CN1877354A - 磁场测量装置 - Google Patents

Abstract

如果磁屏蔽装置的圆筒的长度变短，则圆筒轴垂直分量的磁场从圆筒开口部进入的量变大，存在磁屏蔽效果降低的问题。在进行磁测定的两端形成为开放的筒型的第1磁屏蔽装置内，通过配置其两端或接近于测量对象物的1个方向形成为开放的筒型、筒轴方向与上述磁场检测方向大致平行、配置在上述第1磁屏蔽装置内、在筒内部配置上述磁传感器的第2磁屏蔽装置，在磁传感器周边屏蔽第1磁屏蔽装置不能屏蔽的磁场分量。

Description

磁场测量装置

技术领域

本发明所属的技术领域涉及使用磁传感器或电磁场传感器测量微弱的磁和电磁波信号的磁场测量装置。

背景技术

通常，通过用高导磁率材料完全地覆盖比测量区域大的区域来实现磁屏蔽。但是，在该情况下，在用于测量人体所产生的磁场的装置中，由于必须用高导磁率材料覆盖比人体大的空间，故必须有大到2m×2m×2m(深度、宽度、高度)的空间(例如，非专利文献1)。在非专利文献1示出的那样的磁屏蔽装置中可得到高的磁屏蔽效果，但必须有宽的设置空间，例如，在医院内设置的情况下，存在限于大型医院等的问题。此外，由于构成完全封闭的空间，故对被测量者来说，也存在使心理的不安感增大等的弊病。因此，作为另外的方法，报告了依次以同芯状配置直径不同的多个用高导磁率材料构成的圆筒并在各圆筒间形成空隙的磁屏蔽装置(专利文献1)。通过以同轴状组合两端开放的用高导磁率材料构成的圆筒，可解决占有空间大的问题。再有，在专利文献1中，作为现有技术，有使用多片作为Ni-Fe类高导磁率合金材料的坡莫合金的板来制作可拆装(pre-fab)房间那样的磁屏蔽房间的记载。在该现有技术中，存在磁屏蔽室的制作中需要长时间、部件数目多、磁屏蔽价格非常高那样的问题，有在生物磁测量设备的价格中磁屏蔽所占的比例大、希望降低磁屏蔽价格的记载。此外，在非专利文献1的磁屏蔽装置内，为了得到更高的磁屏蔽效果，报告了用高导磁率磁性体覆盖磁屏蔽装置内的一部分空间以提高该一部分空间的磁屏蔽效果的技术(专利文献2)。再者，在非专利文献1、专利文献1、2中，虽然作为屏蔽技术使用了高导磁率材料，但与其相反，也报告了使用完全不使磁透过的超导体的圆筒的磁屏蔽装置(专利文献3)。在专利文献3中使用两端开放的超导体圆筒，成为用板状超导体堵塞其两开放端的结构。在使用超导体作为磁场屏蔽材料的情况下，由于必须成为超导状态，故必须有冷却机构，不能避免装置的复杂化、大型化，此外，由于成为堵塞开口部的结构，故至内部的出入变得繁琐。存在成为狭窄的封闭空间等的问题。

【专利文献1】特开平9-214166号公报

【专利文献2】特开平11-128193号公报

【专利文献3】特开平6-97696号公报

【非专利文献1】IEEE Trans.MAG.Vol.MAG-18，No.1，pp260-270，Jan.1982

(1)在专利文献1中，由于圆筒两端部是开口结构，故存在圆筒轴方向的磁分量的屏蔽效果比圆筒轴垂直方向的磁屏蔽效果低的问题，特别是，如果圆筒的长度比圆筒开口部直径的2倍短，则圆筒轴垂直分量的磁从圆筒开口部进入的量变大，存在磁屏蔽效果降低的问题。

(2)在专利文献2中，通过在测量部附近配置高导磁率材料来屏蔽外部的磁信号，但存在使作为本来的目的的测量信号本身变形的问题。特别是，由于来自高导磁率材料附近的传感器的信号朝向高导磁率磁性体弯曲，故在进行使用多个传感器的磁场分布测定的情况或从分布进行信号源推断的情况下，存在2维分布图案的变化或位置推断的误差的问题。

发明内容

在本发明中，在进行磁测定的两端形成为开放的筒型的第1磁屏蔽装置内，通过配置其两端或接近于测量对象物的1个方向形成为开放的筒型、筒轴方向与上述磁场检测方向大致平行、配置在上述第1磁屏蔽装置内、在筒内部配置上述磁传感器的第2磁屏蔽装置，在磁传感器周边屏蔽第1磁屏蔽装置不能屏蔽的磁场分量。

(1)特别是在第1磁屏蔽装置是两端开放的圆筒形的情况下，将传感器配置在测量对于磁屏蔽装置的圆筒轴大致垂直方向磁场的方向上。此时，在主磁屏蔽圆筒的长度小于等于圆筒直径的2倍那样的形状的情况下，不能充分地屏蔽从圆筒开口端侵入的与圆筒轴垂直的分量。因此，通过用第2磁屏蔽筒的筒轴对于第1磁屏蔽筒的筒轴成为垂直方向的配置覆盖传感器，对侵入的磁场进行磁屏蔽。也可在筒轴上组合直径不同的多个筒来使用第2磁屏蔽筒。

(2)此外，由于第2磁屏蔽筒接近于从测量对象发生的磁分量，故随着接近于第2磁屏蔽筒，上述磁分量朝向构成第2磁屏蔽筒的高导磁率磁性体方向弯曲。特别是在将配置测量传感器的测量面配置在与第2磁屏蔽筒的开口部端部相比处于筒内侧的情况下，与没有第2磁屏蔽筒的情况相比，接近于第2磁屏蔽筒壁的周边部传感器的测量磁场较大地被歪斜。因此，在生成来自所测量的磁场的等高线图或从该分布图推断信号源位置的情况下，可得到与没有第2磁屏蔽筒的情况的图案分布不同的图案，产生被推断为与实际的电流源位置偏移了的场所的问题。因此，设置校正由上述第2磁屏蔽筒变形的由上述磁传感器得到的信号的运算单元，例如使用由用第2磁屏蔽筒的半径对各传感器的离第2磁屏蔽筒中心的距离进行归一化的值和测量对象侧的第2磁屏蔽筒开口端面与传感器配置面的距离、第2磁屏蔽筒的磁性体的厚度或形状以及导磁率等决定的系数等，从作为实际测量的垂直分量的信号量对没有第2磁屏蔽筒的情况的垂直分量磁场信号量进行数值校正。利用模拟来计算在数值校正中使用的系数，或从实际的装置结构利用实验值来决定在数值校正中使用的系数。

按照本发明可构成与以前相比小型且屏蔽效率高的磁屏蔽装置。特别是，(1)即使第1磁屏蔽装置的圆筒的长度小于等于开口部直径的2倍，也可得到比以前高的屏蔽效率，由于可缩短圆筒的长度，故可实现更小型的磁屏蔽装置。(2)此外，可减少因磁场传感器周边的磁屏蔽装置产生的信号的变形的影响。

附图说明

图1是示出本发明的实施例1的磁场测量装置的结构的斜视图。

图2是示出本发明的实施例1的磁场测量装置的结构的剖面图。

图3是实际作成的圆筒型磁屏蔽装置的环境磁噪声的测定结果。

图4是对磁屏蔽装置内部的磁场值进行数值模拟的结果。

图5是示出包含传感器驱动电路34和运算单元35的磁场测量装置的结构的斜视图。

图6是示出第2磁屏蔽装置使测量磁场歪斜的情况的示意图。

图7是示出第2磁屏蔽装置和传感器的配置的图。

图8是第2磁屏蔽装置的磁场模拟结果。

图9是示出进行数值模拟的配置的图。

图10是示出本发明的实施例2的磁场测量装置的结构的斜视图。

图11是示出将本发明的实施例3的校正区域分成多个区域时的磁场屏蔽装置和传感器的配置的图。

具体实施方式

【实施例1】

在图1中，第1磁屏蔽装置1是圆筒形状，示出测量生物磁、主要是从心脏发出的磁场的情况的实施例的斜视图。由单个和多个直径不同的两端开放的圆筒构成第1磁屏蔽装置1。在实施例1中，由第1圆筒11和第2圆筒12构成。将构成第1磁屏蔽装置1的各圆筒的配置配置成各圆筒的中心轴在相同的轴上重叠。在图1中图示了构成第1磁屏蔽装置1的圆筒数是2个的情况的例子，但由于作为结构来说，根据各圆筒的厚度、长度、圆筒直径来决定磁屏蔽率，故圆筒数根据必要的屏蔽率而不同。作为一般的结构，构成第1磁屏蔽装置1的圆筒数为1至3的情况是适当的。由以作为高导磁率材料的镍和铁为主要成分的坡莫合金、镍铁高导磁合金(Mumetal)来构成构成第1磁屏蔽装置1的圆筒，相对导磁率为40000至200000左右。构成第1磁屏蔽装置1的各圆筒的厚度是0.5mm至3mm，圆筒直径是0.5m至2m，圆筒的长度约为1m至2m左右。在图2中示出实施例1的结构的剖面图。在第1磁屏蔽装置1的中央配置第2磁屏蔽装置3，将第2磁屏蔽装置3的轴方向配置成对于第1磁屏蔽装置1的轴方向为大致垂直。在大致垂直方向配置的原因是，在垂直地配置的情况下，由第2磁屏蔽装置3产生的磁屏蔽效果最好。第2磁屏蔽装置3的筒两端成为开放结构。将测量测量对象的传感器5配置在第2磁屏蔽装置3的筒内部，将传感器5的磁场检测方向配置成与第2磁屏蔽装置3的轴大致平行。大致平行地配置的原因是，在传感器5的磁场检测方向与第2磁屏蔽装置3的轴平行的情况下，磁屏蔽效果最好，此外，可容易地进行所测量的磁信号的校正。配置了多个传感器5，将传感器配置面配置在离第2磁屏蔽装置3的测量对象侧的开放端部面10mm至50mm的内部。在真空瓶4内配置传感器，此外，通过配置在更靠里的内部，屏蔽效果更好，但如果配置在过分靠里的内部，则由于传感器与信号源的距离增加，故测量信号变弱，考虑了这些情况来决定该距离。

在本实施例中，使用SQUID(超导量子干涉元件)作为高灵敏度的磁场传感器。但是，本技术是也能应用于其它的磁传感器、例如磁通门(flux gate)等的技术。由于SQUID成为超导状态使之工作，故必须冷却到低温。因此，将SQUID配置在真空瓶4内，利用液氮、液氦等冷媒来冷却。

在图3中示出在实际作成的圆筒型磁屏蔽装置内设置了第2磁屏蔽装置3的情况和未设置的情况的环境磁噪声的测定结果。图中，纵轴示出环境磁场值，横轴示出频率分量。已作成的圆筒型磁屏蔽装置是长椭圆形的2重磁屏蔽装置，长度为1.6m，开口部的长轴方向为1.4m，短轴方向为1.0m，各圆筒壁间隔为0.1m，各屏蔽圆筒的磁性体的厚度为2mm，磁性体的相对导磁率估计约为60000。该圆筒型磁屏蔽装置的磁屏蔽率约为32dB。在该圆筒型磁屏蔽装置的中央，设置直径0.4m、长度0.6m、相对导磁率40000、磁性体厚度2mm的第2磁屏蔽装置。在图3中，用■符号示出的是没有第2磁屏蔽装置的情况的环境磁噪声谱22，用◆符号示出的是设置了第2磁屏蔽装置的情况的环境磁噪声谱23。如果比较环境磁噪声谱22与环境磁噪声谱23，则在小于等于10Hz的频带区域中，环境磁噪声谱23示出了约2至5倍左右的低的磁场值，显示出设置了第2磁屏蔽装置的环境磁噪声的磁屏蔽效果好。

在图4中示出通过具有第2磁屏蔽装置3在保持相同的磁屏蔽效果的情况下能够缩短第1磁屏蔽装置1的长度的情况。在图4中，纵轴示出第1磁屏蔽装置1的中心轴上的磁场的绝对值，位置x示出在将第2磁屏蔽装置3的中心轴定为0时的第1磁屏蔽装置1的中心轴上的位置。图4是利用数值模拟得到的结果。是模拟条件为将磁性体的相对导磁率定为40000、将磁性体的厚度定为5mm、将第1磁屏蔽装置1的长度定为2m和1.6m、将第1磁屏蔽装置1的直径定为0.25m、在第1磁屏蔽装置1的外部施加了300nT的磁场时的结果。外部磁场施加方向与第1磁屏蔽装置的中心轴平行。图中，◇符号示出的是第1磁屏蔽装置1的长度为2m、没有第2磁屏蔽装置3的情况的磁场值线24，*符号示出的是第1磁屏蔽装置1的长度为1.6m、没有第2磁屏蔽装置3的情况的磁场值线25，○符号示出的是第1磁屏蔽装置1的长度为1.6m、有第2磁屏蔽装置3的情况的磁场值线26。○符号与◇符号大致是同等的，进而，磁场的平坦度优良。图4的结果示出了，通过设置第2磁屏蔽装置3将第1磁屏蔽装置的长度从2m缩短到1.6m可得到大致同等的磁屏蔽效果，进而可得到在第2磁屏蔽装置3内部的磁场平坦度好的磁场屏蔽效果。

关于信号的测量，如图5中所示，利用传感器驱动电路34驱动传感器5，在运算单元35中存储并显示来自传感器5的信号。利用运算单元来控制传感器驱动电路34。

关于所测量的磁场，通过配置第2磁屏蔽装置3，可进一步屏蔽处于第1磁屏蔽装置1的外侧的磁噪声，但由于用高导磁率材料构成第2磁屏蔽装置3，故测量对象的磁场、特别是接近于第2磁屏蔽装置3的磁场被歪斜。在图6中示出示意性地显示了该歪斜的磁场的情况。图6中的(A)示出没有第2磁屏蔽装置3的以前的结构，(B)成为有第2磁屏蔽装置3的情况的结构。在通过从纸面表面朝向背面流动的信号源电流10_1和从纸面背面朝向表面流动的信号源电流10_2发生的磁场中，没有第2磁屏蔽装置的情况作为磁力线11来示出，有第2磁屏蔽装置的情况作为磁力线12来示出，用箭头示出没有第2磁屏蔽装置的情况的传感器位置上的磁场分量13、有第2磁屏蔽装置的情况的传感器位置上的磁场分量14、没有第2磁屏蔽装置的情况的利用传感器测量的垂直磁分量15和有第2磁屏蔽装置的情况的利用传感器测量的垂直磁分量16。在有第2磁屏蔽装置3的情况下，由于磁力线12靠近由高导磁率材料构成的第2磁屏蔽装置3，故与没有第2磁屏蔽装置3的情况相比，在水平方向上弯曲了。因此，垂直方向的磁场分量变小。为了显示磁场分量的大小的差别，示出表示没有第2磁屏蔽装置的情况的垂直磁分量15的大小的辅助线27和表示有第2磁屏蔽装置的情况的垂直磁分量16的大小的辅助线28。

由于因第2磁屏蔽装置3产生的垂直磁分量的大小的差别成为信号源推断或分布显示的误差，故在数值方面进行校正。用运算单元35进行校正处理。在该数值校正方法中，对第2磁屏蔽装置3的半径dr进行归一化，将半径dr定为1。将从第2磁屏蔽装置3的中心轴18到传感器5的距离定为ds。将用传感器5测量了的磁场定为Bz’。

将此时的校正磁场Bz作为校正式(数学式1)来计算。在图7中示出传感器5的位置、第2磁屏蔽装置3的半径dr、从第2磁屏蔽装置3的中心轴18到传感器5的距离定为ds。

Bz＝Bz’×(α+e^{(-(1-ds)×β)})...(数学式1)

在(数学式1)中，e为自然对数的底。α、β是由第2磁屏蔽装置3的大小、磁性体的相对导磁率、磁性体的厚度、从第2磁屏蔽装置3的测量对象侧的开口端到传感器测量面的距离dh等决定的值，在该决定中，通过数值模拟或测量实际制作了的第2磁屏蔽装置3的内部磁场相对于外部磁场的分布来决定。关于模拟和实测方法，在第2磁屏蔽装置的中心轴中央在从第2磁屏蔽装置3的测量面端部离开约10至100mm的距离上配置直径约10至50mm的磁场发生线圈32，计算或测量第2磁屏蔽装置3内部的磁场分布。使用上述计算或测量的结果和没有第2磁屏蔽装置3的情况的磁场分布的计算或测量的值来决定(数学式1)中的α、β。

在图8中示出有第2磁屏蔽装置3的情况和没有第2磁屏蔽装置3的情况的磁模拟值以及从该有第2磁屏蔽装置3的情况的磁场值使用(数学式1)校正了的值。在图8中，纵轴示出磁场值，横轴示出从归一化了的第2磁屏蔽装置的中心轴到第2磁屏蔽装置的筒壁的距离，取0至1的值。纵轴的磁场值具有极性，但在图8中为了容易比较磁场值的大小起见，显示了绝对值。在图8中，◇符号示出的线是没有第2磁屏蔽装置3的情况的磁场模拟值29，*符号示出的线是有第2磁屏蔽装置3的情况的磁场模拟值30，○符号示出的线是利用(数学式1)校正了的磁场模拟值31。在图9中示出表示进行了图8的数值模拟的第2磁屏蔽装置3、传感器5、磁场发生线圈32的配置的剖面图。关于模拟的条件，将第2磁屏蔽装置3的相对导磁率定为40000，将第2磁屏蔽装置3的圆筒半径定为200mm，将第2磁屏蔽装置3的圆筒的厚度定为1mm，将第2磁屏蔽装置3的圆筒的长度定为400mm，将第2磁屏蔽装置3的从表示测量面侧端部的辅助线8到表示传感器5的测量面的辅助线9的距离定为15mm，将磁场发生线圈32的直径定为10mm，将磁场发生线圈32的圈数定为1圈，将磁场发生线圈32的线圈面33与表示第2磁屏蔽装置3的测量面侧端部的辅助线8的距离定为55mm，与第2磁屏蔽装置3的圆筒轴同样地配置磁场发生线圈32的线圈轴，将流过磁场发生线圈32的电流值定为1nA。在上述条件下的(数学式1)的系数α、β分别是，α＝1.05，β＝11。其结果，在如图8中所示那样有第2磁屏蔽装置3的情况下，在将从表示第2磁屏蔽装置的中心轴的辅助线18到表示第2磁屏蔽装置的筒壁的辅助线20的距离dr定为1进行了归一化时的从表示第2磁屏蔽装置的中心轴的辅助线18到表示传感器5的测量点的辅助线20的距离ds小于等于0.3为止，没有第2磁屏蔽装置3的情况的磁场模拟值29与有第2磁屏蔽装置3的情况的磁场模拟值30的差小，但如果ds超过0.3，则开始产生差别，随着接近表示第2磁屏蔽装置筒壁的辅助线20(即，ds为1)，差变大。另一方面，利用(数学式1)校正了的磁场模拟值31在ds小于等于0.9的范围内与没有第2磁屏蔽装置3的情况的磁场模拟值29一致。因而，在使用(数学式1)的校正式的情况下，在ds为0至0.9的范围内配置传感器5。

【实施例2】

在图10中，第2磁屏蔽装置21是四角柱状的，示出测量生物磁、主要是从心脏发出的磁场的情况的实施例的斜视图。由单个和多个直径不同的两端开放的圆筒构成第1磁屏蔽装置1。在实施例2中，由第1圆筒11和第2圆筒12构成。将构成第1磁屏蔽装置1的各圆筒的配置配置成各圆筒的中心轴在相同的轴上重叠。在图10中图示了构成第1磁屏蔽装置1的圆筒数是2个的情况的例子，但由于作为结构来说，根据各圆筒的厚度、长度、圆筒直径来决定磁屏蔽率，故圆筒数根据必要的屏蔽率而不同。作为一般的结构，构成第1磁屏蔽装置1的圆筒数为1至3的情况是适当的。由以作为高导磁率材料的镍和铁为主要成分的坡莫合金、镍铁高导磁合金来构成构成第1磁屏蔽装置1的圆筒，相对导磁率为40000至200000。构成第1磁屏蔽装置1的各圆筒的厚度是0.5mm至3mm，圆筒直径是0.5m至2m，圆筒的长度约为1m至2m。

第2磁屏蔽装置21的筒形状由4面构成，示出与筒轴垂直的剖面为四角形形状的情况的结构图。在图10中示出了第2磁屏蔽装置的剖面为四角形的情况，但第2磁屏蔽装置21的剖面形状不只限于四角形，可利用由多角形形成的筒来实现。磁屏蔽效果与实施例1是同样的，也可与实施例1同样地进行第2磁屏蔽装置21内部的磁场分布的歪斜校正方法。只要第2磁屏蔽装置21的形状是能屏蔽传感器5那样的形状，就可得到磁屏蔽效果，但如果考虑歪斜校正的运算的容易性，则希望是与传感器5平行的筒状，筒的剖面是圆或正多角形。

【实施例3】

在图11中示出将校正区域分成多个区域、在各自的区域中将校正式近似为距离的多项式来进行校正的方法。在图中，将校正区域分成3个区域。在用运算单元35进行的数值校正中，将第2磁屏蔽装置3的半径dr归一化，将半径dr定为1。将dr分成3个区域，按从第2磁屏蔽装置3的中心轴到筒壁的顺序定为dr₁、dr₂、dr₃。各区域内的校正磁场按从第2磁屏蔽装置3的中心轴到筒壁的顺序定为Bz₁、Bz₂、Bz₃。将从第2磁屏蔽装置3的中心轴18到传感器5的距离定为ds。将用传感器5测量的磁场的值定为Bz’。

将此时的校正磁场Bz在区域dr₁中作为校正式(数学式2)来计算，在区域dr₂中作为校正式(数学式3)来计算，在区域dr₃中作为校正式(数学式4)来计算。在图7中示出传感器5的位置、第2磁屏蔽装置3的半径dr和从第2磁屏蔽装置3的中心轴18到传感器5的距离ds。

Bz₁＝Bz’×(α₁+ds²+β₁×ds+γ₁)...(数学式2)

Bz₂＝Bz’×(α₂+ds²+β₂×ds+γ₂)...(数学式3)

Bz₃＝Bz’×(α₃+ds²+β₃×ds+γ₃)...(数学式4)

在(数学式2)、(数学式3)、(数学式4)中，α₁、β₁、γ₁、α₂、β₂、γ₂、α₃、β₃、γ₃分别是由第2磁屏蔽装置3的大小、磁性体的相对导磁率、磁性体的厚度、从第2磁屏蔽装置3的测量对象侧的开口端到传感器测量面的距离dh等决定的值，在该决定中，通过数值模拟或测量实际制作了的第2磁屏蔽装置3的内部磁场相对于外部磁场的分布来决定。关于模拟和实测方法，在第2磁屏蔽装置的中心轴中央在从第2磁屏蔽装置3的测量面端部离开约10至100mm的距离上配置直径约10至50mm的磁场发生线圈32，计算或测量第2磁屏蔽装置3内部的磁场分布。使用上述计算或测量的结果和没有第2磁屏蔽装置3的情况的磁场分布的计算或测量的值来决定(数学式2)、(数学式3)、(数学式4)中的α₁、β₁、γ₁、α₂、β₂、γ₂、α₃、β₃、γ₃。在实施例3中，将dr的区域分成3个区域，但即使分成几个区域也能同样地校正。一般来说，分成2至4个区域是适当的。再者，校正式将ds的2次函数与Bz’相乘来校正用传感器5测量的磁场值，但即使是多次函数，也能进行校正。一般来说，2至3次函数是适当的。作为将校正区域分成多个区域的优点，是提高校正近似的精度。

【实施例4】

在用运算单元35进行的数值校正中，作为用于决定(数学式1)和(数学式2)、(数学式3)、(数学式4)中的系数α、β和α₁、β₁、γ₁、α₂、β₂、γ₂、α₃、β₃、γ₃的数值模拟或测量实际制作了的第2磁屏蔽装置3的内部磁场相对于外部磁场的分布的方法，使用具有比第2磁屏蔽装置3的直径和长度大的直径的探向(helmholtz)线圈在第2磁屏蔽装置的外部对第2磁屏蔽装置3施加与轴平行的同样磁场，计算或测量第2磁屏蔽装置内的磁场分布。

Claims (15)

1.一种磁场测量装置，其特征在于，具有：

第1磁屏蔽装置，其两端形成为开放的筒型；

单个或多个磁传感器，其磁场检测方向配置成与上述第1磁屏蔽装置的筒轴方向大致正交，配置在上述第1磁屏蔽装置内；

第2磁屏蔽装置，其两端或接近于测量对象物的1个方向形成为开放的筒型，筒轴方向与上述磁场检测方向大致平行，配置在上述第1磁屏蔽装置内，在筒内部配置上述磁传感器；以及

运算单元，校正由上述第2磁屏蔽装置变形的、由上述磁传感器得到的信号。

2.如权利要求1中所述的磁场测量装置，其特征在于：

上述第2磁屏蔽装置的剖面是圆或正多角形的筒型形状。

3.如权利要求1中所述的磁场测量装置，其特征在于：

上述运算单元通过将由上述磁传感器的位置决定的函数与由上述磁传感器得到的信号相乘来进行校正。

4.如权利要求1中所述的磁场测量装置，其特征在于：

上述运算单元对上述第2磁屏蔽装置内的每个区域进行不同的校正运算。

5.如权利要求1中所述的磁场测量装置，其特征在于：

上述磁传感器的配置位置为使上述磁传感器的开口端的位置位于从上述第2磁屏蔽装置的开口端朝向上述第2磁屏蔽装置的内侧10mm～50mm的位置处。

6.如权利要求1中所述的磁场测量装置，其特征在于：

在将上述第2磁屏蔽装置的中心轴的位置定为0、筒壁的位置定为1而进行了归一化时，将上述磁传感器配置在0至0.9的范围内。

7.如权利要求1中所述的磁场测量装置，其特征在于：

上述第1、第2磁屏蔽装置由高导磁率材料构成。

8.如权利要求7中所述的磁场测量装置，其特征在于：

上述高导磁率材料是坡莫合金和镍铁高导磁合金。

9.如权利要求1中所述的磁场测量装置，其特征在于：

上述第1磁屏蔽装置是圆筒型，上述圆筒的长度比上述圆筒直径的2倍短。

10.一种磁场测量装置，其特征在于，具有：

第1磁屏蔽装置，其两端形成为开放的圆筒型，上述圆筒的长度比上述圆筒直径的2倍短；

单个或多个磁传感器，其磁场检测方向配置成与上述第1磁屏蔽装置的筒轴方向大致正交，配置在上述第1磁屏蔽装置内；以及

第2磁屏蔽装置，其两端或接近于测量对象物的1个方向形成为开放的筒型，筒轴方向与上述磁场检测方向大致平行，配置在上述第1磁屏蔽装置内，在筒内部配置上述磁传感器。

11.如权利要求10中所述的磁场测量装置，其特征在于：

上述第2磁屏蔽装置的剖面是圆或正多角形的筒型形状。

12.如权利要求10中所述的磁场测量装置，其特征在于：

上述磁传感器的配置位置为使上述磁传感器的开口端的位置位于从上述第2磁屏蔽装置的开口端朝向上述第2磁屏蔽装置的内侧10mm～50mm的位置处。

13.如权利要求10中所述的磁场测量装置，其特征在于：

在将上述第2磁屏蔽装置的中心轴的位置定为0、筒壁的位置定为1而进行了归一化时，将上述磁传感器配置在0至0.9的范围内。

14.如权利要求10中所述的磁场测量装置，其特征在于：

上述第1、第2磁屏蔽装置由高导磁率材料构成。

15.如权利要求14中所述的磁场测量装置，其特征在于：

上述高导磁率材料是坡莫合金和镍铁高导磁合金。

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