意图。现有技术的单晶炉包括:上炉体101′;与所述上炉体101′相配合的下炉体102′;设置在所述下炉体102′内的支撑装置6′,设置于所述支撑装置6′上的石墨固定板5′和石墨固定板5′内设置的石英坩埚2′;设置在石墨坩埚5′外周的加热器31′、32′;设置在加热器31′、32′外周的隔热部件4′。
在现有技术中,通常在坩埚2′之上设置盖板7′,从耐高温等方面考虑,盖板材料多采用碳-碳复合材料。但是由此导致在装料的过程中,必须控制加料量,防止块状或粒状多晶给料的堆积过高而与盖板接触,导致从盖板7′的下表面可能带入碳成分并混入多晶熔体中,而碳成分的过量混入会严重恶化所生成的多晶锭的质量。更重要的是,多晶给料垒高后,盖板不能定位,在后续的化料过程中,盖板可能会滑落或者偏离其与坩埚的相对位置。因此现有的多晶炉在多晶装料上存在一定的限制,而利用多晶炉制造多晶锭成本的昂贵,装料量直接决定生产效率和成本,由此就有必要采取技术措施来增加给料量。
发明内容
有鉴于此,需要提供一种新的制造多晶锭的系统和方法,所述系统和方法可以提高一次加载的给料量,从而提高整个多晶锭的生产效率。
根据本发明的一方面,提供了一种制造多晶锭的系统,包括:上炉体;下炉体,所述下炉体与所述上炉体相配合以形成炉体空间;坩埚,所述坩埚设置在炉体空间内并被构造成容纳给料;至少一个加热器,所述加热器用于加热坩埚并熔化容纳在坩埚中的给料;坩埚保持器,所述坩埚保持器用于保持所述坩埚;隔热部件,所述隔热部件容纳在所述炉体空间内,并被构造成相对于所述坩埚纵向可移动,以控制所述坩埚内的多晶硅锭的定向凝固;盖板,所述盖板用于在坩埚被加热时盖住坩埚的开口端;其中所述坩埚保持器和盖板之一上形成有至少两个导向件,所述盖板通过所述导向件相对于所述坩埚保持器沿着纵向可滑动。
由此通过在所述盖板和所述坩埚保持器之间形成沿着纵向可滑动的导向件8,从而可以将化料量一次提高20-30%,这在多晶锭的生产过程中可以极大地降低能耗、减少了生产周期并同时提高生产效率。
根据本发明的一个实施例,所述盖板包括:碳-碳复合材料层,所述碳-碳复合材料层中央形成有第一通气孔;以及设置在所述碳-碳复合材料层下表面之上的隔离层,所述隔离层的中央形成有与第一通气孔对应的第二通气孔。
根据本发明的一个实施例,所述坩埚保持器的顶壁上形成有至少两个导向件;所述盖板形成有导向孔,所述导向孔对应于所述导向件,所述导向件通过所述导向孔可上下自由滑动。
根据本发明的一个实施例,所述至少一个加热器形成为顶部加热器和侧加热器。
根据本发明的一个实施例,所述碳-碳复合材料层上设置有导气管,所述碳-碳复合材料层上设置有导气管,所述导气管的中心与所述第一通气孔中心纵向一致。
根据本发明的一个实施例,所述导向件相对于纵向方向形成有0.1-15度的锥度,且所述导向件从底部至顶部逐渐变粗。
由此,所述盖板通过所述具有锥度的导向件可以保持滑动的稳定性,并最终固定住所述坩埚的开口端。
根据本发明的一个实施例,所述隔离层是从包括含硅化合物、耐1600℃金属、硼化物、碳化物、氮化物、以及上述物质的混合物中选择,其中,所述含硅化合物包括碳化硅、氮化硅、硼化硅,所述耐1600℃金属包括钨、钼、钽、铌、钒、铬、钛、锆及其合金,所述硼化物包含碳化硼、氮化硼、硼化锆、硼化镧、硼化钛、硼化钽、硼化铬、硼化钨、硼化钼、硼化钒、硼化铌,所述碳化物包括碳化铬、碳化钽、碳化钒、碳化锆、碳化钨、碳化钼、碳化钛、碳化铌,所述氮化物包括氮化钛、氮化钨、氮化钼、氮化铬、氮化铌、氮化锆、氮化钽、氮化钒。
根据本发明的一个实施例,所述隔离层由通过气相沉积方法在所述盖板下表面上形成的膜构成。
根据本发明的一个实施例,所述隔离层由固定于所述盖板下表面上的垫衬所构成。
根据本发明的一个实施例,所述导向件由石墨形成且所述导向件的高度为坩埚高度的1/4-1/2。
根据本发明的一个实施例,所述盖板的边缘形成有所述导向件,且所述坩埚保持器的侧壁上沿着纵向方向形成有与所述导向件对应的导向槽。
根据本发明的一个实施例,所述盖板的边缘形成有所述导向件,且所述坩埚保持器的侧壁中形成有用于导向所述导向件的导向孔。
根据本发明的一个实施例,所述盖板的边缘形成有导向件,所述导向件与所述坩埚保持器的外侧壁相匹配,以沿着所述坩埚保持器的外侧壁纵向可滑动。
根据本发明的一个实施例,所述盖板的边缘上形成有三个或者四个导向件,且其中两个导向件彼此相对设置。
根据本发明的另外一方面,提供了一种制造多晶锭的方法,包括以下步骤:将多晶给料放入坩埚中并至满载,所述坩埚由坩埚保持器保持;继续在多晶给料上垒加给料并垒高;将盖板盖住完成加料的坩埚,其中所述多晶炉内的坩埚保持器和盖板之一上形成有至少两个导向件,所述盖板通过所述导向件相对于所述坩埚保持器沿着纵向向下滑动;将装满多晶给料的坩埚放置在多晶炉体内以制造多晶锭。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1显示了现有技术的多晶炉装料时的结构示意图;
图2显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统的结构示意图;
图3显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统的部分结构示意图,其中显示了盖板和坩埚保持器之间连接的第一实施例;
图4显示了图3中沿着方向A所示的平面图;
图5显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统的部分结构示意图,其中显示了盖板和坩埚保持器之间连接的第二实施例;
图6A显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统的部分结构示意图,其中显示了盖板和坩埚保持器之间连接的第三实施例;
图6B显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统的部分结构示意图,其中显示了盖板和坩埚保持器之间连接的第四实施例;
图7显示了根据本发明的第一实施例的盖板的结构示意图;
图8显示了根据本发明的第二实施例的盖板的结构示意图;
图9显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统的结构示意图,其中所述系统处于工作状态;以及
图10显示了根据本发明的另一个实施例的制造多晶锭的系统的结构示意图,其中所述系统处于工作状态。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能解释为对本发明的限制。
本发明涉及生长多晶材料的系统或者设备。下面将参照附图来详细描述根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统100的结构,其中图2显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统100的结构示意图;图3显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统的部分结构示意图,其中显示了盖板和坩埚保持器之间连接的第一实施例;图4显示了图3中沿着方向A所示的平面图;图5显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统的部分结构示意图,其中显示了盖板和坩埚保持器之间连接的第二实施例;图6A显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统的部分结构示意图,其中显示了盖板和坩埚保持器之间连接的第三实施例;图6B显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统的部分结构示意图,其中显示了盖板和坩埚保持器之间连接的第四实施例。
需要说明的是,尽管在下述的说明书中讨论了多晶硅的制造,但是此处所说明的技术不限于多晶硅锭的制造系统或者方法。多种多晶材料可以使用本发明的系统或者设备来制造多种多晶材料(例如Ge、GaAs等)、氧化物(例如蓝宝石、YAG等)或者氟化物(例如MgF2、CaF2)等。进一步地,普通技术人员在阅读了本发明的技术方案之后也可以将本发明的用于改进加料能力的制造多晶锭的系统用于制造单晶锭。
图2显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶硅锭的系统100的结构示意图。如图2中所示,该制造多晶锭的系统100包括:上炉体101;下炉体102,所述下炉体102与所述上炉体101相配合以形成炉体空间104;坩埚1,所述坩埚1设置在下炉体102内并被构造成容纳给料(如图2中所示);至少一个加热器31、32,所述加热器31、32用于加热坩埚1并熔化容纳在坩埚1中的给料;坩埚保持器5,所述坩埚保持器5用于保持所述坩埚1;坩埚支座6,容纳所述坩埚1的所述坩埚保持器5设置在所述坩埚支座6上;隔热部件4,所述隔热部件4容纳在所述炉体空间104内,并被构造成相对于所述坩埚1纵向可移动,以控制所述坩埚1内的多晶硅锭的定向凝固;以及盖板7,所述盖板7用于在坩埚1被加热时盖住坩埚1的开口端;其中所述坩埚保持器5和盖板7之一上形成有至少两个导向件8,所述盖板7通过所述导向件8相对于所述坩埚保持器5沿着纵向可滑动。
由此通过在所述盖板7和所述坩埚保持器5之间形成沿着纵向可滑动的导向件8,从而可以将化料量一次提高20-30%,这在多晶锭的生产过程中可以极大地降低能耗、减少了生产周期并同时提高生产效率。
在根据本发明的一个实施例中,所述坩埚1可以需要具有所需的形状,而不限于方形、圆柱形、锥形等。在本发明中,为了示例的目的,采用方形的坩埚,但是需要说明的是,此处仅出于说明的目的,而不是为了限制本发明的保护范围。所述坩埚1由坩埚保持器5保持,如图2中所示。所述坩埚保持器5可以包括固定板51、52和53。所述固定板51、52和53可以由石墨板形成。在根据本发明的一个实施例中,所述至少一个加热器包括:顶部加热器31、侧加热器32。所述顶部加热器31、侧加热器32在工作时罩住所述坩埚1,以熔化放置在其中的给料。在上炉体101和下炉体102闭合后,所述顶部加热器31和侧壁加热器32罩住所述坩埚1的四周及上方。
根据本发明的一个实施例,所述下炉体102相对于所述上炉体101纵向可移动,从而可以方便地利用叉车等放入和取出坩埚1。
下面将参照图3-6来描述用于增加给料的结构。如图3中所示,根据本发明的一个实施例,该系统100还可以包括设置在坩埚1与顶部加热器31之间的盖板7,该盖板7的中心开有气体导入孔71。根据本发明的一个实施例,盖板7的四周可以设有多个与固定板51、52和53相互固定的固定部(未示出)。所述盖板7包括:碳-碳复合材料层710,所述碳-碳复合材料层710中央形成有第一通气孔720;以及设置在所述碳-碳复合材料层710下表面之上的隔离层730,所述隔离层730的中央形成有与第一通气孔720对应的第二通气孔740,所述第一通气孔720和所述第二通气孔740形成所述气体导气孔71,如图7中所示。该碳-碳复合材料层710保证在加热的过程中顶部加热器31的热可以透过所述盖板7对给料进行加热。根据本发明的一个实施例,所述隔离层730是从含硅化合物、耐1600℃金属、硼化物、碳化物、氮化物、以及上述物质的混合物中选择的。由于这些材料既能承受高达1600度的高温,从而在与多晶硅给料进行接触时不会在坩埚1中引入例如碳等的杂质,从而即使加料增加也不会导致带来的额外的影响。
所述含硅化合物、硼化物、碳化物、氮化物的硬度高且耐磨、热稳定性好,耐高温远超1600℃,当由这些材料形成隔离层时,不会由于多晶给料与之接触而带入杂质。
所述耐1600℃金属材料耐高温、延展性高、耐磨性好,不会由于多晶给料与之接触而带入大量金属杂质,而且,即便这些材料由于多晶给料与之接触而被微量带入熔体中,由于其在硅中的分凝系数很低,因此对最终的多晶硅锭的质量影响很小。
所述含硅化合物包括碳化硅、氮化硅、硼化硅;所述耐1600℃金属包括钨、钼、钽、铌、钒、铬、钛、锆及其合金,所述硼化物包含碳化硼、氮化硼、硼化锆、硼化镧、硼化钛、硼化钽、硼化铬、硼化钨、硼化钼、硼化钒、硼化铌,所述碳化物包括碳化铬、碳化钽、碳化钒、碳化锆、碳化钨、碳化钼、碳化钛、碳化铌,所述氮化物包括氮化钛、氮化钨、氮化钼、氮化铬、氮化铌、氮化锆、氮化钽、氮化钒。
根据本发明的一个实施例,所述隔离层730由通过气相沉积方法在所述盖板7的下表面上形成的膜构成。
根据本发明的一个实施例,所述隔离层730由固定于所述盖板7下表面上的垫衬所构成。
盖板7可以阻止硅熔体的挥发物直接沉积到石英坩埚1上方的顶部加热器31和其他保温材料上,通过盖板2中心的气体导入孔71还可以将例如氩气(Ar)等的惰性气体导入到坩埚1内的硅熔体表面,并通过石英坩埚1的上部四周设有的多个出风孔流出,从而可以通过所述惰性气体带走各种挥发物。
根据本发明的一个实施例,隔热部件形成为隔热笼4,在上炉体101和下炉体102闭合时,使得顶部加热器31和侧壁加热器32加载到坩埚1的四周,且隔热笼4将石英坩埚1套住以在化料的过程中防止热量外流。在坩埚1熔化的给料进行保温之后的定向凝固的过程中,可以缓慢地向上提升所述隔热笼4,以保持未凝固的液态硅料的温度,并控制所述坩埚1内的多晶硅锭的定向凝固。
如图3中所示,所述坩埚保持器5的顶部表面上形成有至少2个导向件8。所述盖板7通过所述导向件8沿着纵向方向可以自由滑动。所述盖板7可以形成有导向孔,所述导向孔对应于所述导向件8,所述导向件8通过所述导向孔可上下自由滑动。
其中图3中的P1位置显示了在加料之处盖板7的位置,P2显示了在加料结束之后将盖板7安装到导向件8上之后的位置。图4显示了图3中沿着方向A所示的平面图,其中显示了坩埚保持器5的顶部表面上形成有4个导向件8。
需要说明的是,普通技术人员在阅读了上述技术方案之后,显然可以在所述盖板7的边缘处形成有所述导向件8,且在所述坩埚保持器5的侧壁上沿着纵向方向形成有与所述导向件8相对应的导向孔(未示出)。
图5显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统100的部分结构示意图,其中显示了盖板7和坩埚保持器5之间连接的第二实施例。如图5中所示,所述导向件8相对于纵向方向形成有0.1-15度的锥度,且所述导向件8从顶部部至底部逐渐变细。
由此,所述盖板7通过所述具有锥度的导向件8可以保持滑动的稳定性,并最终固定在所述坩埚的开口端处。
根据本发明的一个实施例,所述导向件由石墨形成且所述导向件的高度为坩埚高度的1/4-1/2,这是因为如果导向件的高度设置高于此数值时,所述加热器31上的导气孔与所述盖板7的气体导入孔71的距离过远,从而例如Ar气的惰性气体难于吹入到坩埚中。经过试验之后发现,所述导向件的高度为坩埚高度的1/4-1/2时,这种气体传输的影响较小。根据此改进,坩埚1内的给料容纳量提高了20-30%或者更高。
图9显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统100的结构示意图,其中所述系统处于工作状态。在图9中,显示了在化料之后整个系统100的状态,其中盖板7在该状态下完全覆盖住坩埚1的开口端。由于在化料的过程中,盖板7与所述加热器31之间的距离较大,由此在盖板7上的碳-碳复合材料层710上设置有导气管74。所述导气管74的中心与所述第一通气孔720中心纵向一致,从而在吹入Ar等惰性气体的过程中,可以将该气体顺利导入所述坩埚1内,如图8中所示。
图6A显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统100的部分结构示意图,其中显示了盖板7和坩埚保持器5之间连接的第三实施例。如图6A中所示,所述盖板7的边缘形成有所述导向件8,且所述坩埚保持器5的侧壁上沿着纵向方向可以形成有与所述导向件8对应的导向槽54。由此,所述导向件8只需要在导向槽54内可以顺利滑动,即可以实现在化料的过程中盖板7自动地向下滑动并最终盖住坩埚1的开口端。
图6B显示了根据本发明的一个实施例的制造多晶锭的系统100的部分结构示意图,其中显示了盖板7和坩埚保持器5之间连接的第四实施例。所述盖板7的边缘形成有导向件8,所述导向件8与所述坩埚保持器5的外侧壁相匹配,以沿着所述坩埚保持器5的外侧壁纵向可滑动。即,所述导向件8与所述坩埚保持器5的尺寸相匹配,只要所述导向件8可以沿着所述坩埚保持器5的外表面上下滑动即可。根据本发明的一个实施例,其中形成有4个所述导向件8,以沿着所述坩埚保持器5的外侧壁滑动,并保持所述滑动的稳定性。
图10显示了根据本发明的另一个实施例的制造多晶锭的系统100的结构示意图,其中所述系统处于工作状态。其中采用了图6A中所示坩埚1加料、化料结构,其中并未设置有额外的导气管。且在化料的过程中,加热器31与所述盖板7之间的距离较小,从而减少了能量消耗,从而实现了在减少设备改动的情况下,实现了最大程度上的化料,从而在多晶锭的生产过程中可以极大地降低能耗、减少了生产周期并同时提高生产效率。
下面将说明根据本发明的一种制造多晶锭的方法,以在具有如上结构的用于制造多晶锭的系统100内制造多晶锭。所述方法可以包括以下步骤:将多晶给料放入坩埚1中并至满载,所述坩埚1由坩埚保持器5保持;继续在多晶给料上垒加给料并垒高;将盖板7盖住完成加料的坩埚5,其中所述坩埚保持器5和盖板7之一上形成有至少两个导向件8,所述盖板7通过所述导向件8相对于所述坩埚保持器5沿着纵向向下滑动;将装满多晶给料的坩埚1放置在多晶炉体内以制造多晶锭。
由此,通过上述的结构改造,可以将化料量一次提高20-30%,这在多晶锭的生产过程中可以极大地降低能耗、减少了生产周期并同时提高生产效率。
需要说明的是,任何提及“一个实施例”、“实施例”、“示意性实施例”等意指结合该实施例描述的具体构件、结构或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书各处的该示意性表述不一定指的是相同的实施例。而且,当结合任何实施例描述具体构件、结构或者特点时,所主张的是,结合其他的实施例实现这样的构件、结构或者特点均落在本领域技术人员的范围之内。
尽管参照本发明的多个示意性实施例对本发明的具体实施方式进行了详细的描述,但是必须理解,本领域技术人员可以设计出多种其他的改进和实施例,这些改进和实施例将落在本发明原理的精神和范围之内。具体而言,在前述公开、附图以及权利要求的范围之内,可以在零部件和/或者从属组合布局的布置方面作出合理的变型和改进,而不会脱离本发明的精神。除了零部件和/或布局方面的变型和改进,其范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (13)
1.一种制造多晶锭的系统,包括:
上炉体;
下炉体,所述下炉体与所述上炉体相配合以形成炉体空间;
坩埚,所述坩埚设置在炉体空间内并被构造成容纳给料;
至少一个加热器,所述加热器用于加热坩埚并熔化容纳在坩埚中的给料;
坩埚保持器,所述坩埚保持器用于保持所述坩埚;
隔热部件,所述隔热部件容纳在所述炉体空间内,并被构造成相对于所述坩埚纵向可移动,以控制所述坩埚内的多晶硅锭的定向凝固,
盖板,所述盖板用于在坩埚被加热时盖住坩埚的开口端;其中
所述坩埚保持器和盖板之一上形成有至少两个导向件,所述盖板通过所述导向件相对于所述坩埚保持器沿着纵向可滑动。
2.根据权利要求1所述的制造多晶锭的系统,其特征在于,所述盖板包括:
碳-碳复合材料层,所述碳-碳复合材料层中央形成有第一通气孔;以及
设置在所述碳-碳复合材料层下表面之上的隔离层,所述隔离层的中央形成有与第一通气孔对应的第二通气孔。
3.根据权利要求2所述的制造多晶锭的系统,其特征在于,所述坩埚保持器的顶壁上形成有至少两个导向件;
所述盖板形成有导向孔,所述导向孔对应于所述导向件,所述导向件通过所述导向孔可上下自由滑动。
4.根据权利要求3所述的制造多晶锭的系统,其特征在于,所述至少一个加热器形成为顶部加热器和侧加热器。
5.根据权利要求4所述的制造多晶锭的系统,其特征在于,所述碳-碳复合材料层上设置有导气管,所述导气管的中心与所述第一通气孔中心纵向一致。
6.根据权利要求3所述的制造多晶锭的系统,其特征在于,所述导向件相对于纵向方向形成有0.1-15度的锥度,且所述导向件从顶部部至底部逐渐变细。
7.根据权利要求2所述的制造多晶锭的系统,其特征在于,所述隔离层是从包括含硅化合物、耐1600℃金属、硼化物、碳化物、氮化物、以及上述物质的混合物中选择,其中,
所述含硅化合物包括碳化硅、氮化硅、硼化硅,
所述耐1600℃金属包括钨、钼、钽、铌、钒、铬、钛、锆及其合金,
所述硼化物包含碳化硼、氮化硼、硼化锆、硼化镧、硼化钛、硼化钽、硼化铬、硼化钨、硼化钼、硼化钒、硼化铌,
所述碳化物包括碳化铬、碳化钽、碳化钒、碳化锆、碳化钨、碳化钼、碳化钛、碳化铌,
所述氮化物包括氮化钛、氮化钨、氮化钼、氮化铬、氮化铌、氮化锆、氮化钽、氮化钒。
8.如权利要求7所述的制造多晶锭的系统,其特征在于,所述隔离层由通过气相沉积方法在所述盖板下表面上形成的膜构成。
9.如权利要求7所述的制造多晶锭的系统,其特征在于,所述隔离层由固定于所述盖板下表面上的垫衬所构成。
10.根据权利要求3所述的制造多晶锭的系统,其特征在于,所述导向件由石墨形成且所述导向件的高度为坩埚高度的1/4-1/2。
11.根据权利要求1所述的制造多晶锭的系统,其特征在于,所述盖板的边缘形成有所述导向件,且所述坩埚保持器的侧壁上沿着纵向方向形成有与所述导向件对应的导向槽。
12.根据权利要求1所述的制造多晶锭的系统,其特征在于,所述盖板的边缘形成有所述导向件,且所述坩埚保持器的侧壁中形成有用于导向所述导向件的导向孔。
13.根据权利要求1所述的制造多晶锭的系统,其特征在于,所述盖板的边缘形成有导向件,所述导向件与所述坩埚保持器的外侧壁相匹配,以沿着所述坩埚保持器的外侧壁纵向可滑动。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010197294 CN101871124B (zh) | 2010-06-02 | 2010-06-02 | 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010197294 CN101871124B (zh) | 2010-06-02 | 2010-06-02 | 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101871124A true CN101871124A (zh) | 2010-10-27 |
CN101871124B CN101871124B (zh) | 2013-01-16 |
Family
ID=42996201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201010197294 Expired - Fee Related CN101871124B (zh) | 2010-06-02 | 2010-06-02 | 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101871124B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102677146A (zh) * | 2011-03-18 | 2012-09-19 | 王楚雯 | 制造硅晶锭的方法 |
CN104831351A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-08-12 | 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉用坩埚盖板及盖板表面涂层方法 |
CN110483080A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-11-22 | 唐山市瑞兆碳化硅制品有限公司 | 一种碳化硅粉体及其制备方法 |
CN110560191A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-12-13 | 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所 | 一种容积动态可变的高温共晶点坩埚 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5443034A (en) * | 1994-08-17 | 1995-08-22 | Solec International, Inc. | Method and apparatus for increasing silicon ingot growth rate |
JPH08104590A (ja) * | 1994-05-18 | 1996-04-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶成長方法 |
US6238483B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-05-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for supporting a semiconductor ingot during growth |
CN201162068Y (zh) * | 2008-03-11 | 2008-12-10 | 上海汉虹精密机械有限公司 | 多晶硅铸锭炉 |
CN101333681A (zh) * | 2008-08-01 | 2008-12-31 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | 多晶硅铸锭炉及控制方法 |
CN201195763Y (zh) * | 2008-05-15 | 2009-02-18 | 北京京运通科技有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉 |
CN101429677A (zh) * | 2007-11-07 | 2009-05-13 | 常州华盛天龙机械有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉 |
CN101624187A (zh) * | 2009-07-22 | 2010-01-13 | 管悦 | 一种多晶硅生长铸锭炉 |
CN201670893U (zh) * | 2010-06-02 | 2010-12-15 | 王敬 | 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统 |
-
2010
- 2010-06-02 CN CN 201010197294 patent/CN101871124B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08104590A (ja) * | 1994-05-18 | 1996-04-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶成長方法 |
US5443034A (en) * | 1994-08-17 | 1995-08-22 | Solec International, Inc. | Method and apparatus for increasing silicon ingot growth rate |
US6238483B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-05-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for supporting a semiconductor ingot during growth |
CN101429677A (zh) * | 2007-11-07 | 2009-05-13 | 常州华盛天龙机械有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉 |
CN201162068Y (zh) * | 2008-03-11 | 2008-12-10 | 上海汉虹精密机械有限公司 | 多晶硅铸锭炉 |
CN201195763Y (zh) * | 2008-05-15 | 2009-02-18 | 北京京运通科技有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉 |
CN101333681A (zh) * | 2008-08-01 | 2008-12-31 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | 多晶硅铸锭炉及控制方法 |
CN101624187A (zh) * | 2009-07-22 | 2010-01-13 | 管悦 | 一种多晶硅生长铸锭炉 |
CN201670893U (zh) * | 2010-06-02 | 2010-12-15 | 王敬 | 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102677146A (zh) * | 2011-03-18 | 2012-09-19 | 王楚雯 | 制造硅晶锭的方法 |
