CN1986872B - 处理底材的机器及方法 - Google Patents

处理底材的机器及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1986872B
CN1986872B CN2006101272973A CN200610127297A CN1986872B CN 1986872 B CN1986872 B CN 1986872B CN 2006101272973 A CN2006101272973 A CN 2006101272973A CN 200610127297 A CN200610127297 A CN 200610127297A CN 1986872 B CN1986872 B CN 1986872B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
substrate
machine
treatment
central transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2006101272973A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1986872A (zh
Inventor
埃尔坎·科帕尔
迪特尔·哈斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials GmbH and Co KG
Original Assignee
Applied Materials GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials GmbH and Co KG filed Critical Applied Materials GmbH and Co KG
Publication of CN1986872A publication Critical patent/CN1986872A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1986872B publication Critical patent/CN1986872B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一种用于处理底材S的机器(1)包括:一个输入区域(6),至少一个第一处理腔(2),一个第二处理腔(3),一个第三处理腔(4)及一个实施第四处理腔(8)以用于执行处理,例如为需要涂层的底材S涂覆涂层,以及一个输出区域(7)。所述四个处理腔(2)、(3)、(4)及(8)与中央传送腔连接,第一处理腔(2)与第四处理腔(8)位于锁定腔(6)或(7)之一与中央传送腔(5)之间,呈串联连接。第二处理腔(3)及第三处理腔(4)并联连接且相互独立地与中央传送腔相通。处理方法包括下述阶段:a)输入底材至机器(1);b)传送底材S至第一处理腔(2)且实施实施第一处理阶段;c)传送底材S至中央传送腔(5);d)选择地传送底材S至第二处理腔(3)或第三处理腔(4),并实施第二处理阶段;e)传送底材S至中央传送腔(5);及f)从机器(1)输出底材S。

Description

处理底材的机器及方法
技术领域
本发明涉及一处理底材的机器,至少包括:一个第一处理腔,一个第二处理腔,及一个处理底材的第三处理腔,一个至少带有三个处理腔的中央传送腔,及为将底材输入或输出机器的一个第一锁定区域。此外,本发明涉及一种处理底材的方法,特别是用上述机器实施。
背景技术
在一系列应用中,底材需要几个处理阶段,例如涂层。底材多重涂层的许多例子之一是TFT镀金属(薄膜晶体管),其中两种或三种不同的金属通过阴极真空喷镀而被镀上。在具有几层的分层系统中,调整各层的厚度可能是必需的,由此导致它们的不同。然而,在某一涂层阶段的涂层时间也随着涂层厚度变化。例如,在TFT镀金属过程中,可能必须使形成的第二层比在下面的第一层及在上面的第三层厚很多。
不同的机器构造已被建议用于生产这些具有几层的分层系统。
例如,专利文献EP 0 277 536 A1描述了一个典型的直线型(inline)排列,即不同涂层腔的串联排列。通过传送系统将底材从一个处理腔传送至下一个处理腔。
对此的另一选择是提供所谓的簇型(cluster)排列,如专利文献US 5,102,495所公开的。在所述排列中,处理腔可选择性地从中央传送腔进入处理腔,所述处理腔可以具有相似或不同的处理方法。腔通常根据预先确定的时间工作流程图将底材引入处理腔并将其输出。在所述机器类型中,多层涂层系统的涂层在底材按序沉积。
