CN1815763A - 高效晶体硅电池规模化制造方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 13
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N molecular nitrogen;molecular oxygen Chemical compound N#N.O=O DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000006255 coating slurry Substances 0.000 claims description 3
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 9
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000005056 cell body Anatomy 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种高效晶体硅电池规模化制造方法，包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理，高温烧结是在氮氧气氛下进行，氮氧气氛中氮与氧的重量比为8～15∶1。本发明电池效能高，工艺简单，易操作。
Description
技术领域：
本发明涉及一种晶体硅电池的生产方法。
背景技术：
在生产太阳电池的工艺过程中，不可避免地会引起各种沾污，扩散炉的气路系统可引入各种尘埃的沾污，石英炉管会引起钠离子沾污，多次高温循环热处理，易使硅片内部产生热应力。制作太阳电池采用太阳能级硅，材料本身缺陷多，补偿变高，制作过程中，易引入人为的沾污和各种化学试剂的沾污。上述缺陷造成电池效能降低。
发明内容：
本发明的目的在于提供一种电池效能高的高效晶体硅电池规模化制造方法。
本发明的技术解决方案是：
一种高效晶体硅电池规模化制造方法，包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理，其特征是：高温烧结是在氮氧气氛下进行，氮氧气氛中氮与氧的重量比为8～15∶1。
高温烧结处理的温度对于区熔单晶硅电池为950～1200℃，对于直拉硅单晶电池的为800～1000℃，高温烧结处理时间为0.5～6小时。
高温烧结处理时，在硅片进炉时，采取快速进炉，硅片出炉时采取慢速出炉。
快速进炉是将同批需高温烧结处理的硅片在2秒～2分钟内完成进炉过程；慢速出炉是将同批需高温烧结处理的硅片在10分钟～20分钟内完成出炉过程。
本发明采用的高温烧结处理环境气氛，可有效地使铝原子快速扩散到电池的背表面硅的原子中，在硅中形成大量失配位错，将电池体内的各种金属杂质和体内缺陷吸附到电池的背表而，选择的温度可以更好地达到这一效果；采取快速进炉和慢速出炉的方法，快速进炉是为了恨好地制造缺陷，慢出是为了在整个高温过程中，吸收到“缺陷”中各种金属杂质和体内缺陷，固定在人为制造的“缺陷”中。本发明制成的产品效能高，且不易产生起球、起皱、发黑、炸片等不良现象。
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
实施例1：
一种高效区熔单晶硅电池规模化制造方法，包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理，高温烧结是在氮氧气氛下进行，氮氧气氛中氮与氧的重量比为8～15∶1(可以是8∶1或10∶1、15∶1)。高温烧结处理的温度为950～1200℃(例950℃、1100℃、1200℃)，高温烧结处理时间为0.5～6小时(例6小时、3小时、0.5小时)。高温烧结处理时，在硅片进炉时，采取将同批需高温烧结处理的硅片在2秒～2分钟(例2秒、30秒、1分钟、2分钟)内完成进炉过程的快速进炉方法，硅片出炉时采取将同批需高温烧结处理的硅片在10分钟～20分钟(例10分钟、15分钟、20分钟)内完成出炉过程的慢速出炉方法。其余步骤同常规晶体硅电池制造步骤，即的产品。
实施例2：
一种高效直拉硅单晶电池规模化制造方法，高温烧结处理的温度为800～1000℃(例800℃、900℃、1000℃)，其余同实施例1。
Claims (4)
1、一种高效晶体硅电池规模化制造方法，包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理，其特征是：高温烧结是在氮氧气氛下进行，氮氧气氛中氮与氧的重量比为8～15∶1。
2、根据权利要求1所述的高效晶体硅电池规模化制造方法，其特征是：高温烧结处理的温度对于区熔单晶硅电池为950～1200℃，对于直拉硅单晶电池的为800～1000℃，高温烧结处理时间为0.5～6小时。
3、根据权利要求1或2所述的高效晶体硅电池规模化制造方法，其特征是：高温烧结处理时，在硅片进炉时，采取快速进炉，硅片出炉时采取慢速出炉。
4、根据权利要求4所述的高效晶体硅电池规模化制造方法，其特征是：快速进炉是将同批需高温烧结处理的硅片在2秒～2分钟内完成进炉过程；慢速出炉是将同批需高温烧结处理的硅片在10分钟～20分钟内完成出炉过程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB200510038325XA CN100376039C (zh) | 2005-02-05 | 2005-02-05 | 高效晶体硅电池规模化制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB200510038325XA CN100376039C (zh) | 2005-02-05 | 2005-02-05 | 高效晶体硅电池规模化制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1815763A true CN1815763A (zh) | 2006-08-09 |
| CN100376039C CN100376039C (zh) | 2008-03-19 |
Family
ID=36907819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB200510038325XA Expired - Fee Related CN100376039C (zh) | 2005-02-05 | 2005-02-05 | 高效晶体硅电池规模化制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100376039C (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102709181A (zh) * | 2012-05-08 | 2012-10-03 | 常州天合光能有限公司 | 提高硅晶体电池片转换效率的方法 |
| CN101687709B (zh) * | 2007-07-13 | 2013-02-13 | Jx日矿日石金属株式会社 | 烧结硅晶片 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0613390A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-01-21 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
| AU2001241919A1 (en) * | 2000-03-03 | 2001-09-17 | Midwest Research Institute | A1 processing for impurity gettering in silicon |
| CN1206743C (zh) * | 2003-04-03 | 2005-06-15 | 上海交通大学 | 一种晶体硅太阳电池的制作方法 |
-
2005
- 2005-02-05 CN CNB200510038325XA patent/CN100376039C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101687709B (zh) * | 2007-07-13 | 2013-02-13 | Jx日矿日石金属株式会社 | 烧结硅晶片 |
| CN102709181A (zh) * | 2012-05-08 | 2012-10-03 | 常州天合光能有限公司 | 提高硅晶体电池片转换效率的方法 |
| CN102709181B (zh) * | 2012-05-08 | 2014-12-31 | 常州天合光能有限公司 | 提高硅晶体电池片转换效率的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100376039C (zh) | 2008-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
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|
| LIC | Patent licence contract for exploitation submitted for record |
Free format text: EXCLUSIVE LICENSE; TIME LIMIT OF IMPLEMENTING CONTACT: 2009.6.2 TO 2014.6.1; CHANGE OF CONTRACT Name of requester: JIANGSU YANGGUANG JINGYUAN TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20090623 |
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| C56 | Change in the name or address of the patentee |
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| CP03 | Change of name, title or address |
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| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract |
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Granted publication date: 20080319 Termination date: 20170205 |