CN200940169Y - 拉晶装置 - Google Patents

Abstract

一种拉晶装置，包括机械转动装置，置于机械转动装置上的带有上炉盖的主炉体，置于主炉体上炉盖上的下端带有第一真空阀门，置于第一真空阀门与上炉盖之间并连接在上炉盖上的第二真空阀门。当一次晶体生长结束后，将第一、二两真空阀门关闭，可以将上炉筒带着晶体从主炉体上移开，单独进行退火。而主炉体内始终保持着原有的高温气氛，可以连续生长晶体。既节约能源，又加快生产周期，提高生产效率，降低生产成本。

Description

拉晶装置

技术领域

本实用新型涉及一种生长晶体的装置，具体地说涉及一种拉晶的装置。

背景技术

在先技术中，拉晶装置包括，机械转动装置，置于机械转动装置上的主炉体，置于主炉体上炉盖的上炉筒。在主炉体内置有坩锅，坩锅内置有生长晶体的原材料。长晶体时，坩锅内的原材料需要在真空下加温至1300℃-1500℃，比如在生长单晶硅时，需要加温至1400℃，主炉体内的气氛是在真空下，或在充有需要气体的气氛下，比如充入N₂、Ar₂等，生长的晶体拉引到上炉筒内。当一炉的晶体全部生长到上炉筒内后，将上炉筒下端的真空阀门关闭，这时开始降温，即晶体退火。这种拉晶装置存在的问题是：

1.因为在上炉筒内的晶体退火时，上炉筒的降温是在主炉体上进行的。因此，主体炉也必须同时降温，则主炉体内的1300℃以上的高温，也就同时降下来；当晶体退火结束后，将晶体取出，再重新装炉抽真空以及加热升温。每生长一根晶体都重复着加热升温而后再冷却降温的过程，这就大大地浪费了热量，浪费了能源；

2.如上所述的拉晶装置，因为每生长一根晶体，对于主炉体内都要从头至尾地重复着抽真空加热升温和冷却降温的过程，即生长晶体和晶体的退火都在这一台拉晶装置上进行。因此，对于一台拉晶装置来说，生产周期较长，生产效率较低，则生长晶体的成本也就提高了。

发明内容

本实用新型的目的是为了克服上述在先技术中拉晶装置的缺陷，提供一种新型的拉晶装置，当晶体退火时，能使上炉筒脱离主炉体，主炉体内的高温气氛不受影响，能够连续地生长晶体。

为了达到上述的目的，本实用新型所采取的技术方案是：提供一种拉晶装置，包括机械转动装置，置于机械转动装置上的带有上炉盖的主炉体，置于主炉体上炉盖上的下端带有第一真空阀门的上炉筒，置于第一真空阀门与上炉盖之间并连接在上炉盖上的第二真空阀门。

本实用新型拉晶装置的效益显著。

因为本实用新型拉晶装置中，在上炉筒下端的第一真空阀门与主炉体上炉盖之间置有第二真空阀门，并且第二真空阀门连接在主炉体的上炉盖上。所以当一炉晶体生长完毕，将第一、二真空阀门都关闭后，连接在主炉体上上炉盖上的第二真空阀门将主炉体关闭；上炉筒也被第一真空阀门关闭。此时上炉筒带着筒内的晶体可以从主炉体上移开，单独地进行降温退火。而主炉体内仍然保持原来的高温气氛。只要重新置放一只下端带有第一真空阀门的上炉筒，立刻就可以进行下一次生长晶体的过程。这不仅节约了能源而且缩短了生产周期，从而大大地提高了生产率，降低了生产成本。

附图说明

图1是本实用新型拉晶装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图进一步说明本实用新型拉晶装置的结构。

如图1所示，本实用新型拉晶装置包括：机械转动装置6，置于机械转动装置6上的带有上炉盖4的主炉体5，置于主炉体5上炉盖4上面的下端带有第一真空阀门2的上炉筒1，置于第一真空阀门2与上炉盖4之间，并连接在上炉盖4上的第二真空阀门3。

在本实施例中，第一真空阀门2和第二真空阀门3都是隔离真空阀门。

如图1示，当第一、二两真空阀门2、3同时关闭时，两真空阀门2、3分别将上炉筒1和主炉体5关闭。此时，将上炉筒1从主炉体5上移开，主炉体5内的高温气氛丝毫不受影响。更换另一个上炉筒1后，可以即刻继续生长晶体。晶体退火和晶体生长同时进行。节约了能源，节约了时间，提高了生产效率，降低了成本。

Claims (3)

1.一种拉晶装置，包括机械转动装置，置于机械转动装置上的带有上炉盖的主炉体，置于主炉体上炉盖上的下端带有第一真空阀门的上炉筒，其特征在于包括：置于第一真空阀门与上炉盖之间并连接在上炉盖上的第二真空阀门。

2.根据权利要求1所述的拉晶装置，其特征在于所述的第一真空阀门是隔离真空阀门。

3.根据权利要求1所述的拉晶装置，其特征在于所述的第二真空阀门是隔离真空阀门。

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