CN1892367A - 通过液晶材料的滴注法制造液晶显示面板的方法和设备 - Google Patents
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Abstract
在基板的显示区域上的多个测量点测量隔离物高度,并根据测量的隔离物高度估算显示区域中隔离物高度的分布。通过虚拟地将显示区域划分成多个分区而计算隔离物高度的平均值,并根据平均值和参考值之差而精确地控制在每个分区中的滴注量。
Description
技术领域
本发明涉及通过滴注处理制造液晶显示面板的方法和设备,更具体地,涉及制造具有更均一显示特性的液晶显示面板的方法和设备。
背景技术
液晶显示面板由于其薄型、轻质和低功耗的优点而广泛用于音视频(AV)设备或办公自动化(OA)设备的显示单元。通常的液晶显示面板在由诸如TFT(薄膜晶体管)的有源转换设备以矩阵方式形成在其中的一个基板(以下称之为有源矩阵基板)和另一个在其中形成滤色片(CF)和黑色矩阵(BM,black matrix)的基板(以下称之为相对基板)之间装有液晶材料。液晶显示面板通过经由在像素电极和相对电极之间的电场控制液晶分子的导引方向,以及调整通过液晶显示面板透射的光线而显示图像。
在这样的液晶显示面板中,重要的是控制在有源矩阵基板和相对基板之间的单元间隙(cell gap)。因此,在至少一个基板上形成隔离物,诸如柱状隔离物或球状隔离物。在实际中使用液晶滴注设备,通过测量柱状隔离物的高度并根据测量的结果控制要滴入的液晶量,而将适量的液晶材料滴入由柱状隔离物所确定的间隙中。这种处理称之为滴注法(ODF,One Drop Fill)处理。
例如,第一种液晶滴注设备根据测量的柱状隔离物的柱高和参考柱状隔离物的柱高之间的差自动计算要滴注的液晶材料量的目标值(以下称之为滴注量),随后确定要滴注到液晶量调整区域的滴数(以下称之为滴入点(dropping point)数量),从而控制相应于目标值的滴注量。这样的方法在日本专利公开No.2003-295199中提及。
第二种液晶滴注设备,与第一种设备类似,控制基于柱状隔离物的柱高测量计算所得的控制滴注量的值。其提供了两个滴注器来分别滴入大滴的液晶材料和小滴的液晶材料,在每个滴注器中滴入点数量可以增加或减少,从而精密地调整在显示区域中液晶材料的总量。这样的方法在日本专利公开No.2001-281678中提及。
在以上所描述的第一种设备中,可以控制显示区域中心处的液晶量调整区域中的滴入点数量。在第二种设备中,当目标值很大时,通过增加或减少具有每滴入点大滴注量的液晶的滴入点数量来控制校正值。此外,当校正值很小时,通过增加或减少具有小滴注量的液晶的滴入点数量来校正该校正值。从而精密地控制在整个显示区域上的液晶材料的总滴注量。
当能均一地制造柱状隔离物的柱高并能将滴注的液晶材料均一地扩散到整个显示区域时,可以通过以上的方法适当地校正滴注量。然而,在实际中,在显示区域中的柱高不是均一的并且滴注的液晶材料也不会均匀地分布。会有百分之几到百分之几十滴注的液晶残留在其滴入位置附近。因此,由于在柱状隔离物的柱高和液晶材料的滴注量之间的不匹配会导致显示质量的下降。
特别是,在以上讨论的第一种设备中,当柱高的测量值低于在显示区域中的柱状隔离物的平均值时,必须减少整个的滴注量。因此,要减少在液晶量调整区域中的滴入点数量。然而,当在显示区域中心处的柱高是标准的而在显示区域外围部分的柱高比其要低,使得整个显示区域的平均高度值较低时,滴注的液晶材料不会完全地扩散。因此,液晶量相对于显示区域中心处柱高减少而在显示区域外围部分增加了。在这种情况下,由于对显示区域中心处的那些柱状隔离物施加了更重的负载,因此显示区域中心处会发生显示质量下降。此外,由于过量的液晶材料仍然残留,因此在显示区域外围部分也会发生显示质量下降。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种通过改进的能抑制显示质量下降的滴注法制造液晶显示面板的方法和设备。本发明进一步的目的是提供这样的具有高质量显示特性的方法和设备。
具体地,根据本发明的一个方面用来制造液晶显示面板的方法,包括在基板的显示区域所划分的多个虚拟分区(virtual sector)中的测量点测量多个隔离物的高度,基于在每个虚拟分区中多个隔离物的测量高度而为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量,在基板上的多个滴入点滴入校正的液晶材料滴注量,并将该基板与另一个基板装配在一起。
优选地,校正液晶材料的滴注量通过估算显示区域中隔离物高度的分布,计算每个虚拟分区中隔离物高度的平均值,并基于隔离物高度的平均值与隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区计算液晶材料的滴注量来执行。
优选地,估算显示区域中隔离物高度的分布通过在测量点之间插入柱高来执行。
优选地,隔离物包括柱状隔离物。在此使用的术语“柱状”包含任何形状的直立隔离物,其包括圆柱、平行六面体和具有圆缘的平行六面体。
优选地,为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量通过相对于测量的隔离物高度的平均值与隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区校正每个滴入点的滴注量来执行。
优选地,为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量通过基于测量的隔离物高度的平均值与隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区控制滴入点数量来执行。
优选地,为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量通过基于测量的隔离物高度的平均值与隔离物高度的参考值之差而改变虚拟分区中的滴入点来执行。
优选地,为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量通过基于测量的隔离物高度的平均值与隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区校正每个滴入点的滴注量,并通过控制由测量的隔离物高度的平均值与隔离物高度的参考值之差所计算的每个虚拟分区中的滴入点数量来执行。
此外,本发明的用于制造液晶显示面板的设备包括:隔离物高度测量部分,其用来将一对基板中的一个的显示区域虚拟地划分为多个分区,并在其上形成有多个隔离物的所划分的显示区域中的测量点测量多个隔离物的高度;滴注量计算部分,其用来校正在每个虚拟分区中多个隔离物的测量高度所计算的液晶材料的滴注量;液晶材料滴注器部分,其用来基于校正的液晶材料的滴注量而在一个基板的多个滴入点滴入液晶材料;和基板叠置部分,其用来将一个基板叠置在另一个基板之上以使用密封材料粘合成基板对。
优选地,校正液晶材料的滴注量通过估算在显示区域中隔离物高度的分布,计算在每个虚拟分区中隔离物高度的平均值,并为每个虚拟分区计算由隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差计算的液晶材料的滴注量来执行。
优选地,估算显示区域中隔离物高度的分布通过在测量点之间插入柱高而执行。
优选地,其中的隔离物包括柱状隔离物。
优选地,其中为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量通过为每个虚拟分区校正由测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差计算的每个滴入点的液晶材料滴注量来执行。
优选地,为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量通过为每个虚拟分区控制由测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差计算的滴入点数量来执行。
优选地,为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量通过改变由测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差计算的虚拟分区中的滴入点而执行。
优选地,为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量通过为每个虚拟分区校正由测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差计算的每个滴入点的液晶材料滴注量,并通过为每个虚拟分区控制由测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差计算的滴入点数量来执行。
根据本发明的用于制造液晶显示面板的方法,在每个虚拟分区中将适当的液晶材料的滴注量滴入到适当的滴入位置。因此,能够高产出地制造均一且高质量的显示面板。
此外,根据本发明的用于制造液晶显示面板的设备,在每个虚拟分区中将适当的液晶材料的滴注量滴入到适当的滴入位置中。因此,能够高产出地制造均一且高质量的显示面板。
如下所述,可以控制在液晶显示面板的显示区域的每个虚拟分区中液晶材料的滴注量。在基板的显示区域上的多个测量点测量隔离物高度,根据所测量的隔离物高度估算显示区域中隔离物高度的分布。在每个虚拟分区中计算隔离物高度的平均值,并根据平均值和参考值之差精确地控制在每个分区中的滴注量。在每个分区中的滴注量的控制通过为每个虚拟分区校正由测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差计算的每个滴入点的滴注量来执行,或通过基于测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区控制滴入点的数量来执行。
附图说明
通过参考结合附图所做的描述,将使本领域的技术人员对本发明的这些及其他目的和优点以及进一步的描述更加清晰,其中:
图1是示意性地显示根据本发明的第一示范实施例的液晶滴入和粘着模式的就在两个基板彼此叠装之前液晶显示面板状态的截面图;
图2是显示根据本发明的第一实施例的液晶滴入和粘着模式制造液晶显示面板的方法的流程图;
图3是显示本发明的第一实施例的CF基板的柱高的测量点的示图;
图4示显示本发明的第一实施例的CF基板的柱高分布和虚拟分区的示图;
图5是显示计算本发明的第一实施例的滴注量的校正值的处理过程的流程图;
图6是显示在本发明的第一示范实施例的TFT基板中滴入液晶的状态示图;
图7是显示在本发明的第二示范实施例的TFT基板中滴入液晶的状态示图;
图8是解释用来制造本发明的示范实施例的液晶显示面板的设备的框图。
具体实施方式
在解释本发明的优选实施例之前,先解释一下本发明的基本构思。
本发明是用来制造液晶显示面板的方法和设备,其具有以下步骤:在已经执行了配向处理以在基板上形成配向膜的基板对中的至少一个上滴入液晶材料,和叠置基板对以在基板对之间形成间隙。具体地,液晶显示面板制造方法具有步骤:在基板对的至少一个基板上滴入液晶材料并在真空状态中将两个基板叠置,接着将它们释放到空气中以形成由液晶材料所注满的间隙。在一个基板的显示区域上的多个测量点测量隔离物高度,接着根据所测量的高度估算在显示区域中隔离物高度的分布。在通过将显示区域划分为预定数量所得到的每个虚拟分区中计算隔离物高度的平均值。在每个分区上要滴入的液晶滴注量根据隔离物高度的平均值和预设的参考值之差来校正。根据每个分区的隔离物高度的平均值之差来调整液晶的滴入位置。根据在每个分区中的滴注量或滴入位置将液晶滴入到基板上。
因此,当在显示区域中的隔离物高度存在波动时,能够为每个分区滴入适量的液晶材料或将液晶材料滴入到适当的位置。因此,可以制造能抑制显示质量下降并具有高质量的液晶显示面板。
以下将参考附图1到6和8描述用来制造本发明第一示范实施例的液晶显示面板的方法和设备。
如图1所示,本实施例的液晶显示面板由有源矩阵基板、相对基板和液晶层构成。作为有源矩阵基板的实例,使用TFT基板10,其中以矩阵的方式形成有例如薄膜晶体管(TFT)的转换装置。作为相对基板的实例,使用CF基板11,其中形成有滤色片(CF)和黑色矩阵(BM)等。液晶层包括夹在TFT基板10和CF基板11之间的液晶材料12,其中在TFT基板10上使用了用来粘合两个基板的密封材料14。作为保持TFT基板10和CF基板11之间的单元间隙的隔离物的实例,在CF基板11上提供有柱状隔离物16。
本实施例使用将显示区域虚拟地划分成多个分区(以下称之为虚拟分区)的技术,而不是确定整个显示区域的液晶材料的滴注量。为每个虚拟分区执行滴注量的控制。具体地,在显示区域上的多个测量点测量柱状隔离物的柱高,根据它们的测量结果估算柱高分布。根据该分布计算在每个虚拟分区中柱高的平均值,计算平均值和预设的参考值之差。根据该差值为每个虚拟分区计算滴注量。
在这种情况下,用于柱状隔离物的测量点的数量在两个以上就足够了。测量点的位置没有限制。然而,优选地在计算中根据在估算柱高分布时执行的插值法选择测量点。例如,如图3所示,可以使用在显示区域20中的十三个点测量柱高的构造。没有必要给所有的基板提供相同数量的测量点。例如,也可以允许在十个基板中通过测量十三个点来计算滴注量的频率只有一次,而余下的九个基板仅通过十三个点中的三个点来测量。也可以允许通过根据相同测量点的测量结果之间的差校正整个柱高而计算滴注量。
此外,虽然根据柱高的测量结果估算在显示区域20中的柱高分布的方法没有限制,但可以通过使用例如反应曲面分类研究法从测量的柱高获取测量点之间的柱高而估算分布。参考图4,通过上述方法估算的柱高分布如等高线24所示。其显示了每条等高线24的柱高背离参考柱高的百分比。此外,当显示区域20被分成十六个部分时虚拟分区22由虚线表示。虽然划分的数量没有限制,但优选地,至少分成九个部分,例如显示区域20的中间,四个角,以及四个外围。
这样,通过虚拟地将显示区域20划分为多个虚拟分区22,在图4中显示区域20的右上角的虚拟分区22中,可以很容易计算出,在该分区中的平均柱高比参考柱高高出大约1%。虚拟分区22的滴注量根据平均柱高和参考柱高之差计算。此外,类似地计算所有虚拟分区22的平均柱高的偏移值,同时为每个虚拟分区22计算滴注量的校正值。
参考图6,其显示了在按所计算的滴注量滴入液晶材料12的滴入后(after-dropping)状态。在这种情况下,用于每个虚拟分区22的液晶材料12的滴入点数量是四。四个滴入点的滴注量彼此相同。也就是说,用于每个虚拟分区22的滴注量由四个滴入点等分并滴入。例如,前面所述的在显示区域20的右上角处的虚拟分区22要比参考柱高高出大约1%。因此,比先前注入的滴注量多滴入1%量的液晶材料就足够了。根据相同的技术来校正所有虚拟分区22的滴注量。要滴入到每个虚拟分区22的液晶材料12的滴入点数量是不受限制的。当虚拟分区数量增加时,可以减少每个虚拟分区22的滴入点数量。此外,当虚拟分区的数量减少时,可以增加每个虚拟分区22的滴入点数量。
这样,通过虚拟地将显示区域20划分为多个虚拟分区22,相比于在第一种和第二种相关技术中所提出的校正在整个显示区域20中的全部滴注量的方法,能够克服显示区域20中柱高的波动而精确地校正滴注量。此外,在真空中插入两个基板后即便释放空气,所滴入的液晶材料也不会完全均一地扩散。本发明的实施例的优点是能抑制由于柱高和液晶量之差而导致的显示质量的下降。
接着,以下将参考图2和5来描述制造本实施例的液晶显示面板的方法。用来制造本实施例的液晶显示面板的方法通过使用制造液晶显示面板的设备执行,该设备如图8所示具有第一配向处理部分30、密封材料绘制(drawing)部分31、第二配向处理部分32、柱高测量部分33、滴注量计算部分34、液晶材料滴注器部分35、基板叠置部分36和密封材料硬化部分37。实线箭头显示了顺序传送TFT基板10、CF基板11或液晶显示面板的方向。虚线箭头显示了在制造液晶显示面板的设备中所使用的信号或数据的顺序方向。
首先,如图2所示,准备好其上形成有TFT图案(TFT pattern)的TFT基板10和其上形成有柱状隔离物16的CF基板11(S101和S104)。TFT基板10和CF基板11被传送到配向处理部分30和32以进行配向处理,诸如对配向膜的摩擦处理,随后在TFT基板10和CF基板11上均形成配向膜(S102和S105)。接着,在TFT基板10传送到密封材料绘制部分31后,以环绕TFT基板10的显示区域的方式将密封材料14施加和绘制到TFT基板10(S103)。
接着,在将CF基板11传送到柱高测量部分33后,测量在CF基板11上形成的柱状隔离物16的柱高(S106)。公知的例如使用激光束的机械接触系统或非接触系统等装置都能用于测量部分33。此外,如图3所示,为了提高计算滴注量的精确度,优选地设定测量点以便覆盖整个显示区域20。此外,优选地,为提高计算滴注量的精确度设定测量点以便能根据插值法执行计算。
接着,根据测量的柱高使用滴注量计算部分34计算液晶材料12的滴注量(S107)。滴入量计算方法使用图5所示的技术。首先,估算在显示区域中柱高的分布(S202),随后接收测量的柱高结果(S201)。估算技术使用通过使用如上所述的反应曲面分类研究法在测量点之间插入柱高的技术。图4显示了由等高线所估算的柱高分布。在图中,在等高线24端部的百分比显示了相对参考柱高偏移的百分数,其中该参考柱高通过输入设计的柱高值而得到。例如,当假定参考高度为4.0μm时,由等高线-1%和-0.5%所封闭的区域表示该区域比参考柱高低0.04到0.02μm。
