CN1889246A - Sti的填充方法 - Google Patents

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CN1889246A CN 200510027261 CN200510027261A CN1889246A CN 1889246 A CN1889246 A CN 1889246A CN 200510027261 CN200510027261 CN 200510027261 CN 200510027261 A CN200510027261 A CN 200510027261A CN 1889246 A CN1889246 A CN 1889246A
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周贯宇
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Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种STI的填充方法，首先，用热氧化炉生长一层较薄的氧化硅STI垫层氧化硅，然后，用CVD(化学气相淀积)生长一层含氮的二氧化硅。本发明可有效降低STI顶部边缘小角的深度，减小STI边缘漏电。

Description

STI的填充方法
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路的工艺方法，特别是涉及一种在集成电路中用于隔离器件的STI(浅沟槽隔离)的填充方法。
背景技术
常规的STI的填充方法是，先用热氧化炉生长一层较薄的浅槽隔离层垫层氧化膜STI垫层氧化硅(100～400)，再进行二氧化硅的填充。为了增强填充的效果，通常采用高密度等离子体的填充方法填充二氧化硅HDP(high density plasma高密度等离子体)。由于纯二氧化硅很容易被HF(氢氟酸)刻蚀，所以STI顶部边缘的二氧化硅经过其后的多次HF湿法刻蚀后，就会产生较深的小角，如图1中用圆圈所标示的部位。
用STI作隔离的器件，一般对STI的漏电要求都非常高。而STI顶部边缘小角的形貌是影响STI边缘漏电的一个非常重要的因素。当STI顶部边缘小角变深的时候，会对之后的许多工艺造成影响。比如说，在进行多晶硅刻蚀的时候，如果STI顶部边缘小角较深，采用干法刻蚀很难将小角内的多晶硅刻蚀干净，从而造成STI边缘漏电；在进行侧墙刻蚀的时候，如果STI顶部边缘小角较深，采用干法刻蚀很难将小角内的氮化硅刻蚀干净，也会造成STI边缘漏电；在硅化物生长工艺中，如果STI顶部边缘小角较深，硅化物则会沿着有源区边缘往下生长，产生结漏电。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种STI的填充方法，它可有效降低STI顶部边缘小角的深度，减小STI边缘漏电。
为解决上述技术问题，本发明STI的填充方法，包括如下步骤：首先用热氧化炉生长一层氧化硅STI垫层氧化硅，厚度为100～400，然后，用CVD(化学气相淀积)生长一层含氮的二氧化硅。
采用本发明的方法，在用HDP生长二氧化硅的时候掺杂一些氮元素，利用含氮二氧化硅的刻蚀速率比纯二氧化硅较低的原理，可以有效降低STI顶部边缘小角的深度，从而达到减小STI边缘漏电流的效果。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是现有的STI的填充方法产生较深的STI顶部边缘小角的示意图；
图2是本发明的STI的填充方法使STI顶部边缘小角的深度降低的示意图。
具体实施方式
本发明STI的填充方法是，首先，用热氧化炉生长一层较薄的氧化硅STI垫层氧化硅，厚度为100～400，然后，用CVD的方法生长一层含氮的二氧化硅，其分子式为：SiOxNy，厚度为400～700。
本发明将一层含氮的二氧化硅生长在STI垫层氧化硅上面，这个位置也是后续工艺产生STI顶部边缘小角的位置。含氮的二氧化硅比纯二氧化硅具有更强的耐HF湿法刻蚀的能力。经过STI的填充工艺后，再进行多次HF湿法刻蚀时，含氮的二氧化硅比原工艺的纯二氧化硅能够产生更小的STI顶部边缘小角，从而达到减小STI边缘漏电流的效果。同时，这一层含氮的二氧化硅也可以作为用HDP方法生长正常工艺的二氧化硅等离子的一个缓冲层，防止等离子轰击对STI垫层氧化硅造成的损伤。
由图2可以看出，采用本发明的方法得到的STI顶部边缘小角比原工艺更小，从而可以有效改善STI的边缘漏电流。

Claims (2)

1、一种STI的填充方法，首先，用热氧化炉生长一层氧化硅STI垫层氧化硅，厚度为100～400，其特征在于：然后，用CVD生长一层含氮的二氧化硅。
2、根据权利要求1所述的STI的填充方法，其特征在于：所述含氮的二氧化硅厚度为400～700。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication