CN1883936A - 防止金属氧化的金属表面保护结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种防止金属氧化的金属表面保护结构，其包括：基板、导电薄膜层、金属薄膜层、及导电金属氧化层或导电金属硅化物层。其中，导电薄膜层成形于该基板上，金属薄膜层成形于导电薄膜层上，以及导电金属氧化层或导电金属硅化物层成形于金属薄膜层上，且导电金属氧化层为金属氧化物，其为In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3－ZnO、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的任一选择；导电金属硅化物层为金属硅化物，其为WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一选择。因此，通过导电金属氧化层或导电金属硅化物层的保护，不仅具有导电性，且可防止金属表面在后面的制作过程中发生氧化的情况。
Description
技术领域
本发明涉及一种防止金属氧化的金属表面保护结构及其制作方法，尤指是一种通过导电金属氧化层或导电金属硅化物层的保护，以防止金属表面氧化的金属表面保护结构及其制作方法。
背景技术
请参阅图1，其为现有的应用于平面显示器的显示面板结构的示意图。由图中可知，目前所使用的平面显示器的显示面板结构包括有：一基板10a、一导电薄膜层11a及一金属薄膜层12a。其中，该导电薄膜层11a成形于该基板10a上，且该金属薄膜层12a成形于该导电薄膜层11a上。再者，该金属薄膜层12a的材质为低电阻率的金属或其合金材料，一般常使用的如银、银合金、铝或铝合金等。然而，该金属薄膜层12a并没有受到任何的保护，而极易造成该金属薄膜层12a的导线(图中未标明)外露而发生氧化或烧毁的情况。
请参阅图2，其为现有的应用于平面显示器的防氧化的显示面板结构的示意图。由图中可知，目前应用于平面显示器的防氧化的显示面板结构包括有：一基板10a、一导电薄膜层11a、一金属薄膜层12a及一金属/合金保护层13a。其中，该导电薄膜层11a成形于该基板10a上，且该金属薄膜层12a成形于该导电薄膜层11a上，该金属/合金保护层13a成形于该金属薄膜层12a上，用以保护该金属薄膜层12a以避免氧化发生。再者，该金属薄膜层12a的材质为低电阻率的金属或其合金材料，一般常使用的如银、银合金、铝或铝合金等；该金属/合金保护层13a可为金属或合金材料，一般常用的金属如铂、金、钛、钼或铬等，而常用的合金如铝、银、铜、铬及钛合金等。
因此，现有技术中所使用的金属/合金保护层13a虽可保护该金属薄膜层12a避免发生氧化问题，然而因该金属/合金保护层13a也为金属或金属混合调配的合金，所以该金属/合金保护层13a在后面的制作过程中仍容易发生氧化的情况，只是氧化严重性多寡的问题。
因此，由上可知，上述现有的应用于平面显示器的防氧化的显示面板结构，在实际使用上，显然具有不便与缺陷存在，而有需要加以改进的地方。
于是，本发明人提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的技术方案。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供一种防止金属氧化的金属表面保护结构及其制作方法，其通过导电金属氧化层或导电金属硅化物层的保护，不仅具有导电性，且可防止金属表面在后面制作过程中发生氧化的情况。例如在后面制作过程中在紫外光的照射下，不会产生氧化的情形。
为解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种防止金属氧化的金属表面保护结构，其包括：一基板、一导电薄膜层、一金属薄膜层及一导电金属氧化层。其中，该导电薄膜层成形于该基板上；该金属薄膜层成形于该导电薄膜层上；以及，该导电金属氧化层成形于该金属薄膜层上，且该导电金属氧化层为金属氧化物(metal oxide)，其为In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的任一选择。
也就是说，本发明提供了一种防止金属氧化的金属表面保护结构，其包括：
一基板；
一导电薄膜层，其成形于该基板上；
一金属薄膜层，其成形于该导电薄膜层上；以及
一导电金属氧化层，其成形于该金属薄膜层上。
根据本发明的技术构思，其中该基板为玻璃基板或塑料基板。
根据本发明的技术构思，其中该玻璃基板为彩色滤光片(color filter)或色转换层(color conversion medium)。
根据本发明的技术构思，其中该基板为刚性基板或可挠性基板。
根据本发明的技术构思，其中该导电薄膜层为氧化铟锡(ITO)、氧化铝锌(AZO)或氧化铟锌(IZO)薄膜层。
根据本发明的技术构思，其中该金属薄膜层为金属层(metal layer)或合金层(alloy layer)。
根据本发明的技术构思，其中该导电金属氧化层为金属氧化物(metaloxide)，其为In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的任一选择，该导电金属硅化物层为金属硅化物，其为WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一选择。
根据本发明的技术构思，其中该导电金属氧化层的厚度界于100～500之间。
为解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种防止金属氧化的金属表面保护结构，其包括：一基板、一导电薄膜层、一金属薄膜层及一导电金属硅化物层。其中，该导电薄膜层成形于该基板上；该金属薄膜层成形于该导电薄膜层上；以及，该导电金属硅化物层成形于该金属薄膜层上，且该导电金属硅化物层为金属硅化物(metal silicide)，其为WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一选择。
也就是说，本发明提供了一种防止金属氧化的金属表面保护结构，其包括：
一基板；
一导电薄膜层，其成形于该基板上；
一金属薄膜层，其成形于该导电薄膜层上；以及
一导电金属硅化物层，其成形于该金属薄膜层上。
根据本发明的技术构思，该基板为玻璃基板或塑料基板。
根据本发明的技术构思，该玻璃基板为彩色滤光片或色转换层。
根据本发明的技术构思，该基板为刚性基板或可挠性基板。
根据本发明的技术构思，该导电薄膜层为氧化铟锡、氧化铝锌或氧化铟锌薄膜层。
根据本发明的技术构思，该金属薄膜层为金属层或合金层。
根据本发明的技术构思，该导电金属硅化物层为金属硅化物，其为WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一选择。
根据本发明的技术构思，该导电金属硅化物层的厚度界于100～500之间。
为解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其包括：首先，提供一基板；接着，清洁该基板的表面；然后，在该基板上形成一导电薄膜层；接下来，在该导电薄膜层上形成一金属薄膜层；最后，形成一导电金属氧化薄膜层于该金属薄膜层上。
也就是说，本发明提供了一种防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其包括：
提供一基板；
清洁该基板的表面；
在该基板上形成一导电薄膜层；
在该导电薄膜层上形成一金属薄膜层；以及
在该金属薄膜层上形成一导电金属氧化薄膜层。
根据本发明的技术构思，其中该基板为玻璃基板或塑料基板。
根据本发明的技术构思，其中该玻璃基板为彩色滤光片(color filter)或色转换层(color conversion medium)。
根据本发明的技术构思，其中该基板为刚性基板或可挠性基板。
根据本发明的技术构思，其中该导电薄膜层为氧化铟锡(ITO)、氧化铝锌(AZO)或氧化铟锌(IZO)薄膜层。
根据本发明的技术构思，其中该金属薄膜层为金属层(metal layer)或合金层(alloy layer)。
根据本发明的技术构思，其中该导电金属氧化层为金属氧化物(metaloxide)，其为In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的任一选择。
根据本发明的技术构思，其中该导电金属氧化层的厚度界于100～500之间。
为解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其包括：首先，提供一基板；接着，清洁该基板的表面；然后，成形一导电薄膜层于该基板上；接下来，成形一金属薄膜层于该导电薄膜层上；最后，成形一导电金属硅化物薄膜层于该金属薄膜层上。
也就是说，本发明提供了一种防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其包括：
提供一基板；
清洁该基板的表面；
成形一导电薄膜层于该基板上；
成形一金属薄膜层于该导电薄膜层上；以及
成形一导电金属硅化物薄膜层于该金属薄膜层上。
根据本发明的技术构思，该基板为玻璃基板或塑料基板。
根据本发明的技术构思，该玻璃基板为彩色滤光片或色转换层。
根据本发明的技术构思，该基板为刚性基板或可挠性基板。
根据本发明的技术构思，该导电薄膜层为氧化铟锡、氧化铝锌或氧化铟锌薄膜层。
根据本发明的技术构思，该金属薄膜层为金属层或合金层。
根据本发明的技术构思，该导电金属硅化物层为金属硅化物，其为WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一选择。
根据本发明的技术构思，该导电金属硅化物层的厚度界于100～500之间。
本发明的有益效果和优点在于，本发明通过导电金属氧化层或导电金属硅化物层的保护，不仅具有导电性，且可防止金属表面于后面的制作过程中发生氧化的情况，还能确实减少金属薄膜层电阻值的上升，同时更可增加后面的制作过程中与光阻层之间的附着性。为了进一步了解本发明的技术方案，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为现有的应用于平面显示器的显示面板结构的示意图；
图2为现有的应用于平面显示器的防氧化的显示面板结构的示意图；
图3为本发明防止金属氧化的金属表面保护结构的第一实施例的示意图；
图4为本发明防止金属氧化的金属表面保护结构的第二实施例的示意图；
图5为本发明防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法的第一实施例的流程图；
图6为本发明防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法的第二实施例的流程图。
其中，附图标记说明如下：
基板 10a 导电薄膜层 11a
金属薄膜层 12a 金属/合金保护层 13a
基板 10 导电薄膜层 11
金属薄膜层 12 导电金属氧化层 13
导电金属硅化物层 14
具体实施方式
请参阅图3，其为本发明防止金属氧化的金属表面保护结构的第一实施例的示意图。由图中可知，本发明为提供一种防止金属氧化的金属表面保护结构，其包括有：一基板10、一导电薄膜层11、一金属薄膜层12及一导电金属氧化层13。
其中，该基板10可为玻璃基板、塑料基板或其它材料基板的任意选择，且该玻璃基板可使用彩色滤光片(color filter)或色转换层(color conversionmedium)，另外该基板10也可选择为刚性(rigid)基板或可挠性(flexible)基板。
再者，该导电薄膜层11成形于该基板10上，该金属薄膜层12成形于该导电薄膜层11上，其中该导电薄膜层11可为氧化铟锡(ITO)、氧化铝锌(AZO)或氧化铟锌(IZO)薄膜层的任意选择，而该金属薄膜层12可为金属层(metal layer)或合金层(alloy layer)。
此外，该导电金属氧化层13成形于该金属薄膜层12上，且该导电金属氧化层13为金属氧化物(metal oxide)，其可为In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的任一选择，其中该导电金属氧化层13的厚度界于100～500之间。
请参阅图4，其为本发明防止金属氧化的金属表面保护结构的第二实施例的示意图。由图中可知，第二实施例与第一实施例最大的不同在于：第二实施例可使用一导电金属硅化物层14以取代该导电金属氧化层13，而成形于该金属薄膜层12上。其中，该导电金属硅化物层14为金属硅化物(metalsilicide)，其可为WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一选择。
请参阅图5，其为本发明防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法的第一实施例的流程图。由流程图中可知，本发明提供一种防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其包括有：首先，提供一基板10(S100)，其中该基板10可为玻璃基板、塑料基板或其它材料基板的任意选择，且该玻璃基板可使用彩色滤光片(color filter)或色转换层(color conversionmedium)，另外该基板10也可为刚性基板或可挠性基板的任意选择；接着，清洁该基板10的表面(S102)；然后，形成一导电薄膜层11于该基板10上(S104)，其中该导电薄膜层11可为氧化铟锡(ITO)、氧化铝锌(AZO)或氧化铟锌(IZO)薄膜层的任一选择。
接下来，形成一金属薄膜层12于该导电薄膜层11上(S106)，其中该金属薄膜层12可为金属层(metal layer)或合金层(alloy layer)；最后，形成一导电金属氧化薄膜层13于该金属薄膜层12上(S108)，其中该导电金属氧化层13为金属氧化物(metal oxide)，其可为In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的任一选择，其中该导电金属氧化层13的厚度界于100～500之间。
请参阅图6，其为本发明防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法的第二实施例的流程图。由流程图中可知，第二实施例的步骤S200至S206与第一实施例的步骤S100至S106相同。在步骤S206后，成形一导电金属硅化物薄膜层14于该金属薄膜层12上。其中，该导电金属硅化物层14为金属硅化物(metal silicide)，其可为WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一选择。
综上所述，本发明通过导电金属氧化层13或导电金属硅化物层14的保护，不仅具有导电性，且可防止金属表面在后面的制作过程中发生氧化的情况。例如在后面的制作过程中在紫外光的照射下，不仅不会产生氧化的情形，还能确实减少金属薄膜层12电阻值的上升，同时还可增加后面的制作过程中与光阻层之间的附着性。
但是，以上所述，仅为本发明最佳之一的具体实施例的详细说明与附图，本发明的特征并不局限于此，其并非用以限制本发明，本发明的所有范围应以权利要求为准。任何本领域的技术人员对本发明所作的等同变化与修饰，均属于本发明的保护范围。
Claims (32)
1、一种防止金属氧化的金属表面保护结构，其包括：
一基板；
一导电薄膜层，其成形于该基板上；
一金属薄膜层，其成形于该导电薄膜层上；以及
一导电金属氧化层，其成形于该金属薄膜层上。
2、如权利要求1所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该基板为玻璃基板或塑料基板。
3、如权利要求2所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该玻璃基板为彩色滤光片或色转换层。
4、如权利要求1所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该基板为刚性基板或可挠性基板。
5、如权利要求1所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该导电薄膜层为氧化铟锡、氧化铝锌或氧化铟锌薄膜层。
6、如权利要求1所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该金属薄膜层为金属层或合金层。
7、如权利要求1所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该导电金属氧化层为金属氧化物，其为In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化铟锡或氧化铟锌的任一选择。
8、如权利要求1所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该导电金属氧化层厚度界于100～500之间。
9、一种防止金属氧化的金属表面保护结构，其包括：
一基板；
一导电薄膜层，其成形于该基板上；
一金属薄膜层，其成形于该导电薄膜层上；以及
一导电金属硅化物层，其成形于该金属薄膜层上。
10、如权利要求9所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该基板为玻璃基板或塑料基板。
11、如权利要求10所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该玻璃基板为彩色滤光片或色转换层。
12、如权利要求9所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该基板为刚性基板或可挠性基板。
13、如权利要求9所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该导电薄膜层为氧化铟锡、氧化铝锌或氧化铟锌薄膜层。
14、如权利要求9项所述防止金属氧化金属表面保护结构，其特征在于，该金属薄膜层为金属层或合金层。
15、如权利要求9所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该导电金属硅化物层为金属硅化物，其为WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一选择。
16、如权利要求9所述的防止金属氧化的金属表面保护结构，其特征在于，该导电金属硅化物层的厚度界于100～500之间。
17、一种防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其包括：
提供一基板；
清洁该基板的表面；
形成一导电薄膜层于该基板上；
形成一金属薄膜层于该导电薄膜层上；以及
形成一导电金属氧化薄膜层于该金属薄膜层上。
18、如权利要求17所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该基板为玻璃基板或塑料基板。
19、如权利要求18所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该玻璃基板为彩色滤光片或色转换层。
20、如权利要求17所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该基板为刚性基板或可挠性基板。
21、如权利要求17所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该导电薄膜层为氧化铟锡、氧化铝锌或氧化铟锌薄膜层。
22、如权利要求17所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该金属薄膜层为金属层或合金层。
23、如权利要求17所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该导电金属氧化层为金属氧化物，其为In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化铟锡或氧化铟锌的任一选择。
24、如权利要求17所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该导电金属氧化层的厚度界于100～500之间。
25、一种防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其包括：
提供一基板；
清洁该基板的表面；
成形一导电薄膜层于该基板上；
成形一金属薄膜层于该导电薄膜层上；以及
成形一导电金属硅化物薄膜层于该金属薄膜层上。
26、如权利要求25所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该基板为玻璃基板或塑料基板。
27、如权利要求26所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法其特征在于，该玻璃基板为彩色滤光片或色转换层。
28、如权利要求25所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该基板为刚性基板或可挠性基板。
29、如权利要求25所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该导电薄膜层为氧化铟锡、氧化铝锌或氧化铟锌薄膜层。
30、如权利要求25所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该金属薄膜层为金属层或合金层。
31、如权利要求25所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该导电金属硅化物层为金属硅化物，其为WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一选择。
32、如权利要求25所述的防止金属氧化的金属表面保护结构的制作方法，其特征在于，该导电金属硅化物层的厚度界于100～500之间。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |