发明内容
本实用新型的目的在于提供一种差模阻抗小、生产成本低的片式低温共烧陶瓷式共模滤波器。
为了实现上述目的,本实用新型的技术方案是:片式低温共烧陶瓷式共模滤波器,它由流延成的生瓷带叠层在一起而制成低温共烧陶瓷体,低温共烧陶瓷体内印制有n层左线圈和右线圈,n≥5,第n层、第1层分别为引脚层(注:图2中所示最上的一层为第n层,即最下一层;是因图4-6为第n层图);下一层的左线圈的一端与上一层的右线圈的一端由接头相连(说明:图2中,图外接头处为一端,图里接头处为另一端),上一层的右线圈的另一端与再上一层的左线圈的另一端由接头相连;其特征在于:下一层的左线圈的一端和上一层的右线圈的一端连接的接头与上一层的左线圈的一端与再上一层的右线圈的一端连接的接头由接头拐角部相互交错开,下一层的右线圈的另一端和上一层的左线圈的另一端连接的接头与上一层的右线圈的另一端和再上一层的左线圈的另一端连接的接头由接头拐角部相互交错开。
所述的n层左线圈和右线圈,相邻层的左线圈和右线圈除接头拐角部相互交错开外相互重叠。
所述的n层左线圈和右线圈,一层的左线圈和右线圈的两端部为直角部,则与之相邻的另一层的左线圈和右线圈的两端部分别为接头拐角部,另一层的左线圈两端的两接头拐角部与右线圈两端的两接头拐角部的拐角方向相反并留有间距,另一层的左线圈两端的两接头拐角部的拐角方向相同。
本实用新型的有益效果是:
1)、由于采用了高Q值、低损耗的低温共烧陶瓷材料,所得到的共模滤波器的Sdd21参数在1GHz的范围之内基本不受到频率的影响,其值极小;与铁氧体相比,其性能如图5所示,本实用新型的高频性能更为理想。
2)、传统的低温共烧陶瓷式共模滤波器的结构上下相邻的耦合层必须偏离一定的距离(接头处采用平行结构),以避免连接上下层的接头(过孔)短路,这种结构的性能很大程度上依赖于工艺线的线间距加工水平,非重叠区域Z的面积越大,则线圈形成的耦合区域的面积越小,电磁泄漏越多,器件的差模阻抗也就越大,性能降低。
本实用新型接头处采用了拐角部相互交错开,上下层的线圈绝大部分相重叠,上下相邻两层重复的交错堆叠,非重叠区域Z的面积小;一方面可以满足单个电感的电感量要求,保证了两个耦合电感间足够的耦合强度,得到了不受工艺加工水平限制的耦合强度;另一方面,减少了电磁泄漏,得到了较好的差模阻抗性能(差模阻抗较小),不会对信号造成损耗。
3)、本实用新型接头处采用了拐角部相互交错开,非重叠区域Z的面积小,从而巧妙地避免了最小线间距问题,耦合区域的面积不受工艺线间距水平的限制而减小,对线间距要求降低,工艺加工难度低,普通的厚膜印刷工艺水平即可达到加工要求。在同等水平的加工条件下,性能要比传统的低温共烧陶瓷式共模滤波器性能优异,如图6所示。
4)、由于陶瓷式滤波器在实际工艺制作中,是在陶瓷基片上印刷导体浆料,成本低廉;同时由于本实用新型所使用的各层结构交替重复,仅需要少量的丝网即可,减少了掩膜费用,生产成本大大降低。
具体实施方式
如图2、图3所示,片式低温共烧陶瓷式共模滤波器(本实例中n为7,每层的印刷如图4-1、图4-2、图4-3、图4-4、图4-5、图4-6所示),它由流延成的生瓷带叠层在一起而制成低温共烧陶瓷体1,低温共烧陶瓷体内印制有7层左线圈和右线圈,第7层、第1层分别为引脚层;第7层的左线圈4的一端与第6层的右线圈9的一端由接头8相连(说明:图2中,图外接头处为一端,图里接头处为另一端,引脚为外端),第6层的右线圈9的另一端与第5层的左线圈的另一端由接头相连;第7层的右线圈7的另一端与第6层的左线圈5的另一端由接头相连,第6层的左线圈5的一端与第5层的右线圈的一端由接头相连;第7层的右线圈7的外端为引脚,第7层的左线圈4的外端为引脚;
第5层的左线圈的一端与第4层的右线圈的一端由接头相连,第4层的右线圈的另一端与第3层的左线圈的另一端由接头相连;第5层的右线圈的另一端与第4层的左线圈的另一端由接头相连,第4层的左线圈的一端与第3层的右线圈的一端由接头相连;
第4层的左线圈的一端与第3层的右线圈的一端由接头相连,第3层的右线圈的另一端与第2层的左线圈的另一端由接头相连;第4层的右线圈的另一端与第3层的左线圈的另一端由接头相连,第3层的左线圈的一端与第2层的右线圈的一端由接头相连;
第3层的左线圈的一端与第2层的右线圈的一端由接头相连,第2层的右线圈的另一端与第1层的左线圈的另一端由接头相连;第3层的右线圈的另一端与第2层的左线圈的另一端由接头相连,第2层的左线圈的一端与第1层的右线圈的一端由接头相连;第1层的左线圈的外端为引脚,第1层的右线圈的外端为引脚。
本实用新型此实施例的特点是:第7层的左线圈4的一端部为接头拐角部6,第7层的右线圈7的另一端部为接头拐角部,第7层的左线圈4的接头拐角部6与第7层的右线圈7的接头拐角部的拐角方向相反;第6层的左线圈5和第6层的右线圈9的两端部为直角部,第6层的左线圈5与第6层的右线圈9的两端部部分间隔重叠;第5层的左线圈和第5层的右线圈的两端部均为接头拐角部,第5层的左线圈两端的两接头拐角部与第5层的右线圈两端的两接头拐角部的拐角方向相反并留有间距,第5层的左线圈两端的两接头拐角部的拐角方向相同;第4层、第2层的左线圈和右线圈的结构与第6层的左线圈和右线圈的结构相同,第3层的左线圈和右线圈的结构与第5层的左线圈和右线圈的结构相同;第1层的左线圈的另一端部为接头拐角部,第1层的右线圈的一端部为接头拐角部,第1层的左线圈的接头拐角部与第1层的右线圈的接头拐角部的拐角方向相反;
7层左线圈和右线圈的上下层的左线圈和右线圈相互上下方位重叠(除接头拐角部相互交错开外);
第7层的左线圈4的一端和第6层的右线圈9的一端连接的接头8与第6层的左线圈的一端与第5层的右线圈的一端连接的接头由第7层的左线圈4的一端的接头拐角部6、第5层的右线圈的一端的接头拐角部相互交错开;第7层的右线圈7的另一端和第6层的左线圈5的另一端连接的接头与第6层的右线圈的另一端和第5层的左线圈的另一端连接的接头由第7层的右线圈的另一端的接头拐角部、第5层的左线圈的另一端的接头拐角部相互交错开;
第6层的左线圈的一端和第5层的右线圈的一端连接的接头与第5层的左线圈的一端与第4层的右线圈的一端连接的接头由第5层的右线圈的一端的接头拐角部、第5层的左线圈的一端的接头拐角部相互交错开;第6层的右线圈的另一端和第5层的左线圈的另一端连接的接头与第5层的右线圈的另一端和第4层的左线圈的另一端连接的接头由第5层的左线圈的另一端的接头拐角部、第5层的右线圈的另一端的接头拐角部相互交错开;
第5层的左线圈的一端和第4层的右线圈的一端连接的接头与第4层的左线圈的一端与第3层的右线圈的一端连接的接头由第5层的左线圈的一端的接头拐角部、第3层的右线圈的一端的接头拐角部相互交错开;第5层的右线圈的另一端和第4层的左线圈的另一端连接的接头与第4层的右线圈的另一端和第3层的左线圈的另一端连接的接头由第5层的右线圈的另一端的接头拐角部、第3层的左线圈的另一端的接头拐角部相互交错开;
第4层的左线圈的一端和第3层的右线圈的一端连接的接头与第3层的左线圈的一端与第2层的右线圈的一端连接的接头由第3层的右线圈的一端的接头拐角部、第3层的左线圈的一端的接头拐角部相互交错开;第4层的右线圈的另一端和第3层的左线圈的另一端连接的接头与第3层的右线圈的另一端和第2层的左线圈的另一端连接的接头由第3层的左线圈的另一端的接头拐角部、第3层的右线圈的另一端的接头拐角部相互交错开;
第3层的左线圈的一端和第3层的右线圈的一端连接的接头与第3层的左线圈的一端与第1层的右线圈的一端连接的接头由第3层的左线圈的一端的接头拐角部、第1层的右线圈的一端的接头拐角部相互交错开;第3层的右线圈的另一端和第2层的左线圈的另一端连接的接头与第2层的右线圈的另一端和第1层的左线圈的另一端连接的接头由第3层的右线圈的另一端的接头拐角部、第1层的左线圈的另一端的接头拐角部相互交错开。
本实用新型还可采用n=5、6、8、9、10、11或12等,其结构形式可采用n=7的结构形式,依n=7的结构形式类推。
非重叠区域Z(即由接头拐角部相互交错开的部位)无论放在线圈(或称内电极)的长边、短边、或拐角处,都会起到前述的效果,图2、图3仅是本实用新型的优选方案而已。
片式低温共烧陶瓷式共模滤波器的制造如下(利用现行的低温共烧陶瓷技术):
1、选取低温共烧陶瓷介质材料,采用流延制造生瓷带。流延的目的是把陶瓷粉料转变为易于加工的生瓷带。
2、生瓷带的加工、穿孔:生带通过切断设备加工成标准尺寸,利用机械冲压、钻孔或激光打孔技术形成通孔。孔用在不同层上以互连电路。在此阶段还要冲制模具孔,帮助叠片时的对准。
3、通孔填充:将银浆等导体通过厚膜印刷、多孔石灌注等方式灌入生带上开好的孔中。
4、印刷:采用传统的厚膜丝网印刷和计算机直接描绘,对导体浆料进行印刷和烘干。每层的印刷如图4-1、图4-2、图4-3、图4-4、图4-5、图4-6所示。
5、切割:将完成前道工艺的半成品,利用激光、锯、热刀等方式切割分离成单个共模滤波器半成品。
6、烧结:单个共模滤波器(基板层)的半成品检查、整理和对准不同层,使每层中的对准孔同心并准备叠层;叠层期间,整理和对准的基板层被热压在一起(通常为70℃,3000psi下10分钟);然后一步共烧叠层:在5分钟~15分钟将叠层共烧至峰值温度(通常为850℃),完成器件主体。
7、涂布电极:在烧结后的共模滤波器上相应位置涂布电极,将内部的电路引出。
8、电镀:涂布电极经过烧银后,以电镀方式在电极表面形成保护可焊层(如镍锡层),作为焊接界面,使共模滤波器可以利用表贴的工艺得到应用。
共模滤波器基本原理:
图7(a)为差模信号等效电路图,图7(b)为共模信号等效电路图,图7(a)、图7(b)为共模滤波器的拓扑结构,当两路信号通过两个耦合线圈时,会产生互感M,造成单个线圈的等效电感量改变。
当差模信号通过时,互感M磁场方向与单个线圈产生的磁场方向相反,单个线圈的等效电感量变为L-M,电感量减小,信号变得更易通过。
当共模信号通过时,互感M磁场方向与单个线圈产生的磁场方向相同,单个线圈的等效电感量变为L+M,电感量增加,信号变得不易通过。
对于信号传输为差分方式的电路,噪声信号为共模形式。通过合理设计线圈结构,可以使M接近于L,产生如下结果:
(1)当差模信号通过时,线圈电感接近为0,信号可以顺利通过。
(2)当共模模信号通过时,线圈电感为L+M,信号损耗增加,有效抑制了噪声。
以上所述为本实用新型的优选实施方案而已,并不用于限制本实用新型。尤其对于本实用新型独有的非重叠区域Z连接结构(即由接头拐角部相互交错开),对于本领域的技术人员来说,可以有各种形式更改以及位置变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包括在本实用新型的保护范围之内。