在所述直线型机器构造的情形中,假设有大致不变的速度及连续的涂层,最厚的涂层决定了整个系统的周期时间。结果,仅仅针对一单一涂层的一个“长”的涂层时间导致整体上长的周期时间,例如,常规TFT镀金属的90至120秒。具有更短涂覆时间的涂覆腔没有被充分利用,然而,“积聚物(backlog)”却堵塞在具有最长涂层时间的腔室前面。
固然,几个类似或不同的处理可以在常规的簇型机器中实施。然而,为不同时间长度的处理而对时间间隔的选择一方面受限于将底材传送分配给处理腔的传送和分配系统的利用。例如,如果所述底材由旋转模块分配给腔室,“旋转模块上的转动”也构成一个需要时间的处理阶段。尤其是,就最适宜的时间工作流程而言旋转模块装载的过程中可能出现重叠。此外,在腔室装载过程中,可能出现重叠。
总体上来说,在分配系统的装载过程中,簇型排列可能引起等待的时间,一个负面影响周期时间的事实。
发明内容
由此出发,本发明的目的是提供一种处理底材的机器及方法,有助于从整体上缩短产生多层系统的周期时间。
根据权利要求1通过用于处理底材的机器,根据权利要求10通过用于处理底材的方法来实现本发明的目的。
根据本发明处理底材的机器至少包括处理底材的一个第一处理腔、一个第二处理腔及一个第三处理腔。至少,所述三个处理腔与一个中央传送腔连接。此外,提供了一个将底材输入或输出机器的第一锁定区域。第一处理腔被安排在第一锁定区域与中央传送腔之间,与第一连接区域及中央传送腔是串联连接。第二处理腔及第三处理腔可以相互独立地进入,即,与中央传送腔并联连接。所提及的三个处理腔原则上被安排在中央传送腔周围。几个或优选为所有的邻接腔可以通过阀门或薄片被互相隔离。
通过本发明的排列,实现了并联和串联的结合。所述第一锁定区域、第一处理腔及中央传送腔的串联排列意味着源自锁定区域一例的底材经第一开口被传送进入第一处理腔。在第一涂层阶段后,例如,将第一层涂覆在底材上,所述底材经第二开口从第一处理腔传送至中央传送腔。结果,在机器的运转过程中,底材各自依次以相同方向被传送通过第一处理腔。每一底材在第一处理腔中得到第一次处理,例如,第一次涂层。
本发明包括来自直线型及簇型排列的结合的所有排列。这意味着所要求保护的构造中的腔室可以相互直接连接,例如,通过阀。然而,例如,更多的处理腔可以被安排在锁定区域及第一处理腔之间,这取决于要完成何种处理,例如,要生产何种分层系统。
根据本发明,第二及第三处理腔与中央传送腔“并联”连接。此处“并联”不一定意味着在几何学意义上处理腔的平行排列。而是,并联排列意味着两个处理腔各自与中央传送腔相连接,并且各自可以经过一开口并联且选择性地与腔并联从中央传送腔进入。因此,第二及第三个腔相互之间没有串联排列。
从第一处理腔传送至中央传送腔的底材因此可以选择性地在第二或第三处理腔中进行进一步处理。当被机器传送的每一底材通过第一处理腔时,可以装载第二及第三处理腔,例如以交替的方式,在经由中央传送腔来自第一处理腔的底材的操作过程中。不言而喻,并联附着在与中央传送腔并联连接的处理腔的数量不必要限制为两个,数量主要取决于各个处理阶段所需要的处理时间。
在这一点上应该提及:本发明的意图是在本质上指向各个处理腔的构造。在主要的应用情形中,所述处理腔被设计为涂覆腔,尤其是阴极真空喷镀腔,通过阴极真空喷镀方式在底材上镀上几层金属层。然而,在另一实施例中,也可以对所述处理腔提供另一种表面处理的方法,例如,蚀刻或涂层形成的其它方法,例如CVD涂层。
与传统的簇型机器相比较,所获得的优点在于整个处理的最佳时间工作流程,包括传送系统及旋转模块的装载。避免了腔室装载的时间重叠,使得没有等待时间的发生。
特别是,所述机器包括将底材经过机器从第一锁定区域传送至第一处理腔以实施第一处理阶段的传送方式,例如,将第一涂层镀于底材上,从第一处理腔传送至中央传送腔,从中央传送腔选择性地传送至第二或第三处理腔以实施第二处理阶段,例如,将第二涂层镀于底材上,从第二或第三处理腔返回传送至中央传送腔。在所述中央传送腔中,每一底材被传送至第二或第三处理腔中。为此,该传送手段可以在中央传送腔中有一旋转平台,所述腔旋转平台以绕一垂直轴旋转的方式排列以用于装载第二或第三个处理腔或接受来自第二或第三处理腔的底材。特别有利的是,机器中的底材在机器传送的过程中及其被处理时,底材基本上是垂直排列的。一个基本上垂直的排列也意欲包括底材的排列角度具有相对于直角有大到5°或大到10°的差别。
所述中央传送腔优选地具有一旋转的平台以选择性地朝向第二个处理腔的开口或第三个处理腔的开口排列所述底材以选择性地传送底材至第二或第三处理腔以及接受来自第二或第三处理腔的底材.结果,底材的连续引入,例如,交替进入第二及第三处理腔成为可能腔.在本发明的机器构造中,所述底材在重叠的时间内可以在第二及第三处理腔中被处理.
