CN1862783A - 一种晶体管的制备方法及依该方法获得的组合改良结构 - Google Patents

Abstract

晶体管的制备方法及依该方法获得的组合改良结构。其是于一金属钣的至少一侧边缘设有经冲压成型的较宽接合面，且使复数晶片分别以一极焊设于该金属钣的接合面上，复数导电接脚以一端部经冲压成型为一弯折扁平的衔接部，且使部分导电接脚可以该衔接部焊接该晶片向外裸露的另一极，并以其它部分的导电接脚以衔接部焊接于该金属钣的接合面，使该金属钣与各导电接脚间形成一易于组装的组合结构。组装时，将装有晶片的金属钣直立排列，然后将所述的一部分导电接脚以其衔接部焊接在晶片向外裸露的那一极上，并将所述的其它部分导电接脚以衔接部焊接于所述金属钣的接合面；所有导电接脚均向上延伸。节省了作业空间，亦有利于测试作业的进行。

Description

一种晶体管的制备方法及依该方法获得的组合改良结构

技术领域

本发明涉及有关于晶体管的制备方法及结构，特别是指一种可降低废料、提高组装效率以及增加生产优良品率的晶体管的制备方法及依该方法获得的组合改良结构。

背景技术

目前晶体管的组合结构，有如图1、图1A和图1B所示，其晶体管4是由一具有适当厚度的金属板41及三呈长条片状的侧道电接脚42所组成，其中该金属板41于成型时即于一侧边缘向外延伸一中间导电接脚411(与侧导电接脚42具有相近似的宽度及厚度)，且于同边缘的一旁侧另设有二衔接凸部412，而侧导电接脚42一端设有U型弯折的弯折部421，且于该弯折部421另一端衔接一与侧导电接脚42平行延伸的细导线422，而该细导线422旁侧结合一衔接部423；组装时，将二晶片3以一极分别焊接于该金属板41的衔接凸部412上，并使二侧导电接脚42分别以衔接部423焊接于晶片3的另一极，籍以形成一金属板41的中间导电接脚411与二侧导电接脚42平行延伸的晶体管基本结构。

然而，此种形态的结构，其由于该侧导电接脚42是焊接于金属板41的边缘旁侧，因此，于焊接加工时，该金属板41必须横置且以焊接部位向上，同时，该侧导电接脚42亦需横置，以便于该衔接部423与晶片3焊接，此种加工放置方式不但耗费大量空间，且不易施工，致使生产效率不佳，且其原料的板材4′是以如图1D图的方式排列而冲压成型，并使其于冲压成型后再分离成如图1C的金属钣41及未成型的侧导电接脚42′等元件，因此，其整体的冲压成型加工过程中，会产生高达45％的废料，极不符合经济效益。

另有如图2、图2A所示的晶体管组合结构，其晶体管5是由一具适当厚度的金属钣51及三呈长条片状的导电接脚52所组成，其中该金属钣51于一边缘的至少一旁侧设有二衔接凸部511，而于三导电接脚52的一端设有衔接部521；组装时，将二晶片3以一极分别焊接于该金属板51的衔接凸部511上，并使三导电接脚52分别以衔接部521焊接于晶片的另一极，另以一导电接脚52直接以一端部焊接于金属板51的该边缘旁侧，籍以形成一金属钣51与三道电接脚52结合的晶体管基本结构；然而，上述此种形态的结构，其由于该电接脚52是焊接于金属板51的边缘旁侧，因此，仍然具有与上述相同的浪费空间、不易施工且生产效率不佳等各项缺点，且其原料的钣材5′是以如图2F、图2G的方式排列而冲压成型，并使其于冲压成型后，如图2D和图2E；再分离成如图2B、图2C的金属钣51、导电接脚52等元件，因此，其整体的冲压成型加工过程中，会发生25％的废料，仍然不符合经济效益。

发明内容

本发明所要解决的技术问题主要在于提供一种晶体管的制备方法，该制备方法是将金属板及各导电接脚采用分离冲压，且利用密集排列的方式，可有效减少废料产生，进而降低生产成本。其组装时可将金属钣直立排列，再使各导电接脚焊接于该金属板旁侧边缘，因此其不但焊接作业较简易便利、组装优质品率高，且可有效节省组装作业所需的空间，于单位面积可同时加工较多数量的金属板元件，以提高组装效率。

本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种晶体管的组合改良结构。

作为本发明第一方面的一种晶体管的制备方法，包括如下步骤：

1、金属钣成型

先以密集排列的方式在金属板条上冲切所需要的金属钣，然后在至少在一侧边缘冲压成型一较宽的接合面；

2、以下列两种方法成型导电接脚

2.1先以密集排列的方式在金属条带上冲切所需要的长条片状的导电接脚坯料，然后将导电接脚坯料一端部冲压成型一弯者扁平的衔接部；

2.2先以一长条柱状体金属线材上逐一裁断成长条柱状的导电接脚坯料，然后将导电接脚坯料一端部冲压成型一弯者扁平的衔接部；

3、晶片焊接

将晶片的一极焊接在所述金属钣的接合面上，并使该晶片的另一极裸露在外；

4、组装

将装有晶片的金属钣直立排列，然后将所述的一部分导电接脚以其衔接部焊接在晶片向外裸露的那一极上，并将所述的其它部分导电接脚以衔接部焊接于所述金属钣的接合面；所有导电接脚均向上延伸。

作为本发明第二方面的一种晶体管的组合改良结构，其所采用的技术手段是；

一种晶体管的组合改良结构，包括：

一金属钣，至少一侧边缘经冲压成型为一较宽的接合面；

复数晶片，分别以一极焊设于该金属钣的接合面上；

复数导电接脚，一端部经冲压成型为一弯折扁平的衔接部，且使部分导电接脚可以该衔接部焊接该晶片向外裸露的另一极，并以其它部分的导电接脚以衔接部焊接于该金属钣的接合面。

本发明由于组装时，金属钣是直立排列，且各导电接脚是焊接于该金属钣旁侧边缘，因此整体焊接作业较为简便，可接生组装作业所需的空间，以利于提升组装速度及效率；再者，由于各导电接脚是焊接于金属板边缘并向上延伸，其亦有利于测试作业的进行。由上所述可知，本发明的晶体管的组合改良结构确实具有降低废料，提升组装效率及增加生产优良品率的功效。

附图说明

以下结合附图和具体实施方式来进一步说明本发明。

图1是现有晶体管的结构示意图。

图1A是图1的左视图。

图1B是图1的A-A剖示示意图。

图1C是图1的组合元件冲压分离后的半成品图。

图1D是图1的组合元件冲压时的状态示意图。

图2是另一现有晶体管的结构示意图。

图2A是图2左视图。

图2B是图2的组合元件冲压分离后的金属钣的半成品图。

图2C是图2的组合元件冲压分离后的导电接脚的半成品图。

图2D是图2的组合元件的金属钣冲压成型时排列示意图。

图2E是图2的组合元件的导电接脚冲压成型时排列示意图。

图2F是图2的组合元件的金属钣冲压时的排列示意图。

图2G是图2的组合元件的导电接脚冲压时的排列示意图。

图3是本发明第一实施例的构造分解图。

图3A是本发明第一实施例的组合示意图。

图3B是本发明第一实施例的柱状导电接脚成型示意图。

图3C是本发明第一实施例的金属钣冲压成型排列示意图。

图3D是本发明第一实施例的组合作业时的示意图。

图4是本发明第二实施例的构造分解图。

图4A是本发明第二实施例的组合示意图。

图4B是本发明第二实施例的片状导电接脚冲压成型的半成品示意图。

图4C是本发明第二实施例的片状导电接脚冲压时的排列示意图。

图4D是本发明第二实施例的金属钣冲压成型排列示意图。

图4E是本发明第二实施例的组合作业时的示意图。

图5是本发明第三实施例的组合示意图。

图中：1、10、10′、41、51为金属钣，11、101、101′412、511为衔接凸部，2为片状导电接脚，20为长条片柱状导电接脚，20′为长条柱状导电接脚，21、201、201′、423、521为衔接部，3为晶片，4、5、6为晶体管，411为中间导电接脚，42为侧导电接脚，421为弯折部，422为细导线，42′为未成型的侧导电接脚，4′、51′、52′为钣材，52为导电接脚。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例和附图，进一步阐述本发明。

如图1至图1D及图2至图2G各图所示，其为各种现有晶体管的结构示意图及其元件冲压成型的排列示意图，其主要构成以及其缺点，已如前所述，此处不在重复叙述。

图3是本发明第一实施例的构造分解图，由其参照图3A的组合示意图及图3B、图3C的各元件冲压成型排列示意图，可以很明显地看出，本发明主要包括：金属钣1、导电接脚2及晶片3等部分，其中该金属钣1至少一侧边缘经冲压成型为单侧垂直弯折且较宽的接合面上设有二衔接凸部11，且使二晶片3分别以一极焊设于二衔接凸部11上，导电接脚2是呈长条片柱状，其一端部经冲压成型为一弯折扁平的衔接部21；组装时，可以二导电接脚2以衔接部21焊接于晶片3向外裸露的另一极，另以一导电接脚2的衔接部21直接焊合于该金属钣1二衔接凸部11间的接合面上，又上述金属钣1成型时是以如图3C所示的冲压且密集的排列方式，导电接脚2则是以如图3B一长条柱状体逐一裁断再经冲压而成，因此，于整体的冲压成型加工过程中，仅有2％的废料，具有很高的经济效益。

如图3D所示。组装时该金属板1是直立排列，且各导电接脚2是焊接于该金属伴1旁侧边缘，因此整体焊接作业较为简便，可节省组装作业所需的空间，以利于提升组装速度及效率；再者，由于各导电接脚2是焊接于金属板1边缘并向上延伸，其亦有利于测试作业的进行。

图4是本发明第二实施例的构造分解图，由其参照图4A的组合示意图及图4D的金属钣冲压成型排列示意图，可以很明显地看出，本发明主要包括金属钣10、导电接脚20及晶片3等部分，其中该金属钣10至少一侧边缘经冲压成型为呈向二侧扩张弯折的接合面，于该接合面上设有二衔接凸面101，使二晶片3分别一极焊设于该二衔接凸部101上，导电接脚20是呈长条片状，其一端部经冲压成型为一扁平扩张的衔接部201；组装时，二导电接脚20以衔接部201焊接于该晶片3向外裸露的另一极，另以一导电接脚20的衔接部201直接焊合于该金属钣10二衔接凸部101间的接合面上，又如图4D和图4C所示，上述金属钣10和导电接脚20是以密集的排列方式分开成型的，导电接脚20成型后的半成品的结构如图4B所示，因此，于整体的冲压成型加工过程中，仅有2％的废料，为一具有较高的经济效益的加工方式及结构。

本发明第二实施例结构中，其由于组装时该金属板10是直立排列，且各导电接脚20是焊接于该金属钣10旁侧边缘，因此整体焊接作业较为简便，可节省组装作业所需的空间，以利于提升组装速度及效率；再者，由于各导电接脚20是焊接于金属板10边缘并向上延伸，其亦有利于测试作业的进行。

图5为本发明第二实施例组合示意图，可以很明显地看出，本发明主要包括金属钣10′、导电接脚20′及晶片3等部分，其中该金属钣10′至少一侧边缘经冲压成型为呈向二侧扩张弯折的接合面，于该接合面上设有二衔接凸面101′，使二晶片3分别一极焊设于该二衔接凸部101′上，导电接脚20′是呈长条柱状，其一端部经冲压成型为一扁平扩张的衔接部201′；组装时，二导电接脚20′以衔接部201′焊接于该晶片3向外裸露的另一极，另以一导电接脚20′的衔接部201′直接焊合于该金属钣10′二衔接凸部101′间的接合面上。金属钣10′的冲压方法同第二实施例，导电接脚20′同第一实施例。因此，于整体的冲压成型加工过程中，仅有2％的废料，为一具有较高的经济效益的加工方式及结构。

本发明第三实施例结构中，其由于组装时该金属板10′是直立排列，且各导电接脚20′是焊接于该金属钣10′旁侧边缘，因此整体焊接作业较为简便，可节省组装作业所需的空间，以利于提升组装速度及效率；再者，由于各导电接脚20′是焊接于金属板10′边缘并向上延伸，其亦有利于测试作业的进行。

由上所述可知，本发明的晶体管的组合改良结构确实具有降低废料，提升组装效率及增加生产优良品率的功效，已符合专利的新颖性及创造性要件。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (8)

1、一种晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1]、金属钣成型

先以密集排列的方式在金属板条上冲切所需要的金属钣，然后在至少在一侧边缘冲压成型一较宽的接合面；

2]、以下列两种方法成型导电接脚

2.1]先以密集排列的方式在金属条带上冲切所需要的长条片状的导电接脚坯料，然后将导电接脚坯料一端部冲压成型一弯者扁平的衔接部；

2.2]先以一长条柱状体金属线材上逐一裁断成长条柱状的导电接脚坯料，然后将导电接脚坯料一端部冲压成型一弯者扁平的衔接部；

3]、晶片焊接

将晶片的一极焊接在所述金属钣的接合面上，并使该晶片的另一极裸露在外；

4]、组装

将装有晶片的金属钣直立排列，然后将所述的一部分导电接脚以其衔接部焊接在晶片向外裸露的那一极上，并将所述的其它部分导电接脚以衔接部焊接于所述金属钣的接合面；所有导电接脚均向上延伸。

2、一种晶体管的组合改良结构，其特征在于，至少包括：

一金属板，至少一侧边缘经冲压成型为一较宽的接合面；

复数晶片，分别以一极焊设于该金属钣的接合面上；

复数导电接脚，一端部经冲压成型为一弯折扁平的衔接部，且使部分导电接脚可于该衔接部焊接该晶片向外裸露的另一极，并以其它部分的导电接脚以衔接部焊接于该金属钣的接合面。

3、如权利要求2所述的晶体管的组合改良结构，其特征在于，所述金属钣的接合面与复数晶片之间设有衔接凸部。

4、如权利要求2或3所述的晶体管的组合改良结构，其特征在于，所述导电接脚是呈长条片柱状。

5、如权利要求2或3所述的晶体管的组合改良结构，其特征在于，所述导电接脚是呈长条片状。

6、如权利要求2或3所述的晶体管的组合改良结构，其特征在于，所述导电接脚是呈长条柱状。

7、如权利要求2或3所述的晶体管的组合改良结构，其特征在于，所述金属钣的接合面是呈单侧垂直弯折。

8、如权利要求2或3所述的晶体管的组合改良结构，其特征在于，所述金属钣的接合面是呈向二侧扩张弯折。

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