CN1806066A - 清洗和消毒探针、插管、针具、吸管和喷嘴的表面的大气压力非热等离子区设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于使用大气压力非热等离子区来清洗和消毒液体处理设备的表面的方法和装置。
Description
背景技术
在临床、工业和生命科学实验室的规范内,科学家通过极其少量的液体来执行方法和协议。这些液体包括具有不同物理属性的许多种类和类型。通常,工作体积在一滴(约25微升)和几纳升之间。存在用来通过将液体从这种流体保持设备吸入手动或机器人移动的、具有探针、插管、针具或其它类似的部件或多个部件的流体处理设备中,然后,从同样的探针或多个探针分发到另一流体保持设备中,从源传送液体化合物的多种标准方法。
四种普通技术是(1)使用可以或可以不涂以材料层或特殊涂层的探针或插管,直接连接到或通过管连接到泵送设备的方案,(2)使用一次性吸管而非探针/插管,但别的方面类似的方案,(3)使用具有一个或多个开口的喷嘴和物理上推进多个精确计量的微滴的泵送系统的方案,以及(4)使用在通过表面张力保持流体的末端,具有精确机制挖空空间的金属轴(通称为“针具”)的方案。
流体传送的过程的日常工作是在实验室中,技术挑战仍然是实现分发设备的适当清洁度。目前,流体处理设备经受“尖端清洗”过程,其中,在使用之间通过液体溶剂,诸如DMSO或水清洁它们。在“尖端清洗”过程后,然后,相对于所需环境条例,必须适当地处置所使用的和现在被污染的液体。作为该湿的“尖端清洗”过程的备选方案,能使用大气压力等离子区来用“干”等离子区清洗过程代替液体清洗过程,从而消除处理和处置生物危害和环境不利的溶剂的需要。
术语“等离子区”通常用来表示电气体放电中具有相同数目正离子和负电子的区域(N.St.J.Braithwaite,“Introduction to gasdischarges”Plasma Sources Science and Technology,V9,2000,p517-527;H.Conrads et al.,“Plasma Generation and Plasma Sources”Plasma Sources Science and Technology,V9,2000,p441-454)。非热或非平衡等离子区是其中等离子区电子的温度高于离子和中性物种的温度。在大气压力非热等离子区内,通常存在丰富的其它高能和活性粒子,诸如紫外光子、激发的和/或亚稳原子和分子以及自由基。例如,在空气等离子区内,存在激发的和亚稳物种N2,N,O2,O、自由基,诸如OH,NO,O和O3,以及由N2,NO和OH发射产生的波长在从200至400纳米范围内的紫外光子。
通过使流体处理设备或其它部件的表面曝露于大气压力等离子区,来实现“干”等离子区清洗过程。上述活性和高能成分现在能与表面上的任何污染物反应,从而挥发、分离和与污染物反应,以便形成通过等离子区清洗设备排出的更小和有利气态化合物。
除了去除各种不期望的化合物外,还能使用等离子区来消毒流体处理设备的表面。同样的紫外光子,特别是具有低于300nm波长的那些紫外光子、自由基和亚稳分子以及等离子区电子和离子提供了非常严格的(harsh)环境,其中,细菌、病毒、真菌和它们的相应孢子被裂解或者被致使无法生存以及部分或完全挥发成气态化合物。
发明内容
在一个实施例中,本发明的特征在于用于清洗流体处理设备的装置。在一个实施例中,该装置包括通道阵,每一个通道由电介质材料制成并被配置成容纳单个流体处理设备;与每个通道接触的至少一个电极,用于在每个通道中产生离散等离子区(discrete plasma);以及与通道阵相邻的至少一个导电地。在一个方面中,本发明的装置具有与通道的每一个相邻的至少一个导电地。在本发明的另一方面中,流体处理设备是导电地。在另一方面中,流体处理设备形成导电地。
在本发明的实施例中,通过施加约5,000伏至约15,000伏范围内的电压,在等离子区清洗装置中产生等离子区。
在本发明的一个实施例中,等离子区清洗装置的通道是圆柱形。在另一实施例中,等离子区清洗装置的通道是矩形。在本发明的一个方面中,等离子区清洗装置的通道在一个末端是封闭的。在另一方面中,等离子区清洗装置的通道在两端均是开口的。
在一个实施例中,本发明具有与真空源直通的等离子区清洗装置的特征。
在本发明的实施例中,本发明可以包含等离子区清洗装置阵。在一个方面中,等离子区清洗装置阵按对应于微量滴定板格式排列。
在一个实施例中,本发明具有包含至少一种稀有气体的等离子区清洗装置的特征。
在实施例中,本发明具有用于清洗流体处理设备的装置的特征,其中,该装置包含以对应于微量滴定板的结构的通道阵。在一个实施例中,每个通道包括电介质材料并用来容纳单个流体处理设备。在一个方面中,存在与每个通道接触的至少一个电极,用于在每个通道中产生离散等离子区;以及另外,存在与通道阵相邻的导电地。在一个实施例中,本发明的装置的通道是圆柱形。在另一实施例中,本发明的装置的通道是矩形。
在一个实施例中,本发明还具有用于清洗流体处理设备的装置的特征,其中,该装置包含以对应于微量滴定板的结构的通道阵,另外其中,每个通道包括电介质材料并用来容纳单个流体处理设备。在一个方面中,存在与每个通道接触的至少一个电极,用于在每个通道中产生离散等离子区;以及另外,存在与通道的每一个相邻的导电地。在一个方面中,流体处理设备对于容纳它的通道形成导电地。在一个实施例中,本发明的装置的通道为圆柱形。在另一实施例中,本发明的装置的通道为矩形。
在本发明的实施例中,将流体处理设备插入等离子区清洗装置的通道中,以便流体处理设备的尖端位于约等离子区场的中心。
在一个实施例中,本发明具有用于通过使流体处理设备的至少一部分位于本发明的等离子区清洗装置的通道的内部;以及在每个通道内部形成等离子区以便清洗流体处理设备,来清洗流体处理装置的方法的特征。在一个方面中,本发明具有通过使流体处理设备的每一个的至少一部分位于等离子区清洗装置的离散通道(discrete channel)的内部;以及在离散通道的内部形成等离子区来清洗多个流体处理装置,来清洗多个流体处理设备的方法的特征。
附图说明
包含并构成该说明书的一部分的附图示例说明本发明的当前优选实施例,以及结合上述概述和下面的详细描述,用来解释本发明的特征。未标记附图的一些方面,但包括以便提供本发明的另外的细节。另外,在一些图中,如果特征在图中不止一次出现,可以仅提及该特征一次。
在图中:
图1是本发明的基于大气压力等离子区的清洗设备的一个实施例的剖面图。
图2是本发明的基于大气压力等离子区的清洗设备的一个实施例的顶角视图。
图3是本发明的基于大气压力等离子区的清洗设备的一个实施例的剖面图,其中,上电介质部向外垂直延伸。
图4是本发明的基于大气压力等离子区的清洗设备的一个实施例的顶角视图,其中,上电介质部向外垂直延伸。
图5是本发明的基于大气压力等离子区的清洗设备的一个实施例的剖面图,其中,导电面位于与垂直向外延伸的电介质的顶部相邻。
图6是本发明的基于大气压力等离子区的清洗设备的一个实施例的顶角视图,其中,导电面位于与垂直向外延伸的电介质的顶部相邻。
具体实施方式
在根据本发明的大气压力等离子区设备的设计的某些实施例中,使用电介质阻挡放电(也称为“无声放电”)方案,其中,施加交流电压的至少一个电极包括绝缘电介质(U.Kogelschatz等人的“Dielectric-Barrier Discharges,Principles and Applications”,J.PhysIV France,7,1997,C4-47)。电极可以包括任何导电材料。在一个实施例中,可以使用金属。用在本发明中的金属包括但不限于铜、银、铝及其组合。在本发明的另一实施例中,可以将金属的合金用作电极。用在本发明中的合金包括但不限于不锈钢、黄铜和青铜。在本发明的另一实施例中,可以使用导电化合物。用在本发明中的导电化合物包括但不限于氧化铟锡。
在一个实施例中,本发明的电极可以使用本领域中已知的任何方法形成。在本发明的实施例中,电极可以使用箔形成。在本发明的另一实施例中,电极可以使用导线形成。在本发明的另一实施例中,电极可以使用实心块形成。在本发明的另一实施例中,电极可以作为层直接淀积到电介质上。在一个方面中,电极可以使用导电漆形成。
在本发明的实施例中,当在所施加的交电电压的一个相位期间,电荷累积在电介质表面和相对电极之间直到电场足够高以启动通过气隙放电(也称为“气体击穿”)时,在电介质阻挡放电中获得等离子区。在放电期间,来自重新分布的电荷密度的电场可以反抗所施加的电场,并终止放电。在一个方面中,可以在所施加的交流电压的同一相位的较高电压部分处,或在所施加的交流电压的下一相位期间,重复所施加的电压放电终止过程。
在本发明的另一实施例中,可以使用电晕放电方案(E.M.vanVeldhuizen,W.R.Rutgers.“Corona Discharges:fundamentals anddiagnostics”Invited Paper,Proceedings of Frontiers in LowTemperature Plasma Diagnostics IV,Rolduc,The Netherlands,March2001,pp.40-49)。在一个实施例中,电晕放电方案可以使用非对称电极。在本发明的一个方面中,放电在接近尖电极的最大曲率区域的高电场区内产生。如果所施加的电压或电极间隙距离使得放电不能横穿气隙,那么最终电晕放电将受电子重组和空间电荷扩散的限制。在本发明的一个实施例中,探针、插管或针具的尖端能用作最大曲率区域以及最终高电场启动电晕放电。
根据用于等离子区设备的几何结构和气体,所施加的电压的范围能从500至20,000峰值伏特,以及频率的范围在从50Hz的行频直到20兆赫。在本发明的实施例中,电源的频率的范围可以从50Hz直到20兆赫。在本发明的另一实施例中,电压和频率的范围可以分别从5,000至15,000峰值伏特和50赫兹至50,000赫兹。通过非限定的例子,在用于照明目的的霓虹灯镇流器中,通常发现电压和频率的这些参数(Universal Lighting Technologies,Inc.Nashville,TN)。
用在本发明中的电介质材料包括但不限于陶瓷、玻璃、塑料、环氧聚合物,或一个或多个这些材料的复合物,诸如玻璃纤维或陶瓷填充树脂(Cotronics Corp.,Wetherill Park,Australia)。在一个实施例中,陶瓷电介质为氧化铝。在另一实施例中,陶瓷电介质为可加工的玻璃陶瓷(Corning Incorporated,Corning,NY)。在本发明的一个实施例中,玻璃电介质是硼硅玻璃(Corning Incorporated,Corning,NY)。在一个实施例中,玻璃电介质是石英(GE Quartz,Inc.Willoughby,OH)。在本发明的一个实施例中,塑料电介质是聚甲基丙烯酸甲酯(PLEXIGLASS和LUCITE,Dupont,Inc.,Wilmington,DE)。在本发明的另一实施例中,塑料电介质是聚碳酸脂(Dupont,Inc.,Wilmington,DE)。在另一实施例中,塑料电介质是含氟聚合物(Dupont,Inc.,Wilmington,DE)。用在本发明中的电介质材料通常具有在2和30范围之间的介电常数。
用在本发明的等离子区设备中的气体能是周围空气、纯氧、稀有气体的任何一种,或每个的组合,诸如空气或氧与氩和/或氦的混合物。能将添加剂添加到气体中,诸如过氧化氢,以便增强特殊等离子区清洗特性。
图1表示DBD等离子区清洗设备的典型例子的剖面图。在一个实施例中,电介质包括结束于中空开口的电介质通道(dielectricchannel)101,厚度W为约0.5mm至约3mm以及长度L为约1cm至约5cm。电介质的外部耦合与AC电源104连接的任意厚度和长度I为约0.5至约4cm的电极102。电介质通道101的精确尺寸取决于用于制作的材料的属性。在本发明的实施例中,材料的介电常数和介电强度可以允许用在本发明中的这些材料的更大或更小长度和/或厚度。
在一个实施例中,本发明的等离子区清洗设备是圆柱形。在本发明的另一实施例中,等离子区清洗设备为矩形。在另一实施例中,本发明的等离子区清洗设备为椭圆形。在本发明的另一实施例中,本发明的等离子区清洗设备为多边形。参考图1,在本发明的一个实施例中,将接地的流体处理设备103的末端插入电介质通道中,直到电极102的长度I的中点处电极102之间的点,并充当反向电极。由此,在流体处理设备103的外表面和电介质通道101的内壁之间形成等离子区。在一个实施例中,等离子区是电介质阻挡放电等离子区。在另一实施例中,等离子区是电晕放电等离子区。电极102的顶和底缘以及电介质通道101的顶和底缘之间的自由空间H被分开足够距离以防止电极101和在该实施例中充当地的流体分发设备103之间的电弧放电。在一个实施例中,该空间为大约0.5mm至约10mm以防止电介质周围的电弧放电。在一个实施例中,空间H的最小尺寸可以确定为使得围绕电介质101但在电极103和102之间的相应电场不足以直接在103和102之间引起气体击穿所需的距离。还将理解到,空间H的最大尺寸可以由流体处理设备103的尖端能插入由电介质101形成的通道中到多大程度来确定。
可通过将由电介质形成的室的底部耦合到负压区,通过设备的底部排出来自等离子区的任何挥发污染物和其它产物。在一个实施例中,负压区是真空。在一个方面中,真空与等离子区设备的通道直通并用来通过本发明的等离子区设备的底部引出等离子区产物。
图2表示具有多个电介质阻挡放电结构的典型DBD等离子区清洗设备的实施例,每个等离子区单元与图1所示类似。各个电介质通道201的外表面203均耦合到公共外电极202。在一个实施例中,电极202连接到AC电源。在本发明的另一实施例中,电源是DC电源。在一个方面中,用脉冲输送DC电源并利用矩形波形。在另一方面中,用脉冲输送DC电源并利用锯齿波形。
多个接地的流体处理设备能插入等离子区设备中并同时处理。多个内的每个等离子区设备之间的间隔由将插入的流体处理设备的几何结构来确定。用于电介质结构201的典型几何结构能遵循由the Societyfor Biomolecular Engineering,Microplate Standards DevelopmentCommittee为96,384或1536孔微板(well microplate)所设定的(出版物ANSI/SBS 4-2004,“Well Positions for Microplates”,2004年1月,the Society for Biomolecular Screening<
www.sbsonline.com>)。其它几何结构包括单开口单元以及开口在线性和二维阵列中。
可以使用几个过程来清洗或消毒流体处理设备的内外表面。为清洗、消毒或者处理内表面,根据由所需清洗/消毒量确定的吸入体积、速率和频率,使用流体处理设备的吸入和分发能力,将等离子区的活性和高能成分重复地吸入流体处理设备中。
如图1所示,在本发明的一个实施例中,为清洗或消毒流体处理设备的外表面,能将流体分发设备103的末端插入电极102前或顶部的位置以便正好清洗分发设备103的末端,或能插入远低于电极102的顶部的位置,以便清洗分发设备的外表面。等离子区通电及活性和高能成分与表面接触的时间也由所需处理参数确定。