特别是,为了从机器输出底材,所述机器有一个第二锁定区域。所述第二锁定区域可以直接或间接与中央传送腔连接,也就是说,在二者之间有更多被连接的腔。
在一个具体的实施例中,所述机器包括一个与中央传送腔连接的第四处理腔,所述第四处理腔在中央传送腔及第二锁定区域之间串联排列。通过第四处理腔,因此本发明的机器通过又一直线型部件得到扩展。在所述扩展了的机器构造中,底材通过第一处理腔以实施第一处理阶段,例如,镀第一涂层至底材上,通过第二或第三处理腔以实施第二处理阶段,例如,镀第二涂层(通常更厚),然后,通过第四处理腔用于实施第三处理阶段,例如,镀第三涂层(通常比第二涂层薄)。第四处理腔可以直接或间接与第二锁定区域及/或中央传送腔连接。一个重要的事实是所述三个腔(中间传送腔,第四处理腔及锁定腔)互相串联连接,即,所有待处理的底材以相同的方向通过第四处理腔。
邻接的腔,特别是所有邻接的腔,可以通过阀门相互隔离。根据所述事实,所有邻近的腔可以通过阀门相互真空密闭,可以在处理腔中完成不同的处理,例如PEVCD或蚀刻,在邻近的阴极真空喷镀处理过程中没有负面影响该处理的必需气体。
在第二个具体的实施例中,设置第一个处理腔用于实施第一个处理阶段,例如,第一个涂层过程;设置第二个及第三个处理腔以实施第二个处理阶段,例如,实施第二个涂层过程。总之,每一底材将通过第一个较短的处理及第二个较长的持久的处理,例如,每一底材会接受较薄的第一涂层及较厚的第二涂层。每一底材在第二或第三处理腔中交替接受所述较厚的第二涂层底材。因此,当第二处理过程比第一处理过程持续时间长时,本发明的机器构造特别有利。通过对第二处理过程中第二或第三处理腔的交替选择,在重叠时间内,至少可以处理两个底材。这样,缩短了整个周期时间。
在第一及第四处理腔中实施处理的处理时间优选地比在第二及第三处理腔中实施处理的处理时间短。特别是,其目的是在第一及第四处理腔中的处理时间相互没有偏差太多,因为它们呈“直线性”进行。
在一个具体实施例中,所述机器制成用于TFT(薄膜晶体管)镀金属的形成,在第二处理腔或第三处理腔中交替涂覆涂层顺序的一个涂层腔。
在一个具体的实施例中,第一锁定区域及/或第二连接区域各包括一锁定腔及一转移腔。
通过一个处理底材的方法来实现本发明的目的,特别是在如上所述机器内实施所述方法,包括下述阶段:a)将底材输入机器中;b)将底材传送至第一处理腔中且实施第一处理阶段(例如,镀第一涂层至底材上);c)传送感光涂层至中央传送腔;d)交替传送底材至第二或第三处理腔;实施第二处理阶段(例如,镀第二涂层至底材上);e)将底材回送至中央传送腔;及g)从机器中输出底材。
本发明的基本主旨从所述方法的各阶段也变得清楚.首先,所述底材从输入区域“直线性”传送至第一处理腔并且从该处再进入中央传送腔.通过第二及第三处理腔或涂覆腔的准备(provision),其与中央传送腔“并联”连接,产生了实施处理阶段的另一选择,例如,在第二或第三处理腔中交替涂覆另一涂层.这意味着在第二及第三处理腔中的第二处理阶段可以在重叠时间被分开实施.换句话说,在涂覆过程中,在重叠的部分时间内,在第二及第三处理腔中可以对至少两个底材进行进一步地涂覆.
作为本发明的一部分,意欲将第一处理腔与中央传送腔及输出区域串联排列而不是与将输入区域及中央处理腔串联排列成为可能。在这种情形,方法中的阶段b)“传送底材至第一处理腔并且实施第二处理阶段(例如,在底材上镀一涂层)”将被合并在所述方法的e)及f)阶段之间。这样,阶段d)镀的涂层也自然在阶段b)镀的涂层的下面。
优选地是,本发明的方法可以通过另一方法阶段f)而扩展,其出现在阶段e)后及阶段g)前。所述阶段包括传送底材至第四处理腔中并且实施第三处理阶段(例如,在底材上镀第三涂层)。当要从至少第一及第三较薄的层和二者之间的较厚层产生一个分层系统时,所述扩展的方法尤其有利。因为,在这种情况下,安置较厚层的周期时间较长(例如,是较薄层的两倍长),直线型或簇型机器内按序沉积涂层的周期时间由第二涂层阶段决定。使用本方法,由于可以在重叠时间内至少对两个被连续传送进入机器的底材分开进行较厚涂层的涂覆,可以从整体上缩短所述的周期时间。这意味着连续的(第一及第三层)及并联的涂覆(第二层)在一台机器中得到实现,相同的方式应用在具有不同持续时间的其它处理阶段。
对于第一及第三阶段处理或第一及第三涂层,机器被配置为一种直线型机器。对于每一个这些处理阶段或涂层,处理时间相当于周期时间减去传送时间。对于第二处理阶段,提供了两个并联的处理阶段或涂覆站(即两个处理阶段或涂层站从中央传送腔可并联进入)。所述涂覆站与从第一处理腔被传送至中央传送腔的底材一起在每个下一周期中被交替装载。这意味着实施第二处理阶段或涂覆第二涂层的时间大致相当于所述周期时间减去传送时间的两倍。
在一个具体实施例中,所述底材经由一输入腔及一转移腔输入机器中。
尤其是,相同的过程可能发生在第二及第三处理腔中,在每种情形下,处理一般会比发生在第一及,必要时,第四处理腔的处理持续较长时间。
发生在第一及第四处理腔的处理时间应该比发生在第二及第三处理腔中的时间短。此外,第一及第四处理腔中的处理时间应该相互校正。
特别是,通过本发明方法至少涂覆三个用于TFT镀金属的涂层。
在通过机器的传送中,底材优选为基本上垂直排列,即以直角排列,或与直角相差大到5°或10°的角度排列。这样提供了一个节省空间同时涂覆更大底材的方式。
特别是,本发明的方法时间顺序上被交错开至少有一个重复的第二底材S。据此,某一方法阶段,尤其是第二次镀金属(例如,Al),在重叠时间实施两个底材。这意味着在机器中可出现下述过程,以两个底材进行描述:。
结合点1:底材1:方法阶段a);
结合点2:底材1:方法阶段b),底材2:方法阶段a);
结合点3:底材1:方法阶段c),底材2:方法阶段b);
结合点4:底材1:第二处理腔的方法阶段d),底材2:方法阶段c);
结合点5:底材1:第二处理腔的方法阶段d)的继续,底材2:第三处理腔的方法阶段d);
结合点6:底材1:方法阶段e),底材2:第三处理腔方法阶段d)的继续;
结合点7:底材1:方法阶段f),底材2:方法阶段e);
结合点8:底材1:方法阶段g),底材2:方法阶段f),
结合点9:底材1:输出,底材2:方法阶段g),
自然地,更多的底材可以连续地跟随第二底材。根据这个例子,显然使用本发明的方法可以减少周期时间。尤其是,在所述处理方法阶段5,在第二涂层的涂覆过程中会发生底材的时间重叠处理。
附图说明
在具体实施例的具体描述中可得出本发明更多的目的及优点。其中,
图1是根据本发明的一种处理机器;及
图2是根据本发明所述机器的另一可选实施例。
具体实施方式
图1显示了用于底材S涂层的机器1,机器1包括标准部件,例如泵系统,由字母P指示以指明泵符号。
所描述的涂层机1有腔室或站2、3、4、5、6、7及8的排列。总体上,提供了涂层站2、3、4及8。此外,所述机器包括一个输入区域6及一个输出区域7,还有一中央传送腔5。
第一涂覆腔2被排列在输入站6及中央传送腔5之间并且与这些腔串联(“直线型”)。第四涂覆腔8被排列在中央腔5及输出站之间并且与这些腔串联(“直线型”)。在第一及第四涂覆腔2与8之间,优选镀金属,例如镀Ti(钛)或Mo(钼)。在这方面,具有预先确定的涂层厚度的相同或不同的材料可以在两个腔2及8中被涂覆。
形成对照的是,涂层腔3及4并联排列,这意味着底材S不以一个方向通过腔3或4,而是,如在簇型机器中。底材S从中间传送腔5交替且选择地被传送至涂覆腔3及4中的一个,在该处处理,然后,传送回中央传送腔5。优选的是,在第二或第三涂覆腔,更多的金属被镀在所镀的第一层金属上,例如(但不限于)Al(铝)。
所描述的机器1因而是一个组合的直线型-簇型构造,有助于减少连续处理多个底材的周期时间。
特别是,机器1被设计用于TFT镀金属。
底材S经输入站6被首先引入机器1,在此情形下的输入站6包括一输入腔6a及转移腔6b。
在第一涂覆腔2中,底材S通过阴极真空喷镀被涂上第一层涂层,得到了涂了第一涂层及被连续引入机器1的底材S,在第二或第三涂覆腔3或4中选择性地及交替地,通过阴极真空喷镀方式镀上第二层(例如Al)。在第四涂覆站8中,通过阴极真空喷镀方式另一涂层被镀在第二层上。所述底材S转变方向继续通过最后提及的方法阶段并被及时分离。在涂覆站2及8中发生的处理阶段的处理时间应该互相协调并且经选择具有大致相同的长度。
经输出站7进行从机器1的输出,其与第四涂覆腔8相连接,当前情形中的输出站7包括一个输出腔7a及一个排列在输出腔7a与第四涂覆腔8之间的转移腔7b.输入腔6a和输出腔7a又统称为锁定腔.
中央传送腔5基本上用于下述目的:连续接受源自第一涂覆腔2的底材S,然后更进一步地交替传送这些底材至第二涂覆腔3或,可选择地,至第三涂覆腔4。为此,底材S在旋转平台9上被接受,并通过在中央传送腔5中的旋转平台9相应地与第二腔3或第三腔4的开口相连。
第二个涂覆腔3及第三个涂覆腔4都直接与中央传送腔5连接,这样有助于两个腔3及4的并联或选择进入。
从平台9,底材S被传送至第二或第三腔3或4,在第二个或第三个腔3或4中处理后,所述处理过的底材S又在平台9上被接受,底材S通过平台9与第四涂覆腔8开口连接,这样传送至第四涂覆腔8,随后可以发生第三次涂覆。
由于第二层比第一层及第三层厚很多,相比而言,处理时间长很多。然而,为了使整个周期时间能够缩短,在传统“直线型”机器中所述周期时间其由最慢的处理阶段决定,提供了两个并联涂覆站3及4,在所述涂覆站3及4中,底材S在重叠部分时间内连续地依次接受相同处理。与传统的簇型机器比较,产生的优点是整个过程的最佳时间工作流程,包括传送系统及旋转模块装载。腔装载的重叠得以避免,结果不会出现等待时间。
图2中所示的另一实施例,机器与图1中所示的机器基本上相当,相同的部件以相同的标号标记。此外,所述实施例中所有相邻的腔,即,特别是腔2和5、5和3、5和4、5和8可以通过阀门10相互隔离真空密闭。结果,不同的处理,例如PECVD或蚀刻可在一个机器内的处理腔2、3、4及8内实施。所述阀阻止了各种处理中必需的作用气体获得通道进入邻接的腔,在所述邻接腔内气体会负面影响此处发生的处理过程。
在涂层机器1内处理的时间顺序根据下述表1清晰可见,其中底材S的号码与输入的顺序相对应,tx代表一定的时间顺序,表中的数字表示了在某一结合点tx的底材S的位置(与图中的标号相对应)。例如,“5-内”意思是传送进入腔5是以时间顺序tx进行。
表1
Figure G2006101272973D00131
为了进一步阐明本发明的方法,下述表2及3比较了在a)传统的簇型机器(表2)及b)本发明的直线型-簇型组合机器(表3)内处理四个底材的方法的周期。
每一实例中的一个涂覆周期包括输入,在第一个腔中涂覆第一层,在第二或第三个腔中涂覆第二层,在第四个腔中涂覆第三层。在这方面,方法阶段“涂覆1”需要三个时间单位,“涂覆2”需要六个时间单位,且依次地,方法阶段“涂覆3”需要三个时间单位。在中央分配站(中央转移腔)内旋转模块的使用需要一个时间单位。每一底材依顺序通过涂层站1、选择通过2或3,以及通过4。术语“转动模块”意思是底材经转动模块传送或被推进至旋转模块并通过旋转,被送入一个可选择的位置,然后被传送至目标腔。
表2是指带有涂覆站1-4的一个传统的簇型排列,其围绕在中央转移腔(有一个旋转模块)的周围排列。同样地,输入站及输出站与中央转移腔相连接。
根据表2显然可知,处理四个底材总计需要35个时间单位.由于在某一结合点某些腔或旋转模块的占据,在处理流程中可能会出现时间延迟.例如,因为第一个腔1及接着在下一时间顺序的旋转模块被占据,故底材4可以在时间顺序17及18进一步处理.底材因此不得不“等”到下一个站空出.单个延迟的累积导致整体延迟,其决定了处理四个底材的整体周期时间.
表3也显示了以相同涂层顺序的四个底材的涂覆,即,如图所描述的那样,以相同的涂层时间及通过时间经过本发明的直线-簇型组合排列的单个机器部件。
可以看出,假如处理四个底材的处理时间相同,只需要32个时间顺序。这主要地是基于这样的事实:串联和并联的腔排列的组合意味着通常需要更少的旋转模块。同时,在描述的处理程序中可以更容易地避免导致随后底材处理延迟的腔的装载。此外,时间的节省也基于以下事实:旋转模块实际上必须旋转以接受下一个底材的到达。另外,底材从起始腔直接穿过旋转模块进入目标腔。除此之外,底材S从锁定腔直线传送至第一处理腔或为了输出从第四处理腔传送至锁定腔比传送至旋转模块,模块旋转或排列及随后传送至各个处理腔需要更少的时间。
总体上,实施例中所描述的方法节省了三个时间顺序的时间,不同方法实际上究竟节省了多少时间关键取决于各个处理及传送阶段的持续时间。
Figure G2006101272973D00171
Figure G2006101272973D00181
Figure G2006101272973D00211
Figure G2006101272973D00231

Claims (17)

1.处理底材的机器(1),包括:至少一个第一处理腔(2),一个第二处理腔(3)及一个为实施第一处理阶段的第三处理腔(4),一个至少与所述3个处理腔(2、3、4)连接的中央传送腔(5),一个将底材(S)输入机器(1)或从机器(1)输出的第一锁定区域(6),其特征在于:第一处理腔(2)排列在第一锁定区域(6)及中央传送腔(5)之间,并且所述第一处理腔(2)与第一锁定区域(6)及中央传送腔(5)串联连接,以便所述底材被从所述第一锁定区域(6)直线性传送至所述第一处理腔(2)中并从所述第一处理腔(2)再直线性传送至所述中央传送腔(5)中,第二处理腔(3)及第三处理腔(4)与中央传送腔(5)连接并且相互可独立进入。
2.根据权利要求1所述的机器(1),其特征在于:所述机器具有用于传送底材(S)的传送手段:通过所述机器从第一锁定区域(6)传送至第一处理腔(2)以实施第一处理阶段,从第一处理腔(2)传送至中央传送腔(5)以从中央传送腔(5)选择传送至第二处理腔(3)或第三处理腔(4)以实施第二处理阶段,及从第二处理腔(3)或第三处理腔(4)返回传送至中央传送腔(5)。
3.根据权利要求1所述的机器(1),其特征在于:所述中央传送腔(5)有一旋转平台(9)用于排列底材(S)使其选择性朝向第二处理腔(3)的开口或第三处理腔(4)的开口连接及用于接受来自第二处理腔(3)或第三处理腔(4)的底材(S)。
4.根据权利要求1所述的机器(1),其特征在于:所述机器(1)有一第二锁定区域(7)以从机器(1)输出底材。
5.根据权利要求1所述的机器(1),其特征在于:所述机器(1)有一与中央传送腔(5)连接的第四处理腔(8),所述第四处理腔(8)排列在第二锁定区域(7)及中央传送腔(5)之间,与第二锁定区域(7)及中央传送腔(5)串联连接。
6.根据权利要求1所述的机器(1),其特征在于:邻接的腔(2、3、4、5、6、8、7)通过阀门(10)相互隔离。
7.根据权利要求1所述的机器(1),其特征在于:所有邻接的腔通过阀门(10)相互隔离。
8.根据权利要求1所述的机器(1),其特征在于:第一处理腔(2)被设置用于实施第一处理过程,第二处理腔(3)及第三处理腔(4)用于实施第二处理过程。
9.根据权利要求1所述的机器(1),其特征在于:所述机器构成用于形成薄膜晶体管镀金属,涂层顺序中的一个涂层交替在第二处理腔(3)或第三处理腔(4)中被涂覆。
10.根据权利要求1或4所述的机器(1),其特征在于:第一锁定区域(6)及/或第二锁定区域(7)各包括一锁定腔(6a、7a)及一转移腔(6b、7b)。
11.涂覆方法,包括下述阶段:
a)输入底材(S)至机器(1);
c)传送底材(S)至中央传送腔(5);
d)将底材(S)交替传送至第二处理腔(3)或第三处理腔(4),并实施第二处理阶段;
e)将底材(S)回送至中央传送腔(5);及
g)从机器(1)输出底材S;
其中,所述方法在阶段a)和c)之间还包括阶段b),其中传送底材(S)至第一处理腔(2),且实施第一处理阶段;以及/或者所述方法在阶段e)及g)之间还包括阶段f),其中,所述底材(S)从中央传送腔(5)被传送至第四处理腔(8),并且实施另一处理阶段;其中,在方法阶段a)、b)及c),和/或e)、f)及g)之间,所述底材(S)被串联传送.
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:在输入过程中,所述底材(S)通过一个锁定腔(6a、7a)及一个转移腔(6b、7b)传送。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:在第二处理腔(3)及第三处理腔(4)中出现相同的处理。
14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:至少三个涂层涂覆于底材(S)上以用于薄膜晶体管镀金属。
15.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:所述底材(S)在被传送通过机器(1)的过程中基本上垂直排列。
16.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:所述的方法阶段在时间上按序错列,至少有一被重复的第二个底材(S)。
17.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:所述方法是在根据权利要求1-10中任一项所述的机器(1)中实施的。
CN2006101272973A 2005-12-22 2006-09-21 处理底材的机器及方法 Active CN1986872B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005061563.5 2005-12-22
DE102005061563A DE102005061563A1 (de) 2005-12-22 2005-12-22 Anlage zur Behandlung von Substraten und Verfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1986872A CN1986872A (zh) 2007-06-27
CN1986872B true CN1986872B (zh) 2010-05-12

Family

ID=38183813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101272973A Active CN1986872B (zh) 2005-12-22 2006-09-21 处理底材的机器及方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070144889A1 (zh)
JP (1) JP2007173776A (zh)
KR (1) KR100852983B1 (zh)
CN (1) CN1986872B (zh)
DE (1) DE102005061563A1 (zh)
TW (1) TW200730664A (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101458909B1 (ko) * 2008-04-03 2014-11-07 삼성디스플레이 주식회사 인 라인 설비
KR101606353B1 (ko) * 2008-06-27 2016-03-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 처리 시스템 및 기판 처리 시스템을 작동시키는 방법
KR101049350B1 (ko) * 2008-10-14 2011-07-13 웅진코웨이주식회사 음식물 처리기의 분쇄로
KR101477370B1 (ko) * 2010-05-27 2014-12-30 가부시키가이샤 아루박 트래버스 장치 및 기판 처리 장치
EP2489759B1 (en) * 2011-02-21 2014-12-10 Applied Materials, Inc. System for utilization improvement of process chambers and method of operating thereof
WO2012115143A1 (ja) * 2011-02-24 2012-08-30 株式会社ニコン 基板処理装置
JP5846780B2 (ja) * 2011-06-30 2016-01-20 株式会社アルバック 真空処理装置及び真空処理方法、リチウムイオン二次電池の製造方法
US8796105B2 (en) * 2012-07-25 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for preparing polysilazane on a semiconductor wafer
DE102015009861A1 (de) * 2015-08-04 2017-02-09 Manz Ag Substratbearbeitungsvorrichtung und Beschichtungsverfahren
WO2017111374A1 (ko) * 2015-12-24 2017-06-29 (주) 에스엔텍 풋 프린트를 줄일 수 있는 인터백 타입의 증착 시스템
KR20190039891A (ko) * 2017-09-18 2019-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 하나 이상의 기판들을 진공 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템 및 방법
CN108315694B (zh) * 2018-05-04 2023-11-10 成都国泰真空设备有限公司 一种自动化镀膜机构
CN114671253B (zh) * 2020-12-24 2024-08-30 联策科技股份有限公司 抽屉式上下料结构

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1674220A (zh) * 2004-03-24 2005-09-28 周星工程股份有限公司 基板制造装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0408216A3 (en) * 1989-07-11 1991-09-18 Hitachi, Ltd. Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same
TW577128B (en) * 1997-03-05 2004-02-21 Hitachi Ltd Method for fabricating semiconductor integrated circuit device
US5935397A (en) * 1998-04-30 1999-08-10 Rockwell Semiconductor Systems, Inc. Physical vapor deposition chamber
US6852194B2 (en) * 2001-05-21 2005-02-08 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, transferring apparatus and transferring method
KR100429876B1 (ko) * 2001-07-27 2004-05-04 삼성전자주식회사 고밀도 씨딩층을 갖는 루테늄막을 구비하는 반도체 소자의제조 방법 및 그러한 반도체 소자를 형성하기 위한 제조장비
SG114589A1 (en) * 2001-12-12 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
KR20050008129A (ko) * 2003-07-14 2005-01-21 삼성전자주식회사 트위스트 비트라인을 갖는 반도체 기억 소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1674220A (zh) * 2004-03-24 2005-09-28 周星工程股份有限公司 基板制造装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200730664A (en) 2007-08-16
US20070144889A1 (en) 2007-06-28
KR20070066851A (ko) 2007-06-27
DE102005061563A1 (de) 2007-07-19
JP2007173776A (ja) 2007-07-05
CN1986872A (zh) 2007-06-27
KR100852983B1 (ko) 2008-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1986872B (zh) 处理底材的机器及方法
EP2678462B1 (en) Coating apparatus and method.
CN104081514B (zh) 多腔室基板处理系统
US6251759B1 (en) Method and apparatus for depositing material upon a semiconductor wafer using a transition chamber of a multiple chamber semiconductor wafer processing system
US5340454A (en) Method and apparatus for the coating of substrates
KR102077099B1 (ko) 로터리 기판 프로세싱 시스템
TWI495753B (zh) 用於塗佈基材之塗佈系統和方法
US20110299961A1 (en) Processing system and method of operating a processing system
WO2015149848A1 (en) System for substrate processing, vacuum rotation module for a system for substrate processing and method of operating a substrate processing system
WO2010042927A3 (en) Continuous feed chemical vapor deposition
EP2297376B1 (en) Processing system and method of operating a processing system
US20090304907A1 (en) Coating system and method for coating a substrate
EP2133445B1 (en) Coating System and Method for Coating a Substrate
JPH08232062A (ja) コーティングするための装置
EP2141258A1 (en) Processing system and method of operating a processing system

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant