CN1870138A - 近场光发射设备和数据记录/再现装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种近场光发射设备和数据记录/再现装置。该近场光发射设备包括将传播通过核心的电磁波向着基座偏转的偏置单元。布置在基座上的传播单元从出口发射近场光。通过在与基座相对一侧上设置磁头，可以使磁头和近场光强度中心之间的距离最小。偏转单元形成得比较厚，因此使得电磁波以高效产生表面传播波的角度进入传播单元。

Description

近场光发射设备和数据记录/再现装置

技术领域

本发明涉及近场光发射设备和设有近场光发射设备的数据记录/再现装置。

背景技术

随着所处理信息的增多，对于可以大大提高记录密度的信息记录方法和信息记录/再现装置的需求也在增大。为了增大记录密度，形成甚至比入射光波长更小的光束斑的近场光正引起人们的关注。

近场光可以用于光盘。但是关于近场光如何可以应用于磁记录装置的研究还正在进行。为了增大磁记录介质的记录密度，磁记录介质必须用磁稳定材料形成。但是，磁稳定材料使得难以在磁记录介质上写信息。因此，当前已开始研究称为热(光)辅助记录方法的记录方法。

热辅助记录方法涉及在用磁头将信息写在磁记录介质上之前，通过施加光束来增大待写入信息的部分处的温度，而暂时使得该部分可容易地写入。通过在热辅助记录方法中施加近场光有望实现超过每平方英寸1兆兆位(Tbpsi)的记录密度。

在该热辅助记录方法中，重要的是使得磁头的磁芯和光束斑之间的距离很短。如果该距离长了，则该部分的温度下降，使得难以在磁记录介质上写入信息。

在例如日本专利申请No.2004-255732所公开的技术中，光束出口被布置成靠近磁头。在此技术中，发射近场光的设备通过光刻与磁头形成在同一晶片上。而且，多层结构的近场光发射设备被制成不对称的，以使光束出口更靠近磁头。

但是在以上技术中，未考虑将激光传播到设备的光学波导的覆层厚度。覆层覆盖光学波导的核心并对激光无衰减地传播到设备至关重要。覆层的厚度应该约为激光的波长。因此，磁头和光束斑被隔开等于覆层厚度的距离。

如果覆层厚度减小到小于激光波长，则当激光与比覆层厚度更薄且具有更高吸收系数的材料(例如用于磁头的材料)接触时，表面上会发生吸收而导致激光的衰减。另外，吸收激光会产生热，导致磁头劣化。

发明内容

本发明的目的是至少解决传统技术中的以上问题。

根据本发明一个方面的光发射设备包括：波导单元，其布置在所述光发射设备的基座上并构造成传播电磁波；发射单元，其布置在所述基座上并构造成从被传播的电磁波来发射近场光；和出口，所述近场光从所述出口输出。所述发射单元包括：偏转单元，其构造成向着所述基座偏转所述被传播的电磁波；和传播单元，其布置在所述偏转单元和所述基座之间，并构造成从被偏转的电磁波产生表面传播波，而从所述出口输出所述近场光，并且所述出口布置在所述传播单元的与所述波导单元相反一侧上的一端处。

根据本发明另一方面的数据记录/再现装置包括根据以上方面的光发射设备。

本发明的其他目的、特征和优点在结合附图阅读对本发明的以下详细说明中具体阐述，并将从其变得清楚。

附图说明

图1是根据本发明实施例的近场光发射设备100a的剖视图；

图2是近场光发射设备100a的立体图；

图3是用于图示近场光发射设备100a电场强度的模拟结果的示意图；

图4是用于图示近场光发射设备100a电场强度的模拟结果的示意图；

图5是根据本发明实施例的近场光发射设备100b的立体图；

图6是根据本发明实施例的近场光发射设备100c的立体图；和

图7是根据本发明实施例的近场光发射设备100d的立体图。

具体实施方式

下面参考附图详细解释根据本发明的示例性实施例。

图1是根据本发明实施例的近场光发射设备100a的剖视图。如图1所示，近场光发射设备100a设置在基座110a上，该基座110a上设有诸如磁头之类的其他元件。近场光发射设备100a包括光学波导120a和发射器130a。

光学波导120a将电磁波(光)导向发射器130a。光学波导120a由覆盖有覆层121a和覆层123a的核心122a构成。尽管未在图1中示出，但覆层123a也覆盖核心122a的侧面。核心122a传播电磁波。覆层121a和123a防止电磁波的衰减。

