CN1945764A - 微调电阻器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

文中描述了一种应用于微调方法的电阻器(下称微调电阻器)，制造该微调电阻器的方法和使用该微调电阻器的电路基片。

Description

微调电阻器及其制造方法

技术领域

文中描述的是一种对其应用了微调方法的电阻器(下文中亦称为微调电阻器)。更具体地，本发明涉及微调电阻器、制造该微调电阻器的方法和使用该微调电阻器的电路基片。

发明背景

在微调电阻器中，一种微调方法(电阻值调节)被应用于形成在电路基片上的电阻器，而一个含有一对电极的电阻器元件被连接至所述电阻器两端。通常，将微调电阻器装配到电路基片上，是为了适当地运行该电路基片。微调电阻器是通过在电阻器制造工艺之后对未微调的电阻器的电阻值进行调节的方式在电路基片上形成的。例如，可通过激光微调形成微调电阻器。激光微调通过使用激光除去部分的电阻器来提高电阻值，从而将电阻调节到所需的电阻值。

但是，当进行激光调节时，难以仅仅只除去电路基片上的电阻器部分，一部分基片可能也会随着电阻器被除去。因此，基片有可能被激光所损坏，电路基片上器件的可靠性将下降。特别地，如果电路基片使用的是聚合物类有机层状结构，则基片的耐热性不高，基片很可能因为激光的辐射热量而受到损坏。而且，当使用有机层状结构时，基片的热膨胀系数(CTE)比电阻器的CTE高很多。因此，一旦电阻器由于激光而产生裂纹时，之后温度的变化可能会增加裂化的程度。在此情况下，电阻器的电阻值会迅速增加，不大可能获得目标电阻值。这会导致断路。

鉴于此种情况，已经开发了各种各样不损害基片且不使用激光的形成微调电阻器的方法。例如，在JP H 05[1993]-13206中，描述了一种将微调组合物铺展在电阻器上的方法。该公开文献的图1显示了在基片上形成若干导电垫、通过用微调组合物如导电糊料将导电垫连接起来来调节电阻值的方法。JPH05[1993]-13206中的图2显示了在基片上形成电阻器、通过将电阻值低于该电阻器的诸如导电糊料之类的微调组合物铺展到该电阻器上来调节电阻值的方法。图中用一种分配器作为铺展导电糊料的装置。在图1所述的方法中，要求有特殊的垫图案用于微调。因此，半导体电路的面积增加，制造方法可能变得复杂。在图2所述的方法中，当使用导电糊料进行铺展时，铺展部分的一端位于电阻器上。在图2中，导电糊料的铺展位置偏移，电阻值可能偏离期望的电阻值。

可以高度精确地获得所希望的电阻值的微调电阻器是所需的改进。

发明内容

本发明的一个方面涉及一种微调电阻器，其包括设置在电路基片上的电阻体；设置在电阻体上的微调部，所述微调部从电阻体的两端延伸出，跨越电阻体中电流的方向。本发明的另一个方面涉及制造微调电阻器的方法，所述方法包括以下步骤：制备一个置于电路基片上的电阻体；施涂微调组合物，使得通过固化微调组合物形成一个可对应于电流流动方向从电阻体的两端伸出的微调部，微调部的电导率与电阻器的电导率不同、并且跨越电阻体中的电流方向。在上述方法中，可使用分配器、喷墨设备或通过手工施涂来铺展微调组合物。在一个实施方式中，施涂和铺展微调组合物的步骤通过使用喷墨设备进行。

本发明的另一个方面涉及配备有上述微调电阻器的电路基片。

附图说明

图1显示一电路，其中本发明的微调电阻器在基片上形成，(A)是显示下侧型电路(side down type circuit)的侧面图，(B)是它的俯视图，(C)是显示上侧型电路(side up type circuit)的侧面图，(D)是它的俯视图。

图2依次解释图1(A)和(B)的下侧型电路的制造方法。

图3依次解释图1(C)和(D)的上侧型电路的制造方法。

图4依次解释使用图2(E)所示的下侧型电路的电路基片的制造方法。

图5依次解释使用图3(C)所示的上侧型电路的电路基片的制造方法。

具体实施方式

本发明涉及一种微调电阻器，其中，电导率与电阻器不同的微调组合物按照指定的图案铺展在电阻器的表面上。特别地，本发明的微调电阻器是制造方法得以简化、可以高度精确地得到所期望的电阻值的微调电阻器。在本发明的微调电阻器中，通过微调组合物的特定铺展进行一次性微调，高度精确地得到所期望的电阻值的概率得到提高。但是，本发明不排除重调电阻值，如果需要的话，重调或微调也可以进行两次或更多次。

