CN1961477A

CN1961477A - 射频放大器的自动电流减少偏置技术

Info

Publication number: CN1961477A
Application number: CNA2005800119081A
Authority: CN
Inventors: 马克·达赫迪; 安东尼·卡略塔; 乔治·元
Original assignee: Silicon Germanium Semiconductor (usa) Corp
Current assignee: Sige Semiconductors Inc; Silicon Germanium Semiconductor (usa) Corp
Priority date: 2004-04-08
Filing date: 2005-04-05
Publication date: 2007-05-09
Anticipated expiration: 2025-04-05
Also published as: US20050225394A1; CN1961477B; EP1756943A1; US6998918B2; EP1756943A4; WO2005099084A1

Abstract

本发明揭示一种功率放大器(PA)电路，其包含具有第一放大部分的PA输出级，所述第一放大部分具有第一增益部分，且与具有第二增益部分的第二放大部分平行安置，所述PA输出级具有输出级增益、用于接收RF输入信号的输入端口。提供第二RF功率检测器以用于检测RF输入信号的信号功率并用于提供第二检测信号。提供至少一偏置电路以用于依照第二检测信号来偏置第一放大部分和第二放大部分以放大RF输入信号，使得对于输出级增益来说，第一增益部分与第二增益部分之间的比率依照第二检测信号而变化。

Description

射频放大器的自动电流减少偏置技术

技术领域

本发明涉及RF功率放大器电路领域，且更具体来说，涉及RF功率放大器电路的静态电流减少领域。

背景技术

很多人要求他们的电池供电电子器件(诸如移动电话、MP3播放器等)具有更长的操作使用时间。通常，为了使这些电池供电器件节省电能，优选管理它们的电流消耗，从而保留其操作特征如同电池操作参数一样尽可能不发生改变。举例来说，许多电气器件以两种众所周知的操作模式操作——待机模式和操作模式。在待机模式中，启用最少的电路来相对于操作模式减少功率消耗，在操作模式中，大多数电路被加电，且电气器件根据其设计参数而操作。遗憾的是，尽管这种典型的方法是有所帮助的，但仍需要进一步节省功率。

许多这些电池操作的电气器件利用功率放大器(PA)电路来放大信号，诸如RF信号。非常普通的PA输出级是射极跟随器电路(emitter followercircuit)。遗憾的是，A类射极跟随器级通常具有较大的静态电流，从而导致无论输入信号功率是多少且有没有输入信号，都会有显著的功率消耗。因而，通常这些PA在待机模式下被禁用。遗憾的是，只要这些PA处于操作模式中，就会由于静态电流而消耗功率。

最终，基于所提供的放大率和PA的物理特性来确定给定应用的PA电路的静态电流。减少PA上的偏置通常减少静态电流，且同样减少总的功率消耗。当然，这样还减少了总放大率。通常以“数字”或“模拟”方式偏置控制PA。在数字控制方法中，执行离散状态之间的有效偏置电压或电流的切换。根据模拟方法，使用电压控制的偏置电压或电压控制的电流源来连续改变偏置电压。因为减少静态电流来减少功率消耗是有利的，所以在美国专利第5,825,228号中已尝试并描述了这种方式，其提供较低的静态功率、较高的输出功率轨对轨放大器输出级，且美国专利第6,472,857号提供了非常低的静态电流调整器电路。

当现有技术电路用于电流敏感器件(诸如电池供电器件)中时，使用这些电路就出现挑战。一种方法是在不同的运算放大器电路之间切换，其中每个运算放大器电路具有不同的拓扑，且进而在不同的放大率/静态电流配对之间切换。尽管已容易证实在IC上可以实施切换PA电路，但实施实际的控制电路来控制PA的切换点是一个棘手的过程。这种控制切换的控制电路需要以校准和检测算法形式的反馈回路，连同外部传感器和扩展考虑来处理偏置切换点周围的滞后效应。另外，增加偏置级使自然增益提高引起对校准方法的额外挑战。因为添加了更多的校准点且导致组合产品增加的测试时间，所以这进一步复杂化这些器件。实践中，因为基频处理器不能在不丢失数据或掉线的情况下容忍切换RF路径时相位和增益的改变，所以难以应用这种切换技术。

因此本发明的目标是提供一种在不使用切换电路的情况下自动控制PA电路中的静态电流的机制。

发明内容

根据本发明，提供一种功率放大器(PA)，其包含：具有第一放大部分的PA输出级，所述第一放大部分具有第一增益部分，且与具有第二增益部分的第二放大部分平行安置，所述PA输出级具有用于接收RF输入信号的输出级输入端口、用于提供放大的RF信号的输出级输出端口，和作为从输出级输入端口到输出级输出端口的增益的输出级增益；第二RF功率检测器，其用于检测RF输入信号的信号功率，且用于基于检测信号功率提供第二检测信号；和至少一偏置电路，其用于依照第二检测信号来偏置第一放大部分和第二放大部分以放大RF输入信号，使得对于相同的输出级增益，第一增益部分与第二增益部分之间的比率依照第二检测信号而变化。

根据本发明，提供一种控制射频(RF)功率放大器(PA)电路的静态电流的方法，其包含：提供PA输出级，其具有输出级增益、输入端口和用于从中提供放大的RF信号的输出端口；将具有RF输入信号功率和调制频率的RF输入信号提供给PA输出级输入端口；检测被提供到PA输出级输入端口以形成第二检测信号的RF输入信号功率；使用具有第一增益部分的PA输出级的第一放大部分来放大RF输入信号，其中所述第一放大部分与PA输出级的第二放大部分平行安置，所述第二放大部分不同于所述第一放大部分，所述第二放大部分具有第二增益部分以用于依照第一和第二增益部分形成放大的RF信号；和依照第二检测信号，以一种方式，即对于较高的RF输入信号功率，第二增益部分低于第一增益部分，第一增益部分与第二增益部分之间的比率基于RF输入信号功率中的变化而变化，使得对于较低的RF输入信号功率，与对于较高的RF输入信号功率相比，第二增益部分形成更大的输出级增益比，以这种方式控制PA输出级的第一增益部分和第二增益部分中的至少一者。

根据本发明，提供一种功率放大器电路，其包含：输出放大器级，其用于接收具有调制频率的RF输入信号和具有调制频率的RF输入信号的放大版本中的一者，且用于从其输出端口提供放大的RF信号，其中放大的RF信号是基于RF输入信号，所述输出放大级包含：第二放大级；第三放大级，其与第二放大级电容性耦合，第二和第三放大级的输入端口耦合在一起，且输出端口耦合在一起；第二RF功率检测器电路，其与输出放大级耦合以用于检测RF输入信号和RF输入信号的放大版本中的一者的信号功率，且用于产生第二检测信号；第二偏置电路，其用于独立于第二检测信号偏置第二放大级；和第三偏置电路，其不同于第二偏置电路，用于偏置第三放大级且用于至少部分依照第二检测信号来调节第三增益。

附图说明

现在将结合附图描述本发明的示范性实施例，其中：

图1说明现有技术双级功率放大器电路，其利用每一级的偏置水平的数字控制；

图2说明本发明的实施例，其为双级功率放大器(PA)，其利用双功率检测器反馈来偏置第一和第二级；和

图3概括根据本发明的实施例的PA的操作步骤。

具体实施方式

图1说明两级功率放大器集成电路(PAIC)100的现有技术实施方案。两级放大器电路包含包括第一晶体管(Q1)111的第一级和包括第二晶体管(Q2)112的第二放大级。晶体管Q1 111和Q2使用电容器122和123彼此电容性耦合，电容器122和123在Q1 111的集电极端子与Q2 112的基极端子之间串联安置。通过输入端口100a将RF输入信号提供给PAIC 100，所述输入端口100a使用电容器121电容性耦合到Q1 111。输出端口100b形成在Q2 112的集电极端子处。第一和第二供电输入端口100e和100f用于将来自电源(诸如电池)的正电压和负电压供应给PAIC 100。扼流器133安置在第一供电输入端口100e与Q1 111的集电极端子之间，且扼流器134安置在第一供电输入端口100e与Q2 112的集电极端子之间。

第一和第二偏置电压源103和104分别耦合到Q1 111和Q2 112的基极端子，用于控制这些晶体管的基极端子电压。每个电压源103和104具备启用端口或视情况是电压参考端口100d和偏置控制端口100c。

偏置控制端口100c与第一分流电路105耦合且与第二分流电路106耦合。第一分流电路105耦合到晶体管Q1 111的基极端子以用于改变晶体管Q1 111的基极端子偏压以响应于施加到偏置控制端口100c的偏置信号。第二分流电路105耦合到晶体管Q2 112的基极端子以用于改变晶体管Q2 111的基极端子偏压以响应于施加到偏置控制端口100c的偏置信号。偏置信号可以是数字信号也可以是模拟信号，如果是数字信号，那么其提供从RF输入端口100a到RF输出端口100b的RF信号传播的数字控制，因而形成数字切换的路径。

通常，RF晶体管Q1 111和Q2 112的特征是，当与复合调制方案一起使用时，对于增加的偏置电流，在渐增的较高的RF输出信号功率水平下维持线性。相反，对于过低的偏置电流，RF输出信号线性会受增加的RF输出信号功率影响。

图2说明根据本发明的实施例的两级功率放大器集成电路(PAIC)200。两级放大器电路的输入级包含第一晶体管(Q1)211。具有输出级增益的两级放大器的输出放大级包含具有第一增益部分的第一放大部分且包括第三晶体管(Q3)213和具有第二增益部分的第二放大部分，且包括与所述第一放大部分平行安置的第二晶体管Q2 212。

第一增益部分和第二增益部分一起形成输出级增益。晶体管Q1 211和Q3 213使用电容器222和223彼此电容性耦合，所述电容器222和223在所述Q1 211的集电极端子与Q3 213的基极端子之间串联安置。晶体管Q2212的基极端子使用电容器223和225电容性耦合到Q3 213的基极端子，所述电容器223和225在这些晶体管的基极端子之间串联安置。晶体管Q3213的基极端子形成到达第一放大部分的第一电容性耦合的输入端口213a，且晶体管Q2 212的基极端子形成到达第二放大部分的第二电容性耦合的输入端口212a。晶体管Q2 212和Q3 213的集电极端子直接耦合在一起并形成PAIC 200的输出端口200b。

使用输入端口200a将RF输入信号提供给PAIC 200，输入端口200a使用电容器221电容性耦合到晶体管Q1 211。第一和第二供电输入端口200e和200f用于将来自电压电源(诸如电池)的正电压和负电压供应给PAIC 200，其中所述输入放大级和所述输出放大级安置在这些供电输入端口200e与200f之间。第一供电输入端口200e使用扼流器264与晶体管Q1 211的集电极端子耦合。晶体管Q2 212和Q3 213的集电极端子耦合在一起，其中这些端子都与扼流器265一起耦合到第一供电输入端口200e。

带隙电流参考源234安置在PAIC 200内且具备启用端口200c以用于启用并禁用其操作。第三电流镜233与带隙电流参考源234耦合以用于从中接收参考电流，且用于从其三个输出端口(标记为PTAT1、PTAT2、PTAT3)提供与绝对温度(PTAT)成比例的三个电流，Ibq_01、Ibq_02和Ibq_03。

通过对两个偏置电流求和而偏置晶体管Q1 211。第一求和电路251的输出端口使用与第一扼流器261串联安置的第一偏置电路214与耦合到晶体管Q1 211的基极端子的所述第一扼流器261的输出端口耦合。将用于求和的第一电流Ibq_01从第三电流镜233提供给第一求和电路251。第一RF功率检测器251也使用电容器224耦合到晶体管Q1 211的基极端子。第一电流镜231与第一RF功率检测器251耦合以用于从中接收第一检测到的RF信号。第一电流镜231镜射这个第一检测到的RF信号并将用于求和的第二电流Ibrf_1提供给第一求和电路251的输入端口。

用于求和的第二电流Ibrf_1与用于求和的第一电流Ibq_01相加以产生由第一RF功率检测器241检测的随RF功率的增加而增加的电流。这两个电流的和提供第一相加的电流，所述第一相加的电流从第一求和电路251的输出端口提供给第一偏置电路214以用于偏置晶体管Q1 211的基极端子。由于电流镜电路231和233的近乎相当的输出端口阻抗，所以执行这些电流的求和。

晶体管Q1 211具备即时的集电极偏置电流，其由于静态和动态输入电流的求和而从起始电流(称为Icq0_1)增加到最终电流(称为Icrf_1)，所述静态和动态电流分别由第三电流镜233和第一电流镜231提供。

由晶体管Q1 211的集电极端子提供的电流Icrf_1不在PAIC 200内测量。然而，一旦从PAIC 200中移除RF输入信号，Icrf_1立即衰减到Icq0_1。作为替代，仅测量Ic_RF，这是在晶体管Q1 211、Q2 212和Q3 213的集电极端子中的任一者处的RF信号感应的载重线电流(loadline current)。

在使用PAIC 200的过程中，晶体管Q2 212以不同于Q1 211的方式操作。晶体管Q2 212仅利用单个经温度补偿的输入电流Ibq_02，使用第二偏置电路215将所述输入电流Ibq_02转化为电压。第二偏置电路215和扼流器262在第三电流镜233与晶体管Q2 212的基极端子之间串联安置，其中第二偏置电路215从第三电流镜233接收经温度补偿的输入电流Ibq_02。优选地，晶体管Q2 212被设定为比晶体管Q1 211相对较高的偏置状态。这个相对较高的偏置用于最小化在PAIC 200的操作期间在晶体管Q2 212中出现的增益膨胀。

参看晶体管Q3 213，通过两个电流的求和将晶体管Q3 213偏置。使用与第三扼流器263串联安置的第二偏置电路216使第二求和电路252的输出端口与耦合到晶体管Q3 213的基极端子的第三扼流器263的输出端口耦合。将第三电流Ibq_03从第三电流镜233提供给第二求和电路252。第二RF功率检测器242也使用电容器226电容性耦合到在晶体管Q1 211与Q3 213之间串联安置的电容器222与223之间形成的结点。第二电流镜232与第二RF功率检测器252耦合以用于从中接收第二检测信号。第二电流镜232镜射这个电流并将Ibrf_3提供给第二求和电路252的输入端口。

由两个电流提供给第二求和电路252的这个第一电流是温度补偿的电流。由两个电流提供给第二求和电路252的第二电流Ibrf_3是由第二RF功率检测器242检测的随着提供给输出放大级功率的RF信号功率的增加而增加的电流。由于电流镜电路233和232(其将这两个电流的和提供给晶体管Q3 213的基极端子)的近乎相当的阻抗，所以执行这两个电流的求和。另外，扼流器265安置在第一供电端口200e与晶体管Q3 213和Q2 212的集电极端子之间。

第二RF功率检测器242类似于用于晶体管Q1 221的RF功率检测器，但不同的是输出电压(Vout)与RF输入功率(Pin)的倾斜度。优选第二RF功率检测器242的这个倾斜度陡于第一RF功率检测器241的倾斜度。这个倾斜度差导致当RF输入功率从最小功率水平增加到最大功率水平时，晶体管Q3 213比晶体管Q1 211在相对偏置电流上更大的变化下操作。

优选地，晶体管Q2 212的尺寸与晶体管Q1 211的尺寸几乎相同，但视情况在晶体管Q1 211的尺寸的1/4到5/4的范围内。这个有源区域取决于特定的PAIC 200应用和RF输出信号功率水平。另外，晶体管Q2 212约为晶体管Q3 113的有源区域的1/8，当然，这个有源区域取决于PAIC 200的功率需求。

参看图3，概括了图2中所示的本发明的实施例的操作。执行对提供给PA输出级输入端口以形成第二检测信号的RF输入信号功率的检测。其后，执行使用PA的第一放大部分和PA的第二放大部分来放大RF输入信号。因而依照第一和第二增益放大RF信号。在放大期间，依照第二检测信号，以一种方式，即对于较高的RF输入信号功率，第二增益部分低于第一增益部分，且第一增益部分与第二增益部分之间的比率基于RF输入信号的变化而变化，使得对于较低的RF输入信号功率，与对于较高的RF输入信号功率相比，第二增益部分形成更大的输出级增益比，以这种方式控制执行中的PA输出级的第一增益部分和第二增益部分中的至少一者。

返回参看图2，偏置晶体管Q1 211和Q3 213的偏置电流与其各自的检测到的RF信号功率上的增加成比例地增加，且以类似的方式与RF输入信号功率一起减小。由电流镜231和232提供的电流的量值可经调节以确保每个晶体管的偏置点充分增加以在具有变化的峰值与平均值比的调制信号的预定规格内提供适当的RF输出信号线性。由于晶体管Q2 212具有相对加高的偏置点，所以其增益在其整个操作期间在RF输入信号操作范围从RF输入信号的最小功率水平到最大功率水平内是几乎恒定的。因而，晶体管Q2212相对于晶体管Q3 213展现出支配性的增益特性，从而允许在RF路径在输入端口200a与输出端口200b之间具有更少的校准点的情况下更可预测的校准。因为电流设计在输入信号的特定的入射RF功率水平下提供最小电流，且当RF输入功率增加时增加提供给晶体管Q1 211、Q2 212和Q3 213的偏置电流，所以不执行PAIC 200的外部偏置。

有利地，电路中的电流被自动并连续监控和控制以跟随RF输入信号功率而不是调制包络线。因而，出现单个静态“Icq0”，而不是两个静态，如PA在以二进制方式使用偏置电压的切换进行操作中发现的。在本发明的这个实施例中，最终静态目标Icq_f被支持为虚拟偏置状态。更有利地，使用专用的第一和第二RF功率检测器实现了输入级或输出级每一级的精确和独立控制。在PAIC 200中没有使用滞后回线，因为输出信号的增益和相位展现出单调或模拟特性。这个单调特性对于现代收发器链中的大多数基频处理器来说是重要的属性。

本发明的实施例提供具有并入的偏置电路的多级PAIC 200。当然，根据本发明的实施例的PAIC 200不限于多级，而是也可应用于单级设计。PAIC200通过将PAIC 200的输出级分离为电容性耦合在一起但使用专用的偏置电路单独偏置的多个(N)区段。另外，PAIC 200的每一级具备专用的、电容性耦合的RF功率检测器，其产生与在每一检测器输入端口处入射的平均RF功率成比例的电压。每个检测器以一种方式设计，使得不响应于所应用的调制频率。检测器利用电压到电流转换电路，其产生与检测器的输出电压成比例的电流。另外，视情况提供倾斜度和增益调节电路以控制检测器的输出信号特征。

有利地，本发明的实施例提供用于自动控制在具有或不具有复合的调制输入信号的情况下在一定范围的操作类别中操作的RF功率放大器中的静态电流的电路，所述操作类别包括(但不限于)A类、AB类和C类操作。本文描述的实施例理想上允许较广范围的操作条件下最小的电流消耗，同时消除对外部控制信号的需要。更有利地，本发明的实施例在单硅晶粒上实施——有效组合自动偏置级和功率放大器级，进而形成PAIC。

在不脱离本发明的精神或范畴的情况下，可想象出大量其他实施例。

Claims

1.一种功率放大器(PA)，其包含：

具有第一放大部分的PA输出级，所述第一放大部分具有第一增益部分且与具有第二增益部分的第二放大部分平行安置，所述PA输出级具有用于接收RF输入信号的输出级输入端口、用于提供放大的RF信号的输出级输出端口，和作为从所述输出级输入端口到所述输出级输出端口的增益的输出级增益；

第二RF功率检测器，其用于检测所述RF输入信号的信号功率，并用于基于所述检测到的信号功率提供第二检测信号；和

至少一偏置电路，其用于依照所述第二检测信号偏置所述第一放大部分和所述第二放大部分以用于放大所述RF输入信号，使得对于相同的输出级增益来说，所述第一增益部分与所述第二增益部分之间的比率依照所述第二检测信号而变化。

2.根据权利要求1所述的PA，其中所述至少一偏置电路包含：

第一偏置电路，其用于偏置所述第一放大部分；和

第二偏置电路，其不同于所述第一偏置电路，用于偏置所述第二放大部分。

3.根据权利要求1和2中任一权利要求所述的PA，其包含：

位于所述输出级输入端口与所述第一放大部分的第一电容性耦合的输入端口之间的第一电容性耦合；和

位于所述输出级输入端口与所述第二放大部分的第二电容性耦合的输入端口之间的第二电容性耦合。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的功率放大器电路，其包含：

输入放大级，其具有输入增益和用于接收所述RF输入信号的输入端口和用于将所述RF输入信号的放大版本提供给所述输出放大级的所述输入端口的输出端口，所述输入放大级包含：

第一放大级；和

第一RF功率检测器电路，其与所述输入放大级的所述输入端口耦合，用于检测所述RF输入信号的信号功率以形成第一检测到的RF信号。

5.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的PA，其中所述至少一偏置电路用于同时偏置所述第一放大部分和所述第二放大部分中的每一者，且并非是用于在其间切换的切换电路。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的PA，其中所述第二放大部分包含比所述第一放大部分的有源区域小的用于放大的有源区域。

7.一种控制射频(RF)功率放大器(PA)电路的静态电流的方法，其包含：

提供PA输出级，所述PA输出级具有输出级增益、输入端口和用于从中提供放大的RF信号的输出端口；

将具有RF输入信号功率和调制频率的RF输入信号提供给PA输出级输入端口；

检测被提供给所述PA输出级输入端口以形成第二检测信号的所述RF输入信号功率；

使用所述PA输出级的第一放大部分放大所述RF输入信号，所述第一放大部分具有第一增益部分且与所述PA输出级的第二放大部分平行安置，所述第二放大部分不同于所述第一放大部分，所述第二放大部分具有用于依照所述第一和所述第二增益部分形成所述放大的RF信号的第二增益部分；和

依照所述第二检测信号，以一种方式，即对于较高的RF输入信号功率，所述第二增益部分低于所述第一增益部分，所述第一增益部分与所述第二增益部分之间的比率基于所述RF输入信号功率的变化而变化，使得对于较低的RF输入信号功率，与对于较高的RF输入信号功率相比，所述第二增益部分形成更大的输出级增益比，以这种方式控制所述PA输出级的所述第一增益部分和所述第二增益部分中的至少一者。

8.根据权利要求7所述的方法，其中控制包含在放大所述RF输入信号的过程中，不在使用所述第一放大部分与所述第二放大部分之间执行切换操作。

9.根据权利要求7到8中任一权利要求所述的方法，其包含提供RF功率检测器以用于检测RF输入信号功率，其中所述检测器不响应于所述RF输入信号的调制频率。

10.根据权利要求7到9中任一权利要求所述的方法，其包含依照所述检测到的RF输入信号功率，增加提供给所述第一放大部分和提供给所述第二放大部分中一者的偏置电流。

11.根据权利要求7到10中任一权利要求所述的方法，其中所述第二增益部分在所述PA电路操作期间基本上恒定。

12.根据权利要求7到11中任一权利要求所述的方法，其包含：

提供参考电流；和

依照所述参考电流改变所述第一增益部分和所述第二增益部分中的至少一者。

13.根据权利要求12所述的方法，其中改变包含对所述参考电流和所述第二检测信号求和以用于改变所述第一增益部分和所述第二增益部分中的至少一者。

14.根据权利要求7到14中任一权利要求所述的方法，其包含不在使用所述第一放大部分和所述第二放大部分来放大所述RF输入信号期间使用外部控制信号在外部控制所述第一和第二增益部分。

15.一种功率放大器电路，其包含：

输出放大级，其用于接收具有调制频率的RF输入信号和具有调制频率的所述RF输入信号的放大版本中的一者，并用于从其输出端口提供放大的RF信号，其中所述放大的RF信号是基于所述RF输入信号，所述输出放大级包含：

第二放大级；

第三放大级，其具有与所述第二放大级电容性耦合的第三增益，所述第二与第三放大级的输入端口耦合在一起，且其输出端口耦合在一起；

第二RF功率检测器电路，其与所述输出放大级耦合以用于检测所述RF输入信号和所述RF输入信号的所述放大版本中的一者的信号功率以用于产生第二检测信号；

第二偏置电路，其用于独立于所述第二检测信号偏置所述第二放大级；和

第三偏置电路，其不同于所述第二偏置电路，用于偏置所述第三放大级，并用于至少部分依照所述第二检测信号调节所述第三增益。

16.根据权利要求15所述的功率放大器电路，其中所述第二RF功率检测器电路不响应于所述RF输入信号和所述RF输入信号的所述放大版本中的一者的所述调制频率。

17.根据权利要求15到16中任一权利要求所述的功率放大器电路，其中所述第二放大级包含第二晶体管，且所述第三放大级包含第三晶体管，其中所述第二偏置电路偏置所述第二晶体管的偏置点高于所述第三偏置电路偏置所述第三晶体管的偏置点。

18.根据权利要求15到17中任一权利要求所述的功率放大器电路，其包含带隙电流参考源，用于从其输出端口提供参考电流。

19.根据权利要求18所述的功率放大器电路，其中所述带隙电流参考源包含温度补偿电路，用于提供经温度补偿的所述参考电流。

20.根据权利要求18到19中任一权利要求所述的功率放大器电路，其中所述带隙电流参考源是包含复数个输出端口的固定参考源。

21.根据权利要求18到20中任一权利要求所述的功率放大器电路，其包含：

第三电流镜，其与所述带隙电流参考源耦合以用于接收所述参考电流并用于镜射此电流以提供第三参考电流。

22.根据权利要求18到21中任一权利要求所述的功率放大器电路，其包含：

第二求和电流，其与所述第三电流镜耦合以用于接收所述第三参考电流并用于至少部分依照所述第三参考电流提供第二相加的电流。

23.根据权利要求22所述的功率放大器电路，其中所述第二求和电路进一步与所述第二RF功率检测器耦合以用于接收第二检测信号，并用于对此信号与所述第三参考电流求和以用于改变所述输出增益。

24.根据权利要求15到23中任一权利要求所述的功率放大器电路，其包含：

输入放大级，其具有输入增益和用于接收RF输入信号的输入端口，和用于将所述RF输入信号的放大版本提供给所述输出放大级的输出端口，所述输入放大级包含：

第一放大级；和

第一RF功率检测器电路，其与所述输入放大级的所述输入端口耦合以用于检测所述RF输入信号的信号功率以形成第一检测到的RF信号。

25.根据权利要求24所述的功率放大器电路，其中所述第一放大级包含第一晶体管、所述第二放大级包含第二晶体管，且所述第三放大级包含第三晶体管，其中所述第二晶体管在所述第一晶体管的尺寸的1/4到5/4的范围内，且所述第二晶体管约为所述第三晶体管的尺寸的1/8。

26.根据权利要求24所述的功率放大器电路，其包含第一求和电路，所述第一求和电路与所述第三电流镜耦合以用于接收所述参考电流并用于接收所述第一检测到的RF信号，并用于依照所述参考电流和所述第一检测到的RF信号提供第一相加的电流。

27.根据权利要求26所述的功率放大器电路，其包含第一偏置电路，所述第一偏置电路用于偏置所述输入放大级，并用于依照所述第一相加的电流调节所述第一输入放大级的所述输入增益。