CN1834190A - 热介面材料及其制备方法 - Google Patents

热介面材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1834190A
CN1834190A CNA2005100337463A CN200510033746A CN1834190A CN 1834190 A CN1834190 A CN 1834190A CN A2005100337463 A CNA2005100337463 A CN A2005100337463A CN 200510033746 A CN200510033746 A CN 200510033746A CN 1834190 A CN1834190 A CN 1834190A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thermal interface
carbon nanotube
interface material
preparation
polymer phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005100337463A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100543103C (zh
Inventor
刘长洪
范守善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University, Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd filed Critical Tsinghua University
Priority to CNB2005100337463A priority Critical patent/CN100543103C/zh
Priority to US11/371,995 priority patent/US20060208354A1/en
Publication of CN1834190A publication Critical patent/CN1834190A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100543103C publication Critical patent/CN100543103C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • H01L23/4275—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes by melting or evaporation of solids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

本发明涉及一种热介面材料及其制备方法。该热介面材料包括一聚合物相变材料载体，添加于聚合物相变材料载体中的添加剂，以及分散在载体中的碳纳米管，其中至少一部分碳纳米管的一端露出载体。该热介面材料的制备方法包括下列步骤：提供一定量的碳纳米管，一定量的聚合物相变材料以及一定量的添加剂；将聚合物相变材料及添加剂一起加热至熔融状态形成混合物；将碳纳米管加入上述混合物中并使其分散；固化，切片形成产品。该制备方法没有引入复杂昂贵的加工工艺，可大规模生产热介面材料，成本低，且确保部分碳纳米管一端露出载体，导热性能好。该热界面材料可广泛用于半导体器件散热技术中。

Description

热介面材料及其制备方法
【技术领域】
本发明涉及一种热界面材料及其制备方法，尤其涉及一种利用碳纳米管导热的热界面材料及其制备方法。
【背景技术】
近年来，随着半导体器件集成工艺的快速发展，半导体器件的集成化程度越来越高，器件体积变得越来越小，其对散热的需求越来越高，高效率散热已成为一个越来越重要的问题。为满足该需要，风扇散热、水冷辅助散热及热管散热等各种散热方式被广泛运用，并取得一定的散热效果，但因散热器与热源(半导体集成器件，如CPU)的接触界面不平整，实际接触面积一般不到总面积的10％，剩余的90％为空气，而空气的导热性很差，因此从根本上影响半导体器件向散热器传递热量的效果，因此，传统的散热器通过在散热器与半导体器件之间，增加一导热系数较高的热界面材料，以增加界面的接触程度，改善半导体器件与散热器间的热传递效果。
传统热界面材料将导热系数较高的颗粒分散于聚合物基体以形成复合材料，如石墨、氮化硼、氧化硅、氧化铝、银或其它金属等。此种材料的导热性能取决于聚合物基体的性质。其中以油脂、相变材料为基体的复合材料因其使用时为液态，能与热源表面浸润，因此接触热阻较小，而以硅胶或橡胶为载体的复合材料的接触热阻相对较大。该类材料的普遍缺陷是整体材质导热系数较小，典型值为1W/mK，这已经不能适应半导体集成化程度的提高对散热的需求。增加聚合物基体的导热颗粒含量，使得颗粒与颗粒之间尽量相互接触，可以增加整个复合材料的导热系数，如某些特殊的界面材料因此可达到4-8W/mK，然而，聚合物基体的导热颗粒含量增加至一定程度时，会使聚合物基体失去原本的性能，如油脂会变硬，从而浸润效果变差，橡胶亦会变得较硬，从而失去应有的柔韧性，这都将使热界面材料界面接触性能大大降低。
为改善热界面材料的性能，提高导热系数，各种材料被广范试验。1991年，发现了碳纳米管(具体参见Nature，1991，354，56)。因碳纳米管具有长径比大，长度可为直径的几千倍；强度高，为钢的100倍，但重量只有钢的六分之一；韧性与弹性极佳的特性，且碳纳米管沿其纵向方向有极高的热导系数，使其成为最具潜力的热界面材料之一。美国物理学会上发表一篇名为“碳纳米管显著热导性”的文章指出对于“Z”字形(10，10)碳纳米管在室温下其导热系数可达6600W/mK，具体可参阅文献Phys.Rev.Lett，2000年，84，4613。
美国公开文献号为20030117770的专利申请揭示一种热介面材料及其制备方法，其将热塑性聚合物填隙材料注入碳纳米管(束)阵列周围，以支撑碳纳米管(束)阵列，通过机械研磨或化学腐蚀去除生长碳纳米管(束)阵列的基底，以及通过化学机械抛光或机械研磨去除多余填隙材料，形成热界面材料层。由于其采用碳纳米管导热，热界面材料的导热效率大大提高。但是上述热界面材料成本太高，原因有三：
(1)碳纳米管阵列生长成本高，一个阵列得到一块热界面材料，不能批量生产热界面材料；
(2)需要机械研磨或化学腐蚀等复杂工艺去除生长碳纳米管(束)阵列的基底，生产效率低，且造成基底材料浪费；
(3)需要通过化学机械抛光或机械研磨去除多余填隙材料，否则碳纳米管埋没在热塑性聚合物填隙材料中，不能接触到发热半导体器件或散热器表面，从而不能发挥热介面材料应有的高导热性能，而该化学机械抛光或机械研磨过程进一步降低热界面材料生产效率，进一步提高生产成本。
有鉴于此，提供一种确保碳纳米管与半导体器件或散热器表面有效接触，生产成本低的热介面材料及制备方法非常重要。
【发明内容】
以下将说明一种确保碳纳米管与半导体器件或散热器表面有效接触，生产成本低的热介面材料，以及该热介面材料的制备方法。
该热介面材料包括一聚合物相变材料载体，添加于聚合物相变材料载体中的添加剂，以及分散在载体中的碳纳米管，其中至少一部分碳纳米管的一端或两端露出载体。
所述聚合物相变材料包括石蜡。
所述添加剂包括二甲基亚砜。
所述碳纳米管在热界面材料中的含量是0.1～5wt％。
所述热介面材料还包括分散在载体中的非碳纳米管导热材料微粒，该非碳纳米管导热材料微粒在热界面材料中的含量是0.1～5wt％。
所述非碳纳米管导热材料微粒包括纳米金属粉体或纳米陶瓷粉体。
所述非碳纳米管导热材料微粒包括铝、银、铜、氧化铝、氮化铝、氮化硼。
上述热介面材料的制备方法包括下列步骤：
提供适量碳纳米管及聚合物相变材料；
将聚合物相变材料加热熔融；
将碳纳米管加入上述熔融聚合物相变材料中并使其分散；
固化，切片形成产品。
其中可在聚合物相变材料中添加适量添加剂，以改善聚合物相变材料的柔韧性和稳定性。
其中还可在添加碳纳米管同时，往混合物中加入0.1～5wt％的非碳纳米管导热材料微粒。
所述非碳纳米管导热微粒包括纳米金属粉体或纳米陶瓷粉体。
所述非碳纳米管导热材料微粒包括铝、银、铜、氧化铝、氮化铝、氮化硼。
所述碳纳米管可采用电弧放电法、化学气相沉积等生长方法制备，其制备方法不影响后续形成的热界面材料的质量，因此碳纳米管可低成本大量获得。
所述碳纳米管可在具氧化性的酸中煮沸5～30分钟，提高碳纳米管的纯度和增强其与其他物质的接合程度。
所述具氧化性的酸包括浓硝酸、浓硫酸或混合酸。
所述聚合物相变材料相变点在50～60℃之间，如石蜡。
所述添加剂包括二甲基亚砜。
所述碳纳米管的添加量为0.1～5wt％。
采用液态超声震荡的方法分散碳纳米管，可确保碳纳米管在载体中分散良好。
分散碳纳米管时保持材料温度大于60℃，震荡时间为20～40分钟。
采用切片机将固化后的载体材料切片，切片厚度可视需要而定，通常为1～30微米。该切片步骤既加工成型了产品，又可使部分碳纳米管在切片表面露出，因为切片机刀片所到之处必有部分碳纳米管被切断，该碳纳米管的一端即从切面露出。当切片较薄时，部分碳纳米管则两端均从载体中露出，这样更有利于发挥热介面材料的高导热性能。
上述热介面材料的制备方法没有引入复杂昂贵的加工工艺，可大规模生产热介面材料，成本低，且切片确保部分碳纳米管一端露出载体，使碳纳米管与器件表面能有效接触，充分发挥热介面材料的高导热性能。
【附图说明】
图1是本发明第一实施例中热介面材料结构示意图。
图2是本发明第二实施例中热介面材料结构示意图。
图3是热介面材料制备方法流程图。
【具体实施方式】
下面将结合附图及具体实施例对热介面材料进行详细说明。
请先参阅图1，热界面材料10包括一聚合物相变材料载体11，添加于聚合物相变材料载体中的添加剂，以及分散在载体中的碳纳米管12，其中一部分碳纳米管12的一端露出载体11。当切片较薄时，部分碳纳米管则两端均从载体中露出，这样更有利于发挥热介面材料的高导热性能。由于添加剂也是聚合物，与相变材料载体11混合后形成均一相，因此在图中未标示添加剂。该聚合物相变材料是指在一定温度(相变点)下能熔融的聚合物，本实施例选用相变点在50～60℃的相变材料，如石蜡。添加剂用于改善载体材料的柔韧性和稳定性，还可调节载体材料的相变温度，如二甲基亚砜添加在石蜡载体材料中，可起到上述作用。碳纳米管在热界面材料中的含量是0.1～5wt％，部分碳纳米管的一端露出于载体材料，该热界面材料10填充在半导体器件及散热器之间，部分碳纳米管12露出载体材料的一端可与器件表面接触，充分发挥热介面材料10的高导热效率。半导体器件工作时，界面温度升高，相变材料载体缓慢发生相变化，即由固态转变为胶态，填充于半导体器件及散热器之间，增大二者的有效接触面积。
聚合物变相材料载体中还可以分散填充一些非碳纳米管导热材料微粒，该非碳纳米管导热材料微粒在热界面材料中的含量可以为0.1～5wt％，该微粒导热无方向性，可提高载体材料的导热性能，从而进一步提高热界面材料的导热性能。该非碳纳米管导热材料微粒包括纳米金属粉体或纳米陶瓷粉体，如铝、银、铜、氧化铝、氮化铝、氮化硼等。
如图2所示，热界面材料20包括一聚合物相变材料载体21，添加于聚合物相变材料载体中的添加剂，以及分散在载体21中的碳纳米管22及非碳纳米管导热材料微粒23，其中一部分碳纳米管22的一端露出载体21。
如图3所示，上述热介面材料的制备方法包括下列步骤：
步骤1，提供一定量的碳纳米管，一定量的聚合物相变材料以及一定量的添加剂；步骤2，将聚合物相变材料及添加剂一起加热至熔融状态形成混合物；步骤3，将碳纳米管加入上述混合物中并使其分散；步骤4，固化，切片形成产品。
步骤1中，碳纳米管可采用电弧放电法、化学气相沉积等生长方法制备，由于其制备方法不影响后续形成的热界面材料的质量，因此碳纳米管可低成本大量获得。另外，碳纳米管可在具氧化性的酸中煮沸5～30分钟，如浓硝酸、浓硫酸或混合酸等，以提高碳纳米管的纯度和增强其与其他物质的接合程度。
所述聚合物相变材料是指在一定温度(相变点)下能熔融的聚合物，本实施例选用相变点在50～60℃的相变材料，如石蜡。添加剂为可选择成分，用于改善载体材料的柔韧性和稳定性，还可调节载体材料的相变温度，如二甲基亚砜添加在石蜡载体材料中，可起到上述作用。
步骤2中，由于聚合物相变材料相变点在50～60℃，因此将相变材料及添加剂加热到60℃以上，即可将其熔融形成混合物。
步骤3，所述碳纳米管的添加量可以为0.1～5wt％，采用液态超声震荡的方法将其分散，可确保碳纳米管在载体中分散良好。分散时保持材料温度大于60℃，震荡时间为20～40分钟。
步骤4，采用切片机将固化后的载体材料切片，切片厚度可视需要而定，通常为1～30微米。该切片步骤既加工成型了产品，又可使部分碳纳米管在切片表面露出，因为切片机刀片所到之处必有部分碳纳米管被切断，该碳纳米管的一端即从切面露出。当切片较薄时，部分碳纳米管则两端均从载体中露出，这样更有利于发挥热介面材料的高导热性能。
另外，还可在步骤3中，添加碳纳米管同时，往混合物中加入0.1～5wt％的非碳纳米管导热材料微粒，并与碳纳米管同时分散。其中非碳纳米管导热微粒包括纳米金属粉体或纳米陶瓷粉体，如铝、银、铜、氧化铝、氮化铝、氮化硼等。
上述热介面材料的制备方法没有引入复杂昂贵的加工工艺，可大规模生产热介面材料，成本低，且确保部分碳纳米管一端露出载体，使碳纳米管与器件表面能有效接触，充分发挥热介面材料的高导热性能。

Claims (22)

1.一种热介面材料包括：一聚合物相变材料载体，添加于聚合物相变材料载体中的添加剂，以及分散在载体中的碳纳米管，其中至少一部分碳纳米管的一端或两端露出载体。
2.如权利要求1所述的热介面材料，其特征在于该热介面材料厚度为1～30微米。
3.如权利要求1所述的热介面材料，其特征在于所述聚合物相变材料相变点在50～60℃之间。
4.如权利要求3所述的热介面材料，其特征在于所述聚合物相变材料包括石蜡。
5.如权利要求1所述的热介面材料，其特征在于所述添加剂包括二甲基亚砜。
6.如权利要求1所述的热介面材料，其特征在于碳纳米管在热界面材料中的含量是0.1～5wt％。
7.如权利要求1所述的热介面材料，其特征在于该热介面材料还包括分散在载体中的非碳纳米管导热材料微粒。
8.如权利要求7所述的热介面材料，其特征在于该非碳纳米管导热材料微粒在热界面材料中的含量是0.1～5wt％。
9.如权利要求7所述的热介面材料，其特征在于非碳纳米管导热材料微粒包括纳米金属粉体或纳米陶瓷粉体。
10.如权利要求7所述的热介面材料，其特征在于非碳纳米管导热材料微粒包括铝、银、铜、氧化铝、氮化铝、氮化硼。
11.一种热介面材料的制备方法，其包括下列步骤：
提供适量碳纳米管及聚合物相变材料；
将聚合物相变材料加热熔融；
将碳纳米管加入上述熔融聚合物相变材料中并使其分散；
固化，切片。
12.如权利要求11所述热介面材料的制备方法，其特征在于加热聚合物相变材料时，添加适量添加剂一起熔融。
13.如权利要求12所述热介面材料的制备方法，其特征在于所述添加剂包括二甲基亚砜。
14.如权利要求11所述热介面材料的制备方法，其特征在于在添加碳纳米管同时，往混合物中加入0.1～5wt％的非碳纳米管导热材料微粒。
15.如权利要求11所述热介面材料的制备方法，其特征在于所述碳纳米管可采用电弧放电法或化学气相沉积制备。
16.如权利要求11所述热介面材料的制备方法，其特征在于将所述碳纳米管放在具氧化性的酸中煮沸5～30分钟。
17.如权利要求16所述热介面材料的制备方法，其特征在于该具氧化性的酸包括浓硝酸、浓硫酸或混合酸。
18.如权利要求11所述热介面材料的制备方法，其特征在于聚合物相变材料选用相变点在50～60℃的相变材料。
19.如权利要求11所述热介面材料的制备方法，其特征在于碳纳米管的添加量为0.1～5wt％。
20.如权利要求11所述热介面材料的制备方法，其特征在于采用液态超声震荡的方法分散碳纳米管，分散碳纳米管时保持材料温度大于60℃，震荡时间为20～40分钟。。
21.如权利要求11所述热介面材料的制备方法，其特征在于切片机将固化后的载体材料切片。
22.如权利要求11所述热介面材料的制备方法，其特征在于切片厚度为1～30微米。
CNB2005100337463A 2005-03-19 2005-03-19 热界面材料及其制备方法 Active CN100543103C (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100337463A CN100543103C (zh) 2005-03-19 2005-03-19 热界面材料及其制备方法
US11/371,995 US20060208354A1 (en) 2005-03-19 2006-03-08 Thermal interface structure and process for making the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100337463A CN100543103C (zh) 2005-03-19 2005-03-19 热界面材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1834190A true CN1834190A (zh) 2006-09-20
CN100543103C CN100543103C (zh) 2009-09-23

Family

ID=37002088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100337463A Active CN100543103C (zh) 2005-03-19 2005-03-19 热界面材料及其制备方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20060208354A1 (zh)
CN (1) CN100543103C (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102746677A (zh) * 2012-07-13 2012-10-24 哈尔滨工业大学 一种电热储能材料及其制备方法
CN101779088B (zh) * 2007-08-14 2013-05-29 Bsh博施及西门子家用器具有限公司 热水器
CN103311195A (zh) * 2012-03-15 2013-09-18 南亚科技股份有限公司 散热结构
CN103725019A (zh) * 2012-10-16 2014-04-16 神讯电脑(昆山)有限公司 散热材料及其制备方法
CN103857264A (zh) * 2012-11-30 2014-06-11 通用电气航空系统有限责任公司 用于瞬态热管理的相变散热器
CN107189292A (zh) * 2017-07-20 2017-09-22 安徽盛华管业有限公司 一种碳纳米管/氮化硼复合改性高导热cpvc管材及制备方法
CN107209320A (zh) * 2015-01-20 2017-09-26 微软技术许可有限责任公司 碳纳米颗粒灌输的光学载台
US10444515B2 (en) 2015-01-20 2019-10-15 Microsoft Technology Licensing, Llc Convective optical mount structure
CN112080258A (zh) * 2014-12-05 2020-12-15 霍尼韦尔国际公司 具有低热阻的高性能热界面材料

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100337981C (zh) * 2005-03-24 2007-09-19 清华大学 热界面材料及其制造方法
CA2666815C (en) * 2006-10-17 2013-05-28 Purdue Research Foundation Electrothermal interface material enhancer
CN101409962B (zh) * 2007-10-10 2010-11-10 清华大学 面热光源及其制备方法
CN101400198B (zh) * 2007-09-28 2010-09-29 北京富纳特创新科技有限公司 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法
CN101409961B (zh) * 2007-10-10 2010-06-16 清华大学 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法
US8919428B2 (en) * 2007-10-17 2014-12-30 Purdue Research Foundation Methods for attaching carbon nanotubes to a carbon substrate
US20100122980A1 (en) * 2008-06-13 2010-05-20 Tsinghua University Carbon nanotube heater
US20100126985A1 (en) * 2008-06-13 2010-05-27 Tsinghua University Carbon nanotube heater
US20100000669A1 (en) * 2008-06-13 2010-01-07 Tsinghua University Carbon nanotube heater
US8541058B2 (en) * 2009-03-06 2013-09-24 Timothy S. Fisher Palladium thiolate bonding of carbon nanotubes
US20120128869A1 (en) * 2010-09-29 2012-05-24 Empire Technology Development Llc Phase change energy storage in ceramic nanotube composites
