CN1796983A - 发射光谱分析稀有金属中碳、硫、磷的方法及新光源设备 - Google Patents
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Abstract
一种发射光谱分析稀有金属中碳、硫、磷的方法:首先将被测样品置入电极穴中;选定对应值的大电容并入控制电路中;充入氩气并启动光源发生装置,激发高能量大火花,在高能量大火花下激励样品使之辐射。一种实现该方法的新光源设备,包括光源发生装置及其一对发射电极,光源发生装置内置的控制电路包括:一电源,其一路输出接至两阻隔高频保护电源电感的一端,该电感的另一端并入一大电容;电源的另一路输出接高压变压器,高压变压器的次级线圈再接至电感可调的高频变压器,高频变压器的次级线圈一端经保护电路接至分析间隙的一端,其另一端接至分析间隙的另一端。该设备还配有一带有上下气孔的旋流气室,在旋流气室的两相对侧各开一进气口。
Description
技术领域
本发明涉及一种发射光谱分析稀有金属中碳、硫、磷的方法及其新光源设备。
背景技术
对于稀有金属中碳、硫、磷(C、S、P)的光谱分析方法,直到目前为止,国内外主要方法是用真空光量计火花分析钢中或油(2)中的C、S、P,其缺陷是对于有色和稀有金属中的C、S、P分析灵敏度相对较低,而且常受多谱线和大背景的干扰和影响。
在现有对稀有难熔及稀土光谱分析中常采用一套系统设备,如图4所示:由光源设备的火花放电光源装置201’激励电极202’产生电弧、火花,激发电极穴2021’中的被测物质中的等离子体,通过光谱分析仪4’对其进行拍摄、统计、分析,工作中同时通入Ar气(可由Ar气罐3’提供)使电弧、火花与外围氧气隔离,以在火花激发中用作防氧化气氛保护。通常的做法是采用一上下直通式气氛控制箱1’,直接由一口通入Ar气,另一口出气(图中箭头指示的为气路走向),而形成对火花的包围,但相对来说,这种直通式气氛控制箱耗气量大,每分钟用气量为20升/分,且对电容火花放电保护力度有限;连续工作性差,每检测一次需要停机更换电极穴中的被测物质后用Ar气洗涤再启动。
上述的现有光源设备的火花放电光源装置202’是由内置控制电路的电控箱构成,控制电路一般采用电弧火花的经典线路,其中所用电容为0.01-6.0uuF,产生的火花能量较低,对一些稀有金属中易解离的难熔主体(包括稀有金属中碳、硫、磷的光谱分析)则分析不力,灵敏度低,已不能满足分析要求。
发明内容
本发明的目的是提供一种发射光谱分析稀有金属中碳、硫、磷的方法,采用该方法可在常用分析波段进行分析有色及稀有金属中C、S、P。
本发明的另一目的是提供一种发射光谱分析稀有金属中碳、硫、磷方法的新光源设备,采用该装置可产生高能量的火花光源,使得对稀有金属中碳、硫、磷的光谱分析灵敏度高。
为实现上述目的,本发明采取以下设计方案:
一种发射光谱分析稀有金属中碳、硫、磷的方法,其方法如下:
1)将被测稀有金属样品置入电极穴中;
2)根据测定对象选定对应值的大电容并入光源发生装置的控制电路中;
3)由气氛控制室的进气口充入氩气并同时启动光源发生装置,在氩气气氛保护下激发高能量大电容火花,在高能量大火花下激励样品使之辐射。
所述的氩气由位于气氛控制室不同侧的两进气口充入,形成涡流式氩气气氛,氩气充入的流速为3~4升/分钟。
上述步骤2中,当发射光谱分析稀有金属中碳时,选定大电容值为50μF;当发射光谱分析稀有金属中硫、磷时,选定大电容值为5μF为佳。
一种发射光谱分析稀有金属中碳、硫、磷的方法的新光源设备,包括光源发生装置及其输出控制的一对发射电极,所述的光源发生装置由内置控制电路的电控箱构成,所述的控制电路包括:
一电源,电源一路输出接至两阻隔高频保护电源电感的一端,两阻隔高频保护电源电感的另一端并入一大电容;
电源的另一路输出接高压变压器,高压变压器的次级线圈再接至电感可调的高频变压器,高频变压器的次级线圈一端经保护电路的电容、电阻接至分析间隙的一端,另一端接至分析间隙的另一端。
该新光源设备中还配有一气氛控制室,包括带有上下气孔的旋流气室,在旋流气室的两相对侧各开一进气口。
本发明的优点是:
1、分析灵敏度高:产生的高能火花光源对稀有金属中碳、硫、磷的分析灵敏度较现有技术可提高数倍。
2、Ar气控制效果佳:可进一步减小主体的影响,提高稀有金属中碳、硫、磷的激发效率。一方面降低大火花带来的大背景辐射,提高信一噪比及分析灵敏度,另一方面可降低电极温度,提高溅射蒸发的程度及火花稳定性。
附图说明
图1为本发明新光源设备火花放电光源装置的电原理图
图2为本发明新光源设备的旋流气室结构示意图
图3为图2中A-A剖面结构示意图(图中箭头指示的为气路走向)
图4为现有光谱分析中整体系统设备构成示意图
图5为本发明分析曲线图
图6为本发明分析曲线图
具体实施方式
本发明发射光谱分析稀有金属中碳、硫、磷的方法的新光源设备,亦类同现有技术设备设置,包括光源发生装置及其输出控制的一对发射电极(可参考图4中所示),其特征点在于对光源发生装置内置的控制电路及电弧、火花外围的气氛控制箱的改造。
如图1所示,所述的光源发生装置由内置控制电路的电控箱构成,内置的控制电路包括:
一电源,电源一路输出接至两阻隔高频保护电源电感L1、L2的一端,两阻隔高频保护电源电感L1、L2的另一端并入一大电容C;
电源的另一路输出接高压变压器T1,高压变压器T1的次级线圈再接至电感可调的高频变压器T4,高频变压器T4的次级线圈一端经保护电路的电容C3、电阻R3接至分析间隙K的一端,另一端接至分析间隙K的另一端。
在上述光源发生装置的内置控制电路中,并入的大电容C可采用5~100μF电容可调。
上述光源的特点为:放电电流较大,最大可达I0A(有效值),因而激发能量高,激发温度可达10000°K以上。
大电容火花激发光源可提供较好的技术基础。然而,要消除样品主体在电弧中的影响还是不够的,本发明的另一大特色是利用自行设计的旋流气室,用纯Ar气控制使大电容火花放电取得更优良的结果,可进一步减小主体的影响,提高高激发电位杂质的激发效率。一方面降低了大火花带来的大背景辐射,提高了信一噪比及分析灵敏度,另一方面降低了电极温度,提高了溅射蒸发的程度及火花稳定性。对于不易蒸发的难熔物质,因大电容火花的溅射使其均匀蒸发,主体的低电位解离极大的影响高激发电位杂质的激发效率,被大电容火花的激发效率及心气高电离电位的环境所控制,所减少。
上述旋流气室的结构构成可参见图2、图3所示,包括带有上下气孔101的气氛控制箱本体1,在气氛控制箱的两相对侧各开一进气口21、22。
上述两进气口为管道式气口,其中一管道式气口与另一管道式气口的延线夹角θ为12~18°。
在气氛控制箱的非进气口侧设一石英窗3。该石英窗可制成磨口的扣盖式,工作时,扣盖301扣上,只起视窗作用,非工作状态时,扣盖301可拿下,以方便对气氛控制箱清理。
采用本发明的光谱分析用旋流气室进行纯Ar气控制,其工作原理及过程是:用涡流进气,由电极周围出气,消除了以往直通式气氛控制箱中流速大,气压小而引起周围空气的进入,从而控制气氛效果好,并且对等离子体有热箍束效应,从而提高等离子体的温度和激发效率。通过实验测定,让两管道式气口呈一定夹角会使气氛控制效果更好。
上述的光源发生装置中并入的大电容值根据需要可灵活并入,下面是采用实验来测定的结果:
1、光谱实验条件如表1所示
表1 光谱实验条件
光谱仪光源气氛电极爆光感板 | PGS-2光栅光谱仪,三透镜照明系统,中心波段240.0nm~350.0nm,截距3.2m大火花的电弧.火花组合光源。电容可调5~100uF氩气控制在旋流气室用紫铜车削成o4×4的电极穴装样,对电极为锥形1min天津II型,标准化处理 |
2、测定电容对灵敏度的影响:
用表1所列条件将电容改变,观察最有利的分析线,用log((I/φ)=log(I(A+φ)-Iφ)/Iφ)=log(((I(A+φ)/Iφ)-I))及用扣背景并用扣背景的信-噪比作灵敏度的表征值来试验。结果如表2。
表2 电容量对分析灵敏度的影响
其中:SI(A+Φ) ——分析线黑度与背景黑度之和;
SIΦ ——背景黑度
LogR ——计算值,分析线强度与背景强度之比的对数;
C247.8nm、P330.8nm、S349.7nm分别为碳(C)、磷(P)、硫(S)的分析线。
3、结果:
分析碳(C)选用247.8,电容量用50uF,而分析磷(P)用330.8nm,硫(S)用349.7nm,电容量用5uF为佳。
故当发射光谱分析稀有金属中碳时,选定大电容C值为50μF;当发射光谱分析稀有金属中硫、磷时,选定大电容值C为5μF为佳。
下面通过具体实施例对本发明进一步说明:
实施例1:
1)用单质C按元素重量可分比加入到Cu中配制一套含量为1%、0.3%、0.1%、0.03%、0.01%的标准。
2)按试验要求,调试光谱分析系统的各单元设备为正常工作状态,将50μF的大电容并入光源发生装置控制电路;
3)将上述配置的被测稀有金属样品置入电极穴中,开启氩气瓶,由气氛控制室的进气口向旋流气室充入氩气,控制流速为3~4升/分钟,并同时启动光源发生装置;
4)高能量大电容火花进发,稀有金属样品在高能量大火花下激发,光谱仪拍摄;
5)记录测定数值,用logC-log((I(A+φ)/Iφ))作工曲线。
Cu中C分析曲线参见表3
表3 Cu粉中C的分析曲线
LogC | 0.01 | 0.03 | 0.1 | 0.3 | 1.0 |
LogR | -1.46 | -1.10 | -0.61 | -0.09 | 0.40 |
实施例2:
用磷酸钠按元素重量可分比加入Si粉中配制一套含量为1%、0.3%、0.1%、0.03%、0.01%的标准。具体实验步骤同实施例1,不同点在于:将5μF的大电容并入光源发生装置控制电路中;用logC-log((I(A+φ)/Iφ))作工曲线,Si中P分析曲线参见表4。
表4 Si粉中P的分析曲线
LogC | 0.025 | 0.05 | 0.1 | 0.3 | 1.0 |
LogR | -1.85 | -1.66 | -1.49 | -1.20 | -0.95 |
实施例3:
用单质S按元素重量可分比加入Si粉中配制一套含量为1%、0.3%、0.1%、0.03%、0.01%的标准。具体实验步骤同实施例1,不同点在于:将5μF的大电容并入光源发生装置控制电路中;用logC-log((I(A+φ)/Iφ))作工曲线,Si中S分析曲线参见表5。
表5 Si粉中S的分析曲线
LogC | 0.025 | 0.05 | 0.1 | 0.3 | 1.0 |
LogR | -1.76 | -1.62 | -1.46 | -1.22 | -1.01 |
为了便于说明,将实施例1~3实验测得的数据制成图5、图6。由图5说明,对C的分析,增强激发量对灵敏度是有利的,曲线a斜率较高。在现有条件下S、P灵敏度欠佳,并且高背景影响较大,曲线b,曲线c斜率较低(参见图6),改善蒸发或分离主体才能进一步提高灵敏度。
Claims (8)
1、一种发射光谱分析稀有金属中碳、硫、磷的方法,其特征在于方法如下:
1)将被测稀有金属样品置入电极穴中;
2)根据测定对象选定对应值的大电容并入光源发生装置的控制电路中;
3)由气氛控制室的进气口充入氩气并同时启动光源发生装置,在氩气气氛保护下激发高能量大电容火花,在高能量大火花下激励样品使之辐射。
2、根据权利要求1所述的发射光谱分析稀有金属中碳、硫、磷的方法,其特征在于:所述的氩气由位于气氛控制室不同侧的两进气口充入,形成涡流式氩气气氛,氩气充入的流速为3~4升/分钟。
3、根据权利要求1所述的发射光谱分析稀有金属中碳、硫、磷的方法,其特征在于:当发射光谱分析稀有金属中碳时,选定大电容值为50μF;当发射光谱分析稀有金属中硫、磷时,选定大电容值为5μF。
4、一种发射光谱分析稀有金属中碳、硫、磷的方法的新光源设备,包括光源发生装置及其输出控制的一对发射电极,所述的光源发生装置由内置控制电路的电控箱构成,其特征在于所述的控制电路包括:
一电源,电源一路输出接至两阻隔高频保护电源电感(L1、L2)的一端,两阻隔高频保护电源电感(L1、L2)的另一端并入一大电容(C);
电源的另一路输出接高压变压器(T1),高压变压器(T1)的次级线圈再接至电感可调的高频变压器(T4),高频变压器(T4)的次级线圈一端经保护电路的电容(C3)、电阻(R3)接至分析间隙(K)的一端,另一端接至分析间隙(K)的另一端。
5、根据权利要求4所述的新光源设备,其特征在于:它还配有一气氛控制室,包括带有上下气孔的旋流气室,在旋流气室的两相对侧各开一进气口。
6、根据权利要求5所述的新光源设备,其特征在于:两进气口为管道式气口,其中一管道式气口与另一管道式气口的延线夹角θ为12~18°。
7、根据权利要求5所述的新光源设备,其特征在于:在气氛控制室的非进气口侧设一石英窗。
8、根据权利要求7所述的新光源设备,其特征在于:所述的石英窗带有磨口的扣合盖。
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