CN104831351A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-08-12 | 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉用坩埚盖板及盖板表面涂层方法 |
CN110560191A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-12-13 | 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所 | 一种容积动态可变的高温共晶点坩埚 |
CN110560191B (zh) * | 2018-12-11 | 2021-08-31 | 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所 | 一种容积动态可变的高温共晶点坩埚 |
CN110483080A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-11-22 | 唐山市瑞兆碳化硅制品有限公司 | 一种碳化硅粉体及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101871124B (zh) | 2013-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN201670893U (zh) | 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统 | |
CN101892518B (zh) | 制造多晶锭的系统和方法 | |
CN101871124B (zh) | 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统 | |
CN101914805B (zh) | 具有改进坩埚盖部的定向凝固炉 | |
CN101006205B (zh) | 向晶体形成装置装载熔融源材料的熔化器组件和方法 | |
US8449940B2 (en) | Deposition of high-purity silicon via high-surface area gas-solid interfaces and recovery via liquid phase | |
US20240167189A1 (en) | Molten silicon feeder for continuous czochralski single crystals | |
EP1840248A1 (en) | Semiconductor single crystal producing device and producing method | |
CN105967180A (zh) | 新型石墨化炉 | |
US20190078231A1 (en) | Hybrid crucible assembly for czochralski crystal growth | |
CN101949056A (zh) | 在坩埚侧壁底端设置有保温部件的定向凝固炉 | |
CN113337884A (zh) | 一种单晶炉加料系统 | |
CN102995128B (zh) | 用于制造硅块的装置和方法 | |
CN102071457A (zh) | 一种盛装硅料用的组合式坩埚 | |
US11415369B2 (en) | Crucible with reaction preventing layer made of advanced material and method of melting and casting metal fuel using the same | |
CN220116726U (zh) | 均流板、坩埚和长晶炉 | |
CN201883178U (zh) | 一种具有改进坩埚盖部的定向凝固炉 | |
CN203212669U (zh) | 硅料添加装置的托盘和硅料添加装置 | |
CN101838843A (zh) | 单晶炉用热屏以及具有其的单晶炉 | |
CN202208775U (zh) | 一种上下分体直拉单晶坩埚 | |
CN203373447U (zh) | 一种有籽晶铸锭坩埚护板装置 | |
CN202482489U (zh) | 多晶硅铸锭用二次加料装置 | |
CN201817576U (zh) | 制造多晶锭的系统 | |
CN201778142U (zh) | 具有改进气路的定向凝固炉 | |
CN101914806B (zh) | 具有改进气路的定向凝固炉 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130116 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |