CN1909201A - 半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模 - Google Patents
半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1909201A CN1909201A CNA2006100411305A CN200610041130A CN1909201A CN 1909201 A CN1909201 A CN 1909201A CN A2006100411305 A CNA2006100411305 A CN A2006100411305A CN 200610041130 A CN200610041130 A CN 200610041130A CN 1909201 A CN1909201 A CN 1909201A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- boron nitride
- welding
- lead
- out wire
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
本发明是对半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模的改进,其特征是由51-100wt%的金属硅或Sialon或氮化硅,0-49wt%的氮化硼,和/或成型烧结后表面涂覆氮化硼。所得焊接模,不仅能够用于600-950℃高温焊接、封装,在高温中使用长期不变形,而且用于玻壳封装不粘玻璃,可以长期使用,并保持高的成品率。
Description
技术领域
本发明是对申请人先前申请的中国专利200410071751.9的后续改进申请,尤其涉及一种使用寿命长,特别可适用于玻壳封装的陶瓷焊接模。
背景技术
申请人在中国专利200410071751.9中,公开了一种电子行业半导体器件例如二极管、三极管、桥堆等,芯片与引出线焊接、封装模具,此模具相对行业中长期使用的石墨或金属焊接模具有极大进步,对于温度要求在300-500℃的焊接及塑料封装,具有很好的使用效果,使用寿命大大延长,焊接成品率大大提高。然而在实际使用中发现,对温度要求更高例如600-950℃的玻壳封装,尚会出现玻壳与模具相互粘结现象,卸下时会造成玻壳破损而报废。因此仍有值得改进的地方。
发明内容
本发明的目的在于克服上述已有技术的不足,提供一种适用于封装温度更高,尤其是玻壳封装的半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模。
本发明目的实现,主要改进是选择采用金属硅粉或Sialon或氮化硅粉作主原料,混合至少有氮化硼;或是采用全金属硅粉或Sialon或氮化硅粉模压烧结,再在成型烧结模表面涂覆氮化硼,通过掺混和/或表面涂覆氮化硼,从而解决了焊接、封装过程中玻壳粘模的技术难题,实现本发明目的。具体说,本发明半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模,由陶瓷粉料经模压、烧结而成,其特征在于所说陶瓷粉料为51-100wt%的金属硅或Sialon或氮化硅,0-49wt%的氮化硼,和/或成型烧结后表面涂覆氮化硼。
本发明通过大量试验,获得在金属硅粉或Sialon或氮化硅粉原料中添加氮化硼粉,或在烧结模具表面涂覆氮化硼,使陶瓷焊接模能够有效抵抗高温熔融封装玻壳的侵蚀粘结,克服了先前申请专利的陶瓷焊接模用于玻壳封装不够理想的缺陷。
为延长焊接模的使用寿命,减少因使用造成涂层脱落而降低使用寿命,本发明较好是将氮化硼粉加入物料中混合模压,其中更好是除混合有氮化硼再在烧结后表面喷涂或刷涂氮化硼。氮化硼的加入,试验表明随着封装温度的提高,氮化硼用量需增加,例如封装温度为650℃,氮化硼加入量可在15-30wt%之间即具有较好效果,而封装温度在800℃以上时,氮化硼加入量提高至40-49wt%则效果更好。
从经济性角度出发,本发明金属硅或Sialon或氮化硅,与氮化硼配比还可以是60-96wt%∶4-40wt%,以及70-90wt%∶10-30wt%。
同时,通过试验发现,随着金属硅粉或Sialon用量的提高,烧结模具脆性变大,尤其是纯金属硅粉制作的模具,氮化烧结后成为氮化硅,脆性极大,在使用过程中容易出现模孔崩口,造成崩口区不能使用,崩口过多则造成焊接模报废。通过试验,加入0-30wt%的如氧化铝粉、氧化钙、锆莫来石、碳化硅、氮化硅、堇青石、氮化铝、铝粉、B2O3、二氧化硅中一种或数种,适当减少前两类物料用量,不仅可以增加烧结模具的韧性,减少或消除崩口现象发生,而且还能促进烧结,降低烧结温度、缩短烧结时间。
本发明所述烧结模具表面涂覆氮化硼,可以是冷态喷涂或涂刷,如模具冷态时使表面湿润,用氮化硼粉进行喷涂或涂刷形成覆盖层,覆盖模具表面;也可以采用热喷涂法,例如公知的等离子喷涂、火焰喷涂、超音速喷涂等热喷涂。试验比较,热喷涂效果优于冷涂覆,可以保持更长时间不脱落,从而延长使用寿命。
本发明为有利于陶瓷粉模压成型,可以如先前专利外加部分粘结剂,所述粘结剂无特别讲究,可以采用陶瓷常用粘结剂,例如聚乙烯醇(PVA),黄糊精、白糊精、纸浆等,为粉料的成型提供初始结合力。
本发明由于选择采用金属硅粉或Sialon或氮化硅粉作主原料,并通过加入氮化硼粉,和/或成型烧结后表面涂覆氮化硼,使所得焊接模,不仅能够用于600-950℃高温焊接、封装,在高温中使用长期不变形,而且用于玻壳封装不粘玻璃,可以长期使用,并保持高的成品率。此外,通过加入部分如氧化铝粉、氧化钙、锆莫来石、碳化硅、氮化硅、堇青石、氮化铝、铝粉、B2O3、氧化硅中一种或数种,还有效消除了崩口现象的发生。
以下结合几个具体实施方式,进一步说明本发明,但实施例具体参数,不是对本发明保护的具体限定。
具体实施方式
实施例1:金属硅粉或Sialon 100%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结后,在表面喷涂或涂刷氮化硼粉。
实施例2:金属硅粉或Sialon 55%,氮化硼粉40%,氮化铝5%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例3:金属硅粉或Sialon65%,氮化硼粉30%,氮化铝5%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例4:金属硅粉或Sialon77%,氮化硼粉20%,氮化铝3%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例5:金属硅粉或Sialon95%,氮化硼粉5%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结后,在表面喷涂或涂刷氮化硼粉。
实施例6:金属硅粉80%,氮化硼粉10%,氧化铝粉5%,氧化钙4%,B2O31%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例7:金属硅粉85%,氮化硼粉10%,氧化硅粉5%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例8:金属硅粉80%,锆莫来石粉14%,氧化铝粉6%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结后,在两表面喷涂或涂刷氮化硼粉。
实施例9:金属硅粉70%,氮化硼粉10%,氧化铝粉10%,锆莫来石10%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例10:金属硅粉或Sialon90%,碳化硅粉10%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结后,在表面喷涂氮化硼粉。
实施例11:金属硅粉或Sialon80%,碳化硅粉10%,氮化硼粉10%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例12:金属硅粉70%,氮化硅粉30%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结后,在表面喷涂氮化硼粉。
实施例13:金属硅粉70%,氮化硅粉20%,氮化硼粉10%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例14:金属硅粉90%,合成堇青石粉10%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结后,在表面喷涂或涂刷氮化硼粉。
实施例15:金属硅粉85%,合成堇青石粉5%,锆莫来石粉10%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结后,在表面喷涂或涂刷氮化硼粉。
实施例16:金属硅粉74%,合成堇青石粉8%,锆莫来石8%,氮化硼粉10%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例17:金属硅粉77%,合成堇青石粉5%,氮化硼粉15%,氮化铝3%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例18:金属硅粉67%,莫来石粉8%,氮化硼粉20%,铝粉和/或氮化铝5%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例19:金属硅粉90%,锆莫来石粉10%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结后,在表面喷涂或涂刷氮化硼粉。
实施例20:金属硅粉75%,碳化硅粉10%,氧化硅粉5%,氮化硼粉10%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例21:金属硅粉95%,氧化硅粉5%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结后,在表面喷涂或涂刷氮化硼粉。
实施例22:金属硅粉90%,氧化铝10%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结后,在表面喷涂氮化硼粉。
实施例23:金属硅粉85%,莫来石15%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结后,在表面喷涂氮化硼粉。
实施例24:氮化硅粉70%,氮化硼粉25%,氮化铝粉5%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结。
实施例25:氮化硅粉100%,外加0.8-4%粘结剂,模压成型,氮化气氛烧结后,在表面喷涂或涂刷氮化硼粉。
此外,实施例中加有氮化硼粉的,也还可以在烧结后的表面再涂覆氮化硼。氮化硼涂覆可以是冷态喷涂,也可以为热喷涂。以上实施例,烧结温度约为1450±10℃。
本发明中百分量,无特别说明,均指重量百分量。
Claims (9)
1、半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模,由陶瓷粉料经模压、烧结而成,其特征在于所说陶瓷粉料为51-100wt%的金属硅或Sialon或氮化硅,0-49wt%的氮化硼,和/或成型烧结后表面涂覆氮化硼。
2、根据权利要求1所述半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模,其特征在于所说氮化硼加入物料中。
3、根据权利要求2所述半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模,其特征在于金属硅或Sialon或氮化硅与氮化硼配比为60-96wt%∶4-40wt%。
4、根据权利要求3所述半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模,其特征在于金属硅或Sialon或氮化硅与氮化硼配比为70-90wt%∶10-30wt%。
5、根据权利要求1、2、3或4所述半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模,其特征在于氮化硼用量随着使用温度提高而增加。
6、根据权利要求5所述半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模,其特征在于有0-30wt%的氧化铝粉、氧化钙、锆莫来石、碳化硅、氮化硅、堇青石、氮化铝、铝粉、B2O3、二氧化硅中一种或数种。
7、根据权利要求5所述半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模,其特征在于混合有氮化硼再在烧结后表面涂覆氮化硼。
8、根据权利要求6所述半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模,其特征在于混合有氮化硼再在烧结后表面涂覆氮化硼。
9、根据权利要求1、7或8所述半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模,其特征在于所说涂覆氮化硼为热喷涂。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2006100411305A CN100468667C (zh) | 2006-08-07 | 2006-08-07 | 一种用于焊接、封装半导体芯片与引出线的陶瓷焊接模 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2006100411305A CN100468667C (zh) | 2006-08-07 | 2006-08-07 | 一种用于焊接、封装半导体芯片与引出线的陶瓷焊接模 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1909201A true CN1909201A (zh) | 2007-02-07 |
CN100468667C CN100468667C (zh) | 2009-03-11 |
Family
ID=37700248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2006100411305A Expired - Fee Related CN100468667C (zh) | 2006-08-07 | 2006-08-07 | 一种用于焊接、封装半导体芯片与引出线的陶瓷焊接模 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100468667C (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102259247A (zh) * | 2011-06-14 | 2011-11-30 | 许行彪 | 电子元件一孔焊接模及焊接工艺 |
CN104591699A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-05-06 | 许行彪 | 金属与高温玻璃绝缘子焊接封装模具陶瓷材料 |
CN109956682A (zh) * | 2011-02-18 | 2019-07-02 | 肖特公开股份有限公司 | 焊接玻璃、绝缘套管以及包括绝缘套管的装置 |
CN114291783A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-08 | 深圳市信为科技发展有限公司 | 具有微细多引线的压力传感器及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1003586B (zh) * | 1985-10-23 | 1989-03-15 | 国家建筑材料工业局山东工业陶瓷研究设计院 | 赛隆-氮化硼纤维复合材料及其制造方法 |
US5120688A (en) * | 1990-05-29 | 1992-06-09 | The Morgan Crucible Company Plc | Pressureless sintered silicon nitride-boron nitride composite |
CN1259281C (zh) * | 2004-04-23 | 2006-06-14 | 山东工业陶瓷研究设计院 | 氮化硅-氮化硼-二氧化硅陶瓷透波材料及其制备方法 |
-
2006
- 2006-08-07 CN CNB2006100411305A patent/CN100468667C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109956682A (zh) * | 2011-02-18 | 2019-07-02 | 肖特公开股份有限公司 | 焊接玻璃、绝缘套管以及包括绝缘套管的装置 |
CN102259247A (zh) * | 2011-06-14 | 2011-11-30 | 许行彪 | 电子元件一孔焊接模及焊接工艺 |
CN104591699A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-05-06 | 许行彪 | 金属与高温玻璃绝缘子焊接封装模具陶瓷材料 |
CN114291783A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-08 | 深圳市信为科技发展有限公司 | 具有微细多引线的压力传感器及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100468667C (zh) | 2009-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101263041B1 (ko) | 광학 광선방출소자 제조방법 및 광학 광선방출소자 | |
US8319242B2 (en) | Light-emitting semiconductor device, mounted substrate, and fabrication method thereof | |
CN1909201A (zh) | 半导体芯片与引出线焊接、封装陶瓷焊接模 | |
EP0297569B1 (en) | Member for semiconductor apparatus | |
EP0297512B1 (en) | Member for semiconductor apparatus | |
CN1210443C (zh) | 涂层的制备方法 | |
CN102329501A (zh) | 树脂组合物、用于发光半导体器件的反射器以及发光半导体元件 | |
US5298328A (en) | Packing material and method of making same | |
EP0933809A3 (en) | Method for mounting flip-chip semiconductor devices | |
US11652012B2 (en) | Inorganic encapsulant for electronic component with adhesion promoter | |
CN1489559A (zh) | 接合材料 | |
US20050206040A1 (en) | Method and system for integrated circuit packaging | |
JP3408298B2 (ja) | 高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板,その製造方法および窒化けい素モジュール | |
JP6966557B2 (ja) | 透明封止部材及び光学部品 | |
CN110277318A (zh) | 一种铝碳化硅封装基板及其制备方法 | |
KR20040075093A (ko) | 전단응력 감소를 위한 다이부착 필렛 높이 제어방법 및 장치 | |
CN101092672A (zh) | 超低热膨胀铝碳化硅电子封装基板或外壳材料复合物及制备产品的方法 | |
JP2011079261A (ja) | 低密着性材料、防汚性材料、成形型、及び、それらの製造方法 | |
JP2511282B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
CN1398819A (zh) | 铁铝金属间化合物/氧化锆陶瓷复合材料及其制备方法 | |
WO2012055206A1 (zh) | 氧化铝/石墨复合陶瓷材料和采用该材料为基板的led光源 | |
CN107745089A (zh) | 一种陶瓷包裹砂芯的复合型型芯的制备方法 | |
TWI816263B (zh) | 經密封半導體晶粒及/或經密封半導體封裝之製造方法 | |
TWI701783B (zh) | 半導體裝置 | |
JPS62240313A (ja) | 半導体封止用樹脂 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090311 Termination date: 20150807 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |