CN1794364A - 高密度MgB2超导带材的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种高密度MgB2超导带材的制备方法。该方法的具体步骤如下:将Mg粉料和B粉料,经研磨后封入钽箔,将钽箔放置于加热管内,并在惰性气氛下,升温至650~950℃,保温0.5~10小时,进行第一次烧结制成MgB2超导材料;将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2~3μm的MgB2粉末,再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结,即得到高密度的MgB2超导带材。本发明方法制得的MgB2超导带材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接,不存在微裂纹,并且不夹杂有其他的化合物,纯度很高。
Description
技术领域
本发明涉及一种MgB2超导材料的制备方法,特别是一种高密度MgB2超导带材的制备方法。
背景技术
2001年,发现金属间化合物MgB2具有超导电性的结果引起了凝聚态物理学界、材料学界的极大轰动。由于其许多独特性能尚未被人们完全认识和理解,在材料、物理、化学等多个学科领域引起了普遍的关注。MgB2的超导临界转换温度为39K,其超导温度仅次于氧化物超导体、掺杂C60固体材料超导体,是迄今为止发现的超导温度最高的、简单、稳定的金属间化合物超导材料。MgB2的结构为类石墨夹层结构,其化学成分及晶体结构都很简单,有高临界温度(Tc)、高电流密度(Jc)、高的相干长度,并且具有易合成、易加工、质量较轻等特点,易制成薄膜或线材,有望成为较大规模应用的超导材料。
然而,在MgB2超导材料尤其是块材、线材和带材的制备过程中,由于Mg和B都是密度较小的原料,Mg的密度是1.74g/cm3,B的密度是2.34g/cm3,即使经过压制达到100%的密实度,烧结过程中其体积会缩小到原来的76%,得到的MgB2的样品中存在大量的缩孔,密度远远低于其理论值2.62g/cm3,况且压制不会达到100%,所以烧结后一般只得到1.1~1.5g/cm3的疏松结构,是限制该材料临界电流密度提高的主要原因,同时对MgB2进行基础研究、性能测试以及生产加工等都有很大影响。
文献中记载可以用热等静压的方法制备了高密度的MgB2块材(Nesterenko V F,Gu Y.Elastic properties of hot-isostatically-pressed magnesium diboride.Appllied physics letters.2003,82(23):4104-4106),但是其设备工艺复杂,而且只能用于块材制备,不能用于线材和带材的制备。文献中也记载可以直接使用MgB2粉末压制成型的高密度的MgB2材料(Frederick N A,Li S,Maple M B,et al.Improvedsuperconducting properties of MgB2.Physica C,2001,363:1-5.),但由于所制成的MgB2材料里面存在大量的微裂纹,超导载流能力也受到限制。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高密度MgB2超导带材的制备方法。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种高密度MgB2超导带材的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:
a)将经真空干燥处理过的Mg粉料和B粉料,按物质的量比为:Mg∶B=0.7~1.3∶2的比例进行配料,将配料进行均匀研磨后,封入钽箔;
b)将上述钽箔放置于加热管内,在惰性气氛下,将加热管进行加热,升温至650~950℃,保温0.5~10小时;然后将样品随炉冷却,即制成MgB2超导材料;
c)将上述的MgB2超导材料从上述钽箔中取出后,研磨成颗粒度为2~3μm的MgB2粉末;然后在MgB2粉末中加入Mg粉和B粉的混合物,Mg粉和B粉的混合物与MgB2粉末的质量比为0-0.2∶1,所述Mg粉和B粉的混合物中Mg粉和B粉的物质的量比为0.7~1.3∶2;
d)将步骤c得到的混合料进行均匀研磨后,做成预制件;然后将该预制件放置于加热管内,并在惰性气氛下加热,升温至650~950℃后保温0.5~10小时;然后随炉冷却,即得到高密度的MgB2超导带材。
与现有技术相比,本发明方法具有以下突出的实质性特点和显著优点:①由于本发明方法采用了混合烧结工艺,是一种简单易行的制备无宏观缺陷、高密度MgB2超导带材工艺;②由于MgB2密度的提高,载流子浓度得到提高,从而提高了临界电流密度。③由于MgB2密度的提高,产生了更多的晶界,晶界连接紧密,加强了晶界的钉扎作用,最终使得总的磁通钉扎力得以提高,从而提高了临界电流密度。由此,本发明方法制得的MgB2超导带材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接,不存在微裂纹,并且不夹杂有其他的化合物,纯度很高。
具体的实施方式:
实施例一:
本实施例的MgB2超导材料的制备步骤如下:
(1)将纯度为99%的、过325目筛的Mg粉和纯度为99%的B粉分别置于真空干燥箱内于120℃下恒温干燥24小时,随后分别称取Mg和B粉料,按化学计量比Mg∶B=1∶2进行配料,将配合料进行均匀研磨后,将其封入钽箔;
(2)将上述盛放有Mg、B混合料的钽箔放置于加热管内,用扩散真空泵将加热管内的空气抽去使成真空,随后充入高纯氩气进行洗气,再抽真空,如此反复三次后,持续缓慢充入高纯氩气保证管内的惰性气氛;
(3)将上述的加热管置于管式炉内加热,升温速度为100℃/h;升温至反应温度650℃后保温1小时;然后将样品随炉冷却,取出样品,即为一种原为自生的MgB2超导材料;
(4)将上述原位自生的MgB2超导块材从钽箔中取出后,用球磨机进行研磨,得到颗粒度为2~3μm的MgB2粉末;
(5)将上述粉末进行精确称量,得到一组粉料,然后将按化学计量比为Mg∶B=1∶2的Mg粉和B粉的加入量与一次烧结样品粉末的比例为0.01∶1重量比加入其中。
(6)将上述混合料分别进行均匀研磨后,装入低碳钢管管,再经过旋锻、轧制、成型,做成带材预制件。
(7)将上述盛放有Mg粉、B粉和MgB2粉混合料的预制件放置于加热管内,用扩散真空泵将加热管内的空气抽去使成真空,随后充入高纯氩气进行洗气,再抽真空,如此反复三次后,持续缓慢充入高纯氩气保证管内的惰性气氛;
(8)将上述的加热管置于管式炉内加热,升温速度为100℃/h;升温至反应温度650℃后保温1小时;然后将样品随炉冷却,取出样品MgB2,即为一种高密度的MgB2超导带材。
实施例二:本实施例中的制备步骤与上述实施例一完全相同。所不同的是:①Mg粉和B粉是按Mg∶B=0.7∶2进行称取配料;②将球磨得到的MgB2与按化学计量比为Mg∶B=0.7∶2的Mg粉和B粉混合时,Mg粉和B粉的加入量与一次烧结样品粉末的比例为0.02∶1;③材料的反应温度都控制在750℃,保温时间都是0.5小时。
实施例三:本实施例中的制备步骤与上述实施例一完全相同。所不同的是:①Mg粉和B粉是按Mg∶B=0.8∶2进行称取配料;②将球磨得到的MgB2与按化学计量比为Mg∶B=0.8∶2的Mg粉和B粉混合时,Mg粉和B粉的加入量与一次烧结样品粉末的比例为0.05∶1;③材料的反应温度都控制在800℃,保温时间都是2小时。
实施例四:本实施例中的制备步骤与上述实施例一完全相同。所不同的是:①Mg粉和B粉是按Mg∶B=1.1∶2进行称取配料;②将球磨得到的MgB2与按化学计量比为Mg∶B=1.1∶2的Mg粉和B粉混合时,Mg粉和B粉的加入量与一次烧结样品粉末的比例为0.1∶1;③材料的反应温度都控制在850℃,保温时间都是5小时。
实施例五:本实施例中的制备步骤与上述实施例一完全相同。所不同的是:①Mg粉和B粉是按Mg∶B=1.2∶2进行称取配料;②将球磨得到的MgB2与按化学计量比为Mg∶B=1.2∶2的Mg粉和B粉混合时,Mg粉和B粉的总重量是15%;③材料的反应温度都控制在900℃,保温时间都是8小时。
实施例六:本实施例中的制备步骤与上述实施例一完全相同。所不同的是:①Mg粉和B粉是按Mg∶B=1.3∶2进行称取配料;②将球磨得到的MgB2与按化学计量比为Mg∶B=1.3∶2的Mg粉和B粉混合时,Mg粉和B粉的加入量与一次烧结样品粉末的比例为0.2∶1;③材料的反应温度都控制在950℃,保温时间都是10小时。
实施例七:本实施例中的制备步骤与上述实施例一完全相同。所不同的是:①Mg粉和B粉是按Mg∶B=1.3∶2进行称取配料;②将一次烧结、球磨得到的MgB2粉末按照步骤6进行;③一次烧结的反应温度为800℃,保温时间为2小时,二次烧结的温度为900℃,保温时间为1小时。
Claims (1)
1.一种高密度MgB2超导带材的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:
a、将经真空干燥处理过的Mg粉料和B粉料,按物质的量比为:Mg∶B=0.7~1.3∶2的比例进行配料,将配料进行均匀研磨后,封入钽箔;
b、将上述钽箔放置于加热管内,在惰性气氛下,将加热管进行加热,升温至650~950℃,保温0.5~10小时;然后将样品随炉冷却,即制成MgB2超导材料;
c、将上述的MgB2超导材料从上述钽箔中取出后,研磨成颗粒度为2~3μm的MgB2粉末;然后在MgB2粉末中加入Mg粉和B粉的混合物,Mg粉和B粉的混合物与MgB2粉末的质量比为0-0.2∶1,所述Mg粉和B粉的混合物中Mg粉和B粉的物质的量比为0.7~1.3∶2;
d、将步骤c得到的混合料进行均匀研磨后,做成预制件;然后将该预制件放置于加热管内,并在惰性气氛下加热,升温至650~950℃后保温0.5~10小时;然后随炉冷却,即得到高密度的MgB2超导带材。
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CNA2005101119150A CN1794364A (zh) | 2005-12-23 | 2005-12-23 | 高密度MgB2超导带材的制备方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN100376010C (zh) * | 2005-12-23 | 2008-03-19 | 上海大学 | 高密度MgB2超导线材的制备方法 |
CN100442398C (zh) * | 2006-08-15 | 2008-12-10 | 北京工业大学 | 采用连续管线成型及填充技术制备MgB2单芯超导线材的方法 |
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2005
- 2005-12-23 CN CNA2005101119150A patent/CN1794364A/zh active Pending
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