接着,显示区域20的区域被虚拟地分成多个虚拟分区22。图4是显示区域被分成十六个分区的示图,虚拟分区22之间的边界由虚线表示。此外,在每个虚拟分区22中的平均柱高由在显示区域20的柱高分布计算(S203)。在每个虚拟分区22中计算平均柱高和上述参考柱高之差(S204)。例如,在图4中的显示区域20的右上角的虚拟分区22中,0到+1%的区域和+1到+2%的区域分别占据了一半。因此,可以计算出在虚拟分区22中的平均柱高和参考柱高之差为大约+1%。实际的计算还进一步严格地执行。类似地,为所有的虚拟分区计算平均柱高和参考柱高之差。
接着,根据每个虚拟分区22中计算的柱高之差计算滴注量的校正值(S205)。该校正值指定给液晶滴注器部分35(S206)。在TFT基板10传送给液晶材料滴注器部分35后,液晶滴注器滴入指定滴注量的适当液晶材料12(S207)。图6是显示在刚将校正滴注量的液晶材料12滴入到TFT基板10后的状态的示图。如图6所示,为每个虚拟分区22执行滴注量的校正。对于参考柱高的情况,滴入的滴注量是先前输入的。例如,在显示区域的右上角的虚拟分区22中,平均柱高比参考柱高要高大约1%。因此,在虚拟分区22中的滴注量要比参考滴注量增加大约1%。此后,滴注量被校正到同样地指定滴注量以为下一个虚拟分区22执行滴入。
液晶滴注器的滴入模式可以自由选择而不受限制。然而,优选地滴注量的精确度要达到目标值的±0.5%或更小。此外,在步骤S202和S206之间执行处理的设备的构造也没有限制。在例如柱高测量部分33或液晶材料滴注器部分35中包括用来执行上述处理的装置或用来执行上述处理的控制单元是足够的。换句话说,用来执行上述处理的装置足可以装配有用来制造液晶显示面板的设备。
在TFT基板10传送到液晶材料滴注器部分35后,液晶滴注器将液晶材料12滴入到TFT基板10(S108)。TFT基板10接着传送到基板叠置部分36的腔室内。CF基板11在真空状态叠置到TFT基板10(S109)上。随后,通过在腔室中释放空气,CF基板11和TFT基板10由于在基板内部的真空状态和基板外部的空气间的压差而叠装在一起,存在于基板间的液晶材料12扩张,因此在基板间形成间隙。接着,叠装的基板10和11被传送到密封材料硬化部分37。通过执行紫外(UV)线照射和热处理,密封材料14固化以得到液晶显示面板(S110)。制造的液晶显示面板被传送到下一个制造工序(S111)。
这样,本实施例使用在计算滴注量的校正值时通过考虑整个显示区域20中的柱高而为每个虚拟分区22校正滴注量的技术。因此,可以精确地控制制造的液晶显示面板的柱高和液晶材料的滴注量之间的关系。因此,可以得到具有非常均一的显示质量特性并能降低其中缺陷的液晶显示面板。此外,可以制造具有高质量显示特性的液晶显示面板。
接着,参考图7描述用于制造本发明的第二示范实施例的液晶显示面板的方法。在以上描述的第一实施例中,根据在每个虚拟分区22中的平均柱高和预设的参考柱高之差来为每个虚拟分区22校正滴注量。然而,还可以通过改变滴入位置而获得与改变滴入量相同的效果。此外,与第一示范实施例相同的结构也能用于本实施例的用于制造液晶显示面板的设备。在本实施例中,与第一示范实施例的情况类似,执行S201到S203之间的处理。此外,移动滴入位置以便根据在每个虚拟分区22中的平均柱高而让具有大的平均柱高的虚拟分区22分布更多的液晶材料12。
具体地,如图7所示,显示区域20的内部被分成多个虚拟分区22。在该例中,显示区域20的内部被分成九个虚拟分区22。接着,执行类似于第一示范实施例的情况的操作,直到计算出了在每个虚拟分区22中的平均柱高(S203)。接着,通过将整个显示区域的平均柱高与参考柱高比较而计算并确定滴注量。因此,在每个虚拟分区22的每个滴入点处的滴注量是恒定的。
到这里,与第一种和第二种相关技术中的情况类似,并未考虑在显示区域20中的柱高分布,并且可能会发生显示质量下降。因此,在本实施例中,在虚拟分区中移动滴入点。当显示区域20的中心虚拟分区22c的柱高比其他的虚拟分区22的要高时,滴入位置如图7中指向虚拟分区22c的中心部分的箭头所示移近中心。当CF基板11叠置到TFT基板10时,滴入的液晶材料12向外围方向扩散,从而在两个基板间的空间中注满液晶材料12。在TFT基板10上相邻虚拟分区22间的边界附近滴入液晶材料12的情况下,当CF基板11叠置到TFT基板10时,一定量的滴入的液晶材料12通过穿越边界会扩散到相邻的虚拟分区22。当滴入点向虚拟分区22c中的虚拟分区22c中心部分移动时,在虚拟分区22c中滴入的液晶材料12中的很多部分仍然保留在虚拟分区22c中。正如以上所描述的,滴入的液晶材料12并未完全均一地扩散。因此,在CF基板11叠置到TFT基板10后,在显示区域20的中心部分依然保留很多的液晶材料12。因此,从中心虚拟分区22c扩散到相邻虚拟分区22的液晶量减少了。作为在虚拟分区中移动滴入点的结果,可以得到与在中心部分增加滴注量的情况一样的效果。
当中心虚拟分区22c的柱高比其他的虚拟分区22的低时,如图7中指向外围虚拟分区22p的箭头所示,将滴入位置移近中心虚拟分区22c的外围就足够了。当滴入点移向在虚拟分区22c中的虚拟分区22c外围部分时,扩散到相邻虚拟分区22p的液晶量增加。因此,在CF基板11叠置到TFT基板10后,扩散到相邻虚拟分区22p的液晶量增加而保留在中心虚拟分区22c中的液晶量减少。作为在虚拟分区中移动滴入点的结果,其能取得与减少滴入量一样的效果。在如上所示移动滴入点的情况下,更多的液晶材料12会分布在具有大的平均柱高的外围虚拟分区22p中。因此,根据在每个虚拟分区22中的平均柱高在虚拟分区22中会分布适量的液晶材料12。
此外,允许根据每个虚拟分区22的柱高的不同程度而设定滴入点的移动距离和移动方向。这样,在本实施例中,通过考虑每个虚拟分区22中的柱高使用了在每个虚拟分区22中移动滴入位置的技术。因此,可以精确地控制在制造的液晶显示面板的柱高和液晶量之间的关系。因此,与第一示范实施例的情况类似,可以实现非常均一且高显示质量的液晶显示面板,同时还能降低其中的缺陷。因此,可以制造具有低成本但高质量的显示特性的液晶显示面板。
在上述第一示范实施例中,为每个虚拟分区22校正滴注量。在上述第二示范实施例中,调整滴入位置。然而,可以将第一示范实施例和第二示范实施例结合起来。在这种情况下,还可以允许通过第一示范实施例的方法显著地校正滴注量,而通过第二示范实施例的方法微调滴注量。
虽然以上描述了示范实施例,但本发明并不限于此,而可以有各种变化和应用。以上示范实施例的每个都构造为在CF基板11上形成柱状隔离物16、在TFT基板10上绘制密封材料14、以及滴入液晶材料12。然而,本发明并不限于以上的实施例。本发明可以修改来在TFT基板10或既在CF基板11又在TFT基板10上形成柱状隔离物16。本发明还可以修改来在CF基板11或既在CF基板11又在TFT基板10上绘制密封材料14。此外,本发明还能修改来将液晶材料12滴入到CF基板11。此外,在以上实施例的每个中,本发明的方法都应用到在真空状态下滴入液晶、粘合两个基板并使真空状态返回到大气压、以及硬化密封材料的模式(真空滴入和粘合模式)。然而,本发明的方法能类似地应用到在空气中滴入液晶材料、粘合两个基板、以及通过在基板间施加压力而在空气中硬化密封材料的模式(常压滴入和粘合模式)。
而且,在上述的优选实施例中,CF基板用作相对基板。然而,本发明可以应用于例如TFT载滤色片(Color filter On TFT)型液晶显示面板等这样的液晶显示面板,其中滤色片形成在有源矩阵基板上。此外,本发明能应用于如下的单色型液晶显示面板,其中滤色片并不形成在有源矩阵基板和相对基板上。
虽然已经参考附图描述了本发明的优选实施例,但对本领域的技术人员来说,很明显的是,可以在不背离本发明实际范围的情况下对本发明作出各种改变或修改。
Claims (16)
1.一种用来通过滴注法处理制造液晶显示面板的方法,所述液晶显示面板具有一对基板并且在该对基板之间夹有液晶材料,该方法包括:
在该对基板中的一个的显示区域的多个虚拟分区中的测量点测量多个隔离物的高度;
基于在每个虚拟分区中的多个隔离物的测量高度为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量;
基于校正的液晶材料的滴注量在一个基板上的多个滴入点滴入液晶材料;和
将另一个基板叠置到该基板上以装配成基板对。
2.根据权利要求1的用来制造液晶显示面板的方法,
其中,校正液晶材料的滴注量是通过以下步骤执行的:估算在显示区域中隔离物高度的分布,计算在每个虚拟分区中隔离物高度的平均值,并基于隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区计算液晶材料的滴注量。
3.根据权利要求2的用来制造液晶显示面板的方法,
其中估算在显示区域中隔离物高度的分布是通过在测量点之间插入柱高来执行的。
4.根据权利要求1的用来制造液晶显示面板的方法,
其中所述多个隔离物包括柱状隔离物。
5.根据权利要求1的用来制造液晶显示面板的方法,
其中,为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量是通过以下方法执行的:基于测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区的每个滴入点校正滴注量。
6.根据权利要求1的用来制造液晶显示面板的方法,
其中,为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量是通过以下方法执行的:基于测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区增加或减少滴入点数量。
7.根据权利要求6的用来制造液晶显示面板的方法,
其中,为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量是通过以下方法执行的:基于测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差而在一个虚拟分区中移动滴入点。
8.根据权利要求1的用来制造液晶显示面板的方法,
其中,为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量是通过以下步骤执行的:基于测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区校正每个滴入点的滴注量,并进一步地通过基于测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区增加或减少滴入点的数量来执行。
9.一种用来通过滴注法处理制造液晶显示面板的设备,所述液晶显示面板具有一对基板并且在该对基板之间夹有液晶材料,该设备包括:
隔离物高度测量部分,其用来虚拟地将该对基板中的一个的显示区域划分成多个虚拟分区,并在其上形成有多个隔离物的基板的显示区域中的测量点测量多个隔离物的高度;
滴注量计算部分,其用来基于在每个虚拟分区中多个隔离物的测量高度校正液晶材料的滴注量;
液晶材料滴注器部分,其用来基于液晶材料的校正的滴注量而在一个基板上的多个滴入点滴入液晶材料;和
基板叠置部分,其用来将另一个基板叠置到该基板上以装配成基板对。
10.根据权利要求9的用来制造液晶显示面板的设备,
其中,所述滴注量计算部分通过估算在显示区域中隔离物高度的分布,计算在每个虚拟分区中隔离物高度的平均值,并基于隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区计算液晶材料的滴注量,来校正液晶材料的滴注量。
11.根据权利要求10的用来制造液晶显示面板的设备,
其中所述滴注量计算部分通过在测量点之间插入柱高来估算在显示区域中隔离物高度的分布。
12.根据权利要求10的用来制造液晶显示面板的设备,
其中所述多个隔离物包括柱状隔离物。
13.根据权利要求9的用来制造液晶显示面板的设备,
其中,所述滴注量计算部分通过基于测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区的每个滴入点校正滴注量,来为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量。
14.根据权利要求9的用来制造液晶显示面板的设备,
其中,所述滴注量计算部分通过基于测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区增加或减少滴入点数量,来为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量。
15.根据权利要求14的用来制造液晶显示面板的设备,
其中,所述滴注量计算部分通过基于测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差在一个虚拟分区中移动滴入点,来为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量。
16.根据权利要求9的用来制造液晶显示面板的设备,
其中,所述滴注量计算部分通过基于测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区校正每个滴入点的滴注量,并进一步地通过基于测量的隔离物高度的平均值和隔离物高度的参考值之差而为每个虚拟分区增加或减少滴入点数量,来为每个虚拟分区校正液晶材料的滴注量。
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