CN201059867Y - 链式接触加热烧结炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种半导体芯片烧结与封装的链式接触加热烧结炉,它使半导体器件直接滑动接触热板并逐渐加热升温烧结。此外,烧结炉采用分段自动控制热板炉体温度,从而解决炉内区域段温度的精确度。由于烧结工件随传送链与热板滑动接触,所以烧结工件中焊料烧结温度容易掌握,半导体芯片不容易受高温影响,不会改变原有半导体芯片参数,提高了产品质量,缩短烧结时间,节约能源。
Description
所属技术领域
本实用新型涉及一种半导体芯片烧结与封装烧结用的链式烧结炉。
背景技术
现有半导体生产中,采用真空烧结及链式间接传热烧结。前者真空烧结生产效率低、成品率低,后者采用链带载运烧结工件进出烧结炉烧结,在烧结过程中,烧结工件只能间接受热,烧结加工温度时间长、耗电大、生产效率低而且烧结温度高、半导体器件容易氧化,此外,由于这种烧结炉是间接传热加温,它无法精确控制烧结炉内的各区域段温度,导致半导体器件烧结时半导体芯片快速升温及急降温,影响半导体参数,严重者半导体芯片开裂。
发明内容
本实用新型的目的在于半导体器件在烧结过程中,烧结工件直接滑动接触加热并逐渐升温烧结,以及烧结炉采用分段自动控制热板炉体来解决烧结炉内区域段温度的精确度,从而提高半导体的质量及成品率;并降低能耗、节约成本。
本实用新型是这样实现的:烧结炉是由热板、冷却板、传送链、密封保护罩、驱动系统、自动控温系统及密封保护罩两端的进、出口设置的自动上、下料装置等构成的自动链式接触加热烧结炉。当驱动系统工作、传送连循环运行、传动连上的挡片推动自动上料架上的烧结工件进入密封保护罩时,烧结工件与热板滑动接触并在预热区逐步加热、经烧结区烧结,烧结完成的半导体器件经过降温区逐渐降温并至冷却区冷却,直至出口自动下料区下料。
由于本实用新型工件烧结采用分段控温接触加热烧结,所以半导体器件中的芯片受热温度低,不容易在烧结过程中因受高热而改变半导体芯片的各种参数,提高了产品的成品率。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
图1是本实用型新的结构示意图。
图中1.传送链,2.上料机构,3、9.密封挡板,4.自动控温系统,5.热板,6.烧结工件,7.密封罩,8.冷却板,10.驱动系统,11.下料机构,12.排风罩。
具体实施方式
参照图1.传送链(1)在驱动系统(10)变速电动机的带动下,使传送连(1)上的挡片推动自动上料机构(2)上的烧结工件(6)在自重的作用下自落至传送连(1)的挡片之间从而连续不断地推入烧结炉。工件在密封罩(7)的气体保护下与热板(5)滑动接触、逐渐升温、逐渐降温后进入自动下料机构(11)。在烧结过程中的氢氮保护气体由密封罩(7)两端的出、入口处的自动密封挡板(9)、(3)来防止半导体器件氧化并减少氢氮气体的用量,泄漏的气体由排风罩(12)排出室外以免产生氢气爆炸。
本实用新型中的热板(5)可设置成预热区、烧结区、降温区、冷却区,还可根据半导体工艺设置成多段预热区、烧结区、降温区、冷却区,各区域由自动控温系统(4)精确控温,充分满足了半导体烧结工艺的要求。由于烧结工件(6)随传送链(1)与上述热板滑动接触来达到烧结工件(6)中焊料的烧结温度,所以烧结温度容易控制、半导体芯片不易受高温影响且其原有参数不易改变。
链式接触加热烧结炉中的冷却板(8)采用水冷却,也可用制冷器来降低冷却板(8)的温度。密封罩内自动密封挡板(3)、(9)一端设置在密封罩上并活动下垂,当烧结工件(6)随传送链(1)经过密封挡板(3)时,烧结工件(6)顶动密封挡板(3),密封挡板(3)一端在烧结工件(6)上滑动密封,烧结工件(6)经过密封挡板(3)后,一端自落至底板密封,烧结好的工件(6)随传送链(1)经过密封挡板(9)进入下料机构(11)。罩内的保护气体用氢、氮混合气或用氮气来防止半导体器件氧化。
Claims (5)
1.一种链式接触加热烧结炉,它由热板(5)、冷却板(8)、传送链(1)、密封保护罩(7)、驱动系统(10)以及自动控温系统(4)等组成,其特征是:烧结工件(6)随传送链(1)、与热板(5)滑动接触。
2.根据权利要求1所述的链式接触加热烧结炉,其特征在于热板(5)设预热区、烧结区、降温区、冷却区。
3.根据权利要求1或2所述的链式接触加热烧结炉,其特征在于工件随传送链(1)与热板(5)及冷却板(8)滑动接触区域的密封罩(7)内设有保护气体。
4.根据权利要求1或2所述的链式接触加热烧结炉,其特征在于工件随传送链(1)与热板(5)及冷却板(8)滑动接触区域的密封罩(7)两端出入口设自动密封挡板(9)、(3)。
5.根据权利要求1或2所述的链式接触加热烧结炉,其特征在于链式接触加热烧结炉密封罩(7)两端入口、及出口设置自动上料机构(2)及自动下料机构(11)。
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
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