DE102012223613A1 (de) * 2012-12-18 2014-06-18 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Haushaltsgerät mit effizientem Latentwärmespeicher sowie Verfahren zu seinem Betrieb
CN105899714B (zh) 2013-12-05 2018-09-21 霍尼韦尔国际公司 具有经调节的pH的甲基磺酸亚锡溶液
EP3166999B1 (en) 2014-07-07 2023-03-08 Honeywell International Inc. Thermal interface material with ion scavenger
US10312177B2 (en) 2015-11-17 2019-06-04 Honeywell International Inc. Thermal interface materials including a coloring agent
EP3179826B1 (en) 2015-12-09 2020-02-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Heating element including nano-material filler
KR102554661B1 (ko) 2016-03-08 2023-07-13 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 상 변화 물질
CN105997341B (zh) * 2016-04-21 2019-03-08 温州医科大学附属眼视光医院 一种青光眼内引流替代仿生支架的制备及其使用方法
US10501671B2 (en) 2016-07-26 2019-12-10 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
KR20180029451A (ko) * 2016-09-12 2018-03-21 삼성전자주식회사 발열체 및 그 제조방법과 발열체를 포함하는 장치
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
US10428256B2 (en) 2017-10-23 2019-10-01 Honeywell International Inc. Releasable thermal gel
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
US11373921B2 (en) 2019-04-23 2022-06-28 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6432320B1 (en) * 1998-11-02 2002-08-13 Patrick Bonsignore Refrigerant and heat transfer fluid additive
US20040009353A1 (en) * 1999-06-14 2004-01-15 Knowles Timothy R. PCM/aligned fiber composite thermal interface
US6605238B2 (en) * 1999-09-17 2003-08-12 Honeywell International Inc. Compliant and crosslinkable thermal interface materials
US6673434B2 (en) * 1999-12-01 2004-01-06 Honeywell International, Inc. Thermal interface materials
US20030151030A1 (en) * 2000-11-22 2003-08-14 Gurin Michael H. Enhanced conductivity nanocomposites and method of use thereof
CA2450014A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-19 Eikos, Inc. Nanocomposite dielectrics
US6921462B2 (en) * 2001-12-17 2005-07-26 Intel Corporation Method and apparatus for producing aligned carbon nanotube thermal interface structure
US6965513B2 (en) * 2001-12-20 2005-11-15 Intel Corporation Carbon nanotube thermal interface structures
CN1296994C (zh) * 2002-11-14 2007-01-24 清华大学 一种热界面材料及其制造方法
US6858157B2 (en) * 2003-04-17 2005-02-22 Vnaderbilt University Compositions with nano-particle size diamond powder and methods of using same for transferring heat between a heat source and a heat sink
