CN1805823A - 用于对微特征工件机械和/或化学－机械抛光的方法和包括下垫的抛光机 - Google Patents

用于对微特征工件机械和/或化学－机械抛光的方法和包括下垫的抛光机 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于对微特征工件(112)进行机械和/或化学－机械抛光的抛光机以及方法。在一个实施例中，所述抛光机包括具有支撑表面的台，通过支撑表面所承载的下垫，以及在所述台之上的承载器组件(130)。下垫(150)具有空腔(152)，承载器组件被构造以承载微特征工件。所述抛光机还包括磁场源(170)，所述磁场源(170)被构造以在空腔中和设置在空腔中的磁流变流体(160)中产生磁场。在磁场源的影响下磁流变流体改变空腔之内的粘性。

Description

用于对微特征工件机械和/或化学-机械抛光的 方法和包括下垫的抛光机
技术领域
本发明涉及用于抛光微特征(microfeature)工件的抛光机和方法。特别地，本发明涉及用包括下垫(under-pad)的抛光机机械和/或化学-机械地抛光微特征工件。
背景技术
机械和化学-机械平面化(“CMP”)过程在制造微电子器件和其它产品中将材料从微特征工件的表面移除。图1示意地显示了具有台板20、承载器头30以及平面化(planarizing)垫40的旋转CMP机10。CMP机10在台板20的上表面和平面化垫40的下表面之间也可以包括下垫50。下垫50在平面化垫40和台板20之间提供热和机械界面。驱动组件26旋转台板20(由箭头F所指示)和/或使台板20前后往复运动(由箭头G所指示)。由于平面化垫40连接到下垫50，因此平面化垫40在平面化的过程中与台板20一起移动。
承载器头30具有下表面32，微特征工件12可以连接到所述下表面32，或者工件12可以连接到在下表面32之下的弹性垫34。承载器头30可以是较重的、自由浮动晶片承载器，或者执行器组件31可以连接到承载器头30以对微特征工件12给予旋转运动(由箭头J所指示)和/或使工件12前后往复运动(由箭头I所指示)。
平面化垫40和平面化溶液44限定机械和/或化学-机械地将材料从微特征工件12的表面移除的平面化介质。平面化溶液44可以是传统的具有磨粒以及蚀刻和/或氧化微特征工件12的表面的化学品的CMP浆液，或者平面化溶液44可以是“清洁”的非研磨平面化溶液，所述溶液不具有磨粒。在大多数CMP应用中，具有磨粒的研磨浆液被使用在非研磨抛光垫上，并不具有磨粒的清洁的非研磨溶液被使用在固定研磨抛光垫上。
为了用CMP机10平面化微特征工件12，承载器头30朝向下将工件12挤压在平面化垫40上。具体而言，承载器头30大体将微特征工件12挤压在平面化垫40的平面化表面42上的平面化溶液44上，台板20和/或承载器头30移动以使工件12摩擦平面化表面42。在微特征工件12摩擦平面化表面42时，平面化介质从工件12的表面移除材料。通过微特征工件12和平面化垫40之间的摩擦所产生的力将在任何给定的时刻主要在工件12和平面化垫40之间相对运动的方向上横过工件12的表面施加。保持环33可以被用于抵消此力并将微特征工件12保持在位。摩擦力驱动微特征工件12靠在保持环33上，所述保持环33施加平衡力以将工件12保持在位。
CMP过程必须一致地和准确地在工件上产生均匀的平面表面以使得能够进行精确的电路和光图案制造。例如，在CMP处理过程中当从工件的一个区域的材料比从另外的区域的材料移除得更快，可能产生非均匀的表面。在特定的应用中，保持环向下的压力导致下垫和平面化垫变形，在保持环内产生驻波。结果，平面化垫将从与驻波相邻的工件的区域比从所述波向径向向外和向内的工件的区域更快地移除材料。这样，CMP过程可能不会在工件上产生平面表面。
提高工件表面的平面度的一种方法是使用具有调节在工件的所选择的区域上的向下的力的内外囊的承载器头。这些囊可以在工件的后侧的所选择的区域上施加压力以增加材料从在前侧上的对应区域移除的速率。但是，这些承载器头具有几个缺点。例如，典型的囊具有弯曲边缘，这使得难于在周边上施加均匀的力。此外，传统的囊覆盖工件的相当宽的区域，这限制了将向下的力局部地施加在工件上的能力。此外，传统的囊经常填充可压缩气体，这限制了向下的力的精确控制。此外，具有多个囊的承载器头形成复杂的系统，所述系统需要相当的用于修理和/或维护的停机时间，导致相伴的生产量的减小。
用于提高工件表面的平面化的另外的一种方法是使用较硬的下垫用于减小由保持环所导致的变形。但是，较硬的下垫增加了工件上的擦伤和其它缺陷的频率，因为平面化溶液中的微粒被陷在工件和平面化垫之间。这样，需要提高抛光过程以在工件上形成均匀的平面表面。
附图说明
图1是根据现有技术的旋转平面机的一部分的示意横截面视图；
图2是根据本发明的一个实施例的用于对微特征工件抛光的CMP机的一部分的示意横截面视图；
图3A是根据本发明的另外的实施例的用在CMP机中的多个磁场源的示意俯视图；
图3B是根据本发明的另外的实施例的用在CMP机中的多个磁场源的示意俯视图；
图4是根据本发明的另外的实施例的CMP机的一部分的示意横截面视图；
图5是根据本发明的又一实施例的下垫的示意横截面俯视图；
图6是根据本发明的再一实施例的CMP机的一部分的示意横截面视图；
图7是根据本发明的又一实施例的CMP机的一部分的示意横截面视图。
发明内容
本发明涉及用于机械和/或化学-机械抛光微特征工件的抛光机和方法。术语“微特征工件”全篇中用于包括微电子器件、微机械器件、数据存储元件和其它特征在其上或者其中制造的衬底。例如，微特征工件可以是半导体晶片、玻璃衬底、绝缘衬底或者许多其它类型的衬底。此外，术语“平面化”指的是形成平面表面和/或形成光滑表面(例如，“抛光”)。本发明的几个特定的细节在下述说明书中以及图2-7中进行了说明，以提供本发明的特定的实施例的全面说明。但是，普通技术人员可以理解，本发明可以具有其它的实施例，或者本发明的其它实施例可以在没有下述说明中的几个具体特征的情况下实施。
本发明的一方面涉及一种用于对微特征工件进行机械和/或化学-机械抛光的抛光机。在一个实施例中，所述抛光机包括具有支撑表面的台，由支撑表面承载的下垫，以及在所述台之上的承载器组件。下垫具有空腔，承载器组件被构造以承载微特征工件。所述抛光机还包括磁场源，所述磁场源被构造以在空腔中和设置在空腔中的磁流变(magnetorheological)流体中产生磁场。在磁场源的影响下磁流变流体改变空腔之内的粘性。磁流变流体中粘性的改变改变了下垫的可压缩性。在此实施例的一方面中，磁场源由下垫、工件承载器组件或者台所承载。在此实施例的另外一方面中，下垫包括第一表面和第二表面，并且所述空腔被包围在第一表面和第二表面之间。
本发明的另外一方面涉及在机械和/或化学-机械抛光微特征工件中用于抛光机上的下垫。在一个实施例中，下垫包括具有第一表面、第二表面和第一、第二表面之间的空腔的主体。第一表面与第二表面并置。下垫在所述空腔中还包括磁流变流体。磁流变流体响应磁场在所述空腔之内改变粘性。在此实施例的一个方面中，空腔包括多个大体同心地以格栅或者另外的图案布置的多个单元。在此实施例的另外的一方面中，磁场源包括导电线圈或者电磁铁。
本发明的另外一方面涉及一种用具有承载器头、抛光垫和承载抛光垫的下垫的抛光机对微特征工件进行抛光的方法。在一个实施例中，所述方法包括：使承载器头和抛光垫至少之一相对另外一个移动以使微特征工件摩擦抛光垫。下垫具有空腔和设置在所述空腔中的磁流变流体。所述方法还包括通过产生磁场来改变下垫的空腔之内的磁流变流体的粘性而改变下垫的可压缩性。在此实施例的一方面中，产生磁场包括激励电磁铁或者导电线圈。
具体实施方式
A.综述
本发明涉及用于机械和/或化学-机械抛光微特征工件的抛光机和方法。术语“微特征工件”全篇中用于包括微电子器件、微机械器件、数据存储元件和其它特征在其上或者其中制造的衬底。例如，微特征工件可以是半导体晶片、玻璃衬底、绝缘衬底或者许多其它类型的衬底。此外，术语“平面化”指的是形成平面表面和/或形成光滑表面(例如，“抛光”)。本发明的几个特定的细节在下述说明书中以及图2-7中进行了说明，以提供本发明的特定的实施例的全面说明。但是，普通技术人员可以理解，本发明可以具有其它的实施例，或者本发明的其它实施例可以在没有下述说明中的几个具体特征的情况下实施。
本发明的一方面涉及一种用于对微特征工件进行机械和/或化学-机械抛光的抛光机。在一个实施例中，所述抛光机包括具有支撑表面的台，由支撑表面承载的下垫，以及在所述台之上的承载器组件。下垫具有空腔，承载器组件被构造以承载微特征工件。所述抛光机还包括磁场源，所述磁场源被构造以在空腔中和设置在空腔中的磁流变(magnetorheological)流体中产生磁场。在磁场源的影响下磁流变流体改变空腔之内的粘性。磁流变流体中粘性的改变改变了下垫的可压缩性。在此实施例的一方面中，磁场源由下垫、工件承载器组件或者台所承载。在此实施例的另外一方面中，下垫包括第一表面和第二表面，并且所述空腔被包围在第一表面和第二表面之间。
本发明的另外一方面涉及在机械和/或化学-机械抛光微特征工件中用于抛光机上的下垫。在一个实施例中，下垫包括具有第一表面、第二表面和第一、第二表面之间的空腔的主体。第一表面与第二表面并置。下垫在所述空腔中还包括磁流变流体。磁流变流体响应磁场在所述空腔之内改变粘性。在此实施例的一个方面中，空腔包括多个大体同心地以格栅或者另外的图案布置的多个单元。在此实施例的另外的一方面中，磁场源包括导电线圈或者电磁铁。
本发明的另外一方面涉及一种用具有承载器头、抛光垫和承载抛光垫的下垫的抛光机对微特征工件进行抛光的方法。在一个实施例中，所述方法包括：使承载器头和抛光垫至少之一相对另外一个移动以使微特征工件摩擦抛光垫。下垫具有空腔和设置在所述空腔中的磁流变流体。所述方法还包括通过产生磁场来改变下垫的空腔之内的磁流变流体的粘性而改变下垫的可压缩性。在此实施例的一方面中，产生磁场包括激励电磁铁或者导电线圈。
B.抛光系统
图2是根据本发明的一个实施例的对微特征工件112抛光的CMP机110的示意横截面视图。CMP机110包括台板120、在台板120之上的工件承载器组件130，以及连接到台板120的平面化垫140。工件承载器组件130可以连接到执行器组件131(示意显示)以横过平面化垫140的平面化表面142移动所述工件112。在所述的实施例中，工件承载器组件130包括具有支撑部件134以及连接到支撑部件134的保持环133的头部132。支撑部件134可以是具有连接到执行器组件131的上板的环形外壳。保持环133可以围绕支撑部件134延伸并朝向支撑部件134的底部边缘之下工件112伸出。
CMP机110还包括动态下垫150，所述下垫150动态地调节其可压缩性以控制抛光过程的抛光速率、缺陷、平面度以及其它特征。下垫150具有连接到平面化垫140的上表面153，连接到台板120的下表面154，以及上表面153和下表面154之间的空腔152。所述空腔152有第一表面156、与第一表面156相对的第二表面157以及外表面158所限定。空腔152被构造以保持粘性改变流体以可选择地改变下垫150的可压缩性。下垫150可以使用聚合体、橡胶、涂布织物、复合物和/或其它任何合适的材料所制造。在此实施例的一方面中，下垫150具有在大约0.5mm至大约10mm之间的厚度T。在其它的实施例中，下垫150的厚度T可以小于0.5mm或者大于10mm。
在此实施例的一方面中，空腔152包含响应磁场改变粘性的磁流变流体160。例如，磁流变流体160的粘性可以依磁场的极性和幅度从与机油的粘性相似的粘性增加到接近固体材料的粘性。在另外的实施例中，磁流变流体160可以响应磁场经历更小的粘性改变和/或磁流变流体160可以响应磁场而减小粘性。
CMP机110还包括磁场源170，所述磁场源170被构造以在下垫150的空腔152中产生磁场。在所示的实施例中，磁场源170包括可选择地激励以产生磁场的电磁铁。在其它的实施例中，诸如下面参照图4所描述的实施例中，磁场源170可以是导电线圈、磁体或者任何其它适当的装置以在空腔152中产生磁场。在所示的实施例中，台板120包括容纳磁场源170的凹部122。相应地，磁场源170的上表面172和台板120的上表面124承载下垫150。在其它的实施例中，诸如参照图4、6所描述的实施例中，台板120不承载磁场源170。例如，工件承载器组件130、平面化垫140和/或下垫150可以承载磁场源170。
在此实施例的一方面中，CMP机110还包括可操作连接到磁场源170以可选择地激励磁场源170的控制器190。控制器190可选择地激励磁场源170，所述磁场源170产生磁场以改变磁流变流体160在空腔152之内的粘性。在磁流变流体160的粘性增加时，下垫150的可压缩性减小。例如，当磁流变流体160具有较高的粘性，下垫150在方向D上相对不可变形。相应地，控制器190可以在抛光工件之前、过程中和/或之后，通过变化施加到磁场源170的功率实时动态控制下垫150的可压缩性。
用于抛光工件112的过程的一个实施例包括其中下垫150大体较硬的第一阶段以及其中下垫150大体可压缩的第二阶段。在其中下垫150较硬的第一阶段的过程中，平面化垫140在工件112上有效地产生平面表面而没有从工件112移除过多量的材料。但是，较硬的下垫150可能在工件112的表面上产生显著多数的缺陷。例如，所述缺陷可能是平面化溶液中的微粒被捕获在平面化垫140和工件112的表面之间所导致。在其中下垫150可压缩的第二阶段的过程中，平面化垫140从工件112的表面移除所述缺陷。典型地，在此实施例中，下垫150在抛光过程的第一阶段中不可压缩，因为可压缩的下垫不能有效地在工件112上产生平面表面并导致在工件112的低密度区域中的凹陷。
此实施例的CMP机110的一个特征是在抛光循环的过程中实时地改变下垫的可压缩性的能力。此特征的优点是获得在平面化工件的不同阶段使用较硬的下垫抛光工件以及使用可压缩下垫抛光工件的益处的能力。具体而言，下垫可以有效地在工件上产生平面表面，然后从平面表面移除缺陷。
C.磁场源和下垫的其它结构
图3A、3B是根据本发明的另外的实施例的用在CMP机中的磁场源的几个结构的示意俯视图。例如，图3A说明了以格栅式布置有多个行R1-R8以及多个列C1-C8的多个磁场源270。靠近周长的磁场源可以具有对应下垫的曲率的弯曲边。磁场源270可以可操作地连接到控制器以在下垫的对应部分中产生磁场。在另外的实施例中，磁场源270的大小可以被减小以增加分辨率，这样可以使用更大数目的行和列。
图3B是根据本发明的另外的实施例的多个磁场源370(单独标识为370a-d)的示意俯视图。第一磁场源370a、第二磁场源370b以及第三磁场源370c具有大体环形结构并围绕第四磁场源370d同心安置。在其它的实施例中，磁场源370可以彼此分开和/或用其它的结构来安置，诸如以四分之一圆的形式布置。
图4是根据本发明的另外的实施例的CMP机410的示意横截面图。CMP机410可以与上述参照图2所讨论的CMP机110相似。例如，CMP机410包括台板420、台板420之上的工件承载器组件130，以及台板420之上的平面化垫140。CMP机410还包括在台板420和平面化垫140之间的下垫450。下垫450具有空腔452，所述空腔452具有多个单元452a-c以及设置在所述单元452a-c之内的磁流变流体160。第一单元452a和第二单元452b具有大体环形结构并围绕第三单元452c同心安置。单元452a-c由第一表面456、与第一表面456相对的第二表面457、第三表面458以及与第三表面458相对的第四表面459所限定。磁流变流体160的离散体积被设置在单元452a-c之内。在其它的实施例中，诸如参照图5所述的实施例中，下垫可以包括不同数目的单元和/或所述单元可以以不同的构造来布置。
CMP机410还包括由下垫450所承载的多个磁场源470(分别识别为470a-c)。磁场源470被顶位以可选择地在对应的单元452a-c中产生磁场。例如，第一磁场源470a被定为在第一单元452a中产生磁场。相应地，下垫450的离散部分可以被压缩而下垫450的其它部分是较硬的。例如，在如图4所示的实施例中，第二磁场源470b在第二单元452b中产生磁场。结果，由第二单元452b所限定的下垫450的区域较硬而由第一和第三单元452a、452c所限定的下垫450的区域是可压缩的。在所示的实施例的一方面中，磁场源470是嵌入下表面454和第二表面457之间的下垫450中的导电线圈。在其它的实施例中，CMP机可以包括不同数目的磁场源和/或磁场源可以被定为在下垫中的其它位置中。在其它的实施例中，下垫450可以与其它的结构和/或类型的磁场源结合使用，诸如参照图2-3B、6和7所描述的台板所承载的磁场源。
图5是根据本发明的另外的实施例的使用在CMP机上的下垫550的示意横截面俯视图。下垫550包括以格栅布置有多个列C1-C8以及多个行R1-R8的多个单元552。所述单元552由第一表面554、与第一表面554相对的第二表面555、第三表面558以及与第三表面558相对的第四表面559所限定。靠近圆周的单元552具有对应下垫550的曲率的弯曲边。单元552被构造以容纳磁流变流体160的离散部分(图4)。在其它的实施例中，单元552的尺寸可以减小以增加分辨率，这样可以使用更大数目的行和列。
图6是根据本发明的另外的实施例的CMP机610的示意横截面视图。CMP机610可以与上述参照图2所讨论的CMP机110相似。例如，CMP机610包括平面化垫140、承载平面化垫140的下垫150、承载下垫150的台板620以及在平面化垫140之上的工件承载器组件630。下垫150具有容纳磁流变流体160的空腔152。工件承载器组件630包括具有支撑部件634和连接到支撑部件634的保持环633的头部632。支撑部件634可以包括多个磁场源670，所述磁场源被配置以在至少靠近工件承载器组件630的空腔152的一部分中产生磁场。相应地，CMP机610可以可选择地控制靠近工件承载器组件630的下垫150的可压缩性。
图7是根据本发明的另外的实施例的CMP机710的示意横截面视图。CMP机710可以与上述参照图2所讨论的CMP机110相似。例如，CMP机710可以包括工件承载器组件130、平面化垫140、承载平面化垫140的下垫750，以及承载下垫750的台板720，以及由台板720所承载的磁场源770。下垫750具有容纳磁流变流体160的空腔752。CMP机710还包括与空腔752流体连通的储蓄器762以及用于将磁流变流体160在空腔752和储蓄器762之间传输的泵764。通过台板720中的孔726以及磁场源770中的孔772延伸的导管768将空腔752连接到储蓄器762和泵764。泵764可以将来自储蓄器762的磁流变流体160的一部分传输到空腔752中以增加空腔752中的压力。空腔752中增加的压力相应地减小下垫750的可压缩性。作为选择，泵764可以将来自空腔752的磁流变流体160的一部分传输到储蓄器762以增加下垫750的可压缩性。
从上述内容，可以理解出于说明的目的对本发明的特定的实施例进行了说明，但是普通技术人员可以在不背离本发明的精神的情况下进行各种修改。相应地，本发明只受到权利要求书的限定。

Claims (49)

1.一种用于对微特征工件进行机械和/或者化学-机械抛光的抛光机，所述抛光机包括：
具有支撑表面的台；
通过支撑表面所承载的下垫，下垫具有空腔；
在所述台之上的工件承载器组件，所述承载器组件被构造以承载微特征工件；
磁场源，所述磁场源被构造以在空腔中产生磁场；以及
空腔中的磁流变流体。
2.根据权利要求1所述的抛光机，其中，所述空腔包括通常同心安置的多个离散单元。
3.根据权利要求1所述的抛光机，其中，所述空腔包括以格栅式布置的多个离散单元。
4.根据权利要求1所述的抛光机，其中，下垫还包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，以及其中所述空腔被包围在第一表面和第二表面之间。
5.根据权利要求1所述的抛光机，其中，所述磁场源包括被构造以在空腔中产生磁场。
6.根据权利要求1所述的抛光机，其中，磁场源包括被配置以在所述空腔中产生磁场的导电线圈。
7.根据权利要求1所述的抛光机，其中，磁场源包括多个同心安置的电磁铁。
8.根据权利要求1所述的抛光机，其中，所述磁场源包括多个以格栅式布置的电磁铁。
9.根据权利要求1所述的抛光机，其中，磁场源通过所述台所承载。
10.根据权利要求1所述的抛光机，其中，磁场源通过下垫所承载。
11.根据权利要求1所述的抛光机，其中，磁场源通过工件承载器组件所承载。
12.根据权利要求1所述的抛光机，其中，磁流变流体的粘性的改变改变了下垫的可压缩性。
13.一种用于对微特征工件进行机械和/或者化学-机械抛光的抛光机，所述抛光机包括：
台；
连接到台的下垫，下垫具有被包围的空腔；
用于对微特征工件抛光的抛光垫，所述抛光垫连接到下垫；
工件承载器组件，具有驱动系统和连接到驱动器系统的承载器头，承载器头被配置以保持微特征工件，驱动系统被配置以移动承载器头以将微特征工件与抛光垫相配合，其中承载器头和/或者所述台相对另外一个可移动以相对抛光垫摩擦微特征工件；
至少靠近下垫的粘性控制器；以及
闭合的空腔中的流体，其中闭合空腔中的流体的粘性在粘性控制器的影响下改变。
14.根据权利要求13所述的抛光机，其中，闭合的空腔包括多个离散的单元，所述单元通常同心安置。
15.根据权利要求13所述的抛光机，其中，闭合的空腔包括多个以格栅式布置的离散单元。
16.根据权利要求13所述的抛光机，其中，粘性控制器可选择地在空腔中产生磁场。
17.根据权利要求13所述的抛光机，其中，粘性控制器包括电磁铁以在空腔中产生磁场。
18.根据权利要求13所述的抛光机，其中，粘性控制器包括导电线圈以在空腔中产生磁场。
19.根据权利要求13所述的抛光机，其中，粘性控制器包括多个同心安置的电磁铁。
20.根据权利要求13所述的抛光机，其中，粘性控制器包括以格栅式布置的多个电磁铁。
21.根据权利要求13所述的抛光机，其中，流体的粘性中的改变改变了下垫的可压缩性。
22.一种用在对微特征工件进行机械和/或者化学-机械抛光的抛光机上的下垫，所述下垫包括：
主体，所述主体包括第一表面，与第一表面并置的第二表面，以及在第一和第二表面之间的空腔；以及
空腔中的磁流变流体。
23.根据权利要求22所述的下垫，其中，第一表面从第二表面以大约0.5mm至大约10mm的距离分开。
24.根据权利要求22所述的下垫，其中，还包括通过主体所承载的导电线圈，其中导电线圈被配置以在所述空腔中产生磁场。
25.根据权利要求22所述的下垫，其中，所述空腔包括通常同心安置的多个离散单元。
26.根据权利要求22所述的下垫，其中，所述空腔包括以格栅式布置的多个离散单元。
27.根据权利要求22所述的下垫，其中，磁流变流体改变粘性以调节下垫的可压缩性。
28.一种用于对微特征工件进行机械和/或者化学-机械抛光的抛光机，所述抛光机包括：
具有支撑表面的台；
通过支撑表面所承载的下垫，下垫具有多个离散空腔；
在所述台之上的工件承载器组件，所述承载器组件用于承载微特征工件；
多个磁场源，所述多个磁场源被配置以在对应的空腔中产生磁场；以及
至少一个腔中的磁流变流体。
29.根据权利要求28所述的抛光机，其中，所述离散腔通常同心安置。
30.根据权利要求28所述的抛光机，其中，所述离散腔以格栅式布置。
31.根据权利要求28所述的抛光机，其中，磁场源通常同心安置。
32.根据权利要求28所述的抛光机，其中，磁场源以格栅式布置。
33.根据权利要求28所述的抛光机，其中，磁场源包括多个被配置以在对应的空腔中产生磁场的导电线圈。
34.根据权利要求28所述的抛光机，其中，磁场源包括多个电磁铁，所述电磁铁被配置以在对应的腔中产生磁场。
35.一种用具有承载器头、抛光垫和承载抛光垫的下垫的抛光机对微特征工件进行抛光的方法，所述方法包括：
承载器头和抛光垫至少之一相对另外一个移动以相对抛光垫摩擦微特征工件；以及
通过产生磁场来改变下垫的可压缩性以改变下垫的前部之内的磁流变流体的粘性。
36.根据权利要求35所述的方法，其中，产生磁场包括激励电磁铁来在空腔中产生磁场。
37.根据权利要求35所述的方法，其中，产生磁场包括激励导电线圈来在空腔中产生磁场。
38.根据权利要求35所述的方法，其中：
所述空腔包括第一空腔；
磁场包括第一磁场；
改变下垫的可压缩性包括改变第一区域中的下垫的可压缩性；以及
所述方法还包括：通过产生第二磁场以在第二区域中改变下垫的可压缩性来改变下垫的第二腔之内的磁流变流体的粘性，下垫的第二区域以第一区域不同。
39.根据权利要求35所述的方法，其中，产生磁场包括用通过连接到下垫的台所承载的磁场源产生磁场。
40.根据权利要求35所述的方法，其中，产生磁场包括用通过下垫所承载的磁场源产生磁场。
41.一种用具有承载器头、抛光垫和承载抛光垫的下垫的抛光机对微特征工件进行抛光的方法，所述方法包括：
承载器头和抛光垫至少之一相对另外一个移动以相对抛光垫摩擦微特征工件，下垫具有空腔和空腔中的磁流变流体；以及
通过改变在下垫的腔内磁流变流体的粘性来动态地调节下垫的可压缩性。
42.根据权利要求41所述的方法，其中，动态调节下垫的可压缩性包括对电磁铁激励以在空腔中产生磁场。
43.根据权利要求41所述的方法，其中，动态调节下垫的可压缩性包括对导电线圈激励以在空腔中产生磁场。
44.一种用具有承载器头、抛光垫和承载抛光垫的下垫的抛光机对微特征工件进行抛光的方法，所述方法包括：
承载器头和抛光垫至少之一相对另外一个移动以相对抛光垫摩擦微特征工件，下垫具有空腔和至少一个单元中的磁流变流体，所述空腔具有多个离散单元；以及
通过改变在下垫的对应单元之内的磁流变流体的粘性来动态地调节下垫的区域的可压缩性。
45.根据权利要求44所述的方法，其中，动态调节下垫的区域的可压缩性包括对电磁铁激励以在对应的单元中产生磁场。
46.根据权利要求44所述的方法，其中，动态调节下垫的区域的可压缩性包括对导电线圈激励以在对应的单元中产生磁场。
47.一种用具有承载器头、抛光垫和承载抛光垫的下垫的抛光机对微特征工件进行抛光的方法，所述下垫具有空腔和空腔中的磁流变流体，所述方法包括：
相对另外一个移动至少承载器头和抛光垫之一以相对抛光垫摩擦微特征工件，下垫具有第一硬度直到微特征表面至少被一般地平面化；以及
相对另外一个移动至少承载器头和抛光垫之一以相对抛光垫摩擦微特征工件，下垫具有第二硬度直到微特征表面已经达到端点，其中第一硬度与第二硬度不同。
48.根据权利要求47所述的方法，其中，还包括改变空腔中的磁流变流体的粘性以将下垫的硬度从第一硬度改变到第二硬度。
49.根据权利要求47所述的方法，其中，移动其中下垫具有第一硬度的至少承载器头和抛光垫之一发生在移动其中下垫具有第二硬度的至少承载器头和抛光垫之一之前。
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