发射器130a产生近场光并且其形式为设置在基座110a上的多层结构。发射器130a包括层叠的表面传播单元131a、偏转单元132a和刻蚀掩模材料133a。

表面传播单元131a从入射的电磁波产生表面传播波，并从设置在与光学波导120a相反端部处的开口发射近场光。具体而言，表面传播单元131a由于与入射光接触的构成材料及该材料的复折射率而产生表面传播波。面对入射光的材料的复折射率被定义为等于n-j·k，其中n是折射率的实部，k是虚部，且j是虚数，j²＝-1。表面传播单元131a的结构由具有大的k值的不透明材料夹着或包围着具有小的k值的透明传导材料构成，其中该不透明材料具有比该传导材料的介电常数n²-k²更大的介电常数的绝对值。

对于波长λ为400纳米(nm)的电磁波，通过用诸如Si的具有相对较大折射率和k值的材料夹着或包围着诸如SiO₂(n＝1.48)或MgF₂的透明材料而形成表面传播单元131a。在表面传播单元131a中形成出口。表面传播单元在Si-SiO₂接合处从穿过Si层的电磁波产生表面传播波并从出口发射近场光。

为了产生表面传播波，这两种材料之间的介电常数的差越大越好。例如，在作为具有低折射率的透明材料的SiO₂(n＝1.48)和作为具有高折射率的材料的Si(n＝4.380，k＝2.02)的接合处，在具有低折射率和小k值的材料这一侧产生表面传播波。

诸如Si的具有高折射率的材料具有表示衰减率的大的k值，导致电磁波在被传播时的衰减。因此，表面传播波从与Si层的接合处的传播距离应该尽可能短。因此，优选的是在光发射设备的前端处靠近出口产生表面传播波。另一方面，这对电磁波被Si吸收是有利的，因为减小了由于其他层吸收导致的电磁波衰减。当来自其他层的强度减小时，近场光斑轮廓可以减小。在膜形成设备中可以确保将这些距离再现到单元的精度。

可以将一层具有中等折射率并具有很小或零附近的k值的材料(例如ZnS等)夹在低折射率材料和高折射率材料之间。由此在ZnS和SiO₂的接合处产生的表面传播波可以抵消由于Si导致的衰减并增大效率。但是，从基座110a到出口的距离将增大中等折射率材料的厚度的程度。

偏转单元132a将通过光学波导120a传播的电磁波向着表面传播单元131a偏转。具体而言，偏转单元132a由至少两种具有不同折射率的传导材料构成，这两种传导材料的组成比例逐渐变化。或者，偏转单元132a可以由至少两种具有不同折射率且彼此堆叠的传导材料构成，且若干这样的单元彼此堆叠。偏转单元132a的另一替代结构就是一种反射电磁波的透明材料。

刻蚀掩模材料133a是用于通过刻蚀形成表面传播单元131a和偏转单元132a的掩模。

如图1所示，在根据本实施例的近场光发射方法中，近场光所通过的出口靠着基座110a布置。结果，可以提供合适的覆层厚度，并且还可以保持磁头和出口之间的距离最小。

假定靠着基座110a的出口要求电磁波被偏转单元132a向着基座110a显著偏转。该大的偏转角可以由组成偏转单元132a的材料的合适组合来实现。

在根据本实施例的近场光发射方法中，表面传播单元131a是靠着基座110a形成的一薄层。因此，为了使传播通过光学波导120a的电磁波在偏转单元132a中无损耗地传播，偏转单元132a的厚度需要等于或大于覆层121a和核心122a的厚度之和，而不考虑表面传播单元131a的厚度。

为了使表面传播单元131a高效产生表面传播波，入射角应该是特定的。在根据本实施例的近场光发射方法中，相对较厚的偏转单元132a在通过偏转电磁波来调节入射角上是有利的。入射角由表面传播单元131a和偏转结构132a的有效折射率确定。在本实施例中，入射角是55度。

下面解释根据本实施例的近场光发射设备的结构。图2是近场光发射设备100a的立体图。如图2所示，发射器130a位于基座110a(磁头形成在其上)上，并且形式为包括等腰梯形和一条边同该等腰梯形的底边共用的方形的多边棱柱。光学波导120a的核心122a的前端接合到发射器130a的与等腰梯形的表面相对的表面。光学波导120a的另一端接合到一个未示出单元，该单元通过诸如透镜耦合、端注入和覆层之类的方法来将光学波导120a耦合到激光束。

发射器130a包括彼此堆叠的表面传播单元131a、偏转单元132a、刻蚀掩模材料133a，其中刻蚀掩模材料133a形成为最顶层，并且发射器130a还包括形成表面传播单元131a和偏转单元132a的等腰梯形部分的等腰部分的两个倾斜侧壁134a。表面传播单元131a是由多层透明传导材料构成的多层结构，每一层具有不大于电磁波波长的厚度。偏转单元132a也是具有有效折射率分布的多层结构。

传播通过光学波导120a的电磁波被多层结构的偏转单元132a向着多边棱柱的基座110a偏转，并由倾斜侧壁134a向着内部集中。表面传播单元131a通过倾斜侧壁134a将从偏转单元132a出来的电磁波向着内部集中，并从小于而不大于波长的出口发射近场光。倾斜侧壁134a防止光逸出(除了通过出口之外)。

可以使用光刻技术来制造发射器130a。在整个晶片上顺序沉积基座110a、表面传播单元131a和偏转单元132a。接着对多边棱柱进行刻蚀，以将多层结构的表面传播单元131a和偏转单元132a分离出来。接着，沉积光发射设备的倾斜侧壁134a。随后使用脱模(lift-off)技术或刻蚀来顺序图案化用于光学波导120a的覆层121a、核心122a和覆层123a。

在图1中，核心122a是L形的，以防止覆层121a接合到发射器130a。当形成覆层时，这防止覆层121a在核心122a接合到发射器130a处覆盖发射器130a。

于是，覆层121a形成为不覆盖发射器130a和核心122a被接合的接触区域。或者，即使接触区域由覆层121a覆盖，也可以使用刻蚀技术来去除接触区域中的覆层，使得核心122a和发射器130a可以彼此接触。但是，后一技术涉及增多制造工艺。

表面传播单元131a包括堆叠的多组层，每一组层包括在两侧上被折射率差不小于1.0且厚度为24nm的一层Si(n＝4.380，k＝2.02)夹住的厚度为16nm的一层SiO₂(n＝1.48)。这样形成的表面传播单元131a的整体厚度为64nm。

偏转单元132a由彼此交替堆叠的Ta₂O₅和SiO₂层构成。从表面传播单元131a开始，Ta₂O₅和SiO₂层按以下顺序：448nm厚的Ta₂O₅、20nm厚的SiO₂、100nm厚的Ta₂O₅、70nm厚的SiO₂、70nm厚的Ta₂O₅、120nm厚的SiO₂、20nm厚的Ta₂O₅和220nm厚的SiO₂。这使得偏转单元的整体厚度为1068nm。

改变Ta₂O₅和SiO₂层的厚度具有这样的效果，即将所有传播通过光学波导120a的电磁波向着沉积的方向偏转，并使得电磁波在表面传播单元131a的出口附近入射。在本实施例中，偏转单元132a在垂直于沉积方向的方向上的宽度保持为1.0微米(μm)，与光学波导120a的核心122a接触的表面和出口之间的距离保持为1.52μm，且等腰边的相对角度保持为75度。

从偏转单元132a入射在表面传播单元131a上的电磁波的入射角被设定为55度，该角度接近于使得表面传播单元131a最高效产生表面传播波的角度。

偏转单元132a的除接合到光学波导120a的表面之外的所有表面被对电磁波具有高反射率的一组材料覆盖。该高反射率材料优选地应为满足总反射条件sinθ＞n2/n1的材料，其中n1是倾斜侧壁的有效折射率，n2是传导材料涂层的有效折射率，而θ是倾斜侧壁处的入射角，倾斜壁是与除出口外的等腰梯形的等腰边接合的表面。

或者，优选的是使用具有负的特定介电常数的材料作为倾斜侧壁134a，即n²-k²＜0的材料如铝(n＝0.49，k＝4.86)和金，使得光束至少被倾斜侧壁134a反射在表面传播单元131a内。

在刻蚀工艺过程中在偏转单元132a顶部沉积100nm厚的一层Al作为掩模。该层Al对应于刻蚀掩模材料133a。另外，可以使用例如Ta₂O₅用于光学波导120a的核心，并可以使用SiO₂用于覆层。

