CN1795700A - 声音检测机构及其制造方法 - Google Patents

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CN1795700A
CN1795700A CNA2004800147689A CN200480014768A CN1795700A CN 1795700 A CN1795700 A CN 1795700A CN A2004800147689 A CNA2004800147689 A CN A2004800147689A CN 200480014768 A CN200480014768 A CN 200480014768A CN 1795700 A CN1795700 A CN 1795700A
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安田护
佐伯真一
驹井正嗣
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Abstract

本发明提供一种以必要的厚度形成振动膜的同时使振动膜的变形得到抑制的声音检测机构。该声音检测机构是在基板(A)上具有形成电容器的一对电极，该一对电极之中的一个电极是形成有相当于声孔的通孔(Ca)的背面电极(C)，另一个电极是振动膜(B)的声音检测机构，以基板(A)上所形成的作为振动膜(B)的膜体为基准，在基板(A)的基材一侧具有硅氮化膜(303)。

Description

声音检测机构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种声音检测机构，其在基板上具有形成电容器的一对电极，该一对电极之中的一个电极是形成有相当于声孔的通孔的背面电极，另一个电极是振动膜。
背景技术
例如在手机中，电容式传声器一直用得很多。作为这种电容式传声器的典型结构，可列举出图5所示的例子。即，该电容式传声器，在形成有相当于声孔的多个通孔h的金属制封壳100的内部，固定电极部300和振动膜500以将间隔件400夹在中间的形式隔着一定间隔对置配置，并且，基板600以嵌入的形式固定在封壳100的后部开口中，该基板600上具有由J-FET等构成的阻抗变换元件700。这种电容式传声器，由于是对固定电极部300或振动膜500上所形成的电介体材料施加高电压并对其进行加热而使其电极化，在表面生成残留有电荷的驻极体膜(该图中，在构成振动膜500的由金属或导电性薄膜构成的振动体520上形成有驻极体膜510)的，因而不需要施加偏压。而当振动膜500在声音所产生的声压信号作用下振动时，振动膜500与固定电极部300之间的距离发生变化而导致静电电容改变，具有能够将该静电电容的变化通过阻抗变换元件700输出的功能。
此外，作为声音检测机构的其它现有技术，可列举如下例子。即，该声音检测机构这样构成：成为振动膜的基板(110)和成为背面板(103)(本发明的背面电极)的基板(108)二者中间夹着粘接层(109)重叠，在通过热处理使它们粘接之后，对成为背面板的基板(108)进行研磨使之达到所希望的厚度。其次，在各个基板(108)、(109)上形成蚀刻掩模(112)后，以碱性蚀刻液进行处理，得到振动膜(101)和背面板(103)。其次，将背面板(103)做成网眼结构(本发明的通孔)，以背面板(103)作为蚀刻掩模对绝缘层(111)以氢氟酸进行蚀刻从而形成空隙层(104)(例如可参照专利文献1，附图标记引自文献)
[专利文献1]特开2002-27595号公报(段落号〔0030〕～〔0035〕，图1、图3)
发明的公开
发明所要解决的课题
要想提高图5所示现有传声器的输出(提高灵敏度)，必须增大固定电极部300与振动膜500之间的静电电容。而要增大静电电容，加大固定电极部300和振动膜500的重叠面积，或者减小固定电极部300与振动膜500之间的间隔都是有效的。但是，增加固定电极部300与振动膜500的重叠面积将导致传声器本身大型化。而作为如前所述具有间隔件400的结构，其固定电极部300与振动膜500之间距离的减小也是有限度的。
此外，对于驻极体电容式传声器，为了永久电极化，多使用FEP(氟化乙丙烯)材料等有机类高分子聚合物，而这种有机类高分子聚合物的耐热性差，在例如需要安装在印制电路板上的情况下，难以耐受进行软熔处理时的热量，安装时不能进行软熔处理。
为此，作为声音检测机构，可以考虑采用专利文献1那样以微细加工技术在硅基板上形成背面电极和振动膜的结构。这种结构的声音检测机构，虽小型但能够使背面电极与振动膜之间的距离较小从而可提高灵敏度。此外，虽然需要偏置电源，但可以进行软熔处理。然而，按照专利文献1记载的技术，是用碱性蚀刻液对单晶硅基板进行蚀刻而形成振动膜的，因而难以控制振动膜的厚度，要得到所需厚度的振动膜是困难的。
就对振动膜的厚度进行控制而言，要在以碱性蚀刻液对硅基板进行蚀刻而形成振动膜的过程中提高振动膜厚度的可控性，采用SOI晶片是一种有效的方法。即，在这种方法中，可以将SOI晶片的内埋氧化膜作为以碱性蚀刻液进行蚀刻时的停止层加以利用，因此，通过设定SOI晶片的活性层的厚度可以对振动膜的厚度进行控制。
但是，即便采用这种方法，由于内埋氧化膜等所产生的内应力会使振动膜变形，在使振动膜以较薄的厚度形成时，会导致其振动特性变差，而当为了减轻该内应力所引起的变形而将振动膜的厚度设定得较厚时，需要使振动膜以厚于必要厚度形成，因而无法将振动膜做得较薄，只能够通过增大处理(只能够通过提高处理负荷)加以改善。
本发明的目的是，以必要的厚度形成振动膜的同时使振动膜的变形得到抑制，合理地构成高灵敏度的声音检测机构。
解决课题的技术方案
发明的第1特征构成是，一种声音检测机构，在基板上具有形成电容器的一对电极，该一对电极之中的一个电极是形成有相当于声孔的通孔的背面电极，另一个电极是振动膜，其中，以前述基板上所形成的作为前述振动膜的膜体为基准，在前述基板的基材一侧具有硅氮化膜。
[作用·效果]
根据上述特征构成，由于其结构为在硅氮化膜的外面侧形成有作为振动膜的膜体，因此，在将基板通过蚀刻去除使膜体露出而形成振动膜的状态下，即使有来自基板的应力作用于该膜体，通过硅氮化膜的应力缓和作用可抑制非必要的应力作用于振动膜乃至使振动膜发生变形的现象的发生，从而使振动膜能够忠实于声压信号进行振动。此外，根据上述特征，为不具有驻极体层的结构，因而在安装在印制电路板上时能够耐受进行软熔时的高温。并且，通过在形成振动膜的膜体与支承基板之间形成硅氮化膜这一极为简单的结构，能够构成高灵敏度的声音检测机构。特别是，按照这种构成，可以采用微细加工技术在支承基板上形成小型的声音检测机构，因此，能够很方便地应用于例如手机那样小型的设备中，而且，在安装在印制电路板上时也能够进行软熔处理。
本发明所涉及的声音检测机构的第2特征构成是，前述基板由以单晶硅基板为基材的支承基板构成，作为该支承基板，使用的是前述硅氮化膜被夹在活性层与内埋氧化膜层之间的结构的SOI晶片，以前述活性层形成前述振动膜。
[作用·效果]
根据上述特征构成，通过对以单晶硅基板为基材的SOI晶片进行蚀刻等必要的处理，能够形成例如将活性层作为振动膜使用的声音检测机构，即使有应力作用于该振动膜时，硅氮化膜也能够缓和应力。其结果，采用预先形成有必要的膜的SOI晶片很容易地得到了声音检测机构。
本发明所涉及的声音检测机构的第3特征构成是，前述基板由以单晶硅基板为基材的支承基板构成，作为该支承基板，使用的是前述硅氮化膜被夹在内埋氧化膜层与前述基材之间的结构的SOI晶片。
[作用·效果]
根据上述特征构成，通过对以单晶硅基板为基材的SOI晶片进行蚀刻等必要的处理，能够形成例如将形成于内埋氧化膜的外面侧的膜体作为振动膜使用的声音检测机构，即使有应力作用于该振动膜时，硅氮化膜也能够缓和应力。其结果，采用预先形成有必要的膜的SOI晶片很容易地得到了声音检测机构。
本发明所涉及的声音检测机构的第4特征构成是，前述基板由以单晶硅基板构成的支承基板构成，该支承基板上形成有硅氧化膜，而该硅氧化膜上形成有前述硅氮化膜，并且，该硅氮化膜上形成有硅膜。
[作用·效果]
根据上述特征构成，通过使用在作为支承基板的单晶硅基板上按照顺序形成有硅氧化膜、硅氮化膜、硅膜(可以是单晶硅或多晶硅之中的一种)的基板并对其进行必要的处理，可形成将硅膜作为振动膜使用的声音检测机构，即便有应力作用于该振动膜，硅氮化膜也能够缓和应力。其结果，通过对单晶硅基板进行成膜处理并对特定部位的膜进行去除处理而构成了声音检测机构。
本发明所涉及的声音检测机构的第5特征构成是，前述基板由以单晶硅基板作为基材的支承基板构成，在作为前述振动膜的膜体与前述支承基板之间，形成有由硅氧化膜和前述硅氮化膜构成的层叠膜，前述硅氮化膜的膜厚的范围设定为0.1μm～0.6μm，它们的膜厚比(硅氧化膜)/(硅氮化膜)＝R为0＜R≤4。
[作用·效果]
根据上述特征构成，通过对硅氧化膜的膜厚和硅氮化膜的膜厚进行设定来对由硅氧化膜和硅氮化膜构成的层叠膜的合成应力进行控制，由此，能够对来自单晶硅基板的作用于振动膜的应力进行控制从而对作用于振动膜的应力进行控制.为证明这种对作用于振动膜的应力的可控制性而进行实验的结果如图4所示。即，将振动膜的厚度设定为2μm，制造出硅氮化膜的膜厚不同的电容传声器，由该图可知，其振动膜的挠曲量与不具有硅氮化膜时相比要小，当硅氮化膜的膜厚范围设定为0.1μm～0.6μm，且它们的膜厚比(硅氧化膜)/(硅氮化膜)＝R为0＜R≤4时，能够使振动膜的挠曲量维持在6μm以下这一较小的值。其结果，通过对硅氧化膜的膜厚和硅氮化膜的膜厚进行设定而减小了振动膜的挠曲量，构成了能够无任何妨碍地使用的声音检测机构。
本发明所涉及的声音检测机构的第6特征构成是，作为前述单晶硅基板，使用的是(100)晶向的硅基板。
[作用·效果]
根据上述特征构成，能够向(100)晶向的单晶硅基板所特有的晶向的方向选择性地进行蚀刻，因此，能够忠实于蚀刻图案进行精密蚀刻。其结果，通过精密蚀刻能够加工出所需要的形状。
本发明所涉及的音构声音检测机构的第7特征构成是，前述振动膜经过了杂质扩散处理。
[作用·效果]
根据上述特征构成，通过对振动膜实施杂质扩散处理，可以在振动膜中产生压缩应力，使之向能够抵消来自单晶硅基板的作用于振动膜的应力的方向起作用。其结果，进一步减小了作用于振动膜的应力，构成了高灵敏度的声音检测机构。
本发明所涉及的声音检测机构的制造方法的特征构成是，一种声音检测机构的制造方法，所述声音检测机构在单晶硅基板上具有形成电容器的一对电极，该一对电极之中的一个电极是形成有相当于声孔的通孔的背面电极，另一个电极是振动膜，其中，在前述单晶硅基板的正面一侧形成硅氧化膜，在该硅氧化膜上形成硅氮化膜，在该硅氮化膜上形成成为振动膜的多晶硅膜，在该多晶硅膜上形成作为牺牲层的硅氧化膜，在该硅氧化膜上形成成为背面电极的多晶硅膜，之后，利用光刻技术使成为前述背面电极的多晶硅膜以所希望的形状形成图案，从前述单晶硅基板的背面一侧通过蚀刻将相当于振动膜下部的区域去除，利用氢氟酸将存在于振动膜下面侧的硅氧化膜和硅氮化膜去除，并且，将作为前述牺牲层的硅氧化膜去除。
[作用·效果]
根据上述特征构成，通过在单晶硅基板的正面一侧按照顺序形成硅氧化膜、硅氮化膜、成为振动膜的多晶硅膜、作为牺牲层发挥作用的硅氧化膜、成为背面电极的硅氧化膜，之后，进行采用光刻技术等的蚀刻，便能够制造出声音检测机构。其结果，只需采用旨在硅基板上形成半导体的现有技术，便能够在单晶硅基板上形成小型的电容器而制作出声音检测机构。
附图说明
图1是电容传声器的剖视图。
图2是对电容传声器的制造工序连续地进行展示的图。
图3是对电容传声器的制造工序连续地进行展示的图。
图4是硅氮化膜膜厚与振动膜挠曲量的关系曲线图。
图5是现有电容传声器的剖视图。
附图标记说明
301  单晶硅基板
302  硅氧化膜
303  硅氮化膜
304  膜体·多晶硅膜
305  牺牲层
306  多晶硅膜
A    支承基板
B    振动膜
C    背面电极
Ca 通孔
具体实施方式
下面，对本发明的实施方式结合附图进行说明。
图1示出作为本发明声音检测机构的一个例子的硅电容传声器(以下简称为传声器)的剖面。该传声器具有这样的结构，即，在以单晶硅为基材的支承基板A上，由通过LP-CVD(低压化学汽相淀积法)法成膜的多晶硅膜形成振动膜B和背面电极C，在该振动膜B和背面电极C之间配置有由硅氧化膜(SiO2)形成的牺牲层，以其作为间隔件D。该传声器由振动膜B和背面电极C发挥电容器的功能，使用时，可将振动膜B在声压信号作用下发生振动时电容器静电电容的变化作为电信号取出。
该传声器中的支承基板A的大小为边长5.5mm的正方形，厚度为600μm左右。振动膜B的大小为边长2.0mm的正方形，厚度设定为2μm。背面电极C上形成有边长为10μm左右的正方形的、相当于声孔的多个通孔Ca。在该图中，一部分膜和层的厚度画得有些夸大。
该传声器具有这样的结构，即，在单晶硅基板301的正面一侧形成有层叠的硅氧化膜302、硅氮化膜303、多晶硅膜304、牺牲层305、多晶硅膜306，通过对该正面一侧的多晶硅膜306进行蚀刻而形成背面电极C以及多个通孔Ca，此外，从单晶硅基板301的背面一直到多晶硅膜304(形成振动膜B的膜体的一例)处，通过蚀刻形成了声音开口E，由从该声音开口E处露出的多晶硅膜304形成所说振动膜B，再对牺牲层305进行蚀刻从而在振动膜B与背面电极C之间形成空隙区F，并且，由进行该蚀刻后剩留于振动膜B的外周部位的牺牲层305形成间隔件D；下面，对该传声器的制造工序(制造方法)结合图2(a)～(f)和图3(g)～(k)进行说明。
工序(a)：在(100)晶向的单晶硅基板301的两面，通过热氧化形成厚度为0.8μm的硅氧化膜302。该硅氧化膜302如后所述作为阻止以碱性蚀刻液进行的蚀刻的停止层发挥作用。此外，该硅氧化膜302的膜厚并不限定于0.8μm。也就是说，硅氧化膜302的膜厚最好能够满足下面的要求，即，就与在下面的工序(b)形成的硅氮化膜303的膜厚之间的关系而言，它们的膜厚比(硅氧化膜)/(硅氮化膜)＝R以0＜R≤4为宜。此外，在满足这种条件时，作为硅氧化膜302的膜厚，以在2μm以下则更好。
工序(b)：在工序(a)中所形成的硅氧化膜302的膜面上(基板的两面)，通过LP-CVD(低压化学汽相淀积)法形成可起到应力缓和层的作用的厚度为0.2μm的硅氮化膜303。这样形成后，便成为由SOI(绝缘体上硅)晶片构成的支承基板A。所说硅氮化膜303的膜厚并不限定于0.2μm，只要在0.1μm～0.6μm的范围内即可。
工序(c)：在工序(b)中所形成的支承基板A的硅氮化膜303的膜面上(基板的两面)，通过LP-CVID法形成多晶硅膜304。这样形成的多晶硅膜304的一部分将作为振动膜B发挥功能，但也可以形成单晶硅膜以替代该多晶硅膜304，将该单晶硅的一部分作为振动膜B使用。
工序(d)：在工序(c)中所形成的多晶硅膜304的正面一侧(图中的上侧)的膜面上，通过P-CVD(等离子体化学汽相淀积)形成可起到牺牲层的作用的厚度为5μm的硅氧化膜305。
工序(e)：在工序(d)中所形成的硅氧化膜305的膜面上以及背面一侧(多晶硅膜304的膜面上)，通过P-CVD法形成厚度为4μm的多晶硅膜306。
工序(f)：在工序(e)中所形成的多晶硅膜306的正面一侧涂敷抗蚀剂，利用光刻技术将不需要的部分去除而形成抗蚀剂图案307。
工序(g)：以在工序(f)中所形成的抗蚀剂图案307为掩模采用RIE(反应性离子蚀刻)技术进行蚀刻，从而从上表面侧的多晶硅膜306形成背面电极C的图案(图案形成处理)。在如上所述形成背面电极C的图案时，将同时形成多个通孔Ca。此外，通过进行上述蚀刻，背面一侧(图中的下侧)的多晶硅膜306、多晶硅膜304将被去除。
工序(h)：其次，在背面(图中的下侧)所形成的硅氮化膜303的表面涂敷光致抗蚀剂，利用光刻技术将不需要的部位去除从而形成抗蚀剂图案。之后，以抗蚀剂图案为掩模采用RIE(反应性离子蚀刻)技术进行蚀刻，将硅氮化膜303及其下层的硅氧化膜302去除，以形成在后述的工序(i)中用来以碱性蚀刻液对硅进行蚀刻开口图案309。
工序(i)：其次，在正面一侧通过工序(g)形成了背面电极C的一侧，作为保护膜形成硅氮化膜311。
工序(j)：其次，作为蚀刻液使用TMAH(四甲基氢氧化铵)的水溶液从背面进行各向异性蚀刻，将硅基板301去除而形成所说声音开口E。进行这种蚀刻时，由于硅氧化膜302(内埋氧化膜)的蚀刻速度比单晶硅基板301的蚀刻速度足够低，因此，该硅氧化膜302可起到阻止硅被蚀刻的停止层的作用。
工序(k)：其次，将作为保护膜而形成的硅氮化膜311、牺牲层305、从声音开口E处露出的硅氧化膜302、硅氮化膜303去除，进而将剩留在单晶硅基板301的背面的硅氮化膜303、以及硅氧化膜302通过以HF(氟化氢)进行的蚀刻去除。于是，由多晶硅膜304形成振动膜B，在该振动膜B与背面电极C之间形成空隙区F，由剩下的牺牲层305形成间隔件D。之后，使用型板掩模将Au(金)蒸镀在所希望的区域而形成取出用电极314，传声器的制造便完成。
在以上述工序进行制造时振动膜B的厚度维持在2μm的状态下，使发挥应力缓和层功能的硅氮化膜303的膜厚分别为0(无硅氮化膜303)、0.3μm、0.4μm和0.6μm进行电容传声器的制造，对振动膜B的挠曲量用激光位移计进行测定，该测定结果示于图4。由该图可知，具有硅氮化膜303可使得振动膜B的挠曲量得到抑制，通过该硅氮化膜303可对振动膜的挠曲进行控制。
如上所述，本发明的声音检测机构，采用了利用微细加工技术在支承基板A上形成振动膜B和背面电极C的结构，因此，整个声音检测机构可以小型化，不仅能够很容易地组装在手机那样小型的设备中，而且即便是安装在印制线路板上也能够耐受高温下的软熔处理，因而设备的组装也变得非常容易。
特别是，通过在与形成振动膜B的膜体相接近的位置上形成由硅氮化膜构成的应力缓和层，能够构成作用于振动膜B的应力得以减小从而避免振动膜B变形而能够忠实于声压信号进行振动的声音检测机构。而且，本发明的声音检测机构，只是以例如制造传声器时增加一个工序这一非常简单的改进形成应力缓和层的，因而不会使制造工艺变得复杂。此外，通过应力缓和层的形成能够减小作用于振动膜的应力，因而能够使振动膜B以较薄的膜厚形成，构成灵敏度极高的声音检测机构。
[其它实施方式]
除了上述实施方式之外，本发明例如还可以如下构成(在这些其它实施方式中，凡具有与上述实施方式相同功能者，均具有相同的序号、附图标记)。
(1)作为支承基板A，使用结构为活性层与内埋氧化膜之间夹着硅氮化膜的SOI晶片。使用这种结构的SOI晶片时，可以得到将活性层用作振动膜的声音检测机构，即使有应力作用于该振动膜时，硅氮化膜也能够对应力起缓和作用。
(2)作为所说支承基板A，使用结构为内埋氧化膜层与支承基板的基材之间夹着硅氮化膜的SOI晶片。使用这种结构的SOI晶片时，例如可以将形成于埋入氧化膜的外面侧的膜体用作振动膜，即使有应力作用于该振动膜时，硅氮化膜也能够对应力起缓和作用。
(3)在本发明的实施方式中，是在单晶硅基板301上形成硅氧化膜302之后，再在该硅氧化膜302上形成硅氮化膜303的，但也可以设定成，在单晶硅基板301上形成硅氮化膜303之后，在该硅氮化膜303上形成硅氧化膜302。此外，从缓和应力的观点来说，最好是，在0.1μm～0.6μm的范围内设定硅氮化膜303的膜厚，并使它们的膜厚比(硅氧化膜)/(硅氮化膜)＝R为0＜R≤4。
(4)在上述实施方式中，作为振动膜B的材料使用的是多晶硅膜304，但是，振动膜B的材料也可以是金属膜等具有导电性的膜或者是金属膜等具有导电性的膜与树脂膜等绝缘性膜的层叠膜。特别是，作为金属膜可以考虑使用钨等高熔点材料。
(5)本发明是如前所述通过形成硅氮化膜311而做到减小(控制)作用于振动膜B的应力的，但也可以在这种形成有硅氮化膜311的结构的基础上，再在振动膜B上进行杂质扩散以对振动膜B的应力进行控制。下面列举具体进行处理的一个例子，利用离子注入法，将硼以30kV的能量、2E16cm-2的剂量导入振动膜中，作为活化热处理，在氮气气氛下实施1150℃、8小时的热处理，由此可形成具有压缩应力的振动膜B。因此，通过作为阻止碱性蚀刻液对硅进行蚀刻的停止层的硅氧化膜和硅氮化膜的膜厚比、杂质的扩散、以及、背面电极厚度三者的组合，能够综合性地控制振动膜B的张力，减小作用于振动膜B的外力。
(6)对于构成声音检测机构的支承基板A，也可以形成具有将振动膜B与背面电极C之间的静电电容的变化转换为电信号输出的功能的集成电路。在这种形成有集成电路的情况下，不需要在诸如印制线路板上形成用来将振动膜B与背面电极C之间静电电容的变化转换为电信号输出的电路，可使采用该结构声音检测机构的设备实现小型化并使结构得到简化。
工业实用性
根据本发明，以必要的厚度形成振动膜的同时使得振动膜的变形得到抑制，可构成高灵敏度的声音检测机构，该声音检测机构除了可以作为传声器使用之外，还可以作为对空气振动或空气压力的变化进行感知的传感器使用。

Claims (8)

1.一种声音检测机构，在基板上具有形成电容器的一对电极，该一对电极之中的一个电极是形成有相当于声孔的通孔的背面电极，另一个电极是振动膜，其特征是，
以前述基板上所形成的作为前述振动膜的膜体为基准，在前述基板的基材一侧具有硅氮化膜。
2.如权利要求1所述的声音检测机构，其特征是，前述基板由以单晶硅基板为基材的支承基板构成，作为该支承基板，使用的是前述硅氮化膜被夹在活性层与内埋氧化膜层之间的结构的SOI晶片，以前述活性层形成前述振动膜。
3.如权利要求1所述的声音检测机构，其特征是，前述基板由以单晶硅基板为基材的支承基板构成，作为该支承基板，使用的是前述硅氮化膜被夹在内埋氧化膜层与前述基材之间的结构的SOI晶片。
4.如权利要求1所述的声音检测机构，其特征是，前述基板由以单晶硅基板构成的支承基板构成，该支承基板上形成有硅氧化膜，而该硅氧化膜上形成有前述硅氮化膜，并且，该硅氮化膜上形成有硅膜。
5.如权利要求1所述的声音检测机构，其特征是，前述基板由以单晶硅基板作为基材的支承基板构成，在作为前述振动膜的膜体与前述支承基板之间，形成有由硅氧化膜和前述硅氮化膜构成的层叠膜，前述硅氮化膜的膜厚的范围设定为0.1μm～0.6μm，它们的膜厚比(硅氧化膜)/(硅氮化膜)＝R为0＜R≤4。
6.如权利要求2～5之任一项所述的声音检测机构，其特征是，作为前述单晶硅基板，使用的是(100)晶向的硅基板。
7.如权利要求1所述的声音检测机构，其特征是，前述振动膜经过了杂质扩散处理。
8.一种声音检测机构的制造方法，所述声音检测机构在单晶硅基板上具有形成电容器的一对电极，该一对电极之中的一个电极是形成有相当于声孔的通孔的背面电极，另一个电极是振动膜，其特征是，
在前述单晶硅基板的正面一侧形成硅氧化膜，在该硅氧化膜上形成硅氮化膜，在该硅氮化膜上形成成为振动膜的多晶硅膜，在该多晶硅膜上形成作为牺牲层的硅氧化膜，在该硅氧化膜上形成成为背面电极的多晶硅膜，之后，利用光刻技术使成为前述背面电极的多晶硅膜以所希望的形状形成图案，从前述单晶硅基板的背面一侧通过蚀刻将相当于振动膜下部的区域去除，利用氢氟酸将存在于振动膜下面侧的硅氧化膜和硅氮化膜去除，并且，将作为前述牺牲层的硅氧化膜去除。
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PB01 Publication
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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