US7118941B2 (en) * 2003-06-25 2006-10-10 Intel Corporation Method of fabricating a composite carbon nanotube thermal interface device
US7180174B2 (en) * 2003-12-30 2007-02-20 Intel Corporation Nanotube modified solder thermal intermediate structure, systems, and methods
US6927249B1 (en) * 2004-02-11 2005-08-09 Lg Chem, Ltd. Heat absorb-release plastic resin composition and molded product thereof
CN100383213C (zh) * 2004-04-02 2008-04-23 清华大学 一种热界面材料及其制造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101779088B (zh) * 2007-08-14 2013-05-29 Bsh博施及西门子家用器具有限公司 热水器
CN103311195A (zh) * 2012-03-15 2013-09-18 南亚科技股份有限公司 散热结构
CN102746677A (zh) * 2012-07-13 2012-10-24 哈尔滨工业大学 一种电热储能材料及其制备方法
CN103725019A (zh) * 2012-10-16 2014-04-16 神讯电脑(昆山)有限公司 散热材料及其制备方法
CN103857264A (zh) * 2012-11-30 2014-06-11 通用电气航空系统有限责任公司 用于瞬态热管理的相变散热器
CN112080258A (zh) * 2014-12-05 2020-12-15 霍尼韦尔国际公司 具有低热阻的高性能热界面材料
CN107209320A (zh) * 2015-01-20 2017-09-26 微软技术许可有限责任公司 碳纳米颗粒灌输的光学载台
US10444515B2 (en) 2015-01-20 2019-10-15 Microsoft Technology Licensing, Llc Convective optical mount structure
CN107209320B (zh) * 2015-01-20 2020-12-15 微软技术许可有限责任公司 碳纳米颗粒灌输的光学载台
CN107189292A (zh) * 2017-07-20 2017-09-22 安徽盛华管业有限公司 一种碳纳米管/氮化硼复合改性高导热cpvc管材及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060208354A1 (en) 2006-09-21
CN100543103C (zh) 2009-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1834190A (zh) 热介面材料及其制备方法
CN100345472C (zh) 一种热界面材料及其制造方法
CN100383213C (zh) 一种热界面材料及其制造方法
JP4704899B2 (ja) 熱伝導材料の製造方法
CN101989583B (zh) 散热结构及使用该散热结构的散热系统
Jung et al. High through-plane thermal conduction of graphene nanoflake filled polymer composites melt-processed in an L-shape kinked tube
TW200521218A (en) Thermal interface material and methode for making same
CN1837147A (zh) 热界面材料及其制备方法
CN101864280A (zh) 芯片封装与散热用热界面材料及其制法
CN1927988A (zh) 热界面材料及其制备方法
CN101768427A (zh) 热界面材料及其制备方法
CN113416420A (zh) 一种高定向排列石墨烯片热界面材料制备方法
CN1893040A (zh) 热界面材料制造方法
CN100364081C (zh) 散热器及其制造方法
CN110079050A (zh) 一种导热阻燃环氧树脂复合材料及其制备方法
CN110760189A (zh) 一种不同层型Ti3C2填充的高导热硅脂热界面材料及其制备方法
CN1919961A (zh) 热界面材料及其制备方法
CN105038631A (zh) 高导热绝缘纳米碳铜箔
Liu et al. A protocol to further improve the thermal conductivity of silicone-matrix thermal interface material with nano-fillers
CN108148558A (zh) 一种含石墨烯的导热凝胶及其制备方法和应用
CN100356556C (zh) 一种热界面材料及其制造方法
CN1266247C (zh) 一种热界面材料及其制造方法
CN103467925B (zh) 环氧树脂/纳米铜/碳纳米管热界面复合材料及其制备方法
CN2672867Y (zh) 散热器
CN100405587C (zh) 散热器及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant