CN1935819A - 新的有机－金属前体材料和利用它制备金属薄膜的方法 - Google Patents
新的有机－金属前体材料和利用它制备金属薄膜的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1935819A CN1935819A CNA2006101074987A CN200610107498A CN1935819A CN 1935819 A CN1935819 A CN 1935819A CN A2006101074987 A CNA2006101074987 A CN A2006101074987A CN 200610107498 A CN200610107498 A CN 200610107498A CN 1935819 A CN1935819 A CN 1935819A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organic
- precursor material
- lone
- metallic precursor
- organic molecule
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N phosphine group Chemical group P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 21
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical group [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- BZORFPDSXLZWJF-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethyl-1,4-phenylenediamine Chemical compound CN(C)C1=CC=C(N)C=C1 BZORFPDSXLZWJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- -1 phosphorous acid ester Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 5
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical group OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/0046—Ruthenium compounds
- C07F15/0053—Ruthenium compounds without a metal-carbon linkage
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种能够容易分解而不与氧化剂反应的有机－金属前体材料，及利用该有机－金属前体材料制备金属薄膜的方法。所述有机－金属前体材料为具有孤对电子的有机分子，并具有配位共价键的结构，所述具有孤对电子的有机分子选自醚、胺、四氢呋喃(THF)、膦和亚磷酸酯。
Description
技术领域
本发明涉及一种新的有机-金属前体材料，及利用它制备用于电容器电极的金属薄膜的方法，更具体地，本发明涉及一种能够容易分解而不与氧化剂反应的新的有机-金属前体材料，及利用它制备金属薄膜的方法。
背景技术
通常，作为用于DRAM电容器的电极材料，或者作为用以阻挡半导体器件中的导线材料如铜Cu的扩散的扩散屏蔽薄膜材料，钌Ru已经引起了人们的注意。然而，为了沉积钌Ru，钌前体必须利用氧化剂如氧分解。这引起在沉积过程中氧经常陷入钌中的问题，其可以氧化与钌相邻的电极材料或导线材料并增加它的比电阻。这已经延缓了常规钌电极的应用。
发明内容
本发明提供一种能够分解而不与氧化剂反应的新的有机-金属前体材料，及利用该有机-金属前体材料制备金属薄膜的方法。
根据本发明的一个方面，提供一种由下面化学式所示的有机-金属前体材料。
<化学式>
式中M为钌Ru或铱Ir，Y为具有孤对电子的有机分子。
该具有孤对电子的有机分子可以为包含氧O、氮N或磷P的有机分子，可以为选自由醚、胺、四氢呋喃(THF)、膦(phosphine group)和亚磷酸酯(phosphite group)组成的组的物质。
根据本发明的另一个方面，提供一种制备有机-金属前体材料的方法，其包括：制备由上述化学式所示的有机-金属前体材料；通过蒸发该有机-金属前体材料，形成源气体；及通过向真空室中供应该源气体，利用化学气相沉积(CVD)，在衬底上沉积金属薄膜。在本发明中，CVD可以包括原子层沉积(ALD)。
有机-金属前体材料的制备可以包括：通过将Ru(DMPD)2或Ir(DMPD)2溶解在戊烷中，制备第一溶液；通过向该第一溶液中加入具有孤对电子的有机分子，制备第二溶液，该具有孤对电子的有机分子选自醚、胺、四氢呋喃(THF)、膦和亚磷酸酯；在室温下搅拌该第二溶液，以促进配位共价反应；及通过从其中发生配位共价反应的第二溶液中真空蒸馏戊烷，制得有机-金属前体材料。
所述有机-金属前体材料可以在150～250℃的温度下蒸发，金属薄膜可以在250～500℃的温度下沉积。
所述金属薄膜可以通过向真空室中进一步提供包括H2或NH3气体的还原性反应气体，而在还原性反应气体气氛下沉积。在本文中，H2气体可以以1～200sccm的流量供应，NH3气体可以以50～200sccm的流量供应。金属薄膜更优选可以通过在真空室中产生还原性反应气体等离子体，而在还原性反应气体等离子体气氛下沉积。
根据本发明，可以得到能够容易分解而不与氧化剂反应的有机-金属前体材料，并且可以制备不含氧的金属薄膜。
附图说明
通过参照附图详述其示例性实施方案，本发明的上述及其它特征和优点将变得更加显而易见，附图中：
图1为根据本发明实施方案的有机-金属前体材料的化学式；
图2为根据本发明实施方案利用有机-金属前体材料制备金属薄膜的化学气相沉积(CVD)方法的示意图；
图3为图2的CVD方法中钌薄膜的厚度随着沉积温度变化的示意图；
图4为利用图2的CVD方法制备的钌薄膜的NMR分析结果的示意图；及
图5为利用图2的CVD方法制备的钌薄膜的表面随着退火温度变化的SEM照片。
具体实施方式
现在将参照其中图示了本发明的示例性实施方案的附图，更充分地描述有机-金属前体材料及利用该有机-金属前体材料制备金属薄膜的方法。
图1为根据本发明实施方案的有机-金属前体材料的化学式。此处，M为钌Ru或铱Ir，Y为具有孤对电子的有机分子。
参照图1，有机-金属前体材料具有这样的结构，即具有孤对电子的有机分子配位共价结合到具有C＝C-Ru-C＝C结构的有机-金属前体如Ru(DMPD)2上。该具有孤对电子的有机分子为包含氧O、氮N或磷P的有机分子，其可以为选自下列的物质：醚、胺、四氢呋喃(THF)、膦和亚磷酸酯。由图1中的化学式所示的有机-金属前体材料能够容易分解，而不与氧化剂如氧发生化学反应。因此，其可以为用于利用化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)制备金属薄膜的有用的原材料。具体地，采用该方法制备的金属薄膜不含氧。所以，当所述金属薄膜用于电极材料或用以阻挡导线材料如铜扩散的扩散屏蔽薄膜时，可以减少比电阻由于电极材料和导线材料的氧化而增加的问题。并且，采用该方法制备的金属薄膜具有比包含氧的常规金属薄膜更好的表面形态。
由图1中的化学式所示的有机-金属前体材料可以通过下列方法制得。将Ru(DMPD)2或Ir(DMPD)2溶解在戊烷中，制得第一溶液。加入选自醚、胺、THF、膦和亚磷酸酯中的具有孤对电子的有机分子，制得第二溶液。在室温下搅拌该第二溶液，以促进配位共价反应。在配位共价反应之后，接着通过进行真空蒸馏从第二溶液中除去戊烷，可以制得有机-金属前体材料。该有机-金属前体材料通过溶解在挥发性溶剂中，可以用于CVD或ALD过程中的原材料。
图2为根据本发明实施方案利用有机-金属前体材料制备金属薄膜的化学气相沉积(CVD)方法的示意图。
在制得由图1中的化学式所示的有机-金属前体材料后，通过在150～250℃的温度下蒸发有机-金属前体材料，形成源气体。然后通过向真空室10中供应源气体，在250～500℃的温度下，可以利用CVD在衬底20上沉积金属薄膜30。在本文中，CVD包括ALD。
所述金属薄膜30优选通过向真空室10中进一步供应包括H2或NH3的还原性反应气体，在还原性反应气体气氛下沉积。该还原性反应气体的使用还可以弱化作为主要配体的DMPD与钌Ru之间的结合，因此，所述有机-金属前体材料能够在沉积过程中容易分解。具体地，为了活化还原性反应气体，可以在真空室10中产生还原性反应气体的等离子体，金属薄膜30可以在还原性反应气体等离子体气氛下沉积。此时，H2气体以1～200sccm的流量供应，NH3气体以50～200sccm的流量供应。
[实验例]
将钌前体Ru(DMPD)2溶解在戊烷中，制得第一溶液。向该第一溶液中加入0.6M的THF，制得第二溶液，并在室温下搅拌该第二溶液1分钟，以促进配位共价反应。从第二溶液中真空蒸馏掉戊烷，得到作为剩余物的Ru(DMPD)2-THF复合物。利用THF作为溶剂，制得0.2M的Ru(DMPD)2-THF复合物溶液，使用该溶液作为原材料。
在150～250℃的温度下，蒸发原材料并将其供应给真空室。通过以50～200sccm的流量向真空室中供应NH3气体作为还原性反应气体，在NH3气氛下，钌薄膜沉积在衬底上。在钌薄膜沉积过程中，使用氩Ar气体作为传输气体，并以50～1000sccm的流量提供给真空室。
图3为在图2的CVD方法中钌薄膜的厚度随沉积温度变化的示意图，图4为利用图2的CVD方法制备的钌薄膜的NMR分析结果示意图。
图5为利用图2的CVD方法制备的钌薄膜的表面形态随退火温度变化的SEM照片。
根据本发明，提供了能够容易分解而不与氧化剂反应的新的有机-金属前体材料，及利用该有机-金属前体材料制备金属薄膜的方法。在本发明中，利用容易分解而不与氧化剂如氧反应的有机-金属前体材料，可以在衬底上沉积所述金属薄膜。所以，采用该方法制备的金属薄膜几乎不含氧。因此，当该有机-金属前体材料用于电极材料或用以阻挡导线材料如铜扩散的扩散屏蔽薄膜时，可以减少电极材料和导线材料的比电阻增加的问题。此外，根据本发明制备的金属薄膜具有比包含氧的常规金属薄膜更好的表面形态。
尽管已经参照其示例性实施方案具体地说明和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员将会理解其中可以进行各种形式和细节上的变化，而不脱离由所附的权利要求书限定的本发明的构思和范围。
Claims (14)
1.一种有机-金属前体材料，其由下面化学式表示：
<化学式>
式中M为钌Ru或铱Ir，Y为具有孤对电子的有机分子。
2.根据权利要求1的有机-金属前体材料，其中所述具有孤对电子的有机分子为包含氧O、氮N或磷P的有机分子。
3.根据权利要求1的有机-金属前体材料，其中所述具有孤对电子的有机分子为选自由醚、胺、四氢呋喃(THF)、膦和亚磷酸酯组成的组的物质。
4.一种制备有机-金属前体材料的方法，包括：
制备由下面化学式表示的有机-金属前体材料；
通过蒸发该有机-金属前体材料，形成源气体；及
通过向真空室中提供该源气体，利用化学气相沉积(CVD)，在衬底上沉积金属薄膜
<化学式>
式中M为钌Ru或铱Ir，Y为具有孤对电子的有机分子。
5.根据权利要求4的方法，其中所述有机-金属前体材料是在150～250℃的温度下蒸发的。
6.根据权利要求4的方法，其中所述金属薄膜是在250～500℃的温度下沉积的。
7.根据权利要求4的方法，其中所述金属薄膜是通过向所述真空室中进一步提供包括H2或NH3气体的还原性反应气体而在还原性反应气体气氛下沉积的。
8.根据权利要求7的方法，其中所述H2气体以1～200sccm的流量供应。
9.根据权利要求7的方法，其中所述NH3气体以50～200sccm的流量供应。
10.根据权利要求7的方法，其中所述金属薄膜是通过在所述真空室中产生还原性反应气体等离子体而在还原性反应气体等离子体气氛下沉积的。
11.根据权利要求4的方法，其中所述CVD包括原子层沉积(ALD)。
12.根据权利要求4的方法，其中所述具有孤对电子的有机分子为包含氧O、氮N或磷P的有机分子。
13.根据权利要求4的方法，其中所述具有孤对电子的有机分子为选自由醚、胺、四氢呋喃(THF)、膦和亚磷酸酯组成的组的物质。
14.根据权利要求4的方法，其中所述有机-金属前体材料的制备包括：
通过将Ru(DMPD)2或Ir(DMPD)2溶解在戊烷中，制备第一溶液；
通过向该第一溶液中加入具有孤对电子的有机分子，制备第二溶液，所述具有孤对电子的有机分子选自醚、胺、四氢呋喃(THF)、膦和亚磷酸酯；
在室温下搅拌该第二溶液，以促进配位共价反应；及
通过从发生配位共价反应的第二溶液中真空蒸馏戊烷，制得有机-金属前体材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050088714A KR101159073B1 (ko) | 2005-09-23 | 2005-09-23 | 새로운 유기금속 전구체 물질 및 이를 이용한 금속박막의제조방법 |
| KR88714/05 | 2005-09-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1935819A true CN1935819A (zh) | 2007-03-28 |
Family
ID=37894366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2006101074987A Pending CN1935819A (zh) | 2005-09-23 | 2006-07-25 | 新的有机－金属前体材料和利用它制备金属薄膜的方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7601392B2 (zh) |
| JP (1) | JP2007084529A (zh) |
| KR (1) | KR101159073B1 (zh) |
| CN (1) | CN1935819A (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5977673B2 (ja) * | 2009-11-09 | 2016-08-24 | カーネギー メロン ユニバーシティ | 金属インク組成物、導電性パターン、方法および素子 |
| CN109803974B (zh) * | 2016-09-09 | 2023-04-14 | 默克专利股份有限公司 | 含有烯丙基配体的金属复合物 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3624822B2 (ja) * | 2000-11-22 | 2005-03-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4517565B2 (ja) * | 2001-09-12 | 2010-08-04 | 東ソー株式会社 | ルテニウム錯体、その製造方法、及び薄膜の製造方法 |
| US20050085031A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-21 | Applied Materials, Inc. | Heterogeneous activation layers formed by ionic and electroless reactions used for IC interconnect capping layers |
-
2005
- 2005-09-23 KR KR1020050088714A patent/KR101159073B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-07-25 CN CNA2006101074987A patent/CN1935819A/zh active Pending
- 2006-08-03 JP JP2006212288A patent/JP2007084529A/ja active Pending
- 2006-08-31 US US11/513,999 patent/US7601392B2/en active Active
-
2009
- 2009-09-08 US US12/555,399 patent/US7834206B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070071892A1 (en) | 2007-03-29 |
| US20090326254A1 (en) | 2009-12-31 |
| KR20070034250A (ko) | 2007-03-28 |
| JP2007084529A (ja) | 2007-04-05 |
| US7601392B2 (en) | 2009-10-13 |
| KR101159073B1 (ko) | 2012-06-25 |
| US7834206B2 (en) | 2010-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10914001B2 (en) | Volatile dihydropyrazinly and dihydropyrazine metal complexes | |
| EP0920435B1 (en) | Random access memory device and platinum chemical vapour deposition process used in its preparation | |
| JP4980679B2 (ja) | チタン錯体、それらの製造方法、チタン含有薄膜及びそれらの形成方法 | |
| US6420582B1 (en) | Organometallic compounds for chemical vapor deposition and their preparing processes, and processes for chemical vapor deposition of precious-metal films and precious-metal compound films | |
| KR20160108305A (ko) | 아미도이민 리간드를 포함하는 금속 착물 | |
| US20100034971A1 (en) | Method for the deposition of a ruthenium containing film | |
| KR20100048982A (ko) | Ｃｖｄ용 원료화합물 및 루테늄 또는 루테늄 화합물 박막의 화학기상 증착방법 | |
| US20120145953A1 (en) | LITHIUM PRECURSORS FOR LixMyOz MATERIALS FOR BATTERIES | |
| KR20130043557A (ko) | 단차피복성이 우수한 루테늄 화합물 및 이를 이용하여 증착시킨 박막 | |
| CN1935819A (zh) | 新的有机－金属前体材料和利用它制备金属薄膜的方法 | |
| JP2003342732A (ja) | タンタル錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製されたタンタル含有薄膜 | |
| JP5732772B2 (ja) | ルテニウム錯体混合物、その製造方法、成膜用組成物、ルテニウム含有膜及びその製造方法 | |
| KR20080090870A (ko) | 화학 증착용 유기 알루미늄 전구체 용액 및 그 제조 방법 | |
| KR100900272B1 (ko) | 금속 박막 또는 세라믹 박막 증착용 유기 금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 박막 제조 방법 | |
| KR20210058289A (ko) | 텅스텐 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 텅스텐 함유 박막 및 이의 제조방법 | |
| JPWO2019017285A1 (ja) | 金属薄膜の原子層堆積方法 | |
| KR20220026269A (ko) | 몰리브데넘 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 몰리브데넘 함유 박막. | |
| CA3239265A1 (en) | Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity | |
| CN118284616A (zh) | 沉积贵金属岛或薄膜，以将其用于具有改进催化活性的电化学催化剂 | |
| KR20240100397A (ko) | 개선된 촉매 활성을 갖는 전기화학 촉매에 대한 사용을 위한 귀금속 아일렛 또는 박막의 증착 | |
| JP2009235439A (ja) | 金属イリジウム及び／又はイリジウム酸化物薄膜の製造方法 | |
| JP2003277930A (ja) | チタン錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製されたチタン含有薄膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20070328 |