于是，使用在深度方向上没有参数的二维图案去除了衬底上晶体定向的约束，并使得可以使用除Si之外的衬底。而传统的倒金字塔形光发射设备需要安装在Si衬底上。另外，在本实施例中，可以对多边棱柱设定任何顶角。最新膜形成设备的沉积精度与晶体刻蚀方法相比可以具有一两个到数个的精度。结果，可以大大减小形成误差。

表面传播单元131a的透明传导层的厚度确定了从这样的二维多层结构发射的近场光沿着沉积方向的轮廓。光发射设备的出口形状确定了近场光垂直于沉积方向的轮廓。于是，在近场区域中可以获得比超出折射限制的自由空间中的波长更小的光束斑。

即使实现了微小光束斑尺寸，也难以实现大于每平方英寸1兆兆位的记录密度。如果该近场光在热辅助磁记录/再现装置中应用作为加热磁记录介质的热源，则由于记录密度由磁头确定而可以实现前述记录密度。在此情况下，写入时使用的磁头的磁芯尺寸为数个纳米。因此，光发射设备应该是纳米尺寸的。

在热辅助记录方法中，磁记录介质的温度首先通过光发射设备发射的光束升高。然后数据被线圈所产生的磁场写入。于是，写入数据需要相对较小的磁场强度。

根据本实施例的近场光发射设备100a被应用于热辅助磁记录/再现装置。但是，根据本实施例的近场光发射设备100a产生微小光束斑，其还可以用作用于相变式光盘装置或磁光盘设备的光发射设备。近场光发射设备100a还可以用作光路设备，因为靠近底表面形成微小光束斑。

在从滑块端开始先形成光发射设备再形成磁头的结构中，如果光发射设备的出口与磁头的写入芯形状不同或者如果光发射设备大于磁头，则应该首先形成磁头并且光发射设备应该形成在磁头顶部。如果形成磁头的板被看做滑块，则用于产生进行记录的光束的设置顺序好像被反转了。在此情况下可以通过将光发射设备粘结到滑块来进行记录。

图3是在最大20(V/m)²的线性刻度上表示的YZ表面的示意图，其图示图2所示近场光发射设备100a电场强度(V/m)²的模拟结果。如图3所示，沿着Z轴传播的波长λ＝400nm的电磁波传播通过由SiO₂构成的光学波导120a的核心122a，被多层偏转单元132a在堆叠方向上偏转，并在从表面传播单元131a的出口的中心部分开始的真空中分布为光强。

图4是在最大100(V/m)²的线性刻度上的XZ表面上表示的表面传播单元131a的SiO₂层的示意图。沿着Z轴传播的波长λ＝400nm的电磁波在SiO₂层的出口附近集中，得到磁场强度并在从出口的中心部分开始的真空中分布为光强。不同的刻度用于YZ表面和XZ表面，以示出电磁波在YZ表面的偏转单元132a和核心122a中的传播。

在这样一种结构中，传播通过光学波导120a的电磁波由于被偏转单元132a吸收或反射而导致的损耗可以忽略。另外，电磁波以合适角度入射在表面传播单元131a上，产生表面传播波，由此允许从出口极其高效地发射近场光。

另外，即使传播率可能变化，但是可以通过根据要求改变表面传播单元131a的出口在堆叠方向上的厚度和宽度来改变斑轮廓。例如，在结构的其他部分保持相同的情况下，如果仅仅使表面传播单元131a的SiO₂层变薄，则可以减小斑轮廓，即使传播率也将下降。类似地，如果出口的宽度变窄，则可以减小斑尺寸，即使传播率随着层厚的减小而急剧减小。

下面解释光发射设备的制造工艺示例。首先制造磁头。将近场光发射设备在磁头上方调水平并通过光刻曝光工艺沉积表面传播单元131a和偏转单元132a，并通过铁镀方法沉积刻蚀掩模材料。

通过电子束(EB)使光刻胶留在近场光发射设备的多边图案上。首先刻蚀刻蚀掩模材料133a。例如，如果Al用作刻蚀掩模材料133a，则使用氯气用于刻蚀。接着，使用卤素一次刻蚀偏转单元132a和表面传播单元131a。于是完成了发射器130a的固体结构。

接着通过沉积和脱模方法形成光学波导120a的覆层121a，并通过沉积和脱模方法类似地形成核心122a。光学波导120a的核心122a被光刻胶覆盖。多边柱形部分的露出侧壁以及覆层121a和核心122a的图案上的多余部分用铝覆盖来形成倾斜侧壁134a。覆层123a形成为覆盖核心122a。按此顺序，可以防止光从覆层121a和核心122a的图案上的多余部分泄漏。最后，使用切割机将衬底切成片，并通过聚焦离子束(FIB)或离子铣削开出出口。

在本实施例中，在偏转单元132a中用作低折射率材料的SiO₂层的厚度是30nm。可以增大该厚度以获得更厚的轮廓。

另外，在本实施例中，首先形成头部(例如磁头)，之后形成近场光发射设备100a。

于是，根据第一实施例，通过偏转单元132a使电磁波向着基座110a明显偏转。靠着基座110a布置的表面传播单元131a接收电磁波并将其作为近场光通过出口发射。结果，使基座110a和所发射近场光的强度中心之间的距离最小。通过在与基座110a相对一侧上形成磁头，磁头和从出口发射的近场光的强度中心之间的距离被缩短。

另外，根据第一实施例，向着基座110a偏转电磁波的偏转单元132a相对较厚。因此使得电磁波以允许高效产生表面传播波的角度入射在表面传播单元131a上。

图5是根据本发明实施例的近场光发射设备100b的立体图。图5所示的偏转单元132b不同于图2所示偏转单元132a。偏转单元132b在沉积方向而非垂直于沉积方向的方向上集中电磁波。具体而言，出口面不具有等腰边的形状。所以，没有对应于倾斜侧壁134a的结构。

表面传播单元131b具有类似于表面传播单元131a的结构。就是说，表面传播单元131b形成等腰梯形，相对的等腰边逐渐变细而形成窄端，并且窄端的底部形成出口。接合到等腰边的表面被例如Al的反射材料135b覆盖。反射材料135b向内高效反射电磁波。

于是，根据本实施例的近场光发射设备100b具有从表面传播单元131b的出口产生近场光的效率降低的不利之处，因为偏转单元132b并不在垂直于沉积方向的方向上集中电磁波。但是，因为仅仅表面传播单元131b具有等腰梯形的形状，所以根据本发明的近场光发射设备的优点在于，由于在刻蚀过程中可以减少设备图案的光刻胶和纵横比，而可以对等腰梯形的窄边进行更精确的图案化和刻蚀。

偏转单元132b是长方体。但是，偏转单元132b也可以通过光刻形成工艺倒圆角，只要其能够在沉积方向上偏转光束。

另外，表面传播单元131b的出射表面和偏转单元132b的出射表面不一定要对准。由于即使偏转单元132b的出射表面向着波导端退入表面传播单元131b的等腰梯形中，也可以从表面传播单元131b的出射表面获得近场光，所以两个出射表面的对准精度可以放宽。但是，近场光的产生效率与两个出射表面不对准的程度成比例地降低。

图6是根据本发明实施例的近场光发射设备100c的立体图。代替多层结构，近场光发射设备100c具有向着出口倾斜的单层偏转单元132c，该偏转单元132c在倾斜面上具有反射表面136c。即使偏转单元132b形状与偏转单元132c相同，也可以获得与图5所示结构相同的结果。于是，偏转单元与表面传播单元可以具有不同的形状。图5和图6未示出在覆层和偏转单元上的刻蚀材料。

于是，在第二实施例中，偏转单元和表面传播单元的对准精度可以放宽，因为电磁波未在垂直于偏转单元沉积方向的方向上集中。另外，由于仅仅表面传播单元的形状像等腰多边形，所以在等腰多边形的窄底边上形成出口的加工精度可以提高。

图7是根据本发明实施例的近场光发射设备100d的立体图。类似于图1所示偏转单元132a，图7所示的偏转单元132d在沉积方向上集中光束。此外，偏转单元132d还在垂直于沉积方向的方向上集中光束。

近场光发射设备100d具有平面层的表面传播单元131d，与表面传播单元131a不同。因为在光传播结构131d中光束并不主动集中在垂直于沉积方向的方向上，所以形成比等腰梯形的偏转单元132d的窄端的底边直径更宽的光束斑。

但是，在根据本发明的近场光发射设备100d中，可以使用难以刻蚀的材料用于表面传播单元131d。在图1所示的表面传播单元131a中，透明传导层由SiO₂构成，且Si被用作不透明材料。在表面传播单元131d中，可以使用低折射率材料MgF₂来代替SiO₂，并且Al可以用作不透明材料。

于是，使用低折射率的材料作为透明传导层导致介电偏差(dielectricvariance)并提高表面传播波的产生效率。但是，通过用于刻蚀设备主要部分中存在的氧化物的卤素气体并不容易刻蚀类似MgF₂和Al的材料。即使对MgF₂和Al进行刻蚀，它们也在工艺过程中导致对其他材料的侧刻蚀。

于是，在第三实施例中，表面传播单元并不在垂直于沉积方向的方向上集中电磁波。结果，可以使用难以刻蚀的材料用于表面传播单元。

根据上述实施例，可以使磁头和近场光强度中心之间的距离最小。

根据上述实施例，可以使得电磁波以高效产生表面传播波的角度入射。

根据上述实施例，可以在从其输出近场光的出口附近集中电磁波，由此改善近场光的产生。

根据上述实施例，可以提供一种实现高记录密度的数据记录/再现装置。

虽然为完整清楚的公开而针对具体实施例描述了本发明，但是所附权利要求并不由此受限，而应理解为包括本领域技术人员可以想到的清楚地落入此处所阐述的基本教导内的所有修改和替代构造。

Claims (11)

1.一种光发射设备，包括：

波导单元，其布置在所述光发射设备的基座上并构造成传播电磁波；

发射单元，其布置在所述基座上并构造成从被传播的电磁波来发射近场光；和

出口，所述近场光从所述出口输出，其中

所述发射单元包括：

偏转单元，其构造成向着所述基座偏转所述被传播的电磁波；和

传播单元，其布置在所述偏转单元和所述基座之间，并构造成从被偏转的电磁波产生表面传播波，而从所述出口输出所述近场光，并且

所述出口布置在所述传播单元的与所述波导单元相反一侧上的一端处。

2.如权利要求1所述的光发射设备，还包括布置在所述波导单元的核心和所述基座之间的覆层，其中

所述偏转单元的厚度不小于通过从多层结构的方向上所述核心的厚度和所述覆层的厚度之和减去所述方向上所述传播单元的厚度而得到的值。

3.如权利要求1所述的光发射设备，其中所述偏转单元由具有不同折射率的至少两种材料形成分层结构。

4.如权利要求1所述的光发射设备，其中所述偏转单元构造成用反射表面偏转所述电磁波。

5.如权利要求1所述的光发射设备，其中所述偏转单元构造成使得所述电磁波以允许最高效产生表面传播波的角度进入所述传播单元。

6.如权利要求1所述的光发射设备，其中，所述传播单元构造成具有这样的结构，即第一材料被夹在第二材料之间或被所述第二材料包围，所述第一材料是透明的且相对于所述电磁波在复折射率n-j·k中具有小的k值，其中n是所述折射率的实部，k是虚部，且j是j²＝-1的虚数，所述第二材料比所述第一材料更大的介电常数n²-k²的绝对值。

7.如权利要求1所述的光发射设备，其中所述偏转单元构造成具有向着所述出口变窄的锥形结构。

8.如权利要求7所述的光发射设备，其中所述偏转单元包括构造成在所述锥形结构的边上向内反射所述电磁波的反射结构。

9.如权利要求1所述的光发射设备，其中所述传播单元构造成具有向着所述出口变窄的锥形结构。

10.如权利要求9所述的光发射设备，其中所述传播单元包括构造成在所述锥形结构的边上向内反射所述电磁波的反射结构。

11.一种数据记录/再现装置，其包括光发射设备，其中

所述光发射设备包括：

波导单元，其布置在所述光发射设备的基座上并构造成传播电磁波；

发射单元，其布置在所述基座上并构造成从被传播的电磁波来发射近场光；和

出口，所述近场光从所述出口输出，其中

所述发射单元包括：

偏转单元，其构造成向着所述基座偏转所述被传播的电磁波；和

传播单元，其布置在所述偏转单元和所述基座之间，并构造成从被偏转的电磁波产生表面传播波，而从所述出口输出所述近场光，并且

所述出口布置在所述传播单元的与所述波导单元相反一侧上的一端处。

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