CN1873156A - 一种彩石金属屋面瓦的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于建筑材料技术领域，涉及一种彩石金属屋面瓦的制造方法，该方法是：在厚度0.3－1.0mm的压型金属基板上涂上厚度为20－60μm的水剂型丙烯酸树脂或溶剂型丙烯酸树脂，再复合上粒径为0.1－3.0mm的人工染色彩砂或天然彩砂，其上再涂上厚度为2－10μm的水剂型丙烯酸树脂或溶剂型丙烯酸树脂作为加固和上光层，送入烘干室加温至80－200℃，固化10－30min即可。本发明的有益效果是：该方法生产出的彩石金属屋面瓦具有黏土瓦、混凝土瓦和钢板瓦的优点，可以成为新型的主流屋面材料，替代通常所用且用的黏土瓦和混凝土瓦，节约大量耕地和能源，提高建筑屋面的装饰性、耐用性，减轻建筑荷载。
Description
技术领域
本发明属于建筑材料技术领域，涉及一种彩石金属屋面瓦的制造方法。
背景技术
目前建筑施工的屋面材料大都用黏土瓦、混凝土瓦和钢板瓦。黏土瓦是将黏土模压成型后经高温烧结而成，是最传统的屋面材料，其缺点是浪费土地和能源，且耐久性差。混凝土瓦是将水泥、天然砂、粉煤灰混合后模压而成，装饰性较强，但重量大。钢板瓦是用彩涂钢板滚压而成，轻巧、耐用，但装饰效果差。
发明内容
为了克服现有屋面材料重量大、耐久性差、装饰效果不强、浪费土地和能源的不足，本发明的目的是提供一种彩石金属屋面瓦的制造方法，利用该制造方法生产出的彩石金属屋面瓦既能克服黏土瓦、混凝土瓦和钢板瓦存在的缺欠，又能保留和提升现有屋面材料的优点。
本发明为解决其技术问题所采用的技术方案是：一种彩石金属屋面瓦的制造方法，该方法及步骤是：在厚度0.3-1.0mm的压型金属基板上涂上厚度为20-60μm的水剂型丙烯酸树脂或溶剂型丙烯酸树脂，再复合上粒径0.1-3.0mm的人工染色彩砂或天然彩砂，其上再涂上厚度为2-10μm的水剂型丙烯酸树脂或溶剂型丙烯酸树脂作为加固和上光层，送入烘干室加温至80-200℃，固化10-30min即可。所述的金属基板为镀铝锌钢板、镀锌钢板、冷轧薄钢板和铝板中的任何一种。烘干室加温温度为95-160℃时，效果较好。
本发明的有益效果是：该方法生产出的彩石金属屋面瓦具有黏土瓦、混凝土瓦和钢板瓦的所有优点，完全可以成为新型的主流屋面材料，替代通常所用且用量极大的黏土瓦和混凝土瓦，节约大量耕地和能源，提高建筑屋面的装饰性、耐用性，减轻建筑荷载。
具体实施方式
实施例1
将0.4mm厚镀铝锌钢板用油压机模压成型，在其表面上涂厚度为40μm的热固型水性丙烯酸树脂粘合层，再均匀撒布上厚度≤2mm，粒径为0.5-2.0mm经过级配的陶化彩砂，其上再喷涂上厚度为5μm水性丙烯酸树脂作为加固和上光层，送入烘干室以120℃中温固化20min即可。
Claims (3)
1、一种彩石金属屋面瓦的制造方法，其特征在于，该方法及步骤是：在厚度0.3-1.0mm的压型金属基板上涂上厚度为20-60μm的水剂型丙烯酸树脂或溶剂型丙烯酸树脂，再复合上粒径为0.1-3.0mm的人工染色彩砂或天然彩砂，其上再涂上厚度为2-10μm的水剂型丙烯酸树脂或溶剂型丙烯酸树脂作为加固和上光层，送入烘干室加温至80-200℃，固化10-30min即可。
2、根据权利要求1所述的一种彩石金属屋面瓦的制造方法，其特征在于，所述的金属基板为镀铝锌钢板、镀锌钢板、冷轧薄钢板和铝板中的任何一种。
3、根据权利要求1所述的一种彩石金属屋面瓦的制造方法，其特征在于，所述的烘干室加温温度为95-160℃。
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| CN 200610046749 CN1873156A (zh) | 2006-05-27 | 2006-05-27 | 一种彩石金属屋面瓦的制造方法 |
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Family Applications (1)
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| CN 200610046749 Pending CN1873156A (zh) | 2006-05-27 | 2006-05-27 | 一种彩石金属屋面瓦的制造方法 |
Country Status (1)
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN102615919A (zh) * | 2012-04-01 | 2012-08-01 | 北京宝莲纳新材料技术有限公司 | 彩砂板生产系统及方法 |
| CN103899046A (zh) * | 2014-03-26 | 2014-07-02 | 桐庐庐美环保建材有限公司 | 一种彩石金属瓦及其制作工艺 |
| CN107503474A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-12-22 | 江苏特福特建材有限公司 | 一种圆弧型彩石金属瓦及其制作方法 |
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2006
- 2006-05-27 CN CN 200610046749 patent/CN1873156A/zh active Pending
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| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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