CN1828840A - 用以化学机械研磨的多用途研磨浆施放臂 - Google Patents

Abstract

一种可调整的研磨浆供应设备，用于化学机械研磨工艺中。研磨浆供应臂以可转动的方式安装于研磨设备上，且含有研磨浆供应组件，其中研磨浆供应组件可沿着研磨浆供应臂的长边滑动。上述可调整结构的组合可以让使用者于研磨垫中需要的位置施放研磨浆，其中研磨垫位于研磨设备上。先前所述的研磨浆供应设备可使用马达驱动，如此一来研磨浆供应臂即可自动地旋转，且研磨浆供应组件亦可自动地沿着研磨浆供应臂滑动。而马达可使用计算机控制或靠使用者手动调整。一种使用可调整的研磨浆供应设备的方法亦同时披露。

Description

用以化学机械研磨的多用途研磨浆施放臂

技术领域

本发明涉及一种于制造半导体晶片时所实施的化学机械研磨工艺中，施放研磨流体于研磨垫上的一种方法与设备。

背景技术

用以研磨半导体晶片使其变薄且平坦的设备是一种众所周知的技术。这样的设备一般包含有研磨头(Polishing Head)，于研磨头上装有薄膜，用以装备并使半导体晶片来面对湿性的研磨表面，例如：研磨垫(PolishingPad)。不论是研磨垫或研磨头都是不断地旋转的，并使晶片于研磨表面上摆动。此研磨头通过压缩气体系统或类似的装置以提供力量往下压在研磨表面上。且使研磨头往下压在研磨垫上的力量可依需要来调整的。

近年来，化学机械研磨(Chemical-Mechanical Polishing；CMP)设备已经装备有气体驱动的研磨头。化学机械研磨设备主要用于在制造半导体组件于晶片上时，研磨半导体晶片的前面或者说含有组件的一面。在制造过程中实施一次或多次的平坦化是为了使晶片的上表面尽可能地平坦。首先，将晶片放置于载台上并使晶片以面朝下的方式，反压在布满研磨浆的研磨垫上来研磨，研磨浆一般是由硅胶(Colloidal Silica)或氧化铝(Alumina)溶于去离子水中所制成的。

图1A为传统化学机械研磨设备的透视图。此化学机械研磨设备包含可控制的微环境(Mini-Environment)12，以及控制盘14。于可控制的微环境12中，一般而言会安装四轴16、18、20(第四轴未表示)于十字头24上。在每一轴的底部安装有研磨头，举轴16为例，其底部安装有研磨头26，并且研磨头26通过马达(未表示)驱动来旋转。基材，以晶片为例，以被研磨面朝下的方式(未表示)安装于研磨头26上。在研磨工艺期间，研磨头26可以径向地沿着轴16做直线运动以穿越在研磨垫28上的表面。如图1A所示，研磨垫28安装于被马达转动(未表示)的研磨盘30之上，其转动的方向与研磨头26的转动方向相反。

如同图1A所示，调整臂32安装有旋转的调整盘34。调整臂32可转动地安装于其基座36上，用于研磨期间现场调整研磨垫38。与三个安装有研磨垫28、38与40的设置有所不同，第四个装置为装载/卸载清洁头装置，用以装载及卸载晶片进入与移出研磨头。在安装有晶片的研磨头位于此装载/卸载清洁头装置时，之前所述的十字头24将逆时针旋转90度，以便移动晶片恰好装载进入研磨位置，换言之，恰好位于研磨垫28上方。在此同时，安装于轴20上的已研磨好的晶片也移动至装载/卸载清洁头装置来进行卸载。

图1B为化学机械研磨装置42的剖面图。如图1B所示，旋转中的研磨头26，其安装有晶片44，紧密地压在相对旋转的研磨垫28上，其中研磨垫28通过粘着装置安装在研磨盘30上。上述研磨垫28以一定的压力加压于晶片表面46。在研磨工艺期间，以点滴的方式来施放研磨浆48于前述研磨垫28的表面上，如此一来即可通过化学机械的效果来去除晶片表面46上的材料。

由于在化学机械研磨工艺中将大量地施放研磨浆，故研磨浆的组成以及介于晶片表面与研磨垫间的压力将决定去除或研磨晶片表面材料的速率。标准的研磨浆组成包含有研磨成份，如坚硬的颗粒或可与基材表面起化学反应的成份。举例来说，一种典型的氧化物研磨浆包含一种含有氧化物颗粒的胶质悬浊液(Colloidal Suspension)，上述氧化物是以30纳米的平均颗粒大小来悬浮于强碱溶液中，且此强碱溶液的酸碱度(PH)大于10。

在半导体晶片制造工艺中，研磨垫28是一种消耗品。在正常的晶片制造情况下，研磨垫需在约12小时的使用后更换一次。研磨垫可为坚硬的，不可压缩的或者是柔软的护垫。坚硬的研磨垫经常使用于对氧化物的研磨工艺以达成平坦化。而柔软的研磨垫也经常使用在其它的研磨工艺以使表面均匀且光滑。除此之外，坚硬与柔软的研磨垫也可以结合使用来达成一些特定的运用。

参照图2，其为已知的化学机械研磨装置42的透视图。此化学机械研磨装置42包含调整头52、研磨垫28以及研磨浆供应臂54，研磨浆供应臂54的位置是在研磨垫28上方。研磨浆供应臂54安装有研磨浆喷嘴62，其中研磨浆喷嘴62用以施放研磨浆于前述研磨垫28的顶表面60上。表面沟槽64位于顶表面60，用以平坦均匀地分布研磨浆，此外，表面沟槽64也用来容纳一些不需要的颗粒，而这些不需要的颗粒可能是因为在研磨工艺中研磨浆凝结或外来的颗粒落于研磨垫上所产生。表面沟槽64在提供分布研磨浆功能的同时，它也带来了工艺上的问题，这个问题就是在连续地使用之后，研磨垫的顶表面60往往会因此而磨损。

如图2所示，研磨浆供应臂54以一种稳定的方式施放研磨浆在研磨垫28上。研磨浆通过研磨垫的旋转来分布于研磨垫的顶表面上。由于研磨浆供应臂一般而言是施放研磨浆在研磨平面的中央，换言之，就是在研磨垫中央，如此一来，若仅靠着旋转研磨垫的力量来使研磨浆平均地分布在研磨垫表面是相当困难的。因此，位于研磨垫边缘的研磨浆数量也就总是少于位于研磨垫中央的。这样将导致研磨垫中央的研磨速率比边缘高。更进一步地说，在研磨工艺中所产生的噪音也因此而更高。若使用新设计的研磨垫，其含有比传统更深的表面沟槽，这个问题也就更加地严重，也因此使研磨浆在研磨垫上均匀分布的难度更高。

发明内容

因此本发明的目的就是提供一种可调整的流体供应设备，用以安装于含有研磨垫的研磨设备上。

上述流体供应设备包含有可调整的流体供应臂，其含有第一与第二端以及一长边。位于流体供应臂上的第一端可转动地安装有研磨装置，如此一来，此流体供应臂上的第二端是可调整地位于研磨垫上的至少一个位置。上述流体供应设备还包含有流体供应组件，用以供应流体至研磨垫上。流体供应组件与流体供应臂相连结，且移动流体供应臂亦可移动此流体供应组件。更明确地说，流体供应组件以可沿着流体供应臂中的长边侧向移动的方式安装于流体供应臂上，用以让使用者方便来施放流体到研磨垫上需要的位置。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，附图的详细说明如下：

图1A为传统化学机械研磨设备的透视图，其表示多重研磨装置；

图1B为研磨头与研磨平面相互装备晶片在其中间的横剖面图；

图2为在传统化学机械研磨设备中的研磨垫以及固定的研磨浆供应臂的透视图；

图3为依照本发明的一较佳实施例的可调整的研磨浆供应臂的俯视图；

图4为依照图3所示的研磨浆供应臂的剖面俯视图；

图5为一种包含有图3所示的研磨浆供应臂的半导体晶片研磨设备的侧视图，其表示于清洗模式时的半导体晶片研磨设备；

图6为半导体晶片研磨设备的俯视图，其表示图3所揭示的可调整的研磨浆供应臂的扫动与侧向动作的范围；

图7A为图3所示的可调整的研磨浆供应臂的侧视图，其表示清洗水流喷往晶片研磨头的一部分；

图7B为安装有头部夹持环的晶片研磨头的俯视图；以及

图8为图3所示的可调整的研磨浆供应臂的俯视图，其表示于清洗模式时的半导体晶片研磨设备。

主要组件标记说明

12：可控制的微环境            112：停止组件

14：控制盘                    200：化学机械研磨平台

16：轴                        202：马达基座组件

18：轴                    204：研磨垫

20：轴                    206：扫动控制马达

24：十字头                208：螺旋齿轮组件

26：研磨头                300：流体施放组件

28：研磨垫                302：流体施放喷嘴

30：研磨盘                302：本体组件

32：调整臂                304：施放喷嘴

34：调整盘                306：凹槽

36：基座                  308：端点位置

38：研磨垫                310：端点位置

40：研磨垫                312：施放管

42：化学机械研磨装置      400：清洗系统

44：晶片                  402：清洗管

46：晶片表面              404：第一端

48：研磨浆                406：清洗喷嘴

52：调整头                406：清洗喷嘴

54：研磨浆供应臂          408：去离子水喷嘴

60：顶表面                410：去离子水喷嘴

62：研磨浆喷嘴            500：化学机械研磨头

64：表面沟槽              502：头部夹持环

100：研磨浆供应臂         504：沟纹

102：第一端               600：晶片

104：第二端               L：长边

106：腔室                 A-A：纵轴

108：导螺杆               DT：距离

110：停止组件                DL：长边

具体实施方式

依照本发明的一实施例，其披露了一种可调整的研磨浆供应臂，其中研磨浆供应臂使用于化学机械研磨系统中。具体地说，第一个实施例披露了一种用于化学机械研磨设备中的可调整的研磨浆供应设备，其可使研磨浆在研磨垫上的分布较传统化学机械研磨设备中以研磨浆供应臂供应来得均匀。

参照图3及图4，研磨浆供应臂100含有第一端102与第二端104、长边L以及纵轴A-A。第一端102安装马达基座组件202，其中马达基座组件202属于化学机械研磨平台200(参照图5)，第二端104可于用以研磨半导体晶片的研磨垫204上移动，研磨垫204亦为化学机械研磨平台200的一部分。

流体施放组件300包含有一或多个流体施放喷嘴302，且安装于研磨浆供应臂100上，以可沿着研磨浆供应臂100上的纵轴A-A移动的方式来安装，如此一来即可调整流体施放喷嘴302与研磨浆供应臂100的相对位置。在一较佳实施例中，流体施放组件300是用来控制前往研磨垫204的研磨浆的流动，此外，流体施放组件300相对于研磨浆供应臂100的移动也使研磨浆得以施放于研磨垫204上的特定位置，其中此特定位置为研磨浆供应臂100线性投影至研磨垫204上的位置。为了增加可调整性，于研磨浆供应臂100的第一端102以可旋转的方式安装于马达基座组件202上，用以使研磨浆供应臂100可相对于化学机械研磨平台200旋转。这种扫动式的调整性，与上述流体施放组件300侧向动作的调整性相结合，将让使用者放置流体施放喷嘴302于研磨垫204上的位置区域较传统宽广，目的在于最佳化晶片研磨工艺。上述两种调整都可以加装马达驱动，此外，这两种调整也都可以手动或自动控制，细节将在以下详细讨论，

研磨浆供应臂100还包含腔室106，其中腔室106用以容纳流体施放组件300。腔室106可装备清洗系统400，目的在于防止研磨浆阻塞，也因此降低了结粒的干研磨浆落于研磨垫204上的可能性，从而在研磨工艺中刮伤晶片。以下会更详细地讨论此清洗系统。

参照图3与图4，研磨浆供应臂100旋转地安装于马达基座组件202上，其中马达基座组件202位于化学机械研磨平台200上，目的在于允许研磨浆供应臂100相对应于化学机械研磨平台200(以及研磨垫204)扫动。在一实施例中，研磨浆供应臂100可包含转动范围或扫动范围在约120度，为了使研磨浆的覆盖范围能容易地扩大到整片晶片。这种扫动动作可使用扫动控制马达206来控制，而扫动控制马达206安装于的马达基座组件202中，且此马达基座组件202位于化学机械研磨平台200。螺旋齿轮组件208可操作地连接扫动控制马达206以及研磨浆供应臂100，目的在将马达输出的高转速降低至研磨浆供应臂100相对低的扫动速度。扫动控制马达206本身可通过计算机自动控制，而此计算机自动控制也是化学机械研磨平台200的一部分。

研磨浆供应臂100包含腔室106，其中流体施放组件300位于腔室106中。流体施放组件300可在腔室106内沿着(或大致上平行于)研磨浆供应臂100中的纵轴A-A来做直线运动，其目的在于使施放喷嘴304可沿着研磨浆供应臂100做调整，其中施放喷嘴304用以施放研磨浆。为了达成此线性调整，导螺杆108可沿着研磨浆供应臂100的长边L上的至少一个位置来安装，此外，导螺杆108亦大致平行于纵轴A-A。导螺杆108可穿透地装备内部螺纹(未表示)，其中内部螺纹位于流体施放组件300上。如此一来，当导螺杆108旋转时，流体施放组件300(或施放喷嘴304)也沿着导螺杆108依需要的方向移动。如同扫动动作一般，这种侧向动作也可以通过侧向动作控制马达来控制，此侧向动作控制马达安装于研磨浆供应臂100上的第一端。此外，侧向动作控制马达亦可使用计算机自动控制。

为了避免对系统组成组件，如侧向动作控制马达、研磨浆供应臂100与正在研磨的晶片，造成伤害，一对停止组件110、112可安装于研磨浆供应臂100上，目的在于避免流体施放组件300移动超过预定的范围。这些停止组件110、112可以是任何几何形状(如：凸起的插硝、环等)，且恰当地装备在流体施放组件300各自移动端点的位置308、310。如图6所示，该流体施放组件300可沿着此研磨浆供应臂100移动一距离DT，在一实施例中约为50厘米。

流体施放组件300含有细长形的本体组件302，其包含长边DL以及多个凹槽306，其中凹槽306沿着该长边的至少一个位置安装。在工艺期间每一凹槽装备施放喷嘴304，其中每一凹槽306的装备施放喷嘴304的方式为有选择性的，并从而调整施放喷嘴304的方向来施放研磨浆到研磨垫204上。流体施放组件300与凹槽306用以让使用者轻易地装备施放喷嘴304于选定的凹槽内。多重凹槽306与多重施放喷嘴304提供了一种模式的调整，其中上述调整用以供应研磨浆到研磨垫204上。使用者可以选择特定的凹槽306来装备施放喷嘴304于特定的研磨工艺、特定的晶片尺寸或特定的薄膜形态(如中间区域较高、中间区域较低等)。

研磨浆通过至少一个施放管312提供至每一施放喷嘴304。每一施放管312的一端与施放喷嘴304连接，而另一端则安装于研磨浆供应源，其中研磨浆供应源安装于化学机械研磨平台200中。为了使流体施放组件300顺利地移动，施放管312需能柔软到直线延伸与压缩(如手风琴一般地伸长与压缩)。或者，施放管312需可延伸到流体施放组件300的位置，并可恢复往化学机械研磨平台200。因此，当流体施放组件300移动往研磨浆供应臂100上的第二端时，施放管312可自化学机械研磨平台200延伸而出。然后，当流体施放组件300移动往研磨浆供应臂100上的第一端时，施放管312可缩回至化学机械研磨平台200内。

在图4所示的实施例中，流体施放组件300含有两施放喷嘴304以及十分开的凹槽306，其中凹槽306线性沿着流体施放组件300的长边DL安装，其目的在于提供多重位置给施放喷嘴304。值得注意的是，施放喷嘴304与凹槽306的数量并不是特定的，只要不违背本发明的精神，更多或更少的数量也可以提供相同的效果。同样地，凹槽306距离彼此恰当的距离，其目的在于使施放喷嘴304可沿着流体施放组件300调整。

施放喷嘴304可含有固定的开口尺寸(换句话说是不可调整的)，目的在于提供所需要的研磨浆供应速率，而此速率通常在约每秒50毫升到每秒500毫升之间。或者，每一施放喷嘴304均安装有可调整的流量控制阀，如此一来，研磨浆经过施放喷嘴开口的流量即可调整在一适当的范围。在一实施例中，施放喷嘴304的研磨浆供应速率为约每秒50毫升到每秒500毫升之间。施放喷嘴304亦为旋转地位于凹槽306内，用以让使用者可以控制个别施放喷嘴304的方向。这种转动可由使用者手动控制，或通过控制个别枢轴的马达(如电子式的服务器或其它恰当的马达)，其位置在流体施放组件300之内。之前所述的控制个别枢轴的马达也可以由计算机自动控制。在一实施例中，施放喷嘴304的动作限制为单轴的上下扫动，其位置(在相对应的凹槽306内)由使用者所选定。驱动此研磨浆供应臂100的马达由系统软件所控制，并且依特定工艺而设计。马达亦可提供反馈信号给计算机(如计数、扭矩等)，用以提供给系统确切的信息使研磨浆供应臂100可以恰当地移动。

如图3、5以及图8所示，研磨浆供应臂100还可含有清洗系统400，其安装于在研磨浆供应臂100上的腔室106内。清洗组件用以在之后的化学机械研磨工艺中防止研磨浆在腔室内阻塞，并因此降低了结粒的干研磨浆落于研磨垫204上的可能性，从而避免在研磨工艺中刮伤晶片。

清洗系统400可含有清洗管402，其安装腔室106内沿着研磨浆供应臂100的长边的至少一个位置。清洗管402可含有第一端404，用以连接去离子水源，以及多个清洗喷嘴406，清洗喷嘴406沿着清洗管402的长边安装。去离子水源安装于化学机械研磨平台200内，或者由外部添加。清洗喷嘴406可依适当的去离子水流量来设计大小与位置，用以清洗在腔室106内部的研磨浆沉淀物。部分或全部的清洗喷嘴406个别调整其位置与流量速率，其目的是让使用者可依需要来调整清洗区域。虽然清洗喷嘴的安装数量可能更多或更少，在此实施例中，十六清洗喷嘴406安装于腔室106中。于一实施例中，清洗喷嘴406清洗腔室106的流量速率约从每秒50毫升到每秒500毫升。

如图7A与图7B所示，独立的去离子水喷嘴408安装于研磨浆供应臂100的第二端104，并于腔室106的外部，用以提供去离子水流以清洗位于化学机械研磨头500上的头部夹持环502。在研磨工艺中，头部夹持环502用以夹持晶片600于化学机械研磨头500上。头部夹持环502包含有沟纹504，且在研磨工艺中研磨浆通过沟纹504而流动。如同之前所述的腔室106，头部夹持环502应在研磨后彻底地清洗，以确保干燥的研磨浆颗粒不会在之后的研磨工艺中刮伤晶片。在此实施例中，去离子水喷嘴408将安装于研磨浆供应臂100的侧面，用以供应侧向水流(图7A)喷向头部夹持环502。如同之前所述的以去离子水清洗腔室的清洗喷嘴406一般，用以清洗头部夹持环的去离子水喷嘴408可依位置与流量速率的需求来调整的。在一实施例中，去离子水喷嘴408喷往头部夹持环502的流体的流量速率为约每秒50毫升到每秒500毫升之间。

同样地，如图5所示，一或多个去离子水喷嘴410可沿着研磨浆供应臂100的长边至少一个位置安装，用以高压清洗研磨垫204。在使用后适当地清洗研磨垫204将可增加其使用寿命、降低整体工艺的成本以及在之后的研磨中减少刮伤晶片的机会。去离子水喷嘴410如同先前所述的清洗喷嘴406以及去离子水喷嘴408一般，可调整其方向与流量速率，去离子水喷嘴410喷向化学机械研磨垫204的流体流量速率约在每秒50毫升到每秒500毫升之间。

图6为了研磨浆供应臂100的动作范围，其中之前所提到的扫动与侧向动作将可以使研磨浆供应到研磨垫204上在范围A内的任意位置，其中范围A为研磨垫204与整体扫动以及侧向动作的动作范围间重叠的部分，扫动以及侧向动作的动作由研磨浆供应臂100与流体施放组件300所驱动。

而扫动控制马达206将使之前所述的施放喷嘴304开始扫动动作，其中施放喷嘴304用以施放研磨浆，扫动动作将以拱形路径涵盖研磨垫204，此拱形路径的半径等同于每一施放喷嘴304和研磨浆供应臂100与马达基座组件202的连接点之间的距离。因此，研磨浆会沿着此拱形路径施放在研磨垫204的顶表面之上。开动侧向动作控制马达将使施放喷嘴304以沿着研磨浆供应臂100的线性路径移动，此外，研磨浆亦可线性地施放于研磨垫204的顶表面上。如同已有技术所披露的，同时开动此两马达将让使用者方便来设置施放喷嘴304于在A区域内的任何需要的位置。因此，研磨浆施放工艺也就可以依特定的晶片尺寸、薄膜形态以及使用者的偏好来订做。

驱动侧向动作控制马达用以提供侧向速度，速度的范围约在每秒1毫米到每秒50毫米，若为约每秒50毫米则更佳。

于预防性的保养工艺中，使用者会希望旋转该磨浆供应臂100以远离研磨垫，如此一来研磨浆供应臂100即不会妨碍一些如研磨垫的替换或其它保养工艺的操作。在以上的保养工艺结束后，将研磨浆供应臂100正确地再放置于研磨垫204上是相当重要的，用以确保研磨浆可在接下来的研磨工艺中顺利地供应。因此，化学机械研磨平台200可安装有位置连锁传感器，其中位置连锁传感器用以感测研磨浆供应臂100于上述预防性的保养工艺中是否正确地放置(如旋转研磨浆供应臂100以远离研磨垫)。当研磨浆供应臂正处于预防性保养工艺模式中，若使用者企图操作化学机械研磨平台200以研磨晶片，位置连锁传感器将会示警(声音、图像等)，此外亦可防止研磨浆供应至施放喷嘴304。

所有扫动或侧向动作控制马达以及控制研磨浆喷嘴、去离子水喷嘴408、410和清洗喷嘴406的流量速率与位置的马达，均可由计算机自动控制，其中计算机可为化学机械研磨平台200的部分或独立分离，前述去离子水喷嘴408、410与清洗喷嘴406用以清洗腔室106、头部夹持环502，以及研磨垫204。此计算机根据预定的参数程序化地自动控制上述马达，这些参数如研磨工艺的型态、待研磨的晶片的尺寸，或其它恰当的判断基准。

计算机亦程序化地限制研磨浆供应臂100以及流体施放组件300的全扫动与侧向动作的范围，当动作接近、到达或超越到最大范围值时，计算机将提供一组警示信号(如声音、图像等)。当动作到达扫动与侧向动作范围最大值时，计算机亦可程序化地停止马达。或者，不论是在研磨工艺之前或正当研磨工艺操作时，使用者可手动操作计算机以控制所有或个别单一马达，或者，将施放研磨浆与清洗液的控制视为一整体来配合个别的应用。

虽然本发明已以一较佳实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与改进，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (10)

