CN1925010A - 磁头滑块 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是要提供一种能够降低尤其是气压变化(空气密度变化)引起的上浮量的变动的磁头滑块。在滑块(1)的磁盘相对面上隆起形成引导侧隆起面(6、7)和磁性元件面(4),在上述磁性元件面(4)与上述引导侧隆起面(6、7)之间形成沟槽状的第1流路(20)。在上述第1流路(20)的比上述滑块(1)的摆动支点(P1)靠近从动侧(St)设置收缩部(21)。通过这样使滑块的俯仰角在气压低的环境下比在气压高的环境下小,通过这样能够有效地减小气压变化(空气密度变化)引起的上浮量的变化。

Description

磁头滑块
技术领域
本发明涉及具备往磁盘上记录用和/或再生用的磁性元件的磁头滑块,尤其涉及能够降低气压变化(空气密度变化)引起的上浮量的变动的磁头滑块。
背景技术
磁头滑块一般采用在与磁盘相对的面上具有位于最低高度位置、产生负压的沟槽和隆起形成的用于产生正压的隆起面的结构。以往,通过使上述沟槽和隆起面的形状合适或使沟槽和隆起面占上述磁盘相对面的面积的比率等适合,来达到使磁头滑块的上浮量稳定的目的。
但是,上述上浮量由于气压的变化或磁盘的小型化引起的圆周速度降低等引起的空气流入量的减少,容易变得不稳定。
[专利文献1]日本特开平8-124140号公报
例如,在专利文献1中,磁盘相对面上形成的凹部的一部分形成有收缩部。由此,由于上述收缩部的部分的流速低,因此可以认为在收缩部附近容易产生正压。
但是,专利文献1由于凹部形成的上述收缩部形成在滑块的空气流入端一侧,因此上述收缩部起增强空气流入端产生的正压的作用,由于空气流出端一侧的凹部的宽度比上述收缩部的宽度宽,因此可以认为是空气流出端一侧产生的负压更强的结构。并且,这样的结构可以认为,尤其是在气压低(空气密度低)时俯仰(pitch)角容易变大,上浮量大幅度减少。
另外,专利文献1没有提及尤其是凹部上形成的上述收缩部与气压变化(空气密度变化)之间的关系,如专利文献1所记载的那样,是因为别的意途(例如防止尘土附着在磁盘相对面上)而设置上述收缩部。
发明内容
因此,本发明就是为了解决上述现有问题,目的是要提供一种能够降低尤其是气压变化(空气密度变化)引起的上浮量的变动的磁头滑块。
本发明的磁头滑块具有滑块、和设置在上述滑块的空气流出端侧端面上的记录用和/或再生用磁性元件,其特征在于,具有:在上述滑块的磁盘相对面上、在空气流入端一侧向磁盘方向隆起的空气流入端侧隆起面;在空气流出端一侧向磁盘方向隆起的磁性元件面;以及位于上述磁性元件面与上述空气流入端侧隆起面之间的沟槽状的第1流路;在上述第1流路上,在比上述滑块的摆动支点靠近上述空气流出端一侧,设置有收缩(絞り)部。
通过在上述收缩部的部分降低流速而产生正压。通过在上述滑块的比摆动支点靠近上述空气流出端一侧设置这样的收缩部,滑块的俯仰角在气压低的环境下比在气压高的环境下小,由此能够有效地降低气压变化(空气密度变化)引起的上浮量的变化。
本发明优选上述空气流入端侧隆起面在与从上述空气流入端一侧向空气流出端一侧的长度方向正交的方向的宽度方向上分割设置,在上述空气流入端侧隆起面之间形成第2流路,上述第2流路与上述第1流路相连。这样使空气顺畅地从滑块的空气流入端一侧流向空气流出端一侧,能够更有效地降低气压变化(空气密度变化)引起的上浮量的变化。
本发明优选上述第1流路和/或第2流路的底面形成在比作为负压产生面的沟槽的底面高、比上述磁性元件面和空气流入端侧隆起面低的位置上。这样能够更有效地降低气压变化(空气密度变化)引起的上浮量的变化。
本发明优选形成有连接在上述磁性元件面与上述空气流入端侧隆起面之间、向磁盘方向隆起的多个导轨面,在上述导轨面之间形成上述第1流路,在上述导轨面的宽度方向的两侧形成有作为负压产生面的沟槽。这样能够在上述收缩部附近产生适当的正压,容易使正压与负压的平衡合适等。
并且,当设上述第1流路中形成的收缩部的宽度尺寸为T1,上述第1流路在空气流入端一侧端部的宽度尺寸为T2时,T1/T2在0.05~0.5的范围内形成。由此,能够更有效地降低气压变化(空气密度变化)引起的上浮量的变化。
并且,当设上述滑块的上述长度方向的尺寸为L1,从滑块的空气流入端侧端面到上述第1流路中形成的收缩部的位置的测量长度为L2时,L2/L1形成在0.57以上。由此,能够更有效地降低气压变化(空气密度变化)引起的上浮量的变化。
发明的效果
本发明具有:在滑块的磁盘相对面上在空气流入端一侧向磁盘方向隆起的空气流入端侧隆起面、在空气流出端一侧向磁盘方向隆起的磁性元件面,位于上述磁性元件面与上述空气流入端侧隆起面之间的沟槽状的第1流路;在上述第1流路的比上述滑块的摆动支点靠近上述空气流出端一侧设置有收缩部。
通过在上述收缩部的部分降低流速而产生正压。通过在上述滑块的比摆动支点靠近上述空气流出端一侧设置这样的收缩部,滑块的俯仰角在气压低的环境下比在气压高的环境下小,由此能够有效地降低气压变化(空气密度变化)引起的上浮量的变化。
附图说明
图1是将本实施形态的磁头滑块的磁盘相对面向上地表示的立体图。
图2是从磁盘相对面一侧看图1所示的磁头滑块的俯视图。
图3是其他的收缩部的俯视图。
图4是用于说明高气压状态下(例如平地(0m、海平面)气压下)作用于滑块的正压的概念图。
图5是用于说明低气压状态下(例如高地(3048m)气压下)作用于滑块的正压的概念图。
图6是将上述磁头滑块安装到支持部件上的磁头装置的局部立体图。
图7是表示本发明的磁头滑块停止在磁盘上的状态的磁盘装置的局部侧视图。
图8是表示本发明的磁头滑块从磁盘上浮起后的状态的磁盘装置的局部侧视图。
图9是表示实验中使用的各磁头滑块的T1/T2、与标高差灵敏度之间的关系的曲线图。
图10是表示实验中使用的各磁头滑块的L2和L2/L1、与标高差灵敏度之间的关系的曲线图。
具体实施方式
图1为将本实施形态的磁头滑块的磁盘相对面向上地表示的立体图,图2为从磁盘相对面一侧看图1所示的磁头滑块的俯视图,图4为用于说明高气压状态下(例如平地(0m、海平面)气压下)作用于滑块的正压的概念图,图5为用于说明低气压状态下(例如高地(3048m)气压下)作用于滑块的正压的概念图,图6为将上述磁头滑块安装到支持部件上的磁头装置的局部立体图,图7为表示本发明的磁头滑块停止在磁盘上的状态的磁盘装置的局部侧视图,图8为表示本发明的磁头滑块从磁盘上浮起后的状态的磁头装置的局部侧视图。
图1及图2所示的磁头滑块1构成磁头装置H的一部分。上述磁头滑块1例如图6所示那样安装在从磁盘相对面2的相反面一侧弹性支持上述磁头滑块1的支持部件30上。上述支持部件30的结构具有板簧载重梁18、设置在其顶部的薄板簧挠曲板(弹性支持部件)17。
上述磁头装置H安放在磁盘装置内,具有往上述磁盘装置内设置的磁盘D上记录磁信号或再生记录在上述磁盘D上的磁信号的功能。
图7表示构成上述磁头装置H的磁头滑块1停止在上述磁盘装置内设置的磁盘D上的状态。通过磁盘D从图7所示的停止状态开始旋转,上述磁头滑块1从磁盘D上浮起,进行上述记录、再生(图8)。
如图7所示,磁头滑块1从磁盘相对面2的反面一侧粘接固定在上述挠曲板17的下面。如图7所示,上述挠曲板17上形成有例如向图示上方突出的球面状枢轴(pivot)P,该枢轴P的顶端与载重梁18相抵接。
在图7的状态下,上述磁头滑块1被支持部件30以较弱的弹力推向磁盘D的记录面。如图8所示,当磁盘D开始旋转时,上述磁头滑块1的引导侧端面S1受空气流的作用以上述枢轴P为摆动支点向上抬起。当上述磁头滑块1浮在磁盘D上时,以上述枢轴P为摆动支点追随磁盘D的起伏地向俯仰(pitch)方向(以图示X方向为轴旋转的方向)摆动。如图8所示,磁头滑块1以δ的上浮量浮在磁盘D上。以后提到“上浮量”时,如图8所示那样用磁性元件5的表面到磁盘D的表面之间的直线距离(最短距离)表示。
如图1、图2所示,磁头滑块1的空气流入端称为“引导侧端面S1”,空气流出端称为“从动侧端面St”。并且,以下并不是表示侧端面本身,仅将“向着引导侧端面的方向或者靠近引导侧端面的部位”称为“引导侧端面S1”,将“向着从动侧端面的方向或者靠近从动侧端面的部位”称为“从动侧端面St”。并且,以下将从上述引导侧端面S1向从动侧端面St的方向作为长度方向(图示Y方向),将与上述长度方向正交的方向(图示X方向)作为宽度方向。
图1和图2所示的磁头滑块1用例如氧化铝碳化钛等形成。
如图1、图2所示,在上述磁头滑块1的磁盘相对面2上的从动侧St上,形成有从作为负压产生面的沟槽3向磁盘D方向隆起的磁性元件面4。如图1、图2所示,磁性元件5为形成在上述磁头滑块1的从动侧端面St上,由以例如利用了磁阻效应的自旋阀型薄膜元件为代表的再生用MR元件和记录用电感元件复合而成的元件,或者仅由MR元件和电感元件中的一种构成的元件。如图1、图2所示,上述磁性元件5的周围用Al2O3等保护膜19覆盖,上述保护膜19也成为上述磁性元件面4的一部分。
上述磁性元件5的表面从上述磁性元件面4露出,像上述那样,由上述磁性元件5对磁盘D进行记录或再生。
如图1、图2所示,在上述磁头滑块1的引导侧S1上设置有以与上述磁性元件周围的面4相同的高度隆起,并且沿宽度方向(图示X方向)被分割成2个的引导侧隆起面6、7。
而且,如图1、图2所示,在各引导侧隆起面6、7的从动侧端部6a、7a与上述磁性元件面4的引导侧端部4a之间,以与上述磁性元件面4和引导侧隆起面6、7相同的高度尺寸隆起形成从引导侧S1向从动侧St形成的细长状的导轨面8、9,各引导侧隆起面6、7与磁性元件面4之间用上述导轨面8、9连接。
如图1、图2所示,在上述导轨面8、9的宽度方向(图示X方向)的两侧,分别隆起形成高度与上述磁性元件面4相同的侧边隆起面10、11。上述侧边隆起面10、11为,当上述磁头滑块1在磁盘D上向转动方向(以图示Y方向为轴旋转的方向)倾斜时抑制相对于上述磁盘D的表面的倾斜角度、抑制上述磁头滑块1的宽度方向(图示X方向)的两侧端部与磁盘D冲突等的正压产生面。
如图1、图2所示,磁盘相对面2上形成的沟槽3为产生负压的面。
如图1、图2所示,上述导轨面8、9之间形成有第1流路20。上述第1流路20为夹在导轨面8、9的内侧端部8a、9a之间的沟槽形状。
如图1、图2所示,在沿宽度方向分割形成的上述引导侧隆起面6、7之间,形成有第2流路22。上述第2流路22为夹在上述引导侧隆起面6、7的内侧端部6c、7c之间的沟槽形状,如图1、图2所示,连接上述第1流路20和第2流路22。
上述第1流路20和第2流路22的底面20a、22a形成为高度比上述磁性元件周围的面4、引导侧隆起面6/7和导轨面8/9的高度低,但比上述沟槽3的高度高。上述第1流路20和第2流路22的底面20a、22a为以相同的高度形成的平坦面。
在上述引导侧隆起面6、7的引导侧端部6b、7b设置有高度与上述流路20、22的底面20a、22a相同的面作为阶梯面,并且在上述引导侧隆起面6、7的宽度方向(图示X方向)的两侧也形成有侧(side)阶梯面12a。上述侧阶梯面12a从上述引导侧隆起面6、7的从动侧端部6a、7a继续向从动侧St方向延伸地设置。比上述引导侧隆起面6、7的从动侧端部6a、7a靠近从动侧St的沟槽3为两侧被上述侧阶梯面12a和导轨面8/9夹着的形态,由此,空气能够适当地进入上述沟槽3,能够由上述沟槽3产生适当大小的负压。
上述阶梯面在上述侧边隆起面10、11的引导侧端部10a、11a也设置有阶梯面13、14,在上述导轨面9的宽度方向(图示X方向)的外侧端部9b也设置有阶梯面15。
本实施形态的特征部分在于,上述磁性元件面4与引导侧隆起面6、7之间形成有沟槽状的第1流路20,在上述第1流路20的比上述滑块1的摆动支点P1靠近从动侧(空气流出端一侧)St形成有收缩部21。另外,如上所述,上述摆动支点P1正好位于枢轴P的顶端位置。上述摆动支点P1设置在滑块1的大致中央的位置。
下面说明“收缩部21”。用高度方向(图示Z方向)和宽度方向(图示X方向)构成的面在形成有上述收缩部21的位置上剖切第1流路20时的截面积,比在比上述收缩部21靠近引导侧S1剖切第1流路20时的上述截面积小,并且与在比上述收缩部21靠近从动侧St剖切第1流路20时的上述截面积相等或者比上述截面积小。
为了满足上述条件,在图1、图2所示的实施形态中,上述第1流路20的底面20a的高度虽为一定的高度,但在上述收缩部21处的宽度尺寸T1为上述第1流路20内最小的宽度。如图1、图2所示,第1流路20在比上述收缩部21更靠近引导侧S1及从动侧St的宽度比上述收缩部21的宽度尺寸T1宽。为了构成上述收缩部,第1流路20在比上述收缩部靠引导侧S1的宽度尺寸有必要比上述收缩部21处的宽度尺寸T1宽,第1流路20在比上述收缩部21靠从动侧St的宽度比上述收缩部21处的宽度尺寸T1宽,或者与上述收缩部21处的宽度尺寸T1相同。当第1流路20在比上述收缩部21靠从动侧St的宽度尺寸与上述收缩部21处的宽度尺寸T1相等时,就是图3所示的形态。图3中,虽然第1流路20在比收缩部21靠从动侧St的宽度尺寸与上述收缩部21的宽度相等地形成,但也可以是以预定的长度形成这样的一定宽度的区域,比上述区域靠从动侧St成为宽度尺寸再次变宽的区域。并且,例如上述收缩部21也可以在第1流路20内形成多个,在这样的情况下,所有的收缩部21处的宽度尺寸T1全部以第1流路20内最小的尺寸形成。即使宽度不是第1流路20内最小的尺寸,但只要满足上述条件,也可以构成收缩部。并且,如果在上述收缩部21处的宽度尺寸T1为0的话,则由于空气密度降低,上浮量大幅度地减小。并且,上述收缩部21也可以设置在比上述磁性元件面4的引导侧端部4a靠引导侧S1。并且,第1流路20在靠近磁性元件面4的引导侧端部4a附近的宽度尺寸最好比上述收缩部21处的宽度尺寸T1宽。由此,容易控制在适当分离上述收缩部21附近产生的正压和磁性元件面4上产生的正压的状态下产生的各正压。
并且,虽然在图1、图2所示的状态下,上述收缩部21为上述宽度尺寸T1变窄的形态,但也可以是底面20a在上述收缩部21比第1流路20内的其他部位隆起,在第1流路20内的上述收缩部21的高度尺寸(沟槽的深度尺寸)比其他部位的高度尺寸(沟槽的深度尺寸)小的形态。通过这样,也能够使上述收缩部21成为用高度方向(图示Z方向)和宽度方向(图示X方向)构成的平面在形成了上述收缩部21的位置剖切第1流路20时的截面积比第1流路20在比上述收缩部21靠近引导侧S1的上述截面积小,并且与第1流路20在比上述收缩部21靠近从动侧St的上述截面积相等,或者比上述截面积小的形态。但是,由于比第1流路20内的其他部位隆起形成上述收缩部21的底面20a的加工困难,并且第1流路20自身的深度最多只有0.1μm左右,因此即使改变第1流路20的深度尺寸也不能有效地增大收缩部21及其以外的地方的截面积差,因此优选控制上述收缩部21处的宽度尺寸T1。
在上述实施形态中,在上述第1流路20中形成收缩部21,由此使在上述第1流路20内流动的空气在上述收缩部21附近的流速降低,在上述收缩部21附近产生正压。上述收缩部21设置在比上述摆动支点P1靠近从动侧St,因此在上述收缩部21附近产生的正压在比上述摆动支点P1靠近从动侧St的地方产生。本实施形态为与以往相比气压变化(空气密度变化)引起的上浮量的变化少的结构。下面用图4和图5说明其原理。
图4为说明在气压高的状态下、例如平地(0m、海平面)气压下作用于滑块的正压的概念图。“正压Pr1”用矢量长度表示引导侧隆起面6、7与上述磁盘D之间产生的正压的大小。并且,“正压Pr2”用矢量长度表示磁性元件面4与上述磁盘D之间产生的正压的大小。矢量长度越长,正压越大。如图1和图2所示,上述引导侧隆起面6、7的面积之和比上述磁性元件面4的面积大,因此上述引导侧隆起面6、7与磁盘D之间产生的正压Pr1比上述磁性元件面4与磁盘D之间产生的正压Pr2大。
而在本实施形态中,通过在第1流路20中形成收缩部21,在上述收缩部21附近产生正压Pr3。上述正压Pr3产生在比上述摆动指点P1靠近上述磁性元件面4一侧。通过保持上述正压Pr1、Pr2和Pr3与沟槽3产生的负压的平衡,上述滑块1成为引导侧S1高高浮起,从动侧St靠近磁盘D的上浮姿势。此时俯仰角(上述磁性元件面4相对于磁盘面的倾角)为θ1。
图5为用于说明在气压低的状态下、例如高地(3048m)的气压下作用于滑块上的正压的概念图。
图5的点划线所示的滑块表示假设没有产生正压Pr3时滑块的上浮状态。当气压降低时,滑块1与磁盘D之间流过的空气量减少,上述滑块与磁盘D之间的空气密度低,因此正压Pr1、Pr2和负压小到全部相同。因此,未产生正压Pr3的点划线所示的滑块与气压高的状态下相比,上浮量大大降低。
但是,本实施形态通过在第1流路20设置收缩部21,在上述收缩部21附近产生正压Pr3。如果像如图5所示那样正压Pr1、Pr2和负压全部变小,滑块的上浮量变小的话,则收缩部21附近与磁盘D之间的距离H1缩短。此时,如果距离H1缩短的话,则上述收缩部21附近的空气流严重不畅(流速更低),因此在上述收缩部21附近产生的正压Pr3比图4时的大,滑块1的从动侧端面St被向上抬起(箭头B)。滑块1的从动侧端面St向上抬起使上述俯仰角θ2比图4时的小,但上述上浮量与气压高时相比没有太大的变化,因此与未产生上述正压Pr3的结构相比,能够减小相对于气压变化(空气密度变化)的上浮量的变化。
在本实施形态中,当假设上述第1流路20中形成了收缩部21处的宽度尺寸为T1,上述第1流路20的引导侧端部(上述引导侧隆起面6、7的交界部)处的宽度尺寸为T2时,T1/T2优选在0.05~0.5的范围内形成。
并且,当假设滑块1的上述长度方向的尺寸为L1、从滑块1的引导侧端面S1到上述第1流路20中形成的收缩部21的位置的测量长度为L2时,L2/L1优选以0.57以上形成。
如上所述,通过使上述收缩部21处的宽度尺寸T1或上述收缩部21的形成位置合适,能够有效地减小气压变化(空气密度变化)引起的上浮量的变化。
并且,在图1、图2所示的实施形态中,用隆起形成的导轨面8、9连接各引导侧隆起面6、7的从动侧端部6a、7a与上述磁性元件面4的引导侧端部4a之间,在细长状的上述导轨面8、9之间形成沟槽形状的第1流路20。通过这样设置细长形状的导轨面8、9,能够容易地形成从引导侧隆起面6、7到上述磁性元件面4的第1流路20。于是,上述导轨面8、9的内侧端部8a、9a成为控制空气流动方向的侧壁,将空气适当地导向磁性元件面4,并且,能够在上述收缩部21附近产生适当大小的正压。而且,能够在上述导轨面8、9的外侧端部8b、9b的宽度方向(图示X方向)的外侧形成作为负压产生区域的沟槽3,能够良好地保持正压与负压的平衡。
在图1、图2所示的实施形态中,上述引导侧隆起面6、7之间形成的第2流路22和上述第1流路20连续地形成,而且上述第1流路20与第2流路22的底面20a、22a为高度相同的平坦面。这样一来,上述第1流路20和第2流路22没有台阶等障碍,因此容易将空气适当地导向上述磁性元件面4,为能够在上述收缩部21和磁性元件面4上产生适当的正压的形态。
并且,如图1、图2所示那样,通过比磁性元件周围的面4和引导侧隆起面6、7低、比上述沟槽3的底面高地形成上述第1流路20和第2流路22的底面20a、22a,能够减小滑块1的上浮姿势的稳定性以及气压变化(空气密度变化)引起的磁头滑块1的上浮量的变化。例如,当上述第1流路20和第2流路22的底面20a、22a以与上述沟槽3相同的高度形成时,即使在负压区域增加,结果空气流入量增多的时候,也能够使磁头滑块1的上浮量变得很小,与表面为凹凸面的磁盘D冲突的概率上升。并且,通过第1流路20的空气容易与高度高的上述磁性元件面4的引导侧端部4a冲突变得紊乱,不能适当地导向上述磁性元件面4,由于这些原因,容易使滑块1的上浮姿势的不稳定以及气压变化(空气密度变化)引起的磁头滑块1的上浮量的变化增大,因此优选以比磁性元件面4和引导侧隆起面6、7低、比上述沟槽3的底面高的高度形成上述第1流路20和第2流路22的底面20a、22a。
另外,虽然在图1、图2所示的实施形态中上述导轨面8、9的高度与上述磁性元件面4和引导侧隆起面6、7的高度相同,但上述导轨面8、9的高度也可以比上述磁性元件面4和引导侧隆起面6、7的高度低。
[实施例]
制作了图1及图2所示形状的磁头滑块。
制作了上述导轨面8、9之间形成的第1流路20在收缩部21处的宽度尺寸T1和上述第1流路20在引导侧端部处的宽度尺寸T2像下述表1那样作了种种改变的磁头滑块。
并且,使用各磁头滑块测量了在平地(0m、海平面)气压下磁头滑块的上浮量和高地(3048m)气压下的上述磁头滑块的上浮量。并且求出了各磁头滑块在收缩部处的宽度尺寸T1/引导侧端部处的宽度尺寸T2与标高差灵敏度之间的关系。另外,标高差灵敏度用(高地的磁头滑块的上浮量/平地的磁头滑块的上浮量)×100%求得。其结果表示在表1及图9中。
[表1]
 引导侧的宽度尺寸T2(μm)  收缩部的宽度T1(μm)   标高差灵敏度(%)
 54  54   84.2
 104  104   86
 104  50   94.4
 104  30   96.2
 104  20   96.3
 84  40   92.1
 84  20   90
 144  20   101.3
 144  10   101.6
如图9所示,如果收缩部的宽度尺寸T1/引导侧端部的宽度尺寸T2在0.05~0.5的范围内,则能够使标高差灵敏度在90%以上。尤其是当收缩部的宽度尺寸T1/引导侧端面的宽度尺寸T2在0.05~0.2的范围内时,能够使标高差灵敏度在95%以上。
接着,制作了改变从滑块1的引导侧端面S1到上述收缩部21的长度尺寸L2的多个磁头滑块。
并且,使用各磁头滑块测量了在平地(0m、海平面)气压下磁头滑块的上浮量和高地(3048m)气压下上述磁头滑块的上浮量。并且求出了各磁头滑块的L2和L2/L1、与标高差灵敏度之间的关系。另外,标高差灵敏度用(高地的磁头滑块的上浮量/平地的磁头滑块的上浮量)×100%求得。并且,使滑块1的长度L1在所有的磁头滑块1中为1.235mm。其实验结果表示在图10中。
如图10所示,通过使L2在0.7mm以上(使L2/L1在0.57以上),能够使标高差灵敏度在92%以上。并且,通过使L2在0.9mm以上(使L2/L1在0.73以上),能够使标高差灵敏度在98%以上。

Claims (6)

1.一种磁头滑块,具有滑块、和设置在上述滑块的空气流出端侧端面上的记录用和/或再生用磁性元件,其特征在于,
具有:在上述滑块的磁盘相对面上、在空气流入端一侧向磁盘方向隆起的空气流入端侧隆起面;在空气流出端一侧向磁盘方向隆起的磁性元件面;以及位于上述磁性元件面与上述空气流入端侧隆起面之间的沟槽状的第1流路;
在上述第1流路上,在比上述滑块的摆动支点靠近上述空气流出端一侧,设置有收缩部。
2.如权利要求1所述的磁头滑块,上述空气流入端侧隆起面在与从上述空气流入端一侧向空气流出端一侧的长度方向正交的方向的宽度方向上分割设置,在上述空气流入端侧隆起面之间形成第2流路,上述第2流路与上述第1流路相连。
3.如权利要求1所述的磁头滑块,上述第1流路和/或第2流路的底面形成在比作为负压产生面的沟槽的底面高、比上述磁性元件面和空气流入端侧隆起面低的位置上。
4.如权利要求1所述的磁头滑块,形成有连接在上述磁性元件面与上述空气流入端侧隆起面之间、向磁盘方向隆起的多个导轨面,在上述导轨面之间形成上述第1流路,在上述导轨面的宽度方向的两侧形成有作为负压产生面的沟槽。
5.如权利要求1所述的磁头滑块,当设上述第1流路中形成的收缩部的宽度尺寸为T1,上述第1流路在空气流入端一侧端部的宽度尺寸为T2时,T1/T2在0.05~0.5的范围内形成。
6.如权利要求1所述的磁头滑块,当设上述滑块的上述长度方向的尺寸为L1,从滑块的空气流入端侧端面到上述第1流路中形成的收缩部的位置的测量长度为L2时,L2/L1形成在0.57以上。
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