CN201126551Y - 一种内存插槽布局结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种内存插槽布局结构，包括多个内存插槽，属于同一通道的内存插槽分为一组，每组内存插槽相邻的设置在主板上。本实用新型通过将属于同一通道的内存插槽集中设置在一起，经对比实验证明，比现有技术的DQ信号质量有较大的提高。另外，本实用新型将终端电阻设置在主板正面，可以在生产的时候让波峰焊更加方便，效率更高，提高了成品率和产品质量，从而降低了生产成本。

Description

一种内存插槽布局结构

技术领域

本发明涉及一种内存插槽的布局。

背景技术

内存是电脑、服务器等设备必不可少的部件，内存一般是通过内存插槽安装到主板上。现有的内存插槽一般可以分为多个通道，每个通道又有多个插槽，现有技术中，这些插槽是按CH0_1、CH1_1、CH0_2、CH1_2的顺序布置在主板上的。例如图1所示是Intel的公板上内存插槽的布局。其中，CH0_1为0通道的1号插槽，CH1_1为1通道的1号插槽，CH0_2为0通道的2号插槽，CH1_2为1通道的2号插槽，每个内存插槽的终端电容电阻紧邻插槽设置，各个内存插槽之间被终端电容电阻隔开。采用这种内存插槽布局的公板，DQ(数据)信号的完整性常超过规定。而其终端电容电阻还设置在公板的背面，在生产的时候内存插槽需要经过波峰焊，其下面的电阻电容在贴片之后经过波峰焊时经常会有掉炉的情况发生，造成产品报废，降低了产品合格率，提高了生产成本。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种内存插槽布局结构，该内存插槽布局结构可以提高DQ信号质量，并且在生产的时候可以提高成品率，降低生产成本。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种内存插槽布局结构，包括多个内存插槽，属于同一通道的内存插槽分为一组，每组内存插槽相邻的设置在主板上。

进一步地，所述内存插槽分别配有终端电容电阻，每个内存插槽的终端电容电阻设置在该内存插槽所属组的一侧。

进一步地，所述相邻的两组内存插槽之间用其中一组内存插槽的电阻电容隔开。

进一步地，所述的终端电容电阻设置在所述主板的正面。

进一步地，所述内存插槽为DDR2内存的插槽。

本实用新型通过将属于同一通道的内存插槽集中设置在一起，经对比实验证明，比现有技术的DQ信号质量有较大的提高。另外，本实用新型将终端电阻设置在主板正面，可以在生产的时候让波峰焊更加方便，效率更高，提高了成品率和产品质量，从而降低了生产成本。

附图说明

图1是Intel一种公板的底层布局示意图；

图2是本实用新型一种实施例的主板顶层布局示意图；

图3是图2所示实施例的主板底层布局示意图；

图4是DIMM仿真对象的拓扑图；

图5是对本实用新型的一实施例的内存插槽布局结构进行DIMM仿真实验的仿真效果图；

图6是对一种Intel公板的内存插槽布局结构进行DIMM仿真实验的仿真效果图；

图7是对本实用新型的另一实施例的内存插槽布局结构进行DIMM仿真实验的仿真效果图；

图8是DDR2内存的信号参数示意图。

具体实施方式

本实用新型的思路是，将内存插槽按通道(CHANNEL)分开集中放置。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明，但不作为对本实用新型的限定。

如图2所示，是本实用新型一种实施例的主板正面的布局示意图。该实施例中，共有四个内存插槽，分属两个通道。其中，属于1通道的两个内存插槽CH1_1和CH1_2被分成一组，集中设置在一起，两个内存插槽相邻设置；内存插槽CH1_1和CH1_2的终端电容电阻101都被设置在内存插槽CH1_2的一侧。属于0通道的两个内存插槽CH0_1和CH0_2被分成一组，集中设置在一起，两个内存插槽相邻设置；内存插槽CH0_1和CH0_2的终端电容电阻101都被设置在内存插槽CH0_2的一侧。属于1通道的内存插槽和属于0通道的内存插槽之间通过1通道的内存插槽的终端电容电阻101隔开。

本实用新型中，终端电容电阻101被设置在主板正面，从图3可以看出，该实施例的主板底层未设置终端电容电阻。

为了说明本实用新型的有益效果，采用图4所示的拓扑结构对本实用新型和现有技术进行DIMM(Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块)仿真实验，图中，DIMM1和DIMM2分别为通道不同的两个内存插槽。L1为北桥MCH(memory controller hub，内存控制器中心)与内存插槽DIMM1之间的距离，L2为内存插槽DIMM1和DIMM2之间的距离。

首先，对本实用新型的一个实施例进行仿真，该实施例中，L1为115mm，L2为11mm。仿真效果如图5所示，图中粗实线为MCH发送端DQ(数据)波形，细实线为DIMM1的波形，虚线为DIMM2的波形。

然后，对现有技术中Intel的公板布局结构进行仿真，其L1为115mm，L2为30mm。仿真效果如图6所示，图中粗实线为MCH发送端DQ(数据)波形，细实线为DIMM1的波形，虚线为DIMM2的波形。

可以看出，图6中DIMM1的波形在A、B两处各有一个明显的回勾，虽然仍在相关规范允许的范围内，但说明其性能参数并不够好。相对的，图5中DIMM1的波形在A、B两处没有明显的回勾，说明本实用新型与现有技术相比，具有更好的性能参数。

对本实用新型的另一个实施例进行仿真，该实施例中，L1为140mm，L2为11mm。仿真效果如图7所示，图中粗实线为MCH发送端DQ(数据)波形，细实线为DIMM1的波形，虚线为DIMM2的波形。对图7进行分析可以得出，虽然与图5所示实施例相比，本实施例北桥MCH与内存插槽DIMM1的距离增大了，但对整体信号的影响并不明显。

本实用新型尤其适用于DDR2(Double Data Rate 2)内存，DDR2内存的信号参数如图8所示。

Claims (5)

1、一种内存插槽布局结构，包括多个内存插槽，其特征在于，属于同一通道的内存插槽分为一组，每组内存插槽相邻的设置在主板上。

2、如权利要求1所述的内存插槽布局结构，其特征在于，所述内存插槽分别配有终端电容电阻，每个内存插槽的终端电容电阻设置在该内存插槽所属组的一侧。

3、如权利要求2所述的内存插槽布局结构，其特征在于，所述相邻的两组内存插槽之间用其中一组内存插槽的电阻电容隔开。

4、如权利要求2所述的内存插槽布局结构，其特征在于，所述的终端电容电阻设置在所述主板的正面。

5、如权利要求1～4之任意一项所述的内存插槽布局结构，其特征在于，所述内存插槽为DDR2内存的插槽。

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