1.一种可调整的流体供应装置，用于研磨装置，其特征是该可调整的流体供应装置包含：

可调整的流体施放臂，包含第一端、第二端与长边，该第一端旋转地安装于该研磨装置，使该第二端可调整地位于研磨垫上的至少一个位置；以及

至少一个流体施放组件，用以施放流体于该研磨垫之上，该至少一个流体施放组件安装于该流体施放臂上，并移动该流体供应臂以移动该流体供应组件；

其中，该至少一个流体施放组件选择性地沿着位于该流体施放臂中的该长边上的至少一个位置移动，用以施放该流体至该研磨垫上的需要位置。

2.根据权利要求1所述的可调整的流体供应装置，其特征是该流体供应装置还包含有扫动控制马达与侧向动作控制马达，该扫动控制马达安装于该流体施放臂上的该第一端，用以自动化地使该流体施放臂相对应于该研磨垫旋转，该侧向动作控制马达用以自动化地控制该至少一个流体施放组件沿着该流体施放臂移动。

3.根据权利要求2所述的可调整的流体供应装置，其特征是该流体施放臂包含导螺杆，以及该至少一个流体施放组件包含内螺纹，该内螺纹用以装备该导螺杆，该至少一个流体施放组件随着该导螺杆的旋转而沿着该流体施放臂移动。

4.根据权利要求3所述的可调整的流体供应装置，其特征是该流体供应装置还包含计算机与该扫动控制马达与该侧向动作控制马达连结，用以控制该至少一个流体施放组件相对应于该研磨垫的位置。

5.根据权利要求1所述的可调整的流体供应装置，其特征是该至少一个流体施放组件包含研磨浆施放管，用以引导研磨浆自该研磨装置至该至少一个流体施放组件，该研磨浆施放管包含流体施放喷嘴，该至少一个流体施放组件包含多个喷嘴定位凹槽，上述喷嘴定位凹槽沿着该至少一个流体施放组件的纵轴排列，该流体施放喷嘴中安装于上述喷嘴定位凹槽的中之一个内。

6.根据权利要求5所述的可调整的流体供应装置，其特征是还包含两研磨浆施放管，用以引导该研磨浆自该研磨装置到该至少一个流体施放组件，每一上述研磨浆施放管安装有相对应的施放喷嘴，该相对应的施放喷嘴可调整位置地位于一个别的施放喷嘴定位凹槽中。

7.根据权利要求5所述的可调整的流体供应装置，其特征是该施放喷嘴包含可调整的研磨浆施放开口，用以让使用者调整该研磨浆流向该研磨垫上的方向。

8.根据权利要求5所述的可调整的流体供应装置，其特征是还包含腔室，该至少一个流体施放组件安装于该腔室中，该腔室包含清洗组件，安装于该腔室内的至少一个位置，该清洗组件包含管件，该管件包含多个清洗喷嘴，上述清洗喷嘴沿着该管件的长边上的至少一个位置安装，使该流体施放臂在施放该研磨浆后，清洗该腔室。

9.根据权利要求8所述的可调整的流体供应装置，其特征是该清洗组件包含至少一个研磨垫清洗喷嘴，用以将清洗流体喷往该研磨垫之上，在研磨操作之后清洗该研磨垫。

10.一种可调整的研磨浆供应臂，用于研磨装置，其特征是该可调整的研磨浆供应臂包含：

可调整的臂，包含第一端、第二端与长边，该第一端旋转地安装于该研磨装置上，使该第二端可调整在研磨垫上的至少一个位置；以及

至少一个研磨浆喷嘴组件，用以施放研磨浆至该研磨垫之上，该至少一个研磨浆喷嘴组件包含至少一个研磨浆施放喷嘴，用以将研磨浆喷往该研磨垫，该至少一个研磨浆喷嘴组件安装于该可调整的臂上；

其中，该至少一个研磨浆喷嘴组件选择性地沿着位于该可调整的臂中的该长边上的至少一个位置移动，用以施放该研磨浆至该研磨垫上的选定的位置。

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