CN1889246A - Sti的填充方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种STI的填充方法,首先,用热氧化炉生长一层较薄的氧化硅STI垫层氧化硅,然后,用CVD(化学气相淀积)生长一层含氮的二氧化硅。本发明可有效降低STI顶部边缘小角的深度,减小STI边缘漏电。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路的工艺方法,特别是涉及一种在集成电路中用于隔离器件的STI(浅沟槽隔离)的填充方法。
背景技术
常规的STI的填充方法是,先用热氧化炉生长一层较薄的浅槽隔离层垫层氧化膜STI垫层氧化硅(100~400),再进行二氧化硅的填充。为了增强填充的效果,通常采用高密度等离子体的填充方法填充二氧化硅HDP(high density plasma高密度等离子体)。由于纯二氧化硅很容易被HF(氢氟酸)刻蚀,所以STI顶部边缘的二氧化硅经过其后的多次HF湿法刻蚀后,就会产生较深的小角,如图1中用圆圈所标示的部位。
用STI作隔离的器件,一般对STI的漏电要求都非常高。而STI顶部边缘小角的形貌是影响STI边缘漏电的一个非常重要的因素。当STI顶部边缘小角变深的时候,会对之后的许多工艺造成影响。比如说,在进行多晶硅刻蚀的时候,如果STI顶部边缘小角较深,采用干法刻蚀很难将小角内的多晶硅刻蚀干净,从而造成STI边缘漏电;在进行侧墙刻蚀的时候,如果STI顶部边缘小角较深,采用干法刻蚀很难将小角内的氮化硅刻蚀干净,也会造成STI边缘漏电;在硅化物生长工艺中,如果STI顶部边缘小角较深,硅化物则会沿着有源区边缘往下生长,产生结漏电。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种STI的填充方法,它可有效降低STI顶部边缘小角的深度,减小STI边缘漏电。
为解决上述技术问题,本发明STI的填充方法,包括如下步骤:首先用热氧化炉生长一层氧化硅STI垫层氧化硅,厚度为100~400,然后,用CVD(化学气相淀积)生长一层含氮的二氧化硅。
采用本发明的方法,在用HDP生长二氧化硅的时候掺杂一些氮元素,利用含氮二氧化硅的刻蚀速率比纯二氧化硅较低的原理,可以有效降低STI顶部边缘小角的深度,从而达到减小STI边缘漏电流的效果。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1是现有的STI的填充方法产生较深的STI顶部边缘小角的示意图;
图2是本发明的STI的填充方法使STI顶部边缘小角的深度降低的示意图。
具体实施方式
本发明STI的填充方法是,首先,用热氧化炉生长一层较薄的氧化硅STI垫层氧化硅,厚度为100~400,然后,用CVD的方法生长一层含氮的二氧化硅,其分子式为:SiOxNy,厚度为400~700。
本发明将一层含氮的二氧化硅生长在STI垫层氧化硅上面,这个位置也是后续工艺产生STI顶部边缘小角的位置。含氮的二氧化硅比纯二氧化硅具有更强的耐HF湿法刻蚀的能力。经过STI的填充工艺后,再进行多次HF湿法刻蚀时,含氮的二氧化硅比原工艺的纯二氧化硅能够产生更小的STI顶部边缘小角,从而达到减小STI边缘漏电流的效果。同时,这一层含氮的二氧化硅也可以作为用HDP方法生长正常工艺的二氧化硅等离子的一个缓冲层,防止等离子轰击对STI垫层氧化硅造成的损伤。
由图2可以看出,采用本发明的方法得到的STI顶部边缘小角比原工艺更小,从而可以有效改善STI的边缘漏电流。
Claims (2)
1、一种STI的填充方法,首先,用热氧化炉生长一层氧化硅STI垫层氧化硅,厚度为100~400,其特征在于:然后,用CVD生长一层含氮的二氧化硅。
2、根据权利要求1所述的STI的填充方法,其特征在于:所述含氮的二氧化硅厚度为400~700。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200510027261 CN1889246A (zh) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | Sti的填充方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200510027261 CN1889246A (zh) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | Sti的填充方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1889246A true CN1889246A (zh) | 2007-01-03 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 200510027261 Pending CN1889246A (zh) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | Sti的填充方法 |
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Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1889246A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101452873B (zh) * | 2007-12-06 | 2010-08-11 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 浅沟槽隔离工艺方法 |
CN102468172A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件制造方法 |
-
2005
- 2005-06-29 CN CN 200510027261 patent/CN1889246A/zh active Pending
Cited By (3)
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CN102468172B (zh) * | 2010-11-12 | 2015-05-20 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 半导体器件制造方法 |
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C06 | Publication | ||
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