在本发明的实施例中,DBD等离子区设备可以使其上电介质部沿箭头A垂直延伸,以便也从顶部覆盖带电电极302,如图3中的典型剖面图所示。该结构允许电极302和电介质301之间的间隔J小于用于防止电介质301周围的电弧放电的间隔H。在本发明的实施例中,空间J的最小尺寸可以确定为使得围绕电介质301以及在电极302和电极303(在此为流体处理设备)之间的相应电场不足以直接引起303和302之间的气体击穿所需的距离。在一个实施例中,空间J的最大尺寸可以由流体处理设备303的尖端插入本发明的等离子区清洗设备中到何种程度来确定。在本发明的一个实施例中,流体处理设备303的尖端位于等离子区场中的中间位置。在另一实施例中,流体处理设备303的尖端位于本发明的等离子区清洗设备内的等离子区场的中心附近。在一个方面中,流体处理设备303的尖端插入等离子区清洗设备直到电极302的中点。在另一方面中,流体处理设备303的尖端位于最大等离子区密度区内。电介质301的厚度W与相对于图1所述的类似。此外,也能没有间隔J使得电极302的顶部与垂直延伸的电介质301的底部相邻。这将导致当使接地的流体处理设备靠近电介质301的顶部但仍然在电介质通道外时产生等离子区。
图4示例说明包括多个DBD设备的本发明的实施例,每个共用从顶部覆盖公共电极402的公共延伸上电介质401。
在本发明的另一实施例中,任何厚度的导电面503能位于与垂直延伸的电介质的顶部相邻。图5表示导电面503中具有与电介质表面501中的开口对准的孔的典型设备的一个实施例的剖视图。如图5所示,除电介质501的开口的顶部外,导电面503的内缘M能垂直地覆盖电介质501的内电介质壁504。如果导电面503被接地,则能在带电电极502的顶部和接地电极503的内缘M之间的空间K中形成等离子区。参考图5,在本发明的一个实施例中,可以确定空间K的最大距离,其中,位于由电介质501形成的通道内的电极503的边缘M和对应于502的顶部的内电介质壁504之间的电场足以允许气体击穿以及在由电介质501形成的通道内形成等离子区。
在本发明的一个实施例中,空间K的最小距离可以为零。在本发明的另一实施例中,空间K的最小距离可以是大于零的值。空间K的优化便于当插入接地的流体处理设备时,在由电介质501形成的圆柱通道内,产生更均匀和扩散体积的等离子区。在本发明的一个实施例中,K是0mm和20mm之间的距离。在一个方面中,K是Imm和10mm之间的距离。在本发明的实施例中,K为约3mm。
在本发明的一个实施例中,能通过开关使导电面503与地断开以便在等离子区清洗/消毒过程期间,不使它作为电极参与。这将便于在流体处理设备的末端产生更集中的等离子区,与围绕该末端的扩散体积等离子区相反。
图6示例说明本发明的一个实施例,特征在于共用能接地或不接地的公共导电面603和公共带电电极602的多个DBD等离子区设备的典型设计,分别由公共垂直延伸电介质601分开。
在本发明的实施例中,按微量滴定板(microtiter plate)的格式排列多个DBD等离子区设备。微量滴定板格式的例子包括但不限于96孔(well)板格式、384孔板格式以及1536孔板格式。然而,将理解到具有低于96孔,诸如48孔、24孔、12孔和6孔格式的板格式也用在本发明中。在一个实施例中,用在本发明中的通道的物理属性,诸如由微量滴定板中的孔形成的通道能基于所使用的电介质材料的属性、这种通道的尺寸和用来在这种通道内产生等离子区的能量的量和特性来确定,如在此文中别处详细所述。类似地,如在此文中别处详细所述,可以通过分析这种通道的物理属性和所使用的电介质材料的属性,来确定用来在本发明的通道内产生等离子区的能量的量和特性。
在本发明的实施例中,液体处理设备的阵列也可以处于与微量滴定板兼容的格式。在另一实施例中,可使用本发明的装置或方法,来清洗与微量滴定板格式兼容的液体处理设备的阵列。用在本发明中的微量滴定板处理设备包括但不限于将XYZ格式用于液体处理的设备,诸如TECAN GENESIS(Tecan,Durham,NC)。与本发明兼容的其它微板处理包括格式与仪器,诸如Beckman Coulter FX(BeckmanCoulter,Fullerton,CA)和the TekCel TekBench(TekCel,Hopkinton,MA)一起使用的格式。
尽管详细地并参考其具体实施例描述了本发明,但对本领域的技术人员来说,在不背离本发明的精神和范围的情况下,可以做出各种改变和改进。因此,只要它们落在附加权利要求及它们的等效的范围内,本发明试图覆盖这些改进和变化。另外,由此,通过引用,全面地包含在此公开的各个和每个参考资料。
权利要求书
(按照条约第19条的修改)
1.用于等离子区清洗的装置,包括:
中空电介质构件,具有位于中空电介质构件的第一端的第一开口;
耦合至中空电介质构件的外表面的中心部分的电极;以及
耦合至中空电介质构件的外表面贴近中空电介质构件的第一端的导电构件。
2.如权利要求1所述的装置,其中,所述导电构件进一步包括沿中空电介质构件的内表面伸出的延伸部。
3.如权利要求2所述的装置,其中,沿中空电介质构件的中心轴测量并在导电构件的伸出延伸部的第一端和电极的近边之间限定的距离大于或等于零。
4.如权利要求1所述的装置,其中,所述导电构件被接地。
5.如权利要求1所述的装置,进一步包括:
电介质凸缘,耦合至中空电介质构件的外表面并与导电构件相邻。
6.如权利要求1所述的装置,进一步包括:
至少第二中空电介质构件,具有位于第二中空电介质构件的第一端的第一开口,以及具有耦合至第二中空电介质构件的外表面的中心部分的电极。
7.如权利要求6所述的装置,其中,所述各中空电介质构件按基本上平面阵排列,以及其中,每个中空电介质构件的中心轴基本上平行。
8.如权利要求6所述的装置,其中,所述各中空电介质构件按微量滴定板格式排列。
9.如权利要求6所述的装置,其中,每个电极耦合在一起。
10.如权利要求6所述的装置,进一步包括:
电介质凸缘,耦合至每个中空电介质构件的外表面并与所述导电构件相邻。
11.如权利要求6所述的装置,其中,所述导电构件基本上环绕所述中空电介质构件的每个第一开口。
12.如权利要求1所述的装置,其中,所述中空电介质阻挡构件为圆柱形。
13.如权利要求1所述的装置,其中,所述中空电介质阻挡构件为多边形管。
14.如权利要求1所述的装置,进一步包括:
贴近与中空电介质构件的第一端相对的第二端,通过中空电介质构件形成的第二开口。
15.如权利要求14所述的装置,其中,所述第二开口流体地耦合到负压源,适合于通过第二开口引出等离子区清洗副产物。
16.如权利要求1所述的装置,进一步包括电压源,适合于将在约5000V至约15000V之间的电压提供给所述电极。
17.如权利要求1所述的装置,进一步包括电压源,适合于将具有约50Hz和约14MHz之间的频率的电压提供给所述电极。
18.如权利要求1所述的装置,其中,中空电介质构件的与第一端相对的第二端是封闭的。
19.用于等离子区清洗的装置,包括:
具有导电面和相对电介质面的板,该板具有贯穿导电面和电介质面的多个开口;
多个中空电介质构件,第一端耦合到板的电介质面并在与导电面相反的方向延伸,多个中空电介质构件的每一个在第一端具有第一开口并与板中的多个开口的各自一个对准;以及
耦合到每个中空电介质构件的外表面的中心部分的电极。
20.如权利要求19所述的装置,其中,板的导电面进一步包括沿其内表面伸入多个中空电介质构件的至少一个中的延伸部。
21.如权利要求20所述的装置,其中,沿至少一个中空电介质构件的中心轴测量并在导电构件的伸出延伸部的第一端和电极的近边之间限定的距离大于或等于零。
