CN200993968Y - 发光二极管的结构改良 - Google Patents

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陈国湖
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Abstract

本实用新型的发光二极管至少包含有：一具有承载部的陶瓷底座、至少一金属反射层、至少一发光芯片以及封装体，其金属反射层印刷于该承载部上，各金属反射层间形成有分隔部，该发光芯片设置于该承载部中，并与各金属反射层形成电性连接，并于承载部中设置封装体以完成发光二极管的结构，该发光二极管发出的光线可藉该金属反射层形成光线反射效果，并利用该金属反射层可形成发光芯片正、负端电极的连接。

Description

发光二极管的结构改良
技术领域
本实用新型有关一种发光二极管的结构改良，尤指一种可提供发光二极管光线的光线反射效果，以及利用该金属反射层可形成发光芯片正、负端电极连接的发光二极管的结构改良。
背景技术
发光二极管(LED)的封装型态主要分为两种，一种为灯型(Lamp)，采用液体树脂灌注方式成型，另一种为表面黏着型(SMD)，它采用模注成型(molding)方式，也部份采用液体树脂灌注方式；另传统表面黏着型发光二极管(SMD LED)大都没有反射座，有反射座的厂商并不多，目前SMD LED有反射座设计者，大都在现成的电路板(基板)上挖孔，再施以电镀金属反射层，后再固晶、打线、封胶等步骤，使能完成SMD LED成品。
另外，如中国台湾专利公告号第474030号专利内容中，其揭露有将陶瓷电路板基材面镀以金属导电层，再以雷射光将电路板凹状反射座表面的镀层金属作切割处理，使每一凹状反射座具有正、负两端电极，再将发光二极芯片以覆晶方式与凹状反射座的正、负电极接合，后再以封胶树脂封装成表面黏着型发光二极管，其中形成凹状反射座需经过电镀再施以雷射光切割处理，成形步骤较为复杂。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的目的即在提供一种可提供发光二极管光线的光线反射效果，以及利用该金属反射层可形成发光芯片正、负端电极连接的发光二极管的结构改良。
为达上述目的，本实用新型的发光二极管至少包含有：一具有承载部的陶瓷底座、至少一金属反射层、至少一发光芯片以及封装体，其金属反射层印刷于该承载部上，各金属反射层间形成有分隔部，该发光芯片设置于该承载部中，并与各金属反射层形成电性连接，并于承载部中设置封装体以完成发光二极管的结构，该发光二极管发出的光线可藉该金属反射层形成光线反射效果，并利用该金属反射层可形成发光芯片正、负端电极的连接。
本实用新型的有益效果为：可以得到一种可提供发光二极管光线的光线反射效果，以及利用该金属反射层可形成发光芯片正、负端电极连接的发光二极管的结构改良。
附图说明
图1为本实用新型中第一实施例发光二极管的结构立体图；
图2为本实用新型中第一实施例发光二极管的结构示意图；
图3A、B为本实用新型中第二实施例发光二极管的结构立体图；
图4为本实用新型中第二实施例发光二极管与基板固定的结构示意图；
图5为本实用新型中第三实施例发光二极管的结构立体图；
图6为本实用新型中第四实施例发光二极管的结构立体图；
图7为本实用新型中发光二极管与导热体的结构示意图；
图8为本实用新型中发光二极管的另一结构示意图。
【图号说明】
1    发光二极管 11   陶瓷底座
111  承载部     111a 底部
111b 侧壁       111c 贯孔
112  贯穿部     12   金属反射层
121  分隔部     13   发光芯片
14   导线       15   封装体
16   保护层     2    基板
21   焊接点     3    导热体
具体实施方式
为能使贵审查员清楚本实用新型的结构组成，以及整体运作方式，兹配合图式说明如下：
本实用新型发光二极管的结构改良，如图1及图2的第一实施例所示，该发光二极管1其至少包含有：
一陶瓷底座11，具有一承载部111可供容置金属反射层12以及发光芯片13，该承载部111为凹杯状结构体，其至少具有底部111a及侧壁111b。
至少一金属反射层12，印刷于该承载部111上，由底部111a延伸于侧壁111b上，各金属反射层12间形成有分隔部121，其分隔部同样由111a延伸于侧壁111b上。
至少一发光芯片13，设置于该承载部的底部111a上，并与各金属反射层12形成电性连接，如图所示利用导线14构成发光芯片13与各金属反射层12的电性连接。
封装体15，封装于承载部111中，并覆盖部份金属反射层12以及发光芯片13。
本实用新型的金属反射层12可形成发光芯片13正、负端电极的连接，且该发光二极管1发出的光线可藉该金属反射层12形成光线反射效果，以达到较佳的光线效果。
如图3A所示的第二实施例中，该陶瓷底座11形成有贯穿上、下表面的贯穿部112，如图所示，该贯穿部112设于陶瓷底座11的边侧，而该金属反射层12则由该承载部111延伸至贯穿部112，故当该发光二极管1组装于一基板2上时，如图4所示，其贯穿部112中的各金属反射层12可与基板2形成焊接点21，并可由基板2上所预设的电路(图中未标示)提供各金属反射层12正、负电流，进而使发光二极管1发出光线；其陶瓷底座11的外形可如图3A所示，亦可如如图3B所示的外形结构。
如图5的第三实施例中，其承载部111中设有4个以分隔部121分离的金属反射层12，可供设置有复数个发光芯片；亦可如图6所示的形式。
再者，该承载部111的底部111a形成有贯穿上、下表面的贯孔111c，其贯孔111c中可设有导热体3，如图7所示，其导热体3可将发光芯片13工作时所发出的热源有效散去，以维持该发光二极管的发光效能。
另外，该金属反射层12由承载部111延伸至贯穿部112时，部份金属反射层12会外露于陶瓷底座11上，可进一步于该部份金属反射层12上方设置保护层16，如图8所示，使该保护层16得以覆盖于部份外露于陶瓷底座11的金属反射层12上方，但不覆盖于设置承载部111上的金属反射层12上，其保护层16可以利用印刷方式设置，其保护层16亦可以为陶瓷或其它材料，以使该外露的金属反射层12不会与空气接触，可被完全包覆而防止氧化，亦可增加封装体15与承载部111的黏着力。
如上所述，本实用新型提供一较佳可行的发光二极管的结构改良，于是依法提呈新型专利的申请；以上的实施说明及图式所示，是本实用新型较佳实施例，并非以此局限本实用新型，是以，举凡与本实用新型的构造、装置、特征等近似、雷同的，均应属本实用新型的创设目的及申请专利范围之内。

Claims (10)

1、一种发光二极管的结构改良，其特征在于，其至少包含有：
一陶瓷底座，具有一可供容置金属反射层以及发光芯片的承载部；
至少一金属反射层，印刷于该承载部上，各金属反射层间形成有分隔部；
至少一发光芯片，设置于该承载部中，并与各金属反射层形成电性连接；
封装体，封装于承载部中。
2、如权利要求1所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该承载部为凹杯状结构体，其具有底部及侧壁。
3、如权利要求2所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该金属反射层由底部延伸于侧壁上，其分隔部同样由底部延伸于侧壁上。
4、如权利要求1所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该陶瓷底座形成有贯穿上、下表面的贯穿部。
5、如权利要求4所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该贯穿部设于陶瓷底座的边侧。
6、如权利要求4或5所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该金属反射层由该承载部延伸至贯穿部。
7、如权利要求6所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该金属反射层上方设置保护层。
8、如权利要求7所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该保护层设置异于承载部表面的金属反射层上。
9、如权利要求7所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该保护层为印刷方式设置于金属反射层上。
10、如权利要求2所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该承载部的底部形成有贯穿上、下表面的贯孔，其贯孔中可设有导热体。
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