CN1958868A - 电镀设备及用于半导体器件的制造工艺 - Google Patents

电镀设备及用于半导体器件的制造工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN1958868A
CN1958868A CN200610142114.5A CN200610142114A CN1958868A CN 1958868 A CN1958868 A CN 1958868A CN 200610142114 A CN200610142114 A CN 200610142114A CN 1958868 A CN1958868 A CN 1958868A
Authority
CN
China
Prior art keywords
anode
electroplating
plating
negative electrode
electric current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN200610142114.5A
Other languages
English (en)
Inventor
橘裕昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Electronics Corp
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Publication of CN1958868A publication Critical patent/CN1958868A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • C25D17/12—Shape or form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12—Process control or regulation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

本发明提供一种电镀设备以及用于制造半导体器件的工艺，由此能够防止阳极钝化并且能够防止电镀膜的电流效率与淀积速率的减小。电镀设备(1)具有：容纳电镀液的电镀槽(11)；电镀槽(11)内的阳极(12)与阴极(13)；以及在第一状态与第二状态之间切换的开关控制单元(16)，其中第一状态是指在与电镀液接触的电镀物体(2)与阳极(12)之间施加电流，第二状态是指中断电镀物体(2)与阳极(12)之间的电流，而在阳极(12)与阴极(13)之间施加电流。阳极(12)是含有能够被钝化的金属的可溶解电极。