22.如权利要求19所述的装置,其中,所述导电面被接地。
23.如权利要求19所述的装置,其中,多个中空电介质构件的每一个的中心轴基本上平行。
24.如权利要求19所述的装置,其中,所述中空电介质构件为圆柱形。
25.如权利要求19所述的装置,其中,所述中空电介质构件为多边形管。
26.如权利要求16所述的装置,进一步包括:
贴近与中空电介质构件的第一端相对的第二端,通过至少一个中空电介质构件形成的第二开口。
27.如权利要求26所述的装置,其中,第二开口流体地耦合到负压源,适合于通过第二开口引出等离子区清洗副产物。
28.如权利要求19所述的装置,其中,多个中空电介质构件按微量滴定板格式排列。
29.如权利要求19所述的装置,进一步包括电压源,适合于将在约5000V至约15000V之间的电压提供给电极。
30.如权利要求19所述的装置,进一步包括电压源,适合于将具有约50Hz和约14MHz之间的频率的电压提供给电极。
31.如权利要求19所述的装置,其中,至少一个中空电介质构件的与第一端相对的第二端是封闭的。
Claims (18)
1.一种用于清洗流体处理设备的装置,所述装置包括:
通道阵,每个所述通道包括电介质材料,并被配置成容纳单个流体处理设备;
与每个通道接触的至少一个电极,用于在每个通道中产生离散的等离子区;以及
与所述通道阵相邻的至少一个导电地。
2.如权利要求1所述的装置,具有与每个所述通道相邻的至少一个导电地。
3.如权利要求2所述的装置,其中,所述流体处理设备包括所述导电地。
4.如权利要求1所述的装置,其中,通过施加从约5,000伏至约15,000伏范围内的电压,产生所述等离子区。
5.如权利要求1所述的装置,其中,通过施加具有从约50赫兹至约14兆赫范围内的频率的电压,产生所述等离子区。
6.如权利要求1所述的装置,其中,至少一个所述通道为圆柱形。
7.如权利要求1所述的装置,其中,至少一个所述通道在一端是封闭的。
8.如权利要求1所述的装置,其中,至少一个所述通道在两端均开口。
9.如权利要求1所述的装置,其中,至少一个所述通道直通真空源。
10.如权利要求1所述的装置,其中,对应于微量滴定板格式排列所述阵。
11.如权利要求1所述的装置,其中,至少一个所述通道的内部包括至少一种稀有气体。
12.一种清洗流体处理设备的方法,所述方法包括:
使所述流体处理设备的至少一部分位于通道的内部;以及
使在所述通道内部形成等离子区。
13.一种清洗多个流体处理设备的方法,所述方法包括:
使每个所述流体处理设备的至少一部分位于通道阵的一个离散通道的内部;以及
使在所述离散通道的所述内部形成等离子区。
14.一种用于清洗流体处理设备的装置,所述装置包括:
以对应于微量滴定板的结构的通道阵,每个所述通道包括电介质材料并被配置用来容纳单个流体处理设备;
与每个通道接触的至少一个电极,用于在每个通道中产生离散等离子区;以及
与所述通道阵相邻的导电地,其中,所述导电地与每个所述通道相邻。
15.如权利要求14所述的装置,其中,从由圆柱和矩形组成的组中选择每个所述通道的形状。
16.一种用于清洗流体处理设备的装置,所述装置包括:
以对应于微量滴定板的结构的通道阵,每个所述通道包括电介质材料并被配置用来容纳单个流体处理设备;
与每个通道接触的至少一个电极,用于在每个通道中产生离散等离子区;以及
与每个所述通道相邻的导电地,其中,所述流体处理设备包括用于容纳它的通道的导电地。
17.如权利要求16所述的装置,其中,从由圆柱和矩形组成的组中选择每个所述通道的形状。
18.如权利要求15所述的装置,其中,所述流体处理设备被插入所述通道的一个中,另外其中,所述流体处理设备的尖端位于大约所述等离子区的中心。
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