CN1881576A - 可再编程熔丝结构及方法 - Google Patents

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Abstract

一种集成电路中的可逆熔丝结构，通过采用具有与过孔接触的相变材料短细线的熔丝单元以及能够使电流流经相变材料线(熔丝单元)的线结构获得。使电流流经熔丝单元，以通过将结晶态下的相变材料加热到熔点然后将该材料快速淬火至非晶态，使材料从低阻材料转变为高阻材料。通过使低电流流经熔丝单元以使高阻非晶材料转变为低阻结晶材料，获得可逆编程。集成合适的传感电路以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。

Description

可再编程熔丝结构及方法
技术领域
本发明主要涉及集成电路领域，更具体地说，本发明涉及通过利用在半导体集成电路中的相变材料编程的可逆熔丝链接。
背景技术
在集成电路存储器中的冗余是当前芯片制造术的一部分以提高产量。通过用芯片上的备份或冗余电路替代有故障单元，明显提高了集成电路存储器的产量。当前实践是熔断传导连接(熔丝)，从而允许使用冗余存储器单元替代无功能单元。另一普通实践提供专用芯片和模块以使芯片适用于特殊应用。通过在具有多个潜在应用的集成电路中选择性熔断熔丝，单个集成电路设计可以经济地制造并且适用于各种常规使用。
当前的E-熔断技术能够提供芯片在许多级上的分级修复；在第一轮晶片最终测试(WFT)的第一修复，在第二轮WFT的第二修复，和在芯片封装的最终测试期间的第三修复。为实现此分级修复，或者在修复的每个阶段编程熔丝，或者将每级的数据保存为串直到编程所有熔丝的最后级。对于在修复的每个阶段编程熔丝的第一方法，必须建立额外冗余以允许在三个步骤中进行该修复。这有时效率低并且导致在要求额外冗余的多级重复修复。另一种选择，其中在最后测试级一次编程所有的熔丝，具有抑制在要求在较高级修复的级不必要地编程熔丝的的优点，从而缩减为获得相同修复的冗余的数量。然而，该修复只能做一次并且必须结合来自不同级测试的所有修复数据，妨碍在消费者或终端用户位置的任何修复或调整。
另外，要求约10mA的编程电流和3.3到3.5V的电压。这样级别的电流要求宽的编程晶体管，消耗大量硅区域。如果此电流可以缩减，可以显著节约硅区域。
在John D.Davis等人的名称为Programmable Chalcogenide FuseWithin A Semiconductor Device的美国专利号6,448,576 B1中描述了利用硫族化物材料和通过电阻加热器间接加热的可再编程熔丝，该专利转让给BAE Systems Information and Electronic Systems Integration，Inc.，这里通过参考引入其整个内容。
发明内容
本发明通过可逆编程熔丝结构获得了系统，装置，结构以及方法的技术优点。
本发明的一个目的是提供可再编程(可逆编程)熔丝结构，利用相变材料，具有相关的控制电路以使熔丝单元的状态从高阻态转变到低阻态或从低阻态转变到高阻态；以及类似集成的合适传感电路，以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。熔丝单元由线构造的相变材料构成，其包括通过具有高导电相和低导电相的熔丝链接连接的阴极和阳极，与电流源连接。电流通过阴极和阳极流经传导熔丝链接，其中该电流和材料电阻率足够加热熔丝链接并引起改变系统的传导率的相变。可以将最初在高传导态的熔丝加热到超过在熔丝链接中的相变材料的熔点以将熔丝链接转变到低传导态。随后，通过将足够电流流经熔丝链接以引起构成熔丝链接的材料的结晶化，可以将熔丝转变回高传导态。
此可再编程熔丝结构在几个方面提供了优于现有技术可再编程硫族化物材料熔丝结构的优点。提出的结构通过利用直接加热以及减小熔丝的截面区域，降低了改变熔丝的状态所需的施加电流和电压。另外，优选实施例提出的结构和方法减小了附加工艺步骤并且允许容易地使用铜加低K介质后段制程(BEOL)互连结构。
优选实施例的方法仅使用现有的双镶嵌BEOL工艺并且仅增加一个附加的掩膜步骤以限定熔丝单元。间接加热对直接加热的模型表明如果不是所有相变熔丝单元都在当前或将来的可制造尺寸下，对于多数情况间接加热是不可行的。具有期望的电阻率和热稳定性以用于熔丝单元中的相变材料具有很低的热传导率，这可以抑制从外部加热元件的必须的热转移，如在US 6,448,576 B1中描述的。
具有很小熔丝线单元(厚度小于30nm，宽度约80nm，具有包围单元的3侧的电阻加热)的希望结构模型预测为了将标准的Ge2Sb2Te5硫族化物材料从低阻(结晶)态转变到高阻(非晶)态，在电阻加热器中要求非常高的温度(约2000℃)。较厚熔丝线单元，例如现有技术中提出的(500nm的厚度)将不可能通过外部电阻加热器转变。
基于在通过电阻加热器加热的模型中使用的希望小熔丝单元尺寸和材料；要求大于15mA的高电流以产生这样的高温。本发明的熔丝单元的类似的模型表明为了改变材料的相需要的电流显著减小(＜3mA＝，并且在结构中产生了更适当的温度(最高温度＜1000℃＝。同时该温度很好地在熔丝单元中隔离，阻止周围结构暴露于很高的温度。
本发明的一个目标是提供在单或双镶嵌类型的低K介质加Cu互连结构中的可再编程熔丝结构。
本发明的另一个目标是在熔丝层中提供可再编程熔丝结构，其中可再编程熔丝位于单或双镶嵌类型的低K介质加Cu互连结构中。
本发明的另一个目标是提供可再编程熔丝结构，该结构要求与现有技术熔丝相比显著低的编程电流。
本发明的另一个目标是提供制造本发明的结构的方法。
附图说明
图1是示意图，示出了在第一实施例中的熔丝结构的截面图。
图2A、2C是示意图，示出了在第二实施例中的熔丝结构的顶视图。
图2B、2D是示意图，示出了在具有提高产量和可靠性的可能修改的第二实施例中的熔丝结构的顶视图。
图3是示意图，示出了在第三实施例中的熔丝结构的截面图。
图4是示意图，示出了在第四实施例中的熔丝结构的截面图。
图5是示意图，示出了用于模拟间接加热方法的结构和尺寸。
具体实施方式
根据本发明的结构
参考图1，在电互联结构中的可再编程熔丝结构，具有衬底3，线级介质层5，形成熔丝单元的相变材料短线15，在线级介质层中并部分延伸穿过线级介质层的厚度，在所述线级介质层顶部的薄覆盖介质层9，包括两个过孔13的过孔级介质层7，所述过孔13与形成熔丝单元的阳极和阴极的第一线级介质层中的相变材料的表面接触，以及在所述过孔级介质层上的第二线级介质层11，包括与在过孔级介质层中的过孔接触的线19。此可再编程熔丝结构具有相关的控制电路以使相变材料的状态从高阻态转变到低阻态或从低阻态转变到高阻态；以及类似集成的合适传感电路，以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路以启动或截止电路。
第一线级介质层5，过孔级介质层7，和第二线级介质层11可以是相同或不同的材料并且可以包括氧化物，低K介质材料或多孔低K介质材料。
相变材料15可以包括掺杂或未掺杂GexSbyTez材料，掺杂或未掺杂GexSby材料，掺杂或未掺杂SbxTey材料，或在熔丝结构中可以控制的在一温度下材料的传导率改变的经受可逆相变的任意其它材料。
在低于90℃的温度更优选低于120℃的温度下在10年时期内相变材料不应该经受结晶化。
相变材料线具有从约50nm到约1000nm的长度，优选在100到300nm之间的长度，约10nm到约100nm的宽度，优选从约20nm到约50nm，以及从约5nm到约200nm的深度，优选从约10到约40nm。
如上所述，在低于120℃下不发生结晶化，并且在低于约1000℃优选低于700℃下应该出现熔化。为了确保熔丝单元的状态长期的稳定优选更高的结晶化温度。因为编程时间不严格，可以在熔丝单元中使用具有更高的结晶化温度的材料以提高长期稳定性。这与要求非常快的切换时间的相变存储器单元不同。为了编程熔丝，与相变材料的线和过孔接触为电流流经相变材料提供了路径。比编程电流更低的电流可以流经该材料以探测熔丝单元的电阻率级别。通过将材料从结晶态(低阻)转变到非晶态(高阻)和从非晶态转变到结晶态的对该单元的电阻加热，获得编程。
该结构可以具有包围相变材料线15的介质层17。此介质层可以设计为具有低导热率和足够的热稳定性以在暴露于相变材料的相变要求的温度和时间后显示没有明显的热退化。
相变线(熔丝单元)可以具有从约50nm到约1000nm的长度，优选在100到300nm之间的长度。相变线(熔丝单元)可以具有约10nm到约100nm的宽度，优选从约20nm到约50nm。相变线(熔丝单元)可以具有从约5nm到约200nm的厚度，优选从约10到约40nm。将相变线减小到更小的横截面积将允许减小获得材料相变所需的电流。选择熔丝单元的尺寸，相变材料的电阻率，和周围介质材料以使在约2V或低于约2V的电压和5mA或低于5mA优选低于1mA并且更优选低于约0.5mA的电流下完成熔丝单元的横截面的相变。
这些低电流和电压要求提供在要求大于3V和约10mA的电流的现有熔丝结构上的显著优点。编程本发明结构要求的低电流使与现有熔丝结构相比，用于熔丝单元的编程晶体管所消耗的面积明显减小。在Chandrasekharan Kothandaraman等人的名称为System ForProgramming Fuse Structure by Electromigration of Silicide Enhanced byCreating Temperature Gradient的美国专利号6,624,499B2中描述了此类型的现有熔丝结构，该专利转让给Infineon Technologies AG和国际商业机器公司，这里通过参考引入其整个内容。
该结构可以具有在衬底上的介质层5，7和11中形成的多个构图金属导体。至少一个构图金属导体可以是电线并且在双镶嵌结构情况下至少一个构图金属导体可以是过孔。
该结构可以具有可编程熔丝层，例如在ChandrasekharanKothandaraman等人的名称为System For Programming Fuse Structureby Electromigration of Silicide Enhanced by Creating TemperatureGradient的美国专利号6,624,499 B2中描述的，该专利转让给InfineonTechnologies AG和国际商业机器公司，这里通过参考引入其整个内容，其中在熔丝层中的一些或所有熔丝具有可以可逆编程的熔丝单元。
参考图2a和2c，在本发明的另一个实施例中，可再编程熔丝结构可以具有相变材料107的交叉或交错交叉结构，嵌入介质材料105中，其中与相关控制电路的一组过孔接触用于编程熔丝101a和101b以使熔丝单元的状态从高阻态转变到低阻态或从低阻态转变到高阻态，以及与合适传感电路的另一组过孔接触用于传感熔丝103a和103b的状态，以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。交叉的每条线应该具有类似于在本发明的第一实施例中描述的优选尺寸。
该结构还可以具有其它构造。例如，在一种构造中，相变材料具有中心区域和四个末端以及四个过孔，其中每个过孔在每个末端与相变材料接触。从中心区域移出的在任意两个末端的这些过孔中的两个与控制电路连接用于编程熔丝，假设所述两个末端通过穿过中心点的路径连接。在两个剩余的末端的另外两个过孔也从中心区域移出并且与传感电路接触用于传感熔丝，假设所述两个末端同样通过穿过中心点的路径连接。
该结构还可以具有另外的构造。例如，在另一个构造中，相变材料具有中心区域和四个末端以及至少四个过孔，其中每个过孔在任意末端与相变材料接触。从中心区域移出的在任意两个末端的这些过孔中的至少两个与控制电路连接用于编程熔丝，假设所述两个末端通过穿过中心点的路径连接。在任意两个剩余的末端的另外剩余过孔也从中心区域移出并且与传感电路接触用于传感熔丝，假设所述两个末端同样通过穿过中心点的路径连接。
参考图2b和2d，为了通过确保接触以可再生方式设置在相变材料上提高结构的产量和可靠性，该结构可以在具有多个过孔接触的熔丝单元线的末端具有更宽的区域。
该结构还可以具有附加的介质材料，加衬相变材料，如第一实施例具有的。此介质提供与电互连结构中的周围低K或多孔低K结构的热绝缘。
分离用于编程熔丝的接触和用于传感熔丝状态的接触的优点是传感和编程操作要求显著不同的施加电压。
在高阻(非晶)态的相变材料具有非常高的电阻率，这将抑制任何电流流经在此状态下的材料直到电压超过该结构的击穿电压。一旦超过了该单元的击穿电压，电流将流动并且该单元会被加热以改变状态从而编程该单元到低阻(结晶)态。在传感熔丝单元的状态期间，保持电压低于在高阻态下的该单元的此击穿电压是关键的。编程接触和传感接触的分离将防止编程要求的高电压损坏传感电路。
参考图3，在本发明的另一实施例中，该结构具有衬底33，线级介质层35，薄覆盖介质层39，过孔级介质层37，第二线级介质41，在过孔级介质层37中的相变材料短线47，从覆盖介质39的表面部分延伸到过孔级介质层37中。过孔级介质还包括与相变材料47接触的过孔43。线级介质41包括与过孔43接触的线45。与相变材料的过孔接触为电流流经相变材料提供路径，以编程熔丝并探测熔丝单元的电阻率级别。该结构还可以包括在相变材料47上的附加介质层49。此介质层49可以设计为具有低导热率和足够的热稳定性以在暴露于相变材料的相变要求的温度和时间后显示没有明显的热退化。第一线级介质层35，过孔级介质层37，和第二线级介质层41可以是相同或不同的材料并且可以包括氧化物，低K介质材料或多孔低K介质材料。
该结构可以具有在衬底上的介质层35，37和41中形成的多个构图金属导体。至少一个构图金属导体可以是电线并且在双镶嵌结构情况下至少一个构图金属导体可以是过孔。
参考图4，在本发明的另一实施例中，该结构具有衬底53，包括过孔67的过孔级介质层55，薄覆盖介质层63，包括与过孔67接触的相变材料69的一部分的线级介质层57，第二覆盖介质层59，以及包括与相变材料69接触的过孔的第二过孔级介质61。该结构还可以包括在相变材料的侧面上的附加介质71。此介质层71可以设计为具有低导热率和足够的热稳定性以在暴露于相变材料的相变要求的温度和时间后显示没有明显的热退化。第一过孔级介质层55，线级介质层57和第二过孔级介质层61可以是相同或不同的材料并且可以包括氧化物，低K介质材料或多孔低K介质材料。该结构可以具有在衬底上的介质层55，57和61中形成的多个构图金属导体。至少一个构图金属导体可以是电线并且在双镶嵌结构情况下至少一个构图金属导体可以是过孔。
参考图5，具有很小熔丝线单元(厚度小于30nm，宽度约80nm，具有包围单元的3个侧面的电阻加热器)的希望结构的建模预测为了将标准的Ge2Sb2Te5硫族化物材料从低阻(结晶)态转变到高阻(非晶)态在电阻加热器中要求非常高的温度(约2000℃)。
根据本发明的方法
本发明还旨在一种在单或双镶嵌类型的低K介质加Cu互连结构中形成可再编程熔丝结构的方法，该方法包括以下步骤，提供单镶嵌或双镶嵌厚度的第一介质，在介质材料中部分延伸穿过线级介质层的厚度构图浅沟槽，用相变材料填充沟槽，使用CMP平整化相变材料，在介质层中形成多个构图金属导体，平整化介质层中的多个构图金属导体，并且在具有多个构图金属导体和构图相变材料的介质层上沉积薄覆盖层。该方法还包括形成具有多个构图金属导体的第二单或双镶嵌级的步骤，所述构图金属导体包括与在前述级中的相变材料接触的过孔。该介质层可以包括氧化物，低K介质或多孔低K介质。相变材料可以包括掺杂或未掺杂GexSbyTez材料，掺杂或未掺杂GexSby材料，掺杂或未掺杂SbxTey材料，或在熔丝结构中可以控制的温度下使材料的传导率改变的经受可逆相变的任意其它材料。在低于120℃下不应该发生结晶化，并且在低于约1000℃优选低于700℃下应该发生熔化。该方法还包括在沉积相变材料前沉积保形介质的步骤。保形介质可以是氧化物，低K介质或多孔低K介质，具有足够的热稳定性以在编程熔丝要求的温度和时间下没有显示明显的退化。该方法还包括在具有构图相变材料的介质上沉积薄保护硬掩膜层的步骤。保护硬掩膜层可以包括氧化物，低K介质材料，或可以向在产生多个构图金属导体中包括的工艺提供抵抗性并且可以在介质层中形成多个构图金属导体的最后步骤期间通过CMP移除的任意材料。
在本发明的另一个实施例中，该方法可以包括如下步骤，在衬底上沉积相变材料薄膜，使用光刻、蚀刻以限定相变材料的短线结构图形，在相变材料上沉积单或双镶嵌厚度的平整化介质，并且在具有与相变材料接触的过孔的介质中形成多个构图金属导体。
此方法还可以具有在通过光刻和蚀刻步骤限定图形前在相变材料上沉积薄介质材料的步骤。此介质材料与平整化介质层比较可以具有不同的成分，介电常数，导热率，或热稳定性。此介质材料可以包括氧化物，低K介质材料或多孔低K介质材料，或具有足够的热稳定性以耐受在编程熔丝期间产生的时间和温度脉冲。
本发明的独特结构使在低K加铜互连结构中镶嵌的熔丝能够利用低电流可逆开关。另外，它可以通过改变熔丝线单元的尺寸，相变材料的电阻率，或周围材料的导热性，缩小电流要求。
通过参考优选实施例具体描述了本发明。应该明白，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本领域的技术人员可以进行变化和修改。因此，本发明包括落入附加权利要求范围内的所有这些替换，修改和变化。

Claims (33)

1.一种可再编程熔丝结构，包括：
相变材料短线，具有高阻态和低阻态；
与所述相变材料线的过孔接触；
控制电路，以使所述相变材料的状态从高阻态转变到低阻态或从低阻态转变到高阻态；以及
类似集成的合适传感电路，以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。
2.根据权利要求1的可再编程熔丝结构，其中所述相变材料可发生可逆相变，其在所述熔丝结构中可控制的温度下产生材料传导率的改变。
3.根据权利要求1的可再编程熔丝结构，其中所述相变材料是掺杂或未掺杂GexSbyTez材料，掺杂或未掺杂GexSby材料，掺杂或未掺杂SbxTey材料。
4.根据权利要求1的可再编程熔丝结构，其中所述相变材料在低于90℃的温度下经过10年的时间内没有发生结晶化。
5.根据权利要求1的可再编程熔丝结构，其中所述相变材料是在低于约1000℃的温度下发生熔化的材料。
6.根据权利要求1的可再编程熔丝结构，其中所述相变材料线具有从约50nm到约1000nm的长度。
7.根据权利要求1的可再编程熔丝结构，其中所述相变材料线具有从约10nm到约100nm的宽度。
8.根据权利要求1的可再编程熔丝结构，其中所述相变材料线具有从约5nm到约200nm的深度。
9.根据权利要求1的可再编程熔丝结构，其中选择所述相变材料的尺寸和电阻率以在2V或低于2V的电压和5mA或低于5mA的电流下完成熔丝单元横截面的相变。
10.一种集成电路装置，包括：
多个半导体可再编程熔丝结构，每一个都具有由相变材料连接的阴极和阳极，具有低阻相和高阻相；
电流源，与所述半导体熔丝结构连接，并且适于提供足够大的电流以引起在任意所述熔丝链接中所述材料的相变；以及
控制电路，与所述电流源连接，用于使所述电流源有选择地向至少一个所述半导体熔丝结构的熔丝链接提供所述电流；
类似集成的合适传感电路，以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。
11.一种具有可再编程熔丝的电互连结构，包括：
第一线级介质，包括相变材料短线；
第一过孔级介质，在所述第一线级介质顶上，包括与在所述第一线级介质中的相变材料接触的传导过孔；
第二线级介质，在所述第一过孔级介质顶上，具有与在所述第一过孔级介质中的传导过孔接触的传导线；
控制电路，以使所述相变材料的状态从高阻态转变到低阻态或从低阻态转变到高阻态；以及
类似集成的合适传感电路，以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。
12.根据权利要求11的电互连结构，还包括：
在所述第一线级介质层和所述第一过孔级介质之间的薄覆盖层。
13.根据权利要求11的电互连结构，还包括：
包围所述相变材料的介质层，不同于所述第一线级介质。
14.根据权利要求13的电互连结构，其中所述包围所述相变材料的介质层是氧化物，氮化物，多孔氧化物，低K介质，或多孔低K介质。
15.根据权利要求11的电互连结构，其中所述线级介质和过孔级介质是低K介质。
16.根据权利要求11的电互连结构，其中所述线级介质和过孔级介质是多孔低K介质。
17.根据权利要求11的电互连结构，其中所述传导线和过孔包括Cu。
18.根据权利要求11的电互连结构，其中在所述结构中存在不与所述相变材料接触的多个附加传导线和过孔。
19.根据权利要求12的电互连结构，其中所述覆盖层是Cu扩散阻挡层。
20.一种可再编程熔丝结构，包括：
相变材料，具有高阻态和低阻态，具有中心点和在多个位置与过孔接触相接触的末端区域，其中第一组在两个末端区域的至少两个过孔接触与用于编程所述熔丝的控制电路连接，并且第二组在两个末端区域的至少两个过孔接触与用于传感所述熔丝的传感电路接触；其中所述第一组和所述第二组在两个末端区域的至少两个过孔接触通过穿过所述中心点的路径连接；
控制电路，以使所述相变材料的状态从高阻态转变到低阻态或从低阻态转变到高阻态；以及
类似集成的合适传感电路，以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。
21.根据权利要求20的可再编程熔丝结构，其中所述过孔接触与四个末端区域形成交叉或交错交叉结构。
22.根据权利要求20的可再编程熔丝结构，其中所述控制电路能够提供足够使电流在高阻态下流经所述熔丝结构的高电压。
23.根据权利要求20的可再编程熔丝结构，其中所述传感电路不能提供足够使电流在高阻态下流经所述熔丝单元的高电压。
24.根据权利要求20的可再编程熔丝结构，其中所述相变材料的末端区域的至少一部分比所述中心宽。
25.根据权利要求24的可再编程熔丝结构，其中在每个末端区域上设有多个过孔接触。
26.根据权利要求20的可再编程熔丝结构，其中所述熔丝结构嵌入Cu加低K互连结构中。
27.根据权利要求26的可再编程熔丝结构，还包括：
包围所述相变材料的第二介质，其成分不同于所述互连结构的低K介质的成分。
28.根据权利要求27的可再编程熔丝结构，其中所述包围所述相变材料的第二介质被设计为比所述第一低K介质更热稳定，以阻止所述低K介质暴露于在编程熔丝期间产生的高温。
29.根据权利要求1的可再编程熔丝结构，包括：
第一过孔级介质，包括相变材料短线，和与所述相变材料接触的传导过孔；
第一线级介质，在所述第一过孔级介质顶上，具有与在所述第一过孔级介质中的传导过孔接触的传导线；
控制电路，以使所述相变材料的状态从高阻态转变到低阻态或从低阻态转变到高阻态；以及
类似集成的合适传感电路，以读取熔丝中储存的信息；
其中使用所述传感电路来启动或截止电路。
30.根据权利要求29的可再编程熔丝结构，还包括：
在所述相变材料上的成分不同于所述过孔级介质层的薄介质层。
31.根据权利要求1的可再编程熔丝结构，包括：
第一过孔级介质，包括传导过孔；
第一线级介质，在所述第一过孔级介质顶上，包括与在所述传导过孔接触的相变材料；
第二过孔级介质，在所述第一线级介质顶上，包括与所述相变材料接触的传导过孔；
控制电路，以使所述相变材料的状态从高阻态转变到低阻态或从低阻态转变到高阻态；以及
类似集成的合适传感电路，以读取熔丝中储存的信息；
其中使用所述传感电路来启动或截止电路。
32.一种形成具有可再编程熔丝的电互联结构的方法，包括以下步骤：
提供单镶嵌或双镶嵌厚度的第一介质；
在所述介质材料中构图浅沟槽，所述浅沟槽部分延伸穿过所述线级介质层的所述厚度；
用相变材料填充所述沟槽；
使用CMP平整化所述相变材料；
在所述介质层中形成多个构图金属导体；
平整化所述介质层中的所述多个构图金属导体；
在具有所述多个构图金属导体和构图相变材料的所述介质层上沉积薄覆盖层；以及
形成第二单或双镶嵌级，具有包括与在前一级中的所述相变材料接触的过孔的多个构图金属导体。
33.根据权利要求32的方法，还包括以下步骤：
在使用CMP平整化所述相变材料后形成保护硬掩膜；以及
在用于平整化所述介质层中的多个构图金属导体的所述CMP步骤期间移除所述保护硬掩膜。
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