Description

电镀设备及用于半导体器件的制造工艺
本申请基于日本专利申请No.2005-293572，其内容在此参考引进。
技术领域
本发明涉及一种电镀设备及用于制造半导体器件的工艺。
背景技术
电镀目前已经用于各个领域。例如，在半导体器件中，当在倒装片中形成焊料凸点时，利用电镀在半导体芯片上形成阻挡金属层，以防止焊料成份从焊料凸点扩散到半导体芯片上的电极。
如图7所示，电镀设备100是用于这种电镀的典型电镀设备，其中在电镀槽(未示出)中布置有阳极101和预电解电极102，(例如，见日本专利申请No.2003-129294)。
在这种电镀设备100中，在预电解电极102和阳极101之间具有用于导通/中断的开关单元103，并且预电解电极102可以从用于连接阳极101和电镀物体2的电路中拆卸。
在这种电镀设备100中，预电解电极102连接到用于在电镀物体2和阳极101之间进行连接的电路上，并且在电镀物体2与电镀液接触之前，从阳极101到预电解电极102施加电流。
接下来，一旦电镀物体2与电镀液接触，电流根据预电解电极102与电镀物体2之间面积比例来分布，所以电流被施加在预电解电极102、电镀物体2与阳极101之间。
随后，利用开关单元103，预电解电极102从连接阳极101和电镀物体2的电路中分离，从而在电镀物体2上形成电镀膜。
然而，在日本专利申请No.2003-129294描述的技术中，在以下方面还存在改进的空间。
在日本专利申请No.2003-129294描述的技术中，在电镀物体2上形成期望的厚度的电镀膜，然后系统被切断，以中断电镀物体2与阳极101之间的电流，然后将电镀物体2从电镀液中取出。
然后，为了电镀下一个电镀物体2，预电解电极102被连接到用于连接阳极101和电镀物体的电路上，随后系统被通电。
重复用于电镀物体2的电镀操作后，电镀物体的电镀期间的电流效率降低，导致电镀膜的淀积速率减小。
发明内容
电流效率减小的一个可能原因是阳极表面的钝化。为形成电镀膜，在阳极与电镀物体施加了大电流。另一方面，形成电镀膜后，当电镀物体从电镀液中取出时，中断了在阳极与电镀物体之间的电流。
于是，电流的重复施加/中断后，在电流中断期间电极表面将被氧化，导致电极的钝化。
根据本发明的一个方面，提供一种电镀设备，包括：
容纳电镀液的电镀槽；
在电镀槽内的阳极和阴极；以及
在第一状态与第二状态之间切换的开关控制单元，其中第一状态是指电流施加在与电镀液接触的电镀物体和阳极之间，第二状态是指中断在电镀物体与阳极之间电流，而在阳极与阴极之间施加电流。
阳极的优选方面是含有能够被钝化的金属的可溶解电极。
在根据本发明的电镀设备中，当在电镀物体上形成电镀膜时，利用开关控制单元至少在电镀物体与阳极之间施加电流。
另一方面，电镀物体完成电镀之后，利用开关控制单元中断电镀物体与阳极之间的电流，而在阳极与阴极之间施加电流。
如上所述，在本发明中，即使在电镀物体完成电镀之后，也不中断到阳极的电流，阳极能够继续溶解。从而，能够阻止阳极的钝化并且能够防止电流效率或者电镀膜的淀积速率的减少。
根据本发明的另一方面，还提供一种用于制造半导体器件的工艺，其中在其表面上或上方具有导体膜的半导体衬底作为电镀物体被放置在装有电镀液并且布置有阳极与阴极的电镀槽中，然后在导体膜上形成电镀膜，该工艺包括：
通过使电镀物体与电镀液接触，在电镀物体与阳极之间施加电流；以及
当在阳极与阴极之间施加电流时，中断电镀物体与阳极之间的电流。
如上所述，用于制造半导体器件的工艺显示了与上面电镀设备相似的效果。
也就是说，这种工艺能够防止阳极的钝化以及能够防止电流效率和电镀膜的淀积速率的降低。从而，根据本发明的用于制造半导体器件的工艺允许高效率地生产半导体器件。
本发明能够提供一种电镀设备以及用于制造半导体器件的工艺，其能够防止阳极的钝化以及能够防止电流效率与电镀膜的淀积速率的降低。
附图说明
本发明的上述和其他目的、优点和特征通过结合附图的如下描述将变得更清楚，其中：
图1是示意图，示出了根据本发明的一个实施例的电镀设备；
图2是平面图，示出了在电镀设备中的阴极；
图3是平面图，示出了在电镀设备中的阴极；
图4示出了在阳极与电镀物体之间的电流，以及在阳极与阴极之间的电流；
图5示出了在阳极与电镀物体之间的电流，以及在阳极与阴极之间的电流；
图6示出了在对比例子中，处理的电镀物体的数量和电镀膜的厚度之间的关系；以及
图7是示意图，示出了传统的电镀设备。
在图中，标号具有以下含义；1：电镀设备，2：电镀物体，11：电镀槽，12：阳极，13：阴极，14：电源，15：电流控制单元，16：开关控制单元，17：存储单元，100：电镀设备，101：阳极，102：预电解电极，103：开关单元，111：底面，112：侧面，113：开口，114：导管，131：通孔，161：开关单元，以及162：开关单元驱动控制器。
具体实施方式
现在，将参考示意性的实施例来在此描述本发明。本领域技术人员将认识到，使用本发明的讲解，能够完成多种可选择的实施例，并且本发明并不局限于以说明为目的而示出的实施例。
以下参考附图进一步详细描述本发明的优选实施例。
图1示出了根据本实施例的电镀设备。
首先描述电镀设备1的整体构造。
根据本实施例的电镀设备1包括：容纳电镀液的电镀槽11；在电镀槽11内的阳极12与阴极13；以及在第一状态和第二状态之间切换的开关控制单元16，其中第一状态是指电流施加在与电镀液接触的电镀物体2和阳极12之间，第二状态是指中断在电镀物体2与阳极12之间的电流，而在阳极12与阴极13之间施加电流。阳极12是含有能够钝化的金属的可溶解电极。
接下来，详细描述电镀设备1。
根据本实施例的电镀设备1是用于电镀的设备。
该电镀设备1中的电镀槽11具有底面111以及围绕底面111周边的侧面112。电镀槽11的面对底面111的上表面是敞开的，在此处形成开口113。通过开口113插入电镀物体2(表面上淀积导体膜的半导体衬底)。在图1中，电镀物体2用夹具(未示出)来保持并且可上下移动。
用于供应电镀液的供应导管114连接到电镀槽11中的底面111。
如图1中箭头显示，在该电镀槽11的外边有溢出箱(未示出)，从电镀槽11溢出的电镀液被排放到溢出箱中。
基本上与电镀槽11的底面111平行地布置阳极12并且阳极12是平面的。当电镀物体2被插入电镀槽11中时，该阳极12基本上与电镀物体2的表面平行。
阳极12是可溶解电极。阳极12含有如下金属，即在电镀液中的阳极12上重复施加与中断电流之后，在该金属的表面中形成钝化膜(氧化膜)。
能够被钝化的金属的例子包括铝、镍、钴、铬、钛、钽以及铌。阳极12可以包含这些金属中的一种或者多种。
其中，阳极12优选含有从镍、钴、铬以及钛组成的组中选择的一种或者两种金属。
由于阳极12是可溶解电极，阳极12可以由用于电镀膜的金属制成；例如，当要在电镀物体2上淀积镍膜作为电镀膜时，阳极12优选由镍制成。
当要在电镀物体2上淀积铬膜作为电镀膜时，阳极12可以由铬制成。
作为选择，阳极12可以由含有能够被钝化的金属与不能被钝化的金属的合金制成。
当在阳极12与电镀物体2之间或者在阳极12与阴极13之间施加给定的电压时，在阳极12内的金属作为金属离子被溶解到电镀液中。金属离子从电镀物体2或者阴极13接收的电子，以在电镀物体2(在半导体衬底上或上方的导体膜)或者阴极13上形成电镀膜。
电镀膜可以是包含多种金属的合金(例如，Ni-Co合金与Ni-Fe合金)。
阴极13被布置在电镀槽11内，使其与阳极12面对。当电镀物体2被布置在电镀槽11内时，阴极13被布置在电镀物体2与阳极12之间。
阴极13具有如图2与图3所示的平面形状，并且具有多个通孔131。这些通孔131穿透阴极13的阳极12一侧的表面和电镀物体2一侧的表面。
对于通孔131的形状没有特别限制；例如，如图2所示，其可以是矩形，或者如图3所示，其可以是圆形。
图2与图3中的阴极13基本是平面的且是圆形的。然而，阴极13的外围形状不限于这些，例如，阴极13可以是平面的且是矩形的。
尽管对用于阴极13的材料没有特别限制，但优选是可溶解电极，从而优选地由在电镀液中可溶解的金属制成。
用于阴极13的材料的例子包括，例如，石墨、铂以及钌/铂合金。
再次如图1所示，电镀设备1具有电源14。电源14能够连接到阳极12、阴极13以及电镀物体2。具体地，电源14与阳极12通过导线互相连接。阴极13与电镀物体2中的每一个与导线连接，并且在每根导线与来自阳极12的导线的交叉点处形成开关单元161。
如上所述，导线通过夹具连接到电镀物体2。
电源14连接到电流控制单元15。
电流控制单元15被布置在电源14与阳极12之间，并且控制电镀物体2与阳极12之间的电流以及阳极12与阴极13之间的电流。根据存储在存储单元17中的给定序列(例如，见图4)，该电流控制单元15控制电镀物体2与阳极12之间的电流以及阳极12与阴极13之间的电流。
本实施例的电镀设备1具有含有上述开关单元161的开关控制单元16。该开关控制单元16具有开关单元161和开关单元驱动控制器162，其中开关单元驱动控制器162控制开关单元161的驱动。
根据存储在存储单元17内的开关时序，开关单元驱动控制器162切换开关单元161的连接。
通过切换开关单元161的连接，开关单元驱动控制器162在第一状态与第二状态之间切换，其中第一状态是指在与电镀液接触的电镀物体2与阳极12之间施加电流，第二状态是指中断电镀物体2与阳极12之间的电流而在阳极12与阴极13之间施加电流。
接下来，描述用于使用这种电镀设备1制造半导体器件的工艺。
首先，制备半导体衬底作为电镀物体2，其中半导体衬底的表面淀积了用于电镀的导体膜。通过Ti、Ni、Cu等的溅射或者气相淀积来形成导体膜。
具有给定图形的掩模被涂布在已经如此形成了导体膜的半导体衬底上。在本实施例中，电镀膜形成在从该掩模中的开口暴露出的导体膜上。
接下来，利用例如清洗来预处理电镀物体2，然后，电镀物体2被固定在夹具(未示出)中。然后，夹具向下移动，以将电镀物体2浸入装在电镀槽11内的电镀液中。当传感器(未示出)探测到电镀物体2被浸入电镀液中时，开关单元驱动控制器162要求开关单元161连接阳极12与电镀物体2。响应于该要求，开关单元161将阳极12连接到电镀物体2。
在探测到阳极12与电镀物体2之间的连接之后，根据存储在存储单元17内的序列，电流控制单元15控制从电源14供应的电流。从而，在电镀物体2与阳极12之间施加给定的电流。
这开始了电镀，因此金属离子从阳极12溶解到电镀液中。金属离子从电镀物体2(在半导体衬底上或上方的导体膜)接收电子，从而在电镀物体2上形成电镀膜。
在电镀设备1中，用计时器(未示出)测量从电镀开始后经过的时间。
基于计时器测量的时间和存储在存储单元17内的时序，从电镀开始经过给定时间后(也就是，在电镀物体2上形成期望厚度的电镀膜之后)，开关单元驱动控制器162要求开关单元161中断阳极12与电镀物体2之间的连接，而将阳极12与阴极13连接。
基于计时器测量的时间和存储在存储单元17内的给定序列，电流控制单元15控制来自电源14的电流。
从而，利用开关单元161连接阳极12与阴极13，使得在阳极12与阴极13之间施加给定的电流。
这里，阳极12与阴极13之间的电流优选低于电镀物体2与阳极12之间的电流；例如，阳极12与阴极13之间的电流是电镀物体2与阳极12之间的电流的1/2或者更低(见图4)。
也就是说，电流控制单元15控制电流，使得在电镀物体2停止电镀期间阳极12中的电流密度低于电镀物体2的电镀期间阳极12中的电流密度。
金属离子从阳极12连续溶解并且接收来自阴极13的电子，以在阴极13上形成电镀膜。
通过中断阳极12与电镀物体2之间的连接并且连接阳极12与阴极13，电镀物体2的电镀终止了。然后，夹具(未示出)与电镀物体2从电镀液中向上移动，电镀物体2被从电镀槽11中移出。
然后，去除在半导体衬底即电镀物体2上的掩模，同时剥离掩模去除之后暴露出的导体膜。从而，能够提供一种具有电镀膜的半导体器件，其中电镀膜作为用于焊料凸点的阻挡金属层。
随后，如上所述，下一个电镀物体2被固定于夹具，并且在电镀物体2上形成电镀膜。
以下描述本实施例的有利效果。
在本实施例中，当在电镀物体2上形成电镀膜时，电镀物体2连接到阳极12，并且在电镀物体2与阳极12之间施加电流。
另一方面，电镀物体2完成电镀后，开关控制单元16中断电镀物体2与阳极12之间的电流，而在阳极12与阴极13之间施加电流。
如本实施例中描述，即使电镀物体2完成电镀后，由于施加到阳极12的电流没有中断，阳极12能够继续溶解。从而，能够防止阳极12的钝化以及能够防止电镀膜电流效率与淀积速率的减小。
当根据传统工艺(日本专利申请No.2003-129294中描述的工艺)进行电镀时，阳极从其周边缓慢钝化。从而，阳极的部分钝化使得难以在电镀物体2上均匀地形成电镀膜。
相反，本实施例允许阻止阳极12的钝化，从而能够在电镀物体2上均匀地形成电镀膜。
当根据传统工艺(日本专利申请No.2003-129294中描述的工艺)进行电镀时，由于阳极钝化，电镀膜的淀积速率减小了。因此，当要淀积期望厚度的电镀膜时，由于淀积速率减小而必需延长电镀时间。然而，由于淀积速率减小而调整电镀时间是麻烦的。
相反，本实施例能够防止阳极12的钝化以及电镀膜的淀积速率的减少，结果，消除了调整电镀时间的需要。
本实施例采用形成有多个通孔131的阴极13。因此，即使当阴极13被布置在阳极12与电镀物体2之间时，金属离子也能够经由形成在阴极13中的通孔131移动，所以电镀膜能够可靠地形成在电镀物体2上。
此外，在本实施例中，电镀物体2停止电镀期间阳极12与阴极13之间的电流被调整为低于在电镀物体2上形成电镀膜期间电镀物体2与阳极12之间的电流。这能够避免电镀物体2停止电镀期间消耗阳极12中的大量金属。
本发明不限于以上实施例，只要本发明的目的能够实现，本发明意图包括多种变化与修改。
例如，尽管在本实施例中，布置阳极12、阴极13以及电镀物体2，使得它们基本上平行于电镀槽11的底面111，但是还可以布置阳极12、阴极13以及电镀物体2例如使其垂直于电镀槽11的底面111。
在这种情况下，电镀物体2可以放置在阳极12与阴极13之间进行电镀。从而，阴极不干扰在电镀物体2上形成电镀膜，结果，消除在阴极13上形成通孔的需要。这可以导致用于制造阴极13的工艺更加简单。
此外，阳极12可以不是基本平行于阴极13。例如，可以布置阳极12与阴极13使得阳极12的表面倾斜于阴极13的表面，或者可以选择地，布置阳极12与阴极13使得阳极12的表面垂直于阴极13的表面。
在上述实施例中，如图4所示，在电镀物体2与阳极12之间施加恒定的电流，但是例如，如图5所示，电镀物体2与阳极12之间的电流还可以是逐步增加的。
如在上述实施例中，电镀设备1能够用来形成用于半导体衬底上的焊料凸点的阻挡金属层，或者用来例如在半导体衬底中形成的沟槽中形成电镀膜。
此外，除了半导体衬底之外，还可以对其中导体膜形成在陶瓷衬底上的电镀物体进行电镀。除了衬底之外，诸如附件等其他部件也可以作为电镀物体用来电镀。
在以上实施例中，在电镀物体2电镀期间，阳极12与阴极13之间的电流中断，但是也可以在阳极12与阴极13之间施加电流。
各种例子
现在描述本发明的例子。
例子
如以上实施例中描述的制备电镀设备，并且如以上实施例中所描述的对电镀物体进行电镀。
电镀物体是其表面淀积了导体膜(Ti膜)的半导体衬底(Si衬底)。
阳极与阴极分别是Ni与Pt电极。
电镀液是氨基磺酸镍(nickel sulfamate)溶液。
如上面实施例中所述，在电镀物体上淀积电镀膜期间，在电镀物体与阳极之间施加电流达给定的时间(5分钟)，电镀物体停止电镀期间中断在电镀物体与阳极之间的电流，而在阳极与阴极之间施加电流。
停止电镀期间阳极与阴极之间的电流比在电镀物体上形成电镀膜期间电镀物体与阳极之间的电流低。
具体地，在电镀物体上形成电镀膜期间，在阳极中的电流密度约是0.8A/dm2，在停止在电镀物体上形成电镀膜期间，在阳极中的电流密度低于1A/dm2(例如，0.4A/dm2)。
处理150个电镀物体后，电流效率没有减小。
在利用X射线荧光分光计确定的每个电镀物体上的电镀膜的厚度(目标值是3.2μm)中观察到微小的变化。
对比例子
使用没有阴极或者开关单元的电镀设备，如在例子中描述的那样对电镀物体进行电镀。除了没有阴极或者开关单元之外，在对比例子中描述的电镀设备与在例子中描述的电镀设备一样。
阳极由Ni制成，以及电镀液是氨基磺酸镍溶液。
在电镀物体上形成电镀膜期间，在阳极中的电流密度约是0.8A/dm2。
在对比例子中，每一片电镀物体电镀之后，关掉电源以中断在电镀物体与阳极之间的电流，然后，电镀物体从电镀液中移出。
在如上所述处理150个电镀物体的过程中，电流效率逐渐减小。
在电镀物体上电镀膜厚度的测定如图6所示，随着处理的物体的数量增加，电镀膜的厚度减小，导致电镀膜厚度的显著变化。图6示出了在一个电镀物体上电镀膜的平均厚度。
显然，本发明不局限于以上实施例，可以在不偏离本发明的范围和精神的情况下进行修改和变化。

Claims (6)

1.一种电镀设备，包括：
容纳电镀液的电镀槽；
在电镀槽内的阳极与阴极；以及
在第一状态与第二状态之间切换的开关控制单元，其中第一状态是指在与电镀液接触的电镀物体与阳极之间施加电流，第二状态是指中断电镀物体与阳极之间的电流，而在阳极与阴极之间施加电流。
2.根据权利要求1所述的电镀设备，其中阳极是含有能够被钝化的金属的可溶解电极。
3.根据权利要求2所述的电镀设备，其中能够被钝化的金属是从由镍、钴、铬以及钛组成的组中选择的金属。
4.根据权利要求1所述的电镀设备，其中
当电镀物体被放置在电镀槽中时，阴极被布置在阳极与电镀物体之间；以及
阴极具有穿透阳极侧与电镀物体侧的表面的通孔。
5.根据权利要求1所述的电镀设备，包含电流控制单元，用于控制在电镀物体与阳极之间的电流以及在阳极与阴极之间的电流，其中
电流控制单元控制电流，使得在第二状态中阳极与阴极之间的电流比在第一状态中电镀物体与阳极之间的电流低。
6.一种用于制造半导体器件的工艺，其中其表面上或上方具有导体膜的半导体衬底作为电镀物体被放置在装有电镀液并且布置有阳极与阴极的电镀槽中，然后在导体膜上形成电镀膜，所述工艺包括：
通过使电镀物体与电镀液接触，在电镀物体与阳极之间施加电流；以及
中断在电镀物体与阳极之间的电流，而在阳极与阴极之间施加电流。
CN200610142114.5A 2005-10-06 2006-10-08 电镀设备及用于半导体器件的制造工艺 Pending CN1958868A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005293572A JP2007100185A (ja) 2005-10-06 2005-10-06 めっき装置および半導体装置の製造方法
JP2005293572 2005-10-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1958868A true CN1958868A (zh) 2007-05-09

Family

ID=37944292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200610142114.5A Pending CN1958868A (zh) 2005-10-06 2006-10-08 电镀设备及用于半导体器件的制造工艺

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20070080066A1 (zh)
JP (1) JP2007100185A (zh)
CN (1) CN1958868A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112332103A (zh) * 2020-11-04 2021-02-05 中国科学院微电子研究所 一种超材料单元、超表面、电磁设备及编码方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8147660B1 (en) * 2002-04-04 2012-04-03 Novellus Systems, Inc. Semiconductive counter electrode for electrolytic current distribution control

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6482298B1 (en) * 2000-09-27 2002-11-19 International Business Machines Corporation Apparatus for electroplating alloy films

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112332103A (zh) * 2020-11-04 2021-02-05 中国科学院微电子研究所 一种超材料单元、超表面、电磁设备及编码方法
CN112332103B (zh) * 2020-11-04 2022-07-08 中国科学院微电子研究所 一种超材料单元、超表面、电磁设备及编码方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007100185A (ja) 2007-04-19
US20070080066A1 (en) 2007-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11542630B2 (en) Cleaning electroplating substrate holders using reverse current deplating
CN1253608C (zh) 处理具有最小边缘隔绝的衬底的方法和设备
CN1180133C (zh) 应用调制电场在小深孔中的金属电淀积法
CN1260789C (zh) 电路板,半导体装置制造方法,及电镀系统
CN1132239C (zh) 制造半导体器件的方法
CN1246504C (zh) 在工件上电镀金属的装置和方法
US6524461B2 (en) Electrodeposition of metals in small recesses using modulated electric fields
CN1531028A (zh) 电镀方法
CN1732291A (zh) 无铅凸点及该凸点的形成方法
CN1993024A (zh) 用于填充通孔的方法
CN1636084A (zh) 用于高深宽比特征结构的动态脉冲电镀
CN1137511C (zh) 生产集成电路时由高纯铜电镀形成导体结构的方法
CN1353779A (zh) 对工件进行电化学处理的装置
CN101039743A (zh) 氢纯化过滤器及其制造方法
CN100343423C (zh) 电镀铜方法、用于电镀铜的含磷铜阳极、及用该方法和阳极电镀的粒子附着少的半导体晶片
CN1283848C (zh) 小直径孔镀铜的方法
JP2012122097A (ja) 電気めっき方法
CN1638073A (zh) 形成倒装芯片的凸块焊盘的方法及其结构
TWI275667B (en) Tilted electrochemical plating cell with constant wafer immersion angle
CN1958868A (zh) 电镀设备及用于半导体器件的制造工艺
CN1382232A (zh) 用于电解处理相互分开的板材块和箔材块的可导电表面的方法和装置以及该方法的应用
JP5749302B2 (ja) めっき方法
CN1751382A (zh) 镀覆装置
CN1718868A (zh) 电解镀膜装置
JP5385669B2 (ja) めっき方法及びめっき装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20070509