CN1885166A - 基板处理系统及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理系统及其控制方法。该基板处理系统将各个使用处理液对基板进行处理的多个组件多段地叠层设置，具有向上述多个组件分配供给处理液的分配机构，上述分配机构具有：收容处理液的处理液供给源；通过对上述处理液供给源加压，压送处理液的加压装置；分别配置在上述多个组件的旁边，将利用上述加压装置从上述处理液供给源压送的处理液贮存在内部的泵；将上述处理液供给源和配置在上述叠层的多个组件的高度方向上的上述泵之间连接，使处理液流通的扬程部配管；和在与上述各泵对应的各组件中喷出处理液的喷嘴，上述各泵被配置成，使得从泵的送出口到与各泵对应的喷嘴的喷出口的配管距离全部相等。

Description

基板处理系统及其控制方法
技术领域
本发明涉及一种具有向使用处理液对基板进行处理的多个组件分配供给上述处理液的分配机构的基板处理系统及其控制方法。
背景技术
例如在半导体等电子器件制造工序中的光刻工序中，将作为进行向晶片等基板上涂布抗蚀剂液(以下称为抗蚀剂)和显像处理的组合式装置的抗蚀剂涂布显像装置、以及对已涂布抗蚀剂的基板进行曝光处理的曝光机组合，进行联机处理(inline processing)。具体地说，例如基板，作为主要工序，经过洗净处理→脱水烘干→粘附(adhesion)(疏水化)处理→涂布抗蚀剂→预烘干→曝光处理→显像前烘干→显像→后烘干的一系列处理，在抗蚀剂层上形成规定的电路图案。此外，对于这种光刻工序中的联机处理，在专利文献1中有记载。
[专利文献1]特开2000-235949号公报
但是，一直以来，在上述抗蚀剂涂布显像装置中，为了提高生产效率，设置多台具有相同处理功能的组件(module)，可以并行地同时处理多块晶片。在这种情况下，将那些组件全部配置在横方向上时，装置的占地面积增大，为了抑制这一点，有将组件多段地重叠设置的趋势。结果，近年来，装置整体的高度达到3米左右。
然而，装置整体的高度由于这样多段地重叠的多个组件而变高时，在将抗蚀剂分配供给至多个组件的分配机构中，以往的结构存在给抗蚀剂喷出精度(喷出量、喷出速度、喷出压力、喷出时间等)带来不利影响的问题。
即，在以往的分配机构中，出于维修容易等理由，采用将向喷嘴供给抗蚀剂的泵和收容抗蚀剂的瓶全部设置在抗蚀剂涂布显像装置的底部附近的结构。因此，存在泵和喷嘴之间的配管距离因组件而不同、抗蚀剂的喷出压力因喷嘴而不同的技术课题。具体地说，设置在较高位置上组件，喷出压力低，喷出精度降低。
另外，在利用多个涂布组件进行相同的涂布加工处理情况下，如上述那样每个组件的抗蚀剂喷出精度不同时，存在涂布的膜厚在多个组件之间不均匀的问题。为了使膜厚分布(profile)在多个组件之间尽可能相同，有对每个组件设定泵的控制参数和分配阀的时间以使膜厚均匀的方法，但在涂布处理后产生与膜厚相关的问题时，必须验证每个设定，在确定其原因和管理上需要很多时间。
另外，在以往的分配机构中，由于暂时储存抗蚀剂的泵通过其吸取动作补充液体，因此，向泵供给抗蚀剂的吸入侧的配管内成为负压。因此，存在抗蚀剂内溶解的气体(例如氮)因负压而产生微泡的情况。将这样的处理液涂布在晶片上时，存在产生涂布不均匀等缺陷的问题。
发明内容
本发明是在上述事实之下做出的，其目的是提供一种在将各个使用处理液对基板进行处理的多个组件多段地重叠设置、向上述多个组件分配供给处理液的基板处理系统中，使各组件的处理液的喷出精度相同、从而使不同的组件的膜厚分布相同，而且具有从喷嘴喷出时处理液内不含有发泡气体的分配机构的基板处理系统及其控制方法。
为了解决上述课题，本发明的基板处理系统将各个使用处理液对基板进行处理的多个组件多段地叠层设置，具有向上述多个组件分配供给处理液的分配机构，其特征在于：上述分配机构具有：收容处理液的处理液供给源；通过对上述处理液供给源加压，压送处理液的加压装置；分别配置在上述多个组件的旁边，将利用上述加压装置从上述处理液供给源压送的处理液贮存在内部的泵；将上述处理液供给源和配置在上述叠层的多个组件的高度方向上的上述泵之间连接，使处理液流通的扬程部配管；和在与上述各泵对应的各组件中喷出处理液的喷嘴，上述各泵被配置成，使得从泵的送出口到与各泵对应的喷嘴的喷出口的配管距离全部相等。
由于这样构成，全部喷嘴间的喷出压力相等，可以减少膜厚不均匀等不利情况的发生概率。另外，由于可以对全部组件设定相同的泵控制参数和膜厚分布，因此发生问题时容易采取对策。
另外，优选上述分配机构具有：设在上述扬程部配管的起始端部的阀；设在上述各泵的入口侧的阀；分别设在上述泵和上述喷嘴之间的阀；和控制上述各阀的开闭动作的控制部。
通过这样构成，能够对分配机构的阀进行控制，从而可以将处理液储存在上述扬程部配管内并将处理液供给各泵，而且可以将供给各泵的补充处理液从喷嘴喷出。
另外，优选设在上述各泵的入口侧的阀、上述泵、以及分别设在上述泵和上述喷嘴之间的阀被配置成，使得在各内部配管和连接它们的配管中，处理液从下向上流动。
通过这样构成，在其通路配管中，处理液中产生气泡的情况下，由于气泡上升移动，所以可以从喷嘴逸散至空气中。另外，泵和阀被配置成使得在其内部配管中流动的处理液从下向上(纵向)，可以消除处理液的内部滞留。
另外，优选：将上述泵配置在高于上述处理液供给源或与其相同的高度，将上述喷嘴配置成高于对应的上述泵。
在这种情况下，优选：将上述处理液供给源配置在上述分配机构的最下段，将上述泵配置成比对应的上述喷嘴低一段。
通过这样构成，在从处理液供给源至喷嘴的通路配管中，处理液中产生气泡的情况下，由于气泡上升移动，所以可以从喷嘴逸散至空气中。
另外，优选：具有向上述组件供给各种不同的处理液的多个上述分配机构；在各分配机构中，设在上述泵的入口侧的阀、上述泵、以及设在上述泵和上述喷嘴之间的阀，在纵方向连接成一体，构成分配单元；相对于上述组件，各种不同处理液的上述分配单元连接设置在横方向上。
通过这样构成，可以利用上述分配机构，向组件供给需要的多种不同的处理液。
另外，为了解决上述课题，本发明的基板处理系统的控制方法，是上述任一项所述的基板处理系统的控制方法，其特征在于：运行如下步骤：将设在上述多个泵的入口侧的阀全部关闭的步骤；和利用上述加压装置，从上述处理液供给源送出处理液，并储存在上述扬程部配管中的步骤，调整上述扬程部配管内的压力。
通过这样，能够以相同的压力向全部的泵补充处理液。
优选：运行将分别设在上述泵和上述喷嘴之间的阀关闭的步骤、和将设在上述泵的入口侧的阀打开的步骤，利用来自上述扬程部配管的正压力使处理液补充到上述泵内。
这样，通过利用正压力将处理液补充至泵内，可以不使扬程部配管中产生负压。因此，可以抑制由负压引起的氮等的微泡等的产生。
另外，优选：上述泵具有压送该泵内储存的处理液的装置，从上述泵压送处理液，同时运行将设在上述泵和上述喷嘴之间的阀打开的步骤。
通过这样，可以将处理液相送出至喷嘴。
另外，优选：在来自上述喷嘴的处理液的喷出结束后，运行将设在上述泵的入口侧的阀关闭的步骤、和将设在上述扬程部配管的起始端部的阀关闭的步骤，在上述扬程部配管内蓄压。
通过这样，在下次向泵中补充处理液时，可以立即补充处理液，而且可以使向各泵的补充时间相同。
根据本发明，可以得到在将各个使用处理液对基板进行处理的多个组件多段地重叠设置、向上述多个组件分配供给处理液的基板处理系统中，使各组件的处理液的喷出精度相同、从而使不同的组件中的膜厚分布相同，而且具有从喷嘴喷出时处理液内不含有发泡气体的分配机构的基板处理系统及其控制方法。
附图说明
图1为表示包含使用本发明的基板处理系统的抗蚀剂涂布显像装置的图案形成装置的整体的立体图。
图2为示意性地表示图1的图案形成装置的处理工序的流程的框图。
图3为示意性地表示(COT)的分配机构的框图。
图4为表示抗蚀剂涂布显像装置的分配机构的配置的图。
图5为示意性地表示分配单元内的配置的图。
图6为表示在抗蚀剂涂布显像装置的分配机构中、收容抗蚀剂的瓶的结构例的图。
图7为表示从喷嘴喷出抗蚀剂时的阀控制顺序的工序表。符号说明
1       载体台块(CSB)
2       处理块(PRB)
3       主接口块(IFBM)
4       副接口块(IFBS)
30      瓶(处理液供给源)
34      定压泵(泵)
35      分配阀
36      控制部
50      抗蚀剂涂布显像装置(基板处理系统)
60      曝光机
100     图案形成装置
CU1     化学单元(chemical unit)
DU1～5  分配单元
Nz1～5  喷嘴
R       抗蚀剂(处理液)
V1～V6  阀
具体实施方式
以下，根据图中所示的实施方式，说明本发明的基板处理系统及其控制方法。图1为表示在例如半导体和液晶显示器等电子器件制造工序的光刻工序中使用的图案形成装置的整体的立体图。图2为示意地性表示图1的图案形成装置的处理工序的流程的框图。
图1所示的图案形成装置100由应用本发明的基板处理系统的抗蚀剂涂布显像装置50、和与它连接以进行联机处理的曝光机60构成。其中，抗蚀剂涂布显像装置50由被称为载体台块(carrier station block)(CSB)1、处理块(process block)(PRB)2、主接口块(interface blockmain)(IFBM)3、和副接口块(interface block sub)(IFBS)4的4个块(block)构成。
载体台块(CSB)1是用于搬入搬出多个密闭收纳有多片晶片的载体盒(carrier cassette)(FOUP)5的块，具有搬入搬出用的载体台搬送臂(CRA)6。处理块(PRB)2根据处理目的不同，由被称为PRA塔10、SPIN塔11、连接炉(HP)塔12、背面炉(HPB)塔13的4种塔构成。各塔中，对晶片进行处理的被称为组件的装置在纵向堆积。
其中，PRA塔10具有图2所示的处理块搬送臂(PRA)15，将该搬送臂15构成为可以自由升降和围绕垂直轴转动，由此可以与其周边的塔的各组件进行晶片的搬入搬出。
另外，SPIN塔11通过将对晶片进行抗蚀剂涂布处理的涂层处理台(coat process station)(COT)16和进行显像处理的显影处理台(develop process station)(DEV)17各重叠多段、例如每个重叠5段而构成。
另外，连接炉(HP)塔12中，例如具有冷却板的冷却板处理台(chillplate process station)(CPL)18、冷却(chilling)高精度热板处理台(hotplate process station)(CPHP)19、和作为晶片搬送用的台(stage)的输送台(transition stage)(TRS)20等多段地叠层。另外，背面炉(HPB)塔13中，进行低温下的热处理的低温热板处理台(LHP)21和进行疏水化处理的粘附处理台(adhesion process station)(ADH)22多段地叠层。
主接口块(IFBM)3中，只进行晶片周边的曝光处理的周边曝光处理台(WEE)23、静止缓冲台(stationary buffering stage)(SBU)24等多段地叠层。图2所示的主接口块搬送臂(IRAM)25被构成为可以自由升降和围绕垂直轴转动，由此可以在与其周围的组件之间进行晶片的搬入搬出。
另外，副接口块(IFBS)4构成为：具有图2所示的副接口块搬送臂(IRAS)26，利用该副搬送臂(IRAS)26在涂布显像装置50和后述的曝光机60的曝光机接口(EIF)27之间进行晶片的搬入搬出。
另外，曝光机60通过形成有电路图案的遮光材料，利用激光照射涂布有抗蚀剂的晶片而使其曝光。该曝光机60构成为：具有作晶片搬送装置的曝光机接口(EIF)27，从曝光机60一侧，通过该曝光机接口(EIF)27，在与抗蚀剂涂布显像装置50之间进行晶片的搬入搬出。
接着，根据图2，说明这样构成的图案形成装置100的一系列处理工序。
首先，在载体台块(CSB)1中，搬入收容有未处理的晶片的载体盒(FOUP)5，利用载体台搬送臂(CRA)6从该盒中将一块晶片搬送至作为传送平台的输送台(TRS)20。在其上对晶片进行位置对准后，由搬送臂(PRA)15搬送至粘附处理台(ADH)22，进行疏水化处理。接着，在冷却板处理台(CPL)18中进行规定的冷却处理，并搬送至涂层处理台(COT)16，在晶片表面上进行抗蚀剂涂布处理。
接着，在低温热板处理台(LHP)21中进行规定的加热处理、即预烘干处理，并搬送至主接口块(IFBM)3的输送台(TRS)20。然后，晶片由主接口块搬送臂(IRAM)25搬送至周边曝光处理台(WEE)23中，对晶片周边进行曝光处理，然后，将其暂时载置在静止缓冲台(SBU)24上。
于是，在冷却板处理台(CPL)18中对晶片进行冷却处理，然后，利用副接口块搬送臂(IRAS)26使其通过副接口块(IFBS)4，利用曝光装置60进行曝光处理。
结束曝光处理的晶片，再次通过副接口块(IFBS)4，被搬送至主接口块(IFBM)3的输送台(TRS)20上。然后，在冷却高精度热板处理台(CPHP)19中进行规定的加热处理、即进行曝光后烘干(postexposure bake)(PEB)处理，在冷却板处理台(CPL)18中进行冷却处理。
接着，将晶片搬送至显影处理台(DEV)17中进行显像处理，在低温热板处理台(LHP)21中，进行用于使抗蚀剂干燥并使其与晶片的密合性良好的加热处理、即烘干处理。然后，在冷却板处理台(CPL)18中对晶片进行冷却处理，将其返回至载体盒(FOUP)5中。
接着，以将抗蚀剂供给多段地重叠的涂层处理台(COT)16为例，对在上述抗蚀剂涂布显像装置50中、将抗蚀剂等处理液分配供给各组件的分配机构进行说明。
图3为示意性地表示在例如1个COT组件中准备的7种(7个系统)抗蚀剂中、作为1个系统的配管管线的分配机构的框图。图3所示的该机构大致由作为贮存抗蚀剂等化学材料的贮存部的由例如瓶容器等构成的化学单元CU1、从其分配而构成的多个(图中为5个)分配单元DU1～DU5、和进行这些化学单元CU1和分配单元DU1～DU5中的阀的控制等的控制部36构成。
上述分配单元DU设置与重叠为多段的(COT)16的台数相同的数目，各自1对1地对应。即，在该例子中，由于(COT)16由5段重叠而成，因此设有5个分配单元DU。
化学单元CU1由贮存抗蚀剂R的瓶30(处理液供给源)、作为具有暂时贮存抗蚀剂R并通过缓冲来检测瓶30内是否残存有抗蚀剂R的检测装置的贮存部的液体终端(liquid end)31、进行抗蚀剂R的过滤的过滤器32、和多个阀V1～V5等构成。
此外，上述阀V1设在加压装置和瓶30之间，阀V2设在瓶30和液体终端31之间。另外，阀V3设在用于将抗蚀剂供给各分配单元DU的扬程部配管45的起始端部。另外，阀V4设在来自液体终端31的排出配管的中间，阀V5设在来自过滤器32的排出配管的中间。
在化学单元CU1中，通过控制部36的控制将阀V1打开、利用未图示的加压装置向瓶30内供给氮N2时，瓶内的压力升高。然后，瓶内被加压时，抗蚀剂R从瓶内部被压出(压送)，打开阀V2，抗蚀剂R被供给液体终端31。
另外，构成为：在阀V1、V2打开的状态下，依次供给液体终端31的抗蚀剂R，在过滤器32中被过滤，通过控制部36的控制打开阀V3，流(压送)至将抗蚀剂R供给各分配单元DU1～DU5的扬程部配管45中。
另外，在化学单元CU1中，在液体终端31和过滤器32中，溶解在抗蚀剂内的气体(氮N2等)发泡的情况下，设有用于将其排出的阀V4、V5将其排出。
另一方面，分配单元DU1～DU5由：定压泵34；设在定压泵34的入口侧，控制向泵供给抗蚀剂的阀V6；和进行从喷嘴Nz1～Nz5喷出的抗蚀剂R的供给控制的分配阀(AMC)35构成。此外，各分配阀35设在各定压泵34和各喷嘴Nz之间。
在这些分配单元DU1～DU5中，通过控制部36的控制，在将定压泵34的出口侧关闭的状态下打开阀V6时，由于来自扬程部配管45的正压力，抗蚀剂R被贮存在定压泵34内。即，定压泵34构成为：不像以往的泵那样进行吸取以补充抗蚀剂的动作。因此，不像以往那样通过吸取而使扬程部配管45内产生负压，所以可以抑制在抗蚀剂中由负压引起的氮N2的发泡。
另外，从各(COT)16的喷嘴Nz1～Nz5喷出抗蚀剂时，在关闭阀V6的状态下，打开定压泵34的流出口和分配阀35。
另外，上述结构的分配单元DU1～DU5分别配置在接近对应的(COT)16的位置。例如，如图4的抗蚀剂涂布显像装置50的侧视图所示，将分配单元DU1～DU5配置成：在(COT)16叠层形成的SPIN塔11附近多段地邻接，与COT组件的旁边对应。
通过这样配置，使从各单元DU1～DU5的定压泵34的送出口到与各泵对应的喷嘴Nz1～Nz5的喷出口的配管距离全部相等。
即，通过使各组件中从泵至喷嘴的配管距离相同，可以形成相同条件。因此，如果使喷嘴Nz1～Nz5中的泵参数相同，则喷出压力相等，可以减少膜厚不均匀等不利情况的发生概率。另外，由于可以对全部(COT)16设定相同的泵的控制参数和膜厚分布，因此发生问题时容易采取对策。
另外，如图4所示，更优选：将化学单元CU1设置在抗蚀剂涂布显像装置50的底部附近(分配机构的最下段)，分配单元DU1～DU5设置得比化学单元CU1高。再者，将喷嘴Nz1～Nz5分别设置在比对应的分配单元DU1～DU5高一段的位置。
另外，如图5所示，在各分配单元中，在纵方向上从下方开始呈层状依次配置阀V6、定压泵34和分配阀(AMC)35。此外，图5表示在向各组件供给不同处理液的7个系统的分配机构中，各自对应的7个系统的分配单元在横方向连接设置的情形。
另外，在纵方向上从下开始依次配置阀V6、定压泵34和分配阀(AMC)35，这些只要在低于喷嘴Nz的位置即可，所以，如果满足该条件，则也可以将例如分配阀35配置在COT组件内。
通过这样设置分配机构，使从罐体(tank)30至喷嘴Nz1～Nz5的抗蚀剂通路分别向上方设置配管。结果，在该通路配管中，在抗蚀剂中产生氮N2等的气泡的情况下，由于气泡向上方移动，可以使气泡从喷嘴Nz逸散至空气。
另外，配置各阀和泵，使得在其内部配管中，其流路沿纵向。通过这样配置，可以消除处理液的内部滞留。
此外，作为该分配机构中的瓶30的形式，优选使用图6(a)、图6(b)所示的结构。
图6(a)为将收容抗蚀剂R的袋容器40设在外侧容器30a中的结构，加压用的氮N2被供给到外侧容器30a中、袋容器40的外侧的空间。袋容器40内部与其外侧空间成为非接触状态。
根据这种结构，将氮N2供给外侧容器30a、容器内的压力升高时，袋容器40被压缩，将内部的抗蚀剂R向外挤出。另外，根据这种结构，由于氮N2与抗蚀剂R不接触，所以氮N2不会重新混入抗蚀剂R内。即，可以解决溶解在抗蚀剂R中的氮N2由于负压而发泡的课题。
另外，图6(b)为将收容抗蚀剂R的内侧容器41设在外侧容器30a中的结构，加压用的氮N2被供给到外侧容器30a中、内侧容器41的外侧的空间。此外，内侧容器41敞开，内侧容器41中和外侧为相同压力。
根据这种结构，将氮N2供给外侧容器30a、容器内的压力升高时，抗蚀剂R由于被加压而被向外挤出。另外，根据这种结构，即使外侧容器30a内的压力升高，由于收容抗蚀剂R的内侧容器中和外侧为相同压力，所以可以避免容器随着压力升高而膨胀等的危险性。
接着，根据图7的工序表，对于在这样构成的分配机构中、从喷嘴喷出抗蚀剂时阀的控制顺序进行说明，直到在已向各分配单元DU通入液体的状态下从喷嘴喷出。在该表中，一览地表示由控制部36控制的阀V2、V3、V6、定压泵34的输出(阀)、分配阀35的各工序中的接通和断开动作。
从各喷嘴Nz1～Nz5喷出抗蚀剂R时，首先，抗蚀剂R被补充至定压泵34，然后，从喷嘴喷出。
现详细地说明该工序，首先，在向泵34补充抗蚀剂的动作中，利用未图示的加压装置，将氮N2送入罐体30中，对罐体内进行加压(步骤S1)。在此，仅罐体30的出口侧为打开状态，其它阀为关闭状态。此外，在该状态下，成为加压至过滤器32的输出侧的状态。
接着，打开阀V3，将从罐体30压出的抗蚀剂R贮存在扬程部配管45内。由此，扬程部配管45中的压力被调整(步骤S2)。此时，各分配单元DU1～DU5的阀V6全部为完全关闭的状态。
然后，在各分配单元DU1～DU5中，与喷出时间一致地依次打开阀V6。此时，利用来自扬程部配管45的正压力，抗蚀剂R流入定压泵34中，进行抗蚀剂R向泵内补充的动作(步骤S3)。
抗蚀剂R被补充到定压泵34中时，首先关闭阀V6(步骤S4)。此外，在该状态下，由于定压泵34的流出口被关闭，所以泵内成为将抗蚀剂填充至内部的贮存部的状态。
另外，将阀V6关闭后，接着关闭阀V3(步骤S5)。此外，在该状态下，由于抗蚀剂R被填充到扬程部配管45内，扬程部配管45内维持蓄压的状态。通过这样使扬程部配管45处于加压状态，下次向定压泵34补充抗蚀剂时，可以立刻补充抗蚀剂，而且可以使向各单元的泵的补充时间相同。
通过步骤S5关闭阀V3时，停止向罐体30的加压动作(步骤S6)，关闭阀V2，完成向定压泵34补充抗蚀剂的动作。
接着，在喷出工序中，关闭阀V6，通过利用设在泵内的未图示的隔板(diaphragm)(压送装置)挤压贮存部，将填充在定压泵34内的抗蚀剂送出。此时，大致与隔板的挤压同时，使分配阀35成为打开状态。此外，当然可以调整分配阀35的打开的时间。
由此，抗蚀剂从喷嘴Nz喷出，进行由分配阀35利用开阀时间来调整规定的喷出量的喷出量控制(步骤S7)。
另外，停止喷出时，关闭定压泵34的输出侧和分配阀35(步骤S8)。
如上所述，根据本发明的实施方式，构成为：向在多个涂布组件(COT)16中使用的喷嘴Nz1～Nz5送出抗蚀剂多个定压泵34的送出口到与各泵对应的上述喷嘴Nz的喷出口的配管距离全部相等。由此，在相同的泵条件下使泵工作时，全部喷嘴Nz间的喷出压力相等，可以减少膜厚不均匀等不利情况的发生概率。另外，由于可以对全部的(COT)16设定相同的泵控制参数和膜厚分布，因此发生问题时容易采取对策，容易进行对设定的管理。
另外，由于泵没有吸取处理液工序，利用来自压力已被调整的扬程部配管45的正压力进行抗蚀剂R向定压泵34的补充，补充时抗蚀剂R从瓶30供给扬程部配管45，因此，扬程部配管45中不会产生负压。因此，可以抑制在抗蚀剂内氮N2等气体的发泡。
另外，根据上述实施方式，使从罐体30至喷嘴Nz1～Nz5的抗蚀剂通路分别向上方设置配管。结果，在该通路配管中，在抗蚀剂中产生气泡的情况下，可以使气泡从喷嘴Nz逸散至空气中。
此外，在上述实施方式中，在向基板上涂布抗蚀剂(COT)中应用了分配机构，但本发明的基板处理系统的分配机构，不仅可以应用于(COT)，也可以应用于使用其它处理液进行基板处理的多个组件。
另外，在上述实施方式中，作为被处理基板，以半导体晶片为例，但本明的基板不限于半导体晶片，也可以是LCD基板、CD基板、玻璃基板、光掩模、印刷基板等。
产业上的可利用性
本发明可以应用于对半导体晶片等基板进行处理的抗蚀剂图案形成装置等，可以适于在半导体制造行业、电子器件制造行业等中使用。

Claims (10)

1.一种基板处理系统，将各个使用处理液对基板进行处理的多个组件多段地叠层设置，具有向所述多个组件分配供给处理液的分配机构，其特征在于：
所述分配机构具有：收容处理液的处理液供给源；通过对所述处理液供给源加压，压送处理液的加压装置；分别配置在所述多个组件的旁边，将利用所述加压装置从所述处理液供给源压送的处理液贮存在内部的泵；将所述处理液供给源和配置在所述叠层的多个组件的高度方向上的所述泵之间连接，使处理液流通的扬程部配管；和在与所述各泵对应的各组件中喷出处理液的喷嘴，
所述各泵被配置成，使得从泵的送出口到与各泵对应的喷嘴的喷出口的配管距离全部相等。
2.如权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于：
所述分配机构具有：设在所述扬程部配管的起始端部的阀；设在所述各泵的入口侧的阀；分别设在所述泵和所述喷嘴之间的阀；和控制所述各阀的开闭动作的控制部。
3.如权利要求2所述的基板处理系统，其特征在于：
设在所述各泵的入口侧的阀、所述泵、以及分别设在所述泵和所述喷嘴之间的阀被配置成，使得在各内部配管和连接它们的配管中，流通的处理液从下向上流动。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理系统，其特征在于：
将所述泵配置在高于所述处理液供给源或与其相同的高度，将所述喷嘴配置成高于对应的所述泵。
5.如权利要求4所述的基板处理系统，其特征在于：
将所述处理液供给源配置在所述分配机构的最下段，将所述泵配置成比对应的所述喷嘴低一段。
6.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理系统，其特征在于：
具有向所述组件供给各种不同的处理液的多个所述分配机构；
在各分配机构中，设在所述泵的入口侧的阀、所述泵、以及设在所述泵和所述喷嘴之间的阀，在纵向连接成一体，构成分配单元；
相对于所述组件，各种不同处理液的所述分配单元连接设置在横方向上。
7.一种基板处理系统的控制方法，其为权利要求2或3所述的基板处理系统的控制方法，其特征在于：
运行如下步骤：将设在所述多个泵的入口侧的阀全部关闭的步骤；和利用所述加压装置，从所述处理液供给源送出处理液，并储存在所述扬程部配管中的步骤，
调整所述扬程部配管内的压力。
8.如权利要求7所述的基板处理系统的控制方法，其特征在于：
运行将分别设在所述泵和所述喷嘴之间的阀关闭的步骤、和将设在所述泵的入口侧的阀打开的步骤，
利用来自所述扬程部配管的正压力使处理液补充到所述泵内。
9.如权利要求8所述的基板处理系统的控制方法，其特征在于：
所述泵具有压送该泵内储存的处理液的装置，
从所述泵压送处理液，同时运行将设在所述泵和所述喷嘴之间的阀打开的步骤。
10.如权利要求9所述的基板处理系统的控制方法，其特征在于：
在来自所述喷嘴的处理液的喷出结束后，运行将设在所述泵的入口侧的阀关闭的步骤、和将设在所述扬程部配管的起始端部的阀关闭的步骤，
在所述扬程部配管内蓄压。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105531042A (zh) * 2013-08-16 2016-04-27 东京毅力科创尼克斯公司 使用改进的化学品来去除光致抗蚀剂的方法和设备
CN108025335A (zh) * 2015-09-28 2018-05-11 株式会社斯库林集团 处理液供给装置、基板处理系统及处理液供给方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7534627B2 (en) * 2006-08-07 2009-05-19 Sokudo Co., Ltd. Methods and systems for controlling critical dimensions in track lithography tools
JP5231028B2 (ja) * 2008-01-21 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 塗布液供給装置
JP2012071266A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布装置
JP6029939B2 (ja) * 2012-11-07 2016-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置
KR101924235B1 (ko) * 2013-04-16 2018-12-03 현대중공업 주식회사 엔진 및 감속기 통합형 파워 트레인
JP2022138462A (ja) 2021-03-10 2022-09-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および供給弁
TW202427557A (zh) 2022-09-21 2024-07-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及處理液供給方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59100525A (ja) * 1982-11-30 1984-06-09 Fujitsu Ltd レジスト塗布装置
JP2664733B2 (ja) * 1988-07-07 1997-10-22 株式会社東芝 塗布装置およびこれを用いた塗布方法
JP3329720B2 (ja) 1998-01-19 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP3680907B2 (ja) * 1998-06-02 2005-08-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6183147B1 (en) * 1998-06-15 2001-02-06 Tokyo Electron Limited Process solution supply system, substrate processing apparatus employing the system, and intermediate storage mechanism employed in the system
US6530340B2 (en) * 1998-11-12 2003-03-11 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for manufacturing planar spin-on films
JP2000173902A (ja) * 1998-12-08 2000-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000235949A (ja) 1998-12-17 2000-08-29 Tokyo Electron Ltd 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法
JP2001230191A (ja) * 2000-02-18 2001-08-24 Tokyo Electron Ltd 処理液供給方法及び処理液供給装置
JP2003071367A (ja) * 2001-09-04 2003-03-11 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP3800416B2 (ja) * 2001-10-18 2006-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法及び塗布処理装置
JP4046628B2 (ja) * 2002-03-19 2008-02-13 東京エレクトロン株式会社 処理液供給機構および処理液供給方法
US6848625B2 (en) * 2002-03-19 2005-02-01 Tokyo Electron Limited Process liquid supply mechanism and process liquid supply method
US6939403B2 (en) * 2002-11-19 2005-09-06 Blue29, Llc Spatially-arranged chemical processing station

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105531042A (zh) * 2013-08-16 2016-04-27 东京毅力科创尼克斯公司 使用改进的化学品来去除光致抗蚀剂的方法和设备
CN108025335A (zh) * 2015-09-28 2018-05-11 株式会社斯库林集团 处理液供给装置、基板处理系统及处理液供给方法

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Publication number Publication date
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