CN1835132B - 共模轭流圈 - Google Patents

Abstract

本发明的共模轭流圈具备绝缘层、第一线圈导体和第二线圈导体。第一线圈导和第二线圈导体夹住绝缘层叠层、相互磁耦合。在设定对差分模式噪声的截止频率为(fc)(GHz)时，第一和第二线圈导体中的至少一个线圈导体的宽度(W)(mm)和长度(L)(mm)满足关系式：

Description

共模轭流圈

技术领域

本发明涉及在电子设备等中使用的共模轭流圈。

背景技术

作为现有的共模轭流圈，已知有例如在日本专利特开平8-203737号公报中记载的共模轭流圈。该文献中记载的共模轭流圈具备一对磁性体基板和夹在这些磁性体基板之间的叠层体。叠层体具有绝缘层和隔着该绝缘层叠层的两个线圈导体。通过将这样的共模轭流圈设置到电缆等接口(interface)，可以降低在数据传送时产生的噪声。

发明内容

然而，近年来，人们强烈要求数据传送的高速化。作为实现数据传送高速化的一个方法，可以举出使传送频率成为高频(例如800MHz)的方法。在采用该方法的情况下，需要即便传送频率是高频也可以正常工作的、即高频特性良好的共模轭流圈。

本发明的目的在于提供可以提高高频特性的共模轭流圈。

人们知道在要想使共模轭流圈以期望的传送频率工作的情况下，只要将共模轭流圈设计为使得对差分模式噪声的截止频率变成为传送频率的大约3～5倍的值即可。例如，要想在传送频率为800MHz时使共模轭流圈正常工作的情况下，就必须使截止频率变成为大约2.4～4GHz。即，要想提高共模轭流圈的高频特性，就必须使截止频率变成为更高的频率。

所以，本发明人等锐意进行了使截止频率变成为更高频率的探讨。其结果是新发现了在具备共模轭流圈的线圈导体的宽度和长度与截止频率之间存在相关关系，完成本发明。

本发明的共模轭流圈具备夹着绝缘层进行叠层并相互磁耦合的第一和第二线圈导体的共模轭流圈，在对差分模式噪声的截止频率为fc(GHz)时，第一和第二线圈导体中的至少一个线圈导体的宽度W(mm)和长度L(mm)满足关系式： $\sqrt{}(L/W)<(7.6651-\mathrm{fc})/0.1385.$

由于第一和第二线圈导体中的至少一个具有满足上述关系式的L和W，所以截止频率fc成为高频。由此，可以提高可使共模轭流圈正常工作的传送频率，共模轭流圈的高频特性成为良好。

优选第一和第二线圈导体呈具有多个直线部和连接该直线部之间的多个弯曲部的大致螺旋形状。在第一和第二线圈导体中满足上述关系式的线圈导体中，多个弯曲部中的至少一个弯曲部弯曲成具有规定的曲率。在该情况下，通过使弯曲部弯曲成具有规定的曲率，与使弯曲部成为连接直线与直线的形状相比，线圈导体的长度变短。其结果是，根据上述关系式，截止频率fc变成为更高的频率，共模轭流圈的高频特性变得更好。

优选第一和第二线圈导体呈由曲线构成的螺旋形状。在该情况下，与线圈导体是将直线折弯的形状而成的螺旋相比，第一和第二线圈导体的长度确实变短。所以，截止频率fc成为更高的频率，共模轭流圈的高频特性更好。

优选第一和第二线圈导体形成为螺旋状，具有形成各个线圈导体的导体图案的宽度和匝步距(巻きピツチ)全部相等的螺旋部，各线圈导体部彼此夹着绝缘层并重合，螺旋部由对螺旋部的内侧区域内的规定位置每90度区分的四个线圈区域构成，四个线圈区域中的三个形成为导体图案以规定位置为中心的圆弧，四个线圈区域中剩下的一个由：形成为导体图案以离开规定位置仅为导体图案的匝步距的量的位置为中心的圆弧的圆弧区域；和位于三个线圈区域中的任一个与圆弧区域之间，仅所述导体图案的匝步距的量的导体图案形成为直线的直线区域构成。

作为用来提高截止频率的一个方法，可以考虑缩短形成第一和第二线圈导体的各个导体图案的线长度的方法。要想缩短导体图案的线长，将第一和第二线圈导体的螺旋部的导体图案作成圆形形状是理想的。但是，由于螺旋部是螺旋状地连续地形成的，所以要将螺旋部的所有的部分都作成圆形形状是不可能的。

所以，在第一和第二线圈导体的螺旋部中，要使导体图案的宽度和匝步距整体都相等。将螺旋部对于螺旋部的内侧区域的规定位置每90度区分成四个线圈区域，将其中的三个线圈区域形成为导体图案是以螺旋部的内侧区域内的规定位置为中心的圆弧。将剩下的一个区域作成为导体图案以离开螺旋部的内侧区域内的规定位置仅为导体图案的匝步距的量的位置为中心的圆弧的圆弧区域；和位于三个线圈区域中的任一个与圆弧区域之间，仅所述导体图案的匝步距的量的导体图案形成为直线的直线区域。此时，在螺旋部中，如上所述，导体图案的宽度和匝步距整体都变为相等。由此，通过将直线区域的导体图案的直线部分的长度作成导体图案的匝步距的量的长度，作为螺旋部的导体图案整体形成为可以确实地连续。

因此，将螺旋部的形状作成大致圆形形状(由于导体图案的一部分已变成为直线，所以并不是完全的圆形形状)的上述构成，是螺旋部的导体图案的线长度最有效地变短的图案。通过这样的构成，由于可以确实地缩短形成第一和第二线圈导体的导体图案的线长，所以共模轭流圈的截止频率增高。其结果是共模轭流圈的高频特性进一步良好。

优选第一和第二线圈导体还具有连接到螺旋部，朝向绝缘层的边缘部分延伸的引出部，螺旋部与引出部之间的连接部分设置在三个线圈区域中的任何一个上，剩下的一个线圈区域与具有螺旋部和引出部之间的连接部分的线圈区域邻接。通过在第一和第二线圈导体上设置引出部，可以容易地进行第一和第二线圈导体与外部电极之间的电连接。

优选在绝缘层中与螺旋部的内侧区域对应的部位上设置有形成孔穴并将磁性材料埋入而成的磁路形成用的内侧绝缘除去部。通过在绝缘层设置磁路形成用的内侧绝缘除去部，在绝缘层中与螺旋部的内侧区域对应的部位上形成磁路。由此，由于共模轭流圈的电阻增高，所以可以抑制噪声的发生。

优选在绝缘层中与螺旋部的内侧区域对应的部位设置有形成孔穴或切口并将磁性材料埋入而成的磁路形成用的外侧绝缘除去部，外侧绝缘除去部设置在与绝缘层中包围螺旋部的大致正方形的假想线的角部对应的部位。通过在绝缘层上设置磁路形成用的外侧绝缘除去部，由于可在与绝缘层的与螺旋部的外侧区域对应的部位形成磁路，所以可以提高共模轭流圈的电阻。在该情况下，通过在绝缘层中与包围螺旋部的大致正方形的假想线的角部对应的部位设置外侧绝缘层除去部，所以即便减小螺旋部的尺寸，也可以在绝缘层的与螺旋部的外侧区域对应的部位上确保磁路。为此，在绝缘层中与螺旋部的内侧区域对应的部位上设置上述那样的磁路形成用的内侧绝缘除去部的情况下，不会给该内侧绝缘除去部的尺寸造成影响。在该情况下，由于可以形成空间效率好的闭合磁路构造，所以可以进一步提高共模轭流圈的电阻特性，可以进一步抑制噪声的发生。

优选第一和第二线圈导体具有形成为大致圆形的螺旋状的螺旋部，各个线圈导体的螺旋部之间夹着绝缘层重叠，在绝缘层中与螺旋部的内侧区域对应的部位上，设置有形成孔穴并埋入磁性材料而成的第一磁路形成用绝缘除去部，在绝缘层中与螺旋部的外侧区域对应的部位上，设置有形成孔穴或切口并埋入磁性材料而成的第二磁路形成用绝缘除去部，第二磁路形成用绝缘除去部设置在绝缘层中与包围螺旋部的大致正方形的假想线的角部对应的部位上。通过将第一和第二线圈导体的螺旋部的形状作成大致圆形形状，在绝缘层中与包围螺旋部的大致正方形的假想线的角部对应的部位上设置第二磁路形成用绝缘除去部，即便减小螺旋部的尺寸，也可以在与绝缘层的螺旋部的外侧区域对应的部位上形成合适的磁路。在该情况下，由于可以在螺旋部的内侧区域上确保宽的空间，所以可以使第一磁路形成用绝缘除去部的区域形成得小。由此，由于可以充分发挥因第一磁路形成用绝缘除去部和第二磁路形成用绝缘除去部而形成的闭合磁路构造的效果，所以可以确实地增加共模轭流圈的电阻。

优选绝缘层叠层为夹着各线圈导体并跨越多层，第一磁路形成用绝缘除去部和第二磁路形成用绝缘除去部设置在除层构造体的最下层的绝缘层之外的各绝缘层。在共模轭流圈中层构造体的最下层的绝缘层上，大多不形成用于电连接不同的导体层的接触孔。为此，通过作成在最下层的绝缘层上不设置第一磁路形成用绝缘除去部和第二磁路形成用绝缘除去部的构成，由于没有必要对其绝缘层全部都实施孔开口加工，所以可以实现工时的削减。

优选绝缘层叠层为夹着各线圈导体并跨越多层，第一磁路形成用绝缘除去部和第二磁路形成用绝缘除去部设置在层构造体的所有绝缘层。在该情况下，由于可以在绝缘层增加磁路的区域，所以可以最大限度地发挥由第一磁路形成用绝缘除去部和第二磁路形成用绝缘除去部形成的闭合磁路构造的效果，可以进一步提高共模轭流圈的电阻。

优选第二磁路形成用绝缘除去部分别设置在绝缘层中与大致正方形形状的假想线的四个角部对应的部位上。在该情况下，由于在绝缘层的磁路的区域增加，所以可以进一步提高共模轭流圈的电阻。

优选第一磁路形成用绝缘除去部呈截面圆形形状。由于螺旋部的内周形状是大致圆形形状，所以通过使第一磁路形成用绝缘除去部的形状为截面圆形形状，第一磁路形成用绝缘除去部可以最有效地利用螺旋部的内侧区域的宽的空间。由此，可以实现共模轭流圈的电阻的进一步的增加。

优选第二磁路形成用绝缘除去部呈截面三角形或其一部分具有沿着螺旋部的外周形状的曲线的截面形状。在该情况下，由于第二磁路形成用绝缘除去部可以有效地利用螺旋部的外侧区域的空着的空间，所以可以实现共模轭流圈的电阻的进一步的增加。

若采用本发明，可以提高共模轭流圈的高频特性。由此，例如在进行高速数据传送时，可以实现高的传送特性。

从以下的详细的说明本发明的附图可更全面地了解本发明，但是，这些说明和附图仅为说明本发明，不应当理解为是对本发明的限定。

从以下给出的详述可以了解本发明的更多的可以应用的领域。但是，本发明的优选实施方式的详细说明和特例应当理解为仅仅是为了进行说明，因为对专业技术人员来说在本发明的宗旨和范围内可以有各种更改和变形。

附图说明

图1表示第一实施方式的共模轭流圈的斜视图。

图2是表示图1所示的元件的分解斜视图。

图3是说明第一和第二线圈导体的构成的立体图。

图4是表示具备已评价的共模轭流圈的元件的分解斜视图。

图5是说明具有图4所示的元件的第一线圈导体的构成的立体图。

图6是表示使第一线圈导体的导体宽度和整个长度变化时的衰减特性的曲线图。

图7是表示第一线圈导体的导体宽度和整个长度与截止频率之间的关系的曲线图。

图8是表示第二实施方式的共模轭流圈的分解斜视图。

图9是说明第一和第二线圈导体的构成的立体图。

图10是说明第一线圈导体的构成的立体图。

图11是表示第三实施方式的共模轭流圈的斜视图。

图12是表示图11所示的元件的分解斜视图。

图13是表示图12所示的最下层的绝缘层和形成于该绝缘层上的导体层的立体图。

图14是表示图12所示的从下面开始数第二层的绝缘层和形成于该绝缘层上的导体层的立体图。

图15是表示图12所示的从下面开始数第三层的绝缘层和形成于该绝缘层上的导体层的立体图。

图16是表示图12所示的从下面开始数第四层的绝缘层和形成于该绝缘层上的导体层的立体图。

图17是表示图12所示的从下面开始数第五层的绝缘层的立体图。

图18是表示制作图12所示的元件的工序的截面图。

图19是表示比较例中现有的共模轭流圈中绝缘层和形成于该绝缘层上的导体层的立体图。

图20是表示对于共模轭流圈的各种样品，通过仿真得到的共模阻抗与截止频率之间的关系的图表。

图21是表示图12所示的元件的变形例的分解斜视图。

图22是表示图21所示的最下层的绝缘层与形成于该绝缘层上的导体层的立体图。

图23表示图12所示的元件的另一变形例的分解斜视图。

具体实施方式

以下，参照附图，详细地对本发明的优选的实施方式进行说明。其中，在说明中，对于同一要素或具有同一功能的要素赋予同一符号，省略重复的说明。

(第一实施方式)

参照图1～图3，对第一实施方式的共模轭流圈CC1进行说明。图1是表示第一实施方式的共模轭流圈的斜视图。图2是表示图1所示的元件的分解斜视图。图3是说明第一和第二线圈导体的构成的立体图。图3(a)表示第一线圈导体的构成，图3(b)表示第二线圈导体的构成。

如图1所示，共模轭流圈CC1是薄膜型的共模轭流圈，呈长方体的形状。共模轭流圈CC1具备端子电极1和元件2。端子电极1设置在元件2的侧面。元件2作为一对磁性体具有第一磁性基板MB1和第二磁性基板MB2，同时还具有层构造体LS。以下，对元件2的构成进行说明。

第一磁性基板MB1和第二磁性基板MB2是由烧结铁酸盐、复合铁酸盐(含有粉状的铁酸盐的树脂)等磁性材料构成的基板。

如图2所示，层构造体LS包括第一绝缘层3、第一引出部5、第二绝缘层7、第一线圈导体9、第三绝缘层11、第二线圈导体13、第四绝缘层15、第二引出部17、第五绝缘层19和粘接层21。

第一绝缘层3由电绝缘性和磁绝缘性优良而且加工性好的树脂材料(例如，聚酰亚胺树脂或环氧树脂等)构成。第一绝缘层3起着缓和第一磁性基板MB1的凹凸，提高与第一引出部5等导体之间的密接性的作用。在第一绝缘层3上设置有用来使第一引出部5的端部露出的切口。第一绝缘层3可如下地形成。首先，向第一磁性基板MB1上涂敷上述树脂材料。之后，使涂敷的树脂材料曝光、显影，在规定的位置形成有切口等的状态下使之硬化。作为树脂材料的涂敷，有旋转涂布(spin coated)法、浸泡法、喷涂法等。

在第一绝缘层3上形成有第一引出部5。第一引出部5的一端电连接于第一线圈导体9的螺旋的内侧的端部9a。第一引出部5的另一端露出。

第二绝缘层7与第一绝缘层3同样，由电绝缘性和磁绝缘性优良且加工性好的树脂材料(例如，聚酰亚胺树脂或环氧树脂等)构成。第二绝缘层7设置有用来使第一线圈导体9的端部露出的切口。第二绝缘层7通过与第一绝缘层3同样的方法形成在第一绝缘层3和第一引出部5上。

在第二绝缘层7上形成有第一线圈导体9。第一线圈导体9包括具有导电性的金属材料(例如，Cu等)。如在图3(a)中所示的那样，第一线圈导体9呈由直线部9c和弯曲部9d构成的螺旋的形状。弯曲部9d是连接直线部9c与直线部9c的部分。该弯曲部9d弯曲成规定的曲率，是曲线形状。第一线圈导体9的螺旋部的外侧的端部9b露出。

第一线圈导体9如下形成。在第二绝缘层7上形成导体薄膜，通过光刻法形成第一线圈导体9的图案。其中，也可以在形成基底导体膜之后再形成保护膜，通过光刻法在该保护膜上形成相当于第一线圈导体9的图案的模具，通过电镀使导电性金属材料在模具内生长，形成第一线圈导体9。除去模具使用的保护膜和露出的基底导体膜。

在第二绝缘层7上形成有用来使在第二绝缘层7上形成的第一线圈导体9与在第一绝缘层3上形成的第一引出部5接触并电连接的接触孔。

第三绝缘层11与第一和第二绝缘层3、7同样，由电绝缘性和磁绝缘性优良而且加工性好的树脂材料(例如，聚酰亚胺树脂或环氧树脂等)构成。在第三绝缘层11上设置有用来使第二线圈导体13的端部露出的切口。第三绝缘层11可通过与第一绝缘层3同样的方法形成在第二绝缘层7、第一线圈导体9上。

在第三绝缘层11上形成有第二线圈导体13。第二线圈导体13包括具有导电性的金属材料(例如，Cu等)。该第二线圈导体13具有与第一线圈导体9大致相同的电感值，全长比第一线圈导体9稍微长一点。如图3(b)所示，第二线圈导体13呈由直线部13c和弯曲部13d构成的螺旋的形状。弯曲部13d是连接直线部13c与直线部13c的部分。该弯曲部13d弯曲成规定的曲率，是曲线形状。第二线圈导体13的螺旋的外侧的端部13b露出。第二线圈导体13可通过与第一线圈导体9同样的方法形成。

在第三绝缘层11上形成有用来使在第三绝缘层11上形成的第二线圈导体13与在第四绝缘层15上形成的第二引出部17接触并电连接的接触孔。

第四绝缘层15与第一～第三绝缘层3、7、11同样，由电绝缘性和磁绝缘性优良而且加工性好的树脂材料(例如，聚酰亚胺树脂或环氧树脂等)构成。在第四绝缘层15上设置有用来使第二引出部17的端部露出的切口。第四绝缘层15可通过与第一绝缘层3同样的方法形成在第三绝缘层11、第二线圈导体13上。

在第四绝缘层15上形成有第二引出部17。第二引出部17的一端电连接于第二线圈导体13的螺旋部的内侧的端部13a。第二引出部17的另一端露出。

在第四绝缘层15上形成有用来使在第三绝缘层11上形成的第二线圈导体13与在第四绝缘层15上形成的第二引出部17接触并电连接的接触孔。

第四绝缘层15与第一～第四绝缘层3、7、11、15同样，由电绝缘性和磁绝缘性优良而且加工性好的树脂材料(例如，聚酰亚胺树脂或环氧树脂等)构成。第五绝缘层19可通过与第一绝缘层3同样的方法形成在第四绝缘层15和第二引出部17上。

粘接层21可通过粘接剂(例如，环氧树脂、聚酰亚胺树脂或聚酰胺树脂等)构成。粘接层21形成在第五绝缘层19上，使第二磁性基板MB2与第五绝缘层19接合。

在第一绝缘层3上，在与第一和第二线圈导体9、13的端部9b、13b和第二引出部17的端部对应的位置形成有切口，在该切口内设置有电连接到各端部的导体23。在第二绝缘层7上，在与第二线圈导体13的端部13b、第一和第二引出部5、17的端部对应的位置形成有切口，在该切口内设置有电连接到各个端部的导体25。在第三绝缘层11上，在与第一线圈导体9的端部9b、第一和第二引出部5、17的端部对应的位置形成有切口，在该切口内设置有电连接到各端部上的导体27。在第四绝缘层15上，在与第一和第二线圈导体9、13的端部9b、13b和第一引出部5的端部对应的位置形成有切口，在该切口内设置有电连接到各端部上的导体29。

第一和第二线圈导体9、13与第一和第二引出部5、17，各自与对应的端子电极1接触并电连接。端子电极1可通过在以掩膜溅射法成膜Cr/Cu膜或Ti/Cu膜之后，使用Ni/Sn实施电镀而形成。

在如上所述的构成的共模轭流圈CC1中，第一线圈导体9和第二线圈导体13隔着第三绝缘层11叠层。由此，结果就变成第一线圈导体9与第二线圈导体13彼此磁耦合。

在第一线圈导体9和第二线圈导体13中的全长短的线圈导体，即第一线圈导体9，其导体宽度(宽度)W1和全长(长度)L1满足下式(1)表示的关系。

$\sqrt{}(L1/W1)<(7.6651-\mathrm{fc})/0.1385\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\left(1\right)$

这里，第一线圈导体9的全长L1是从第一线圈导体9的螺旋的内侧的端部9a到螺旋的外侧的端部9b的导体长度。

在本实施方式中，使第一线圈导体9满足上述式(1)表示的关系，但第二线圈导体13的导体宽度W2和全长L2也可以满足以下式(2)表示的关系。

$\sqrt{}(L2/W2)<(7.6651-\mathrm{fc})/0.1385\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\left(2\right)$

式(2)在将式(1)的W1置换成第二线圈导体13的导体宽度W2的同时，将式(1)的L1置换成第二线圈导体13的全长L2。第二线圈导体13的全长L2是从第二线圈导体13的螺旋的内侧的端部13a到螺旋的外侧的端部13b的导体长度。

这里，对上述的式(1)的根据进行说明。如上所述的式(1)是根据对具有与共模轭流圈CC1同样的构成的共模轭流圈进行评价的结果得到的公式。图4是表示具备已进行评价的共模轭流圈的元件的分解斜视图。图5是说明具有图4所示的元件的第一线圈导体的构成的立体图。

如图4所示，具备已进行评价的共模轭流圈的元件2具有第一磁性基板MB1、第二磁性基板MB2、第一绝缘层3、第一引出部5、第二绝缘层7、第三绝缘层11、第四绝缘层15、第二引出部17、第五绝缘层19和粘接层21。已进行评价的共模轭流圈具有第一线圈导体30和第二线圈导体40。第一线圈导体30相当于具有共模轭流圈CC1的第一线圈导体9。第二线圈导体40相当于具有共模轭流圈CC1的第二线圈导体13。第二线圈导体40具有与第一线圈导体30大致相同的电感值，但全长比第一线圈导体30稍微长一点。

第一线圈导体30具有导体宽度W3和全长L3。这里，全长L3是从第一线圈导体30的螺旋的内侧的端部30a到螺旋的外侧的端部30b的导体长度。使导体宽度W3和全长L3变化，考察共模轭流圈对差分模式噪声的衰减特性。其结果示于图6。特性G1是将

的值设定为30.2时的图表，截止频率约为3.2GHz。特性G2是将

的值设定为23.2时的图表，截止频率约为4.9GHz。这样使的值进行各种变化，考察截止频率成为高频时的

的值。图7是表示其结果的图表。

如图7的直线G3所示，可知在截止频率fc是高频(约2～5GHz)时，第一线圈导体30的导体宽度W3和全长L3与截止频率fc满足以下式(3)表示的关系。

$\sqrt{}(L3/W3)<(7.6651-\mathrm{fc})/0.1385\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\left(3\right)$

已进行评价的共模轭流圈与共模轭流圈CC1具有相同的构成。因此，由式(3)可知，即便是在共模轭流圈CC1中，在第一线圈导体9的导体宽度W和全长L与截止频率fc满足上述式(1)表示的关系时，也可以得到高的截止频率fc。

在以高频使共模轭流圈工作的情况下，认为截止频率fc必须是传送频率的约3倍以上的值。但是，如果考虑产品的偏差等，则优选截止频率为传送频率的约5倍以上的值。例如，如果传送频率约为800MHz，则期望的截止频率就变成约4GHz以上。根据上述式(1)，可知为使截止频率fc成为4GHz以上，第一线圈导体9的导体宽度W和全长L只要满足

$\sqrt{}(L/W)<26.5\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\left(4\right)$

的关系即可。

其次，对以规定的曲率使第一线圈导体9的弯曲部9d弯曲的根据进行说明。这是根据对具备图4所示的元件2的共模轭流圈进行评价的结果得到的。如图7和式(3)所示，在具备图4所示的元件2的共模轭流圈中，

的值越小，截止频率的值越大。要想减小 的值，可以考虑加大W3而不改变L3或缩短L3而不改变W3这两种方法。

首先，研究加大W3而不改变L3的方法。当加大W3而不改变L3时，第三线圈导体30与此相应地变大。当第三线圈导体30变大后，形成第三线圈导体30的绝缘层也必须变大。其结果是产生要加大共模轭流圈的尺寸的必要。由于优选共模轭流圈的尺寸小，故加大W3而不改变L3的方法并非有效。

其次，研究缩短L3而不改变W3的方法。缩短L3的方法之一可以考虑减少共模阻抗的匝数。但若减少匝数，则共模阻抗减小。为此，减少W3而缩短L3的方法并非有效。

于是，如图5所示，以规定的曲率使第三线圈导体30的弯曲部31弯曲作成曲线形状，而不改变匝数。通过将弯曲部31作成曲线形状，与用直线和直线形成的情况相比，可以缩短弯曲部的长度。因此，可以缩短第三线圈导体30的全长L3，可以在共模轭流圈中得到高的截止频率fc。

已进行评价的共模轭流圈与共模轭流圈CC1具有相同的构成。因此，可知在共模轭流圈CC1中，通过以规定的曲率使第一线圈导体9的弯曲部9d弯曲，可以得到高的截止频率fc而无须加大共模轭流圈CC1的尺寸。

如上所述，在本实施方式中，通过缩短第一线圈导体9的全长L1满足上述式(1)表示的关系，截止频率变成高频。由于截止频率fc变成高频，所以可提高共模轭流圈CC1的可正常工作的传送频率。因此，可以得到高频特性良好的共模轭流圈CC1。

(第二实施方式)

接着，参照图8和图9对第二实施方式的共模轭流圈进行说明。图8是表示具备第二实施方式的共模轭流圈的分解斜视图。图9是说明第一和第二线圈导体的构成的立体图。图9(a)表示第一线圈导体的构成，图9(b)表示第二线圈导体的构成。

第二实施方式的共模轭流圈具备端子电极1和元件2。如图8所示，元件2具有第一磁性基板MB1、第二磁性基板MB2、第一绝缘层3、第一引出部5、第二绝缘层7、第三绝缘层11、第四绝缘层15、第二引出部17、第五绝缘层19和粘接层21。元件2具有第一线圈导体50和第二线圈导体60。第一线圈导体50相当于具有共模轭流圈CC1的第一线圈导体9。第二线圈导体60相当于具有共模轭流圈CC1的第二线圈导体13。第五和第六线圈导体50、60与第一和第二线圈导体9、13的形状不同。

如图9(a)所示，第一线圈导体50由曲线形成。如图9(b)所示，第二线圈导体60由曲线形成。第二线圈导体60具有与第一线圈导体50大致相同的电感值，全长比第一线圈导体50稍微长一点。第一和第二线圈导体50、60中的全长短的线圈导体，即第一线圈导体50的导体宽度W4和全长L4对差分模式噪声的截止频率fc满足以下式(4)表示的关系。

$\sqrt{}(L4/W4)<(7.6651-\mathrm{fc})/0.1385\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\left(4\right)$

式(4)在将式(1)的W1置换成第一线圈导体50的导体宽度W4的同时，还将式(1)的L1置换成第二线圈导体50的全长L4。第一线圈导体50的全长L4是从第一线圈导体50的螺旋的内侧的端部50a到螺旋的外侧的端部50b的导体长度。

在本实施方式中，使第一线圈导体50满足可用式(4)表示的关系，但也可以使第二线圈导体60的导体宽度W5和全长L5满足以下式(5)表示的关系。

$\sqrt{}(L5/W5)<(7.6651-\mathrm{fc})/0.1385\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\left(5\right)$

式(5)在将式(4)的W4置换成第二线圈导体60的导体宽度W5的同时，还将式(4)的L4置换成了第二线圈导体60的全长L5。第一线圈导体60的全长L5是从第二线圈导体60的螺旋的内侧的端部60a到螺旋的外侧的端部60b的导体长度。

在这里，对第一线圈导体50的全长L4和仅用直线形成的线圈导体70(参照图10)的全长进行对比。线圈导体70的导体宽度W6是与第一线圈导体50的导体宽度W4相同的值。线圈导体70的横方向的长度X7与垂直于第一线圈导体50的叠层方向的横方向的长度X5值相同。线圈导体70的纵向方向的长度Y7与第一线圈导体50的垂直于叠层方向的纵方向的长度Y5是的值相同。相对于线圈导体70的全长(从一端70a到另一端70b的长度)为10.3mm，第一线圈导体50的全长L4为8.6mm。即，第一线圈导体50的全长对于线圈导体70的全长短约17％。在线圈导体的全长短约17％的情况下，使用第一线圈导体50的共模轭流圈的截止频率与使用线圈导体70的共模轭流圈的截止频率相比高约5～10％。如上所述，通过使用由曲线形成的第一线圈导体50，可以使截止频率变成为更高的高频。

在第一实施方式中，虽然将第一线圈导体9的弯曲部9d弯曲成曲线形状，但弯曲部9d以外的部分也可以是曲线形状。在该情况下，优选第一线圈导体9的全长的50％以上是曲线状。这样，可以使第一线圈导体9更短，其结果是可以使截止频率成为更高的高频。其中，第一线圈导体9是全长都成为曲线的线圈导体，相当于上述的第一线圈导体50。

在第一实施方式中，虽然使第一线圈导体9的所有的弯曲部9d都成为曲线状，但也可以仅使第一线圈导体9的弯曲部9d中的一部分弯曲部9d成为曲线状。

在第一和第二实施方式中，虽然使第一线圈导体9、50的全长都比第二线圈导体13、60的全长更短，但第一线圈导体9、50的全长和第二线圈导体13、60的全长也可以是相同。

(第三实施方式)

其次，参照图面详细说明第三实施方式的共模轭流圈CC2。

图11是表示第三实施方式的共模轭流圈CC2的斜视图。在该图中，本实施方式的共模轭流圈CC2是呈长方体形状的薄膜型的共模轭流圈。

共模轭流圈CC2具备由下部磁性基板102、层构造体103和上部磁性基板104构成的叠层体105；和设置在该叠层体105的侧面部的四个端子电极106。层构造体103配置在下部磁性基板102与上部磁性基板104之间。下部磁性基板102与上部磁性基板104是由烧结铁酸盐、复合铁酸盐(含有粉状的铁酸盐的树脂)等磁性材料构成的基板。

图12是表示叠层体105的分解斜视图。在该图中，层构造体103从下开始依次叠层绝缘层107、导体层108、绝缘层109、导体层110、绝缘层111、导体层112、绝缘层113、导体层114、绝缘层115、磁性层116和粘接层117。

最下层的绝缘层107是即使下部磁性基板102的上表面有凹凸，也要使其与导体层108之间的密着性良好的层。绝缘层107由电绝缘性和磁绝缘性优良且加工性好的树脂材料(例如，聚酰亚胺树脂或环氧树脂等)构成。

导体层108形成在绝缘层107上。如图13所示，导体层108具有引出导体118、连接导体119、引出电极120a～120d。引出电极120a、120b形成在绝缘层107的上表面的一个边缘部。引出电极120c、120d在绝缘层107的上表面的相反侧的边缘部分形成为分别与引出电极120a、120b相对。引出导体118呈L字形状。引出导体118的一端连接到引出电极120a，引出导体118的另一端连接到连接导体119。作为形成这样的导体层108的金属材料，优选使用导电性和加工性等优良的金属(例如，Cu或Al等)。

绝缘层109形成在导体层108上。绝缘层109由与上述绝缘层107相同的树脂材料构成。在绝缘层109形成有用来电连接导体层110的线圈导体121(后述)和连接导体119的接触孔(未图示)。

导体层110形成在绝缘层109上。如图14所示，导体层110具有线圈导体121和引出电极122a～122d。导体层110由与上述导体层108相同的金属材料形成。引出电极122a～122d分别形成在与上述引出电极122a～122d对应的位置。

线圈导体121由形成为螺旋状的螺旋部123；和与该螺旋部123的外侧端部连接、朝向引出电极122c延伸的L字型的引出部124构成。在螺旋部123中，形成线圈导体121的导体图案125的宽度W和导体图案125之间的间隔D全部相等。由此，在螺旋部123中，导体图案125的匝步距PI全部相等。其中，导体图案125的匝步距PI以导体图案125的宽度W和导体图案125之间的间隔D之和表示。

螺旋部123形成为整个呈大致圆形形状。具体地说，螺旋部123由对于该螺旋部123的内侧区域的中心位置(第一圆弧形成中心位置)G₀每90度区分的四个线圈区域123a～123d构成。

线圈区域123a～123c形成为形成线圈导体121的导体图案125以第一圆弧形成中心位置G₀为中心的圆弧。

线圈区域123d由与线圈区域123c邻接的圆弧区域126、位于线圈区域123a与圆弧区域126之间的直线区域127构成。圆弧区域126形成为以形成线圈导体121的导体图案125在X方向(对引出电极的相对方向垂直的方向)从第一圆弧形成中心位置G₀仅离开规定的量的位置(第二圆弧形成中心位置)G₁为中心的圆弧。直线区域127形成为导体图案125在X方向从线圈区域123a到圆弧区域126延伸的直线。

这里，在螺旋部123中，如上所述的导体图案125的宽度W和匝步距PI全部相等。为此，在使第二圆弧形成中心位置G₁在X方向上从第一圆弧形成中心位置G₀离开导体图案125的匝步距(一个步距)PI的量的同时，使直线区域127的导体图案125的直线部分的长度L与导体图案125的匝步距PI长度相同。因此，存在于线圈区域123a内的导体图案125与存在于线圈区域123c内的导体图案125隔着存在于线圈区域123d内的导体图案125确实地连接，可以得到导体图案125的一部分是直线状的大致圆形形状的螺旋部123。

螺旋部123的内侧端部设置在线圈区域123b，螺旋部123的外侧端部设置在线圈区域123a。为此，存在于线圈区域123d内的导体图案125的匝数比存在于线圈区域123a、123b内的导体图案125的匝数仅少一匝。

引出部124配置在上述引出导体118的相反侧。引出部124的一端连接到引出电极122c，引出部124的另一端连接到螺旋部123的外侧端部。

绝缘层111形成在导体层110上，绝缘层111由与上述绝缘层107相同的树脂材料构成。

导体层112形成在绝缘层111上。如图15所示，导体层112具有线圈导体128、引出电极129a～129d。导体层112由与上述导体层108相同的金属材料形成。引出电极129a～129d分别形成在与上述引出电极120a～120d对应的位置。

线圈导体128由形成为螺旋状的螺旋部130和与该螺旋部130的外侧端部连接、朝向引出电极129d延伸的L字型的引出部131构成。螺旋部130的构造与线圈导体121的螺旋部123完全相同。即，螺旋部130与螺旋部123同样，形成为形成线圈导体128的导体图案132的一部分呈直线状的大致圆形形状。此外，螺旋部123、130彼此之间隔着绝缘层111上下重叠。

引出部131形成在与上述引出部124相同侧。引出部131的一端连接到引出电极129d，引出部131的另一端连接到螺旋部130的外侧端部。

绝缘层113形成在导体层112上。绝缘层113由与上述绝缘层107相同的树脂材料构成。在绝缘层113上形成有用来电连接线圈导体128和引出导体133(后述)的接触孔(未图示)。

导体层114形成在绝缘层113上。如图16所示，导体层114具有引出导体133、连接导体134、引出电极135a～135d。导体层114由与上述的导体层108相同的金属材料形成。引出电极135a～135d分别形成在与上述引出电极120a～120d对应的位置。引出导体133为L字状，在与上述引出导体118相同侧形成。引出导体133的一端连接到引出电极135b，引出导体133的另一端连接到连接导体134。

绝缘层115形成在导体层114上。绝缘层115由与上述绝缘层107相同的树脂材料构成。

磁性层116形成在绝缘层115上。磁性层116是用来在共模轭流圈CC2上形成闭合磁路的层。磁性层116通过例如含有粉状的铁酸盐的树脂(含有磁粉的树脂)等磁性材料形成。

粘接层117是形成在磁性层116上、将磁性层116和上部磁性基板104接合的层。粘接层117通过例如环氧树脂、聚酰亚胺树脂或聚酰胺树脂等粘接剂形成。

如图12和图14～图17所示，在绝缘层109、111、113、115中的与螺旋部123、130的内侧区域对应的部位上设置有闭合磁路形成用的内侧绝缘除去部136。该内侧绝缘除去部136通过在绝缘层109、111、113、115形成贯通孔137，在贯通孔137内埋入与形成磁性层116的磁性材料J相同的材料构成。作为内侧绝缘除去部136(贯通孔137)的形状，与大致圆形形状的螺旋部123、130相对应，优选作成截面圆形形状。

在绝缘层109、111、113、115的与螺旋部123、130的外侧区域对应的部位上，每四个地设置有闭合磁路形成用的绝缘除去部138。该外侧绝缘除去部138通过在绝缘层109、111、113、115上形成切口139，在切口139内埋入与形成磁性层116的磁性材料J相同的材料构成。

如图14和图15所示，外侧绝缘除去部138设置在绝缘层109、111、113、115的与包围螺旋部123、130的大致正方形的假想线PL的四个角部对应的部位。该区域是在与绝缘层109、111、113、115的大致圆形形状的螺旋部123、130的外侧区域对应的部位中，可以得到比较大的空间的区域。作为外侧绝缘除去部138(切口139)形状，优选作成截面三角形或在其一部分上具有沿着螺旋部123、130的外周的曲线的截面形状。

作为外侧绝缘除去部138的构造，与内侧绝缘除去部136相同，也可以是在绝缘层109、111、113、115上形成贯通孔，向该贯通孔埋入磁性材料J构成的构造。

在如上所述的叠层体105的相对的侧面105A、105B(参照图11)上，每两个地设置有上述的端子电极106。设置在叠层体105的侧面105A的两个端子电极106中的一个与引出电极120a、122a、129a、135a电连接，该两个端子电极106的另一个与引出电极120b、122b、129b、135b电连接。设置在叠层体105的侧面105B的两个端子电极106中的一个与引出电极120c、122c、129c、135c电连接，该两个端子电极106的另一个与引出电极120d、122d、129d、135d电连接。

在本实施方式中，线圈导体121、128的宽度和长度满足上述式(1)表示的关系。

其次，说明制造如上构成的共模轭流圈CC2的步骤。首先，如下所述制作叠层体105。

即，通过例如旋转涂布法、浸泡法、喷涂法等向下部磁性基板102上涂敷上述树脂材料并使之硬化，形成绝缘层107。接着，通过例如在绝缘层107上形成导体薄膜，由光刻法形成引出导体118、连接导体119和引出电极120a～120d的图案，形成导体层108。

接着，与绝缘层107的形成方法同样地在导体层108上形成绝缘层109。之后，例如通过刻蚀在绝缘层109上形成用来将连接导体119和线圈导体121电连接的接触孔(未图示)。此时，与形成接触孔同时，除去绝缘层109的中央部分的树脂，形成贯通孔137，同时，除去绝缘层109的端部的一部分树脂，形成四个切口139。

接着，通过与导体层108的形成方法同样地在绝缘层109上形成线圈导体121和引出电极122a～122d的图案，形成导体层110。之后，与绝缘层107、109的形成方法同样地在导体层110上形成绝缘层111，再在绝缘层111上形成贯通孔137和四个切口139。

接着，通过与导体层108的形成方法同样地在绝缘层111上形成线圈导体128和引出电极129a～129d的图案，形成导体层112。之后，与绝缘层107、109的形成方法同样地在导体层112上形成绝缘层113，再在绝缘层113上形成接触孔(未图示)、贯通孔137和四个切口139。

接着，通过与导体层108的形成方法同样地在绝缘层113上形成引出导体133、连接导体134和引出电极135a～135d的图案，形成导体层114。之后，与绝缘层107、109的形成方法同样地在导体层114上形成绝缘层115，再在绝缘层115上形成贯通孔137和四个切口139。

由此，如图18(a)所示，在下部磁性基板102上形成内置有线圈导体121、128的层构造中间体140。在该层构造中间体140上，除最下层的绝缘层107之外，形成有由绝缘层109、111、113、115的贯通孔137造成的洼部141和由绝缘层109、111、113、115的切口139造成的四个切口部142。

接着，如图18(b)所示，向洼部141和各切口部142埋入含有磁粉的树脂，同时在已将含有磁粉的树脂涂敷到层构造中间体140的上表面的状态下，使含有磁粉的树脂硬化。由此，在层构造中间体140上形成内侧绝缘除去部136和外侧绝缘除去部138的同时，在层构造中间体140上形成磁性层116。之后，研磨该磁性层116，使磁性层116的上表面平坦化。

接着，如图18(c)所示，向磁性层116上涂敷环氧树脂等的粘接剂，形成粘接层117。之后，将上部磁性基板104粘贴到粘接层117的上表面。由此，可以得到上述的叠层体105。

此时，最下层的绝缘层107是未形成接触孔的绝缘层。由此，通过作成如上所述的在最下层的绝缘层107内不设置绝缘除去部136和外侧绝缘除去部138的构成，没有必要对该绝缘层107全部实施孔开口加工等，所以可实现工时的削减。

之后，在叠层体105的相对侧面105A、105B上每两个地形成端子电极106。具体地说，通过例如掩膜溅射法在叠层体105的侧面105A、105B上已成膜Cr/Cu膜或Ti/Cu膜之后，通过使用Ni/Sn进行电镀，形成端子电极106。由此，完成上述共模轭流圈CC2。

在这里，作为比较例，图19表示现有的共模轭流圈之一。在该图中，共模轭流圈200具有绝缘层201和在该绝缘层201上形成的导体层202。导体层202具有包括大致四方形状的螺旋部203的线圈导体204。在绝缘层201的与螺旋部203的内侧区域对应的部位上，设置有闭合磁路形成用的内侧绝缘除去部205。在绝缘层201的与螺旋部203的外侧区域对应的部位上，两个闭合磁路形成用的外侧绝缘除去部206形成为夹着螺旋部203。内侧绝缘除去部205和外侧绝缘除去部206具有截面矩形形状。

对于这样的共模轭流圈200，在本实施方式的共模轭流圈CC2中，将线圈导体121的螺旋部123的形状和线圈导体128的螺旋部130的形状作成圆形形状。为此，与大致四方形状的螺旋部203相比，可以使形成螺旋部123的导体图案125的长度和形成螺旋部130的导体图案132的长度确实地仅缩短没有直线部分的量。

然而，要想使形成螺旋部的导体图案的长度充分短，虽然理想的是将该导体图案整个作成圆形形状，但由于螺旋部是连续的，所以那样的构成是不可能的。

在本实施方式中，在构成形成线圈导体121的导体图案125的宽度W和匝步距PI全部相等的螺旋部123的同时，将螺旋部123分割成线圈区域123a～123d。此外，在线圈区域123a～123c中，导体图案125构成为以第一圆弧形成中心位置G₀为中心圆弧状地延伸。另一方面，在线圈区域123d中，由导体图案125以从第一圆弧形成中心位置G₀仅离开导体图案125的匝步距PI的量的第二圆弧形成中心位置G₁为中心圆弧状地延伸的圆弧区域126；和仅匝步距PI的量的导体图案125直线状地延伸的直线区域127构成。通过这样地构成，在螺旋部123中，导体图案125整个连续地形成，而且导体图案125的大部分是圆弧状。因此，螺旋部123成为导体图案125的线长度最有效地变短的构成。对于线圈导体128的螺旋部130也一样。

由此，由于形成线圈导体121的导体图案125和形成线圈导体128的导体图案132的线长度不论哪一者都变得充分短，所以共模轭流圈CC2的截止频率增高。其结果是即使传送频率为高频，共模轭流圈CC2也可以正常工作，可以得到高频特性良好的共模轭流圈CC2。

此外，在图19所示的共模轭流圈200中，由于线圈导体204的螺旋部203的形状是大致四方形状，所以在如上所述的绝缘层201的螺旋部203的外侧区域对应的部位设置外侧绝缘除去部206的情况下，螺旋部203的宽度尺寸H不得不变窄。为此，在共模轭流圈200的外型尺寸受到限制的情况下，由于与此伴随螺旋部203的内侧区域的空间变窄，所以即使是对于应当设置在与绝缘层201的螺旋部203的内侧区域对应的部位的内侧绝缘除去部205，也有减小尺寸的必要性。

闭合磁路形成用的内侧绝缘除去部205虽然是为得到高电感(高电阻)的共模轭流圈而设置，但是若内侧绝缘除去部205减小，则不能充分地得到电阻增加的效果。

相对于此，在本实施方式中，由于已将线圈导体121的螺旋部123的形状作成圆形形状，所以可以利用螺旋部123的外侧区域的有效空间，形成闭合磁路形成用的外侧绝缘除去部138。即，通过在绝缘层109的与包围螺旋部123的大致正方形的假想线PL的四个角部对应的部位设置外侧绝缘除去部138，不需要为确保外侧绝缘除去部138的空间而减小螺旋部123的尺寸。对于线圈导体128的螺旋部130也一样。因此，可以有效地利用螺旋部123、130的内侧区域的宽的空间，可以设置尺寸大的内侧绝缘除去部136。由此，可以充分增大共模轭流圈CC2的电阻。

如上所述，若采用本实施方式，由于设置有分别具有线长度最有效地变短的大致圆形形状的螺旋部123、130的线圈导体121、128，所以可以得到高频特性良好的共模轭流圈CC2。此外，由于在螺旋部123、130的内侧区域和外侧区域形成有合适的磁路构造，所以可以得到高电阻的共模轭流圈CC2。由此，可以抑制由泄漏磁束产生的噪声。由此，在例如进行高速数据传送时，可以确保高的传送特性。

此外，由于可以在共模轭流圈CC2上形成空间效率高的闭合磁路，所以可以实现共模轭流圈CC2的小型化。

图20是表示对于共模轭流圈的各种样品，用仿真得到的共模阻抗与截止频率之间的关系的图表。

在图20所示的图表中，特性P是对于具有与上述实施方式的共模轭流圈相同构造的样品的特性。特性Q是在上述实施方式的共模轭流圈中设置有内侧绝缘除去部而没有设置外侧绝缘除去部的样品的特性。特性R是在上述实施方式的共模轭流圈中内侧绝缘除去部和外侧绝缘除去部都没有设置的样品的特性。特性S是对于具有与图19所示的比较例的共模轭流圈相同构造的样品的特性。此外，曲线图的横轴表示共模阻抗，曲线图的纵轴表示截止频率。

从图20可知，通过将线圈导体的螺旋部的形状作成上述那样的大致圆形形状，在相同的共模阻抗中可以实现高的截止频率，这是明确的。而且，如果将线圈导体的螺旋部的形状作成大致圆形形状，特别是在完全不设置闭合磁路形成用的内侧绝缘除去部和外侧绝缘除去部的情况下(参照特性R)，与设置有内侧绝缘除去部和外侧绝缘除去部的比较例(参照特性S)相比，也可以得到高的截止频率。根据以上的情况，可以说证实了本发明的效果。

在第三实施方式中，虽然作成在层构造体103的最下层的绝缘层107上不设置闭合磁路形成用的内侧绝缘除去部136和外侧绝缘除去部138的构成，但是，如图21和图22所示，在最下层的绝缘层107上也可以设置内侧绝缘除去部136和外侧绝缘除去部138。在该情况下，由于仅那样的量的磁路区域增加，所以可以使共模轭流圈CC2的电阻进一步提高。

在第三实施方式中，虽然作成在各个绝缘层内设置内侧绝缘除去部136和外侧绝缘除去部138两者的构成，但是既可以在各绝缘层上仅设置内侧绝缘除去部136，也可以在各个绝缘层上仅设置外侧绝缘除去部138。此外，在规定的绝缘层内仅设置内侧绝缘除去部136，在其它绝缘层内仅设置外侧绝缘除去部138这样的构成，或在设置外侧绝缘除去部138的情况下在相同绝缘层上设置三个以下的外侧绝缘除去部138这样的构成等，作为设置闭合磁路形成用的绝缘除去部的图案可以有各种变更。

此外，如图22所示，也可以作成在绝缘层107、109、111、113、115上都不设置内侧绝缘除去部136和外侧绝缘除去部138的构成。在该情况下，不需要磁性层117，共模轭流圈CC2的构成简化。即使是这样的构成，通过将螺旋部123、130的形状作成上述那样的大致圆形形状，可以提高共模轭流圈CC2的截止频率，得到高频特性良好的共模轭流圈CC2。

在第三实施方式中，虽然将线圈导体121的螺旋部123的线圈区域123d作成由圆弧区域126和直线区域127构成的结构，但是不言而喻也可以将螺旋部123的线圈区域123a～123c中的任一个作成由圆弧区域126和直线区域127构成的结构。在该情况下，圆弧区域126也可以形成为以从第一圆弧向形成中心位置G₀向Y方向(引出电极的相对方向)仅离开规定的量的位置为中心的圆弧。

此外，在第三实施方式的共模轭流圈CC2中，虽然作成具有夹着绝缘层111叠层的线圈导体121、128的共模轭流圈，但本发明在具有三层以上的线圈导体的共模轭流圈中也可以应用。此外，本发明还可以在应用于一个导体层具有多个线圈导体的，即所谓的共模轭流圈等。

从以上所述的发明可知本发明可以有各种变更。这些变更并不偏离本发明的宗旨和范围，而且对于本专业的技术人员来说显而易见的所有这样的变更都包括在下述的权利要求中。

Claims (4)

1.一种具备夹着绝缘层叠层并相互磁耦合的第一和第二线圈导体的共模轭流圈，其特征在于：

在设定对差分模式噪声的截止频率为fc时，所述第一和第二线圈导体中的至少一个线圈导体的宽度W和长度L满足关系式： 其中，fc的单位是GHz，W和L的单位是mm，

所述第一和第二线圈导体形成为螺旋状，具有在形成所述各个线圈导体的导体图案中宽度与匝步距全部相等的螺旋部，

所述各线圈导体的所述螺旋部彼此夹着所述绝缘体重叠，

所述螺旋部由对所述螺旋部的内侧区域内的规定位置每90度区分的四个线圈区域构成，

所述四个线圈区域中的三个形成为所述导体图案以所述规定位置为中心的圆弧，

所述四个线圈区域中剩下的一个由：形成为所述导体图案以离开所述规定位置仅为所述导体图案的匝步距的量的位置为中心的圆弧的圆弧区域；和位于所述三个线圈区域中的任一个与所述圆弧区域之间，仅所述导体图案的匝步距的量的所述导体图案形成为直线的直线区域构成。

2.根据权利要求1所述的共模轭流圈，其特征在于：

所述第一和第二线圈导体还具有连接到所述螺旋部、朝向所述绝缘层的边缘部延伸的引出部，

所述螺旋部与所述引出部之间的连接部分设置在所述三个线圈区域中的任一个，

所述剩下的一个线圈区域与具有所述螺旋部和所述引出部的连接部分的线圈区域邻接。

3.根据权利要求1所述的共模轭流圈，其特征在于：

在所述绝缘层的与所述螺旋部的内侧区域对应的部位设置有形成孔穴并埋入磁性材料而成的磁路形成用的内侧绝缘除去部。

4.根据权利要求1所述的共模轭流圈，其特征在于：

在所述绝缘层的与所述螺旋部的外侧区域对应的部位设置有形成孔穴或切口并埋入磁性材料而成的磁路形成用的外侧绝缘除去部，

所述外侧绝缘除去部设置在与所述绝缘层的包围所述螺旋部的正方形的假想线的角部对应的部位。

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