所有导电油墨皆可应用于微调组合物。微调组合物的电导率可与微调组合物施涂在其上的电阻器的电导率相同。微调组合物的电导率可以高于或低于电阻器的电导率。微调组合物的电导率与通过微调改变的电阻值的数量有关。如果微调组合物的电阻值低，则通过微调改变的电阻值的数量增加。对于更高精度的微调，也可以使用高电阻值的微调组合物来降低改变的数量。通过选择适合使改变的电阻值达到必需量的微调组合物可以实现高效的微调。在此情况下，微调组合物的电导率与电阻器的相同，同样的微调组合物可用于电阻器和微调电阻器。这样可以降低生产成本。

本发明的微调电阻器可由形成在电路基片上的电阻器和形成在上述电阻器上的微调部组成，其中所述微调部延伸到上述电阻器的两侧之外，跨越上述电阻器的电流方向，并且该微调部的电导率与上述电阻器的电导率不同。

在图中，10是半固化片(prepreg)，11是电阻器，12是电极，13是微调部。在图1所示的两种电路基片中，半固化片10是用作形成电路元件如微调电阻器的基底的基片。电阻器11是下侧型(图1(A))或上侧型(图1(C))元件。电极12是设置在半固化片10上且与电阻器11局部连接的一对电极。微调部13是铺展在电阻器11上用于调节电阻值的元件。在本发明中，微调部13对应于电阻器11中的电流流动方向延伸到电阻器11的两侧之外。这里，“电流流动方向”是指连接电极12的方向。术语“跨越电流流动方向的电阻器的两侧”是指组成电阻器的外边界的电极连接方向的边界。如图1(B)和1(D)所示，微调部13的两端14和15延伸到电阻器11之外。

在本发明的微调电阻器中，即使电阻器11上的微调部13的铺展位置随着电流方向移动，电阻器值也不会偏离目标电阻值。例如，即使图1的微调部13的形成位置偏移到电极12的一侧，电阻器11上的微调部13的面积没有变化。而且，即使图1的微调部13的形成位置以与电流流动方向垂直的方向偏移，因为微调部13的端部14和15伸出，电阻器11上的微调部13的面积也没有变化。因此，在本发明中，即使微调组合物的铺展偏移，仍然可以实现有效的微调。微调组合物铺展的自由度较高，可以实现有效的可加工性，甚至不需要使用高精确铺展控制。微调部13的形状没有具体限制。根据电路基片的设计，优选的是具有图1所示椭圆形的微调部13，但是，如果椭圆形微调部是困难的，则可以使用平行四边形的微调电阻器，或使用具有圆角形状的椭圆微调电阻器。

基片可以是使用氧化铝或氮化铝的陶瓷类基片，可以使用塑料材料的有机层状结构。但是，基片不限于这些材料，任何能够支撑电阻器和电极的材料都可以用于形成本发明的微调电阻器。

因为有机层状结构会由于受热而损坏，因此在温度较高的激光微调中难以使用这种材料。但是，如果将微调组合物铺展在电阻器上，则可以使用有机层状结构。

如果使用有机层状结构作为基片，则基片的CTE比电阻器的CTE大得多。因此，一旦基片上出现裂纹，之后的温度变化会导致电阻值升高，可能导致断路。如果有机层状结构用作基片，因为CTE较大，则基片的尺寸不是确定的，微调组合物的铺展位置可能偏移。考虑到有机层状结构的这些性质，本发明特别适用于当基片是有机层状结构的情况。

形成电阻器是为了控制电路中的电阻值。电阻器的组成没有特别限制。例如，可以使用烘干电阻器或聚合物电阻器。含有酚基树脂和碳粉的电阻器可用于聚合物电阻器。

可使用市售电阻器组合物来制造电阻器。例如，市售的烘干类产品是由DuPont Company制造的Interra^TM。市售的聚合物类产品是AsahiChemical Institute K.K.的TU系列。

电极形成在基片上形成，并连接到电阻器的两端。铜箔或其它材料可用于电极。

如上所述，本发明的微调电阻器是通过将微调组合物铺展到电阻器上获得的，而无需在基片上形成垫图案。在本发明的微调电阻器中，即使微调组合物的铺展位置有较大程度或较小程度的移动，微调部的有效面积没有变化。因为微调组合物是铺展的，所以它可以延伸到电阻器的两侧之外，即使微调组合物的铺展发生偏移，在电阻上形成的面积不变。这样防止了电阻值因为微调组合物铺展位置的偏移而偏离所需值。

微调部通过铺展并固化微调组合物来形成。可以考虑所需的电导率、对电阻器的粘合或其它所需的性质来选择微调部。在电阻器上形成微调部是为了在电路组装后调节电路的电阻值。

例如，如果微调部被铺展来降低电阻器的电阻值，则微调组合物中包括导电颗粒以提供比电阻器高的电导率。例如，具体的导电颗粒包括，但不限于，如银、铜、钯、钨、镍、钽、铋、铅、铟、锡、锌、钛、铝、金、铂之类的金属，可以使用这些金属的合金或这些金属或合金的某些氧化物。金属氧化物的一个例子是ITO(氧化铟锡)。

除了上述金属外，导电颗粒可以由其它材料构成。也可以使用具有这些金属和聚合物的有形混合物的材料。而且，也可以使用表面上用电导体电镀法涂布有上述金属的聚合物微粒。

导电颗粒可最终发展电导率。当微调组合物由颗粒组成时，并不需要已经具有电导率。因此，可以使用含有金属或有机化合物的非导电有机金属化合物的颗粒来对微调组合物进行调节，并铺展到规定位置。在此情况下，通过对铺展的调节组合物施加热处理、化学处理或其它方法，含有非导体的金属化合物分解，由金属或金属化合物组成的微调部可以在规定位置形成。

导电颗粒的大小没有特别限制。在铺展微调组合物的方法中，当组合物是通过喷墨设备铺展时，粒径最好小一些。具体地，主要粒径为100纳米或小于100纳米的颗粒容易维持稳定的胶体状态。而且，如果次要粒径为200纳米或小于200纳米，则喷墨设备的油墨流动性和油墨涂层得到改善。

在一个实施方式中，以微调组合物总量为基准计，微调组合物的导电颗粒的质量为等于或大于5质量％、小于95质量％，在另一个实施方式中，为等于或大于10质量％、小于80质量％。如果使用喷墨设备，优选在仔细观察粘度的同时，确定导电颗粒和其它组分的含量。理想的粘度取决于喷墨设备。喷墨设备中使用的印刷头是低粘度型、中粘度型、高粘度型等，可根据使用的印刷头选择粘度。例如，如果使用低粘度型设备，则25℃的粘度应控制在0.530-15cP，在使用中粘度型设备的情况下，则粘度应控制在5-50cP，在使用高粘度型设备的情况下，则粘度应控制在10-10000cP。当通过喷墨设备铺展组合物时，重要的是提高形成中的膜的分散稳定性和致密性等。除了上述组分外，例如，如果还含有多元醇或聚醚化合物，则可以提高含有金属的薄膜的分散稳定性和致密性。

多元醇可以选自包括但不限于以下所列的组：乙二醇、二甘醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、1，2-丁二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、2-丁烯-1，4-二醇、2，3-丁二醇、戊二醇、己二醇、辛二醇、丙三醇、1，1，1-三羟乙基乙烷、2-乙基-2-羟甲基-1，3-丙二醇、1，2，6-己三醇、1，2，3-己三醇和1，2，4-丁三醇。而且，可以使用糖醇，诸如丙三醇、苏糖醇、赤糖藓醇、季戊四醇、戊糖醇和己糖醇。

考虑到导电颗粒的分散性，多元醇的加入量优选为微调组合物总量的0.1质量％-95质量％，更优选为1质量％-90质量％。这些多元醇可单独使用或以几种醇的混合物形式使用。

聚醚化合物的例子包括：聚醚均聚物，诸如聚乙二醇、聚丙二醇和聚丁二醇；二元共聚物，诸如乙二醇/丙二醇共聚物和乙二醇/丁二醇共聚物；三元直链共聚物，诸如乙二醇/丙二醇/乙二醇共聚物、丙二醇/乙二醇/丙二醇共聚物和乙二醇/丁二醇/乙二醇共聚物。

考虑到油墨粘度、膜可成形性等，聚醚化合物的加入量优选为化合物总量的0.1质量％-70质量％。而且，加入量更优选为1质量％-50质量％。这些聚醚化合物可以单独使用或者与几种多元醇混合使用。

可以适当地使用JP2005-019248、2004-277627和2002-324966(专利参考文献2-4)中所描述的微调组合物的组分。但是，不排除使用不同于上述组分的微调组合物组分。

制造微调电阻器的方法由以下步骤组成：制备形成在电路基片上的电阻器；铺展与上述电阻器电导率不同的微调组合物，使得该微调组合物可对应于上述电阻器电流流动的方向延伸到上述电阻器的两侧之外。

图2(A)-(E)依序解释了下侧型电路基片的制造过程。在图2(A)-(E)中，20是电极，21是电阻器，22是半固化片，23是电极，24是微调部。

当形成下侧型电路基片时，如图2(A)所示，首先，在Cu箔20上印刷成形的糊料电阻器21并进行干燥。例如，丝网印刷法用作印刷方法。如图2(B)所示，将印刷在Cu箔20上的电阻器21与Cu箔20一起烘烤。此外，如图2(C)所示，使用热压机将Cu箔23和带有电阻器21的Cu箔20通过半固化片22压制在一起。那时，电阻器21被埋入到半固化片22中。而且，为了在半固化片22的两个面内都建立电阻器，将烤有电阻器的Cu箔层叠到半固化片22的两个表面上。按照此方式，形成由Cu箔23、半固化片22、电阻器21和Cu箔20组成的层。接着，如图2(D)所示，在半固化片22上表面上的Cu箔20蚀刻成所需形状，电接触部20a用作电极，这样形成电路。

为了控制形成在电路基片上的电阻器的电阻值，形成微调电阻器。在制造本发明的微调电阻器的方法中，如图2(E)所示，将微调组合物24铺展到电阻器21上。那时，如图1(B)所示，微调组合物被铺展得使微调部13(24)的两端14和15可伸到电阻器的两侧之外。按此方式，由电极20a、电阻器21和微调部24构成的微调电阻器在半固化片(基片)22上形成。

图3(A)-(C)依序解释上侧型电路基片的制造方法。在图的(A)-(D)中，30是由半固化片30a和Cu箔30b组成的有机层状结构的核心部分，30d用作电极，31是电阻器，32是微调部。

当形成上侧型电路基片时，首先使用图3(A)所示的有机层状结构的核心部分30，如图3(B)所示，将电阻器31印刷并固化在所述核心部分30上。例如，丝网印刷可用作印刷方法。在印刷过程中，电阻器31连接到Cu箔30b上。连接部分30d用作电极。

如图3(C)所示，为了控制形成在电路基片上的电阻器的电阻值，形成微调电阻器。在制造本发明的微调电阻器的方法中，将微调组合物32以垂直于纸面的方向铺展到电阻器31上。那时，如图1(D)所示，微调组合物被铺展成使微调部分13(32)的两端14和15可伸到电阻器的两侧之外。按此方式，由电极30d、电阻器31和微调部32构成的微调电阻器在半固化片(基片)30a上形成。

在微调电阻器是在上述上侧型(图2)和下侧型(图3)电路中形成的情况中，详细解释微调组合物24和32的铺展方法。微调组合物的电导率与通过微调改变的电阻值的数量有关。如果微调组合物的电阻值低，则通过微调改变的电阻值的数量增加。对于更高精确度的微调，也可以使用高电阻值的微调组合物，来减少改变的数量。通过选择适合使改变的电阻值达到必需量的微调组合物可以实现高效的微调。因为上文中已经提及了微调组合物，这里省略对它的解释。铺展微调组合物的方法没有特别限制。例如，文中提到使用喷墨设备的方法或使用分配器的方法。若不需要精确控制，或者当制造原型时，也可以通过手动涂布来铺展微调组合物。

当使用喷墨设备时，将微调组合物放入到喷墨打印机头的储液槽中，以点状铺展。在这种铺展中，根据铺展的颗粒的平均粒径，适当地选择铺展的圆点的平均直径(例如，10-30微米)，且根据粒径的选择确定液滴的数量。换言之，喷墨设备喷射器发出适用于圆点平均直径的液滴。因此，液滴的量取决于使用的喷墨打印机头本身。因此，优先选择适用于目标量液滴的打印机头。

在本发明中，即使伸到电阻器外部的微调部的尺寸或多或少地偏移预期的尺寸，这种偏移对电阻值也没有不利的影响。因此，当使用喷墨设备铺展微调组合物时，铺展控制的自由度得以提高。不需要高度精确地控制喷墨设备，可加工性能得以改善。

在铺展微调组合物中，也可以通过连续提供(施涂)来形成所需形状的微调部。例如，如果使用喷墨系统铺展微调组合物，通过移动印刷头将微调组合物连续施涂到所需位置，规定的形状即可作成。

如果喷墨系统的喷嘴排列区域很广，则也可以同时由若干喷嘴施涂微调组合物。例如，准备一个喷嘴的排列宽度超过电阻器两侧之间的宽度的喷墨设备，施涂微调组合物，使得宽度可超过电阻器两侧之间的宽度。然后，沿从一个电极到另一个电极的方向移动喷嘴依次由喷嘴施涂微调组合物。重复这一模式，可以形成具有规定宽度的微调部。

有时，准备一个喷嘴的排列尺寸超过预期微调部分尺寸的喷墨设备。然后，将喷嘴移动到形成微调部的部分，从对应于该形成微调部的部分的喷嘴喷射出微调组合物。如果采用该方法，可以非常有效地提供微调组合物，使得微调电阻器的制造效率得到提高。

当所需形状是通过顺序地施涂微调组合物来形成时，优选将微调组合物以微调组合物的铺展开始位置和铺展结束位置都位于电阻器之外的方式进行铺展。当微调组合物铺展时，在铺展开始位置和铺展结束位置容易发生铺展不匀。因此，通过将微调组合物以微调组合物的铺展开始位置和铺展结束位置都位于电阻器之外的方式进行铺展，可以防止铺展不匀对微调精确度的不利影响。可以适当地使用JP2005-019248、2004-277627和2002-324966中所述的铺展方法作为铺展微调组合物的方法。但是，不排除使用不同于上述方法的铺展方法作为所述铺展方法。

本发明的电路基片的例子是层压基片。该结构的具体例子如图4(C)和5(C)所示，其中有机层状结构的核心部分与电路的上侧和下侧相连，该电路包括按照上述方法制得的微调电阻器，并且在两层之间具有内层连接。

图4(A)-(C)依次解释了使用包括图2(E)所示微调电阻器的下侧型电路的电路基片的制造方法。在4(A)-(C)中，40是装有图2(E)所示的微调电阻器的电路，41是由半固化片41a和Cu箔41b组成的有机层状结构，42是由半固化片42a和Cu箔42b组成的有机层状结构，以及内层连接43、44和45。

在制造图4(C)所示的电路基片时，首先，通过将层41和42与图4(A)所示的电路40层压在一起，形成图4(B)所示的具有四层结构的层状结构。接着，如图4(C)所示制备层间连接43-45。按照此方式，四层电路板即告形成。此外，重复层压操作，可形成具有多层结构的电路基片。

图4(C)所示的电路基片配备有本发明的微调电阻器。因此，可以得到所需的电阻值，实现极佳的可靠性。

图5(A)-(C)依序解释了使用图3(C)所示上侧型电路的电路基片的制造方法。在图的(A)-(C)中，50是配备有图3(C)所示的微调电阻器的电路，51是由半固化片51a和Cu箔51b组成的有机层状结构，52是由半固化片52a和Cu箔52b组成的有机层状结构。接着，制备层间连接53、54和55。此外，重复层压操作，可形成具有多层结构的电路基片。

在如图4(C)中所示的电路基片中，图5(C)所示的电路基片配备有本发明的微调电阻器。因此，可以得到所需的电阻值，实现极佳的可靠性。

                        实施例

通过以下应用实施例进一步解释本发明；但是，以下应用实施例并非旨在使本发明局限于这些实施例。

实施例1

制备构建有21个大小为1.5毫米×1.5毫米的电阻器单元的有机层状结构(电极：铜，电阻器：由Du Pont Co.制造的EP204)，用数字万用表测量各电阻器的电阻值。此外，制备导电糊料作为将铺展到电阻器上的微调组合物。使用由Du Pont Co.制造的聚合物银糊料5450作为导电糊料。

如图1(B)所示，以各种不同的宽度铺展导电糊料，使得微调部可以对应于电阻器中电流流动的方向伸到电阻器两侧面之外。至于宽度，图1(B)中宽度在纸面水平方向变化。导电糊料在150℃干燥和固化30分钟，再次测量电阻值。通过最小二乘法的近似得到电阻值的变化率(铺展糊料后的电阻值/铺展糊料前的电阻值)与导电糊料的铺展宽度之间的关系式。近似方程的相关系数为0.81。由近似方程得到的各电阻器的计算电阻值与实际电阻值的差值以百分数计算，标准偏差为1.8％。

对比例1

与应用实施例1类似，制备构建有21个电阻器单元的有机层状结构和DuPont5450导电糊料。如JP H05[1993]-13206的图2所示，以各种宽度铺展导电糊料，使得微调部的一端可以伸到电阻器之外，另一端在电阻器的上部。导电糊料在150℃干燥和固化30分钟，再次测量电阻值。通过最小二乘法的近似得到电阻值的变化率(铺展糊料后的电阻值/铺展糊料前的电阻值)与导电糊料的铺展宽度之间的关系式。近似方程的相关系数为0.77。由近似方程得到的各电阻器的计算电阻值与实际电阻值的差值以百分数计算，CV(标准偏差除以平均数)为6.0％。

上述应用实施例1和对比例1的结果示于表I中。

                          表I

	电阻器的个数	近似方程的相关系数	CV
				应用实施例1	21	0.81	1.8％
对比例1	21	0.77	6.0％

依据表I，当导电糊料铺展成使微调部的两端都可以伸到电阻器之外时，CV值较小。换言之，应理解为电阻值的离散较小。

相反，当导电糊料铺展成使导电糊料的一端可以保留时，CV值较大。换言之，应理解为电阻值的离散较大。

通过应用实施例1和对比例1的比较，应理解本发明对于高精确度微调是有效的。

Claims (18)

1.一种微调电阻器，其包括：

设置在电路基片上的电阻体；和

设置在电阻体上的微调部，所述微调部从电阻体的两端伸出，并跨越电阻体中电流的方向。

2.如权利要求1所述的微调电阻器，其特征在于，所述微调部的电导率与所述电阻器的电导率相同。

3.如权利要求1所述的微调电阻器，其特征在于，所述微调部的电导率与所述电阻器的电导率不同。

4.如权利要求3所述的微调电阻器，其特征在于，所述微调部的电导率低于所述电阻体的电导率。

5.如权利要求3所述的微调电阻器，其特征在于，所述微调部的电导率高于所述电阻体的电导率。

6.如权利要求1所述的微调电阻器，其特征在于，所述微调部的形状为矩形。

7.一种生产微调电阻器的方法，其包括以下步骤：

制备设置在电路基片上的电阻体；和

施涂微调组合物，使得通过固化微调组合物形成的微调部可以从电阻体的两端伸出，并跨越电阻体中电流的方向。

8.如权利要求6所述的生产微调电阻器的方法，其特征在于，所述微调部的电导率与所述电阻器的电导率相同。

9.如权利要求6所述的生产微调电阻器的方法，其特征在于，所述微调部的电导率与所述电阻器的电导率不同。

10.如权利要求8所述的生产微调电阻器的方法，其特征在于，所述微调部的电导率低于所述电阻体的电导率。

11.如权利要求8所述的生产微调电阻器的方法，其特征在于，所述微调部的电导率比所述电阻体的电导率高。

12.如权利要求6所述的生产微调电阻器的方法，其特征在于，使用分配器或喷墨设备施涂微调组合物。

13.如权利要求6所述的生产微调电阻器的方法，其特征在于，使用喷墨设备施涂微调组合物。

14.如权利要求6所述的生产微调电阻器的方法，其特征在于，微调组合物以平行于电流的方向施涂，使得涂层的宽度大于电阻体的宽度。

15.如权利要求11所述的生产微调电阻器的方法，其特征在于，所述施涂微调组合物的方法包括以下步骤：

准备喷墨设备，喷嘴设置处的区域大于微调部的区域；

将喷嘴移动到形成微调部的位置；

从对应于形成微调部的位置的喷嘴喷射微调组合物。

16.如权利要求6所述的生产微调电阻器的方法，施涂微调组合物的起始点和施涂微调组合物的终止点在所述两侧之外。

17.一种电路板，其包括如权利要求1所述的微调电阻器。

18.如权利要求15所述的电路板，其特征在于，电路基片是包含聚合物的有机层状板。

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