CN1791965B - 用于半导体布置的结构和制造半导体布置的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于半导体布置的结构。用于支持淀积含有半导体的溶液的抗蚀剂结构直接或通过中间层耦合到衬底上。抗蚀剂结构包括用于淀积含有半导体的溶液的凹陷(301)，和对准凹陷的至少一部分边缘且通过凸起(307)与凹陷分开的槽(305)。槽(305)优选包围凹陷。槽对含有半导体的溶液提供牵制效果，由此提高了润湿性，并因而允许增加的半导体量施加到给定区域上。

Description

用于半导体布置的结构和制造半导体布置的方法

本发明涉及一种用于半导体布置的结构和制造半导体布置的方法，特别涉及一种包括抗蚀剂结构的半导体布置。

很多年前就知道使用半导体材料如硅、锗和砷化镓来制造电子半导体元件，如双极和场效应晶体管。具体地说，通过在衬底上淀积导电的、半导电的和绝缘层来制造包括很多电子元件的集成电路。

近年来，人们已经认识到有些有机材料如并五苯、聚噻吩、聚芴、聚亚苯基亚乙烯基(polyphenylenevinylene)、三苯胺可以呈现半导体特性。包括有机半导体的半导体元件、布置和电路相对于基于传统半导体的结构保证了很多优点，包括容易处理，例如溶液处理和它们的机械柔性。因而，人们在有机半导体和以有机半导体为基础的半导体元件和电路的制造领域已经进行了很多研究。

而且，近年来，半导体基显示器如薄膜晶体管(TFT)显示器已经变得日益普遍。因此，对于半导体结构并且特别是用于有机半导体结构或者半导体基显示器的制造的合适的制造方法已经进行了许多研究。

一种制造有机半导体基显示器的已知方法包括通过旋涂来施加显示器的有机晶体管。然而，这种技术的缺点是需要单独的构图工艺来施加半导电材料的均匀层。因此，施加聚合物的通常优选的方法是利用印刷工艺，如喷墨印刷，由此可以将半导电有机材料直接施加成图形。通过这种方式，可以显著地提高晶体管的功能特性。

为了简化喷墨印刷工艺，即保持喷墨印刷液在所希望的区域中，其上印刷该液体的结构通常包括抗蚀剂结构，它可以防止印刷液散布到不希望的区域。

一般情况下，该抗蚀剂结构包括阱或腔，可以借助印刷法用液体材料填充该阱或腔。图1示出根据现有技术的抗蚀剂结构的阱的剖面图。抗蚀剂结构101包括作为凹陷形成在抗蚀剂结构101中的阱103。含有有机半导体的溶液的液滴105已经滴在阱103中。

在液体与抗蚀剂的角度θ大于液体与衬底的前进(advancing)接触角的情况下，将发生抗蚀剂的润湿，直到建立起平衡为止，即，衬底上的液体的角度等于前进接触角。图2示出根据现有技术的抗蚀剂结构的阱的剖面图。图2示出与图1中的相同的、但是是在已经达到平衡之后的抗蚀剂结构。如图所示，已经发生了抗蚀剂的明显的润湿。这导致大量的缺点，包括对特征尺寸的不良控制(这就不可能制作小特征)、不良配准(registration)(这可能导致不希望的泄漏电流和寄生电容)。

抗蚀剂的润湿取决于液体与抗蚀剂的接触角，并且对于给定的液体体积来说，还取决于抗蚀剂阻挡层的高度。因此减少润湿的一种可行的解决方案可以是增加抗蚀剂阻挡层的高度。然而，在其它显示元件如像素电极的顶部上的厚抗蚀剂层负面地影响显示性能，因为需要更高的驱动电压，并且电极变得不太透明，这可以导致反射型显示器中的屏幕前部性能的降低。此外，机械稳定性随着抗蚀剂结构的高宽比增大而降低。

通过表面处理例如CF₄或CHF₃等离子体来增加接触角度的另一方案将增加液体与衬底的接触角。然而，这种处理看来似乎对于晶体管特性是不利的。

因此，用于半导体布置的改进结构和制造半导体布置的方法将是有利的，特别是减小含有半导体的溶液的润湿性的改进结构将是有利的。

因此，本发明优选单独地或以任意组合地方式减轻、缓和或消除上述缺点中的一个或多个。

根据本发明的第一方案，提供一种用于半导体布置的结构，包括：耦合到衬底上的抗蚀剂结构；该抗蚀剂结构包括用于淀积含有半导体或其前体的溶液的凹陷，和对准凹陷的至少一部分边缘且通过凸起与凹陷分开的槽。

本发明允许含有可溶半导体(或其前体)的溶液具有增加的体积而不延伸到槽之外。与含有半导体的溶液的润湿性相关的接触角可以是含有半导体的溶液的表面和槽的壁的表面之间而不是和抗蚀剂结构的主(general)表面平面之间的接触角。因而，通过形成槽的侧壁以提供相对于含有有机半导体的溶液的表面比与凹陷相邻的表面更高的角度，可以实现增加的接触角度，并因此可以实现减小的润湿性。

该抗蚀剂结构可将相对于主衬底表面平面的最大接触角(这是润湿性的测量标准)从例如10-20°左右的典型值放大到大约90°或者甚至更高。

本发明允许提高将被含有该有机半导体的溶液覆盖的区域的精确度和基本上增加将要对每个凹陷淀积的含有有机半导体的溶液的量。

抗蚀剂结构可优选具有在0.5和15μm之间的深度，特别是，已经发现2和5μm之间的深度可以提供特别有利的结果。凹陷可以同样优选地具有在0.5和15μm之间的深度，特别是已经发现2和5μm之间的深度可以提供特别有利的结果。槽宽度不是关键的，但是例如可以在2到15μm之间。凹陷和槽的第一侧之间的距离优选也在2和15μm之间。通常溶液中的半导体的浓度在0.1％到10％的范围内，并且通常在1％数量级。

可以使用不同形状的凸起，包括矩形横截面、截锥形、倒置截锥形(例如，具有底部的宽度小于顶部的宽度的壁)、或者具有圆形顶部的侧壁。

抗蚀剂结构耦合到衬底上，但是不必与衬底直接接触。因此，其他层可以位于衬底与抗蚀剂结构之间。抗蚀剂结构可以具体地形成在层中，其是半导体布置的功能层的一部分，或者形成在制造工艺中使用的层中。例如，抗蚀剂结构可以形成在栅极介质层中、互连线之间的绝缘体层中或者用于构图下层的光刻胶层中。

抗蚀剂结构可以通过各种方式制成，包括光刻、压凸(embossing)、微接触印刷和注射模制。

根据本发明的特征，抗蚀剂结构形成为半导体布置的单层。

根据本发明的另一特征，槽基本上包围凹陷。这提供了在所有方向上都改进的润湿性。

根据本发明的另一特征，半导体是有机半导体。

根据本发明的另一特征，远离衬底的凸起的端部的宽度大于靠近衬底的凸起的端部的宽度。增加宽度的凸起可提供增加的接触角，其可以延伸超过90°。

根据本发明的另一特征，靠近衬底的凸起的端部宽度大于远离衬底的凸起的端部宽度。减小宽度的凸起可实现凸起的机械健壮性的增加，并且可以允许实现所希望的减小的最大接触角。

根据本发明的另一特征，凸起具有基本上是截头圆锥形的横截面。这考虑了一种凸起，其具有合适的机械和抵抗特性，并且适合于低复杂性制造工艺。

根据本发明的另一特征，抗蚀剂结构是通过聚合物层形成的。聚合物材料具有特别适合于形成用于半导体布置的抗蚀剂结构的特性，特别是在使用有机半导体时。

根据本发明的另一特征，基本上垂直于凹陷的方向的凹陷的横截面包括圆形角部。当从衬底上方观察时，凹陷的边缘可优选是平滑的并且没有尖锐的边缘、角部或间断。这允许改善含有半导体的溶液和抗蚀剂之间的接触，并且提高润湿性。

根据本发明的另一特征，基本上垂直于凹陷的方向的凹陷的横截面基本上是矩形的。当从衬底上方观察时，凹陷的边缘优选基本上是矩形的，但是优选具有圆形角部。这允许特别适合于用于淀积半导体的形状，例如用于形成场效应晶体管。

根据本发明的另一特征，槽的深度基本上与凹陷的深度相同。这允许简单的制造工艺，其中槽和凹陷可以使用相同的参数通过相同的操作来形成。具体地说，凹陷和槽的深度都可以等于抗蚀剂层的深度，由此允许通过例如刻蚀技术在合适的位置除去整个层来形成凹陷和槽。

根据本发明的另一特征，凹陷包括形成场效应晶体管的有源层的半导体。因此，本发明允许适合于用于场效应晶体管的半导体的正确淀积的结构。可以实现简单的制造工艺。

根据本发明的另一特征，场效应晶体管包括具有多个交指型电极的源极和漏极，以及跨越多个交指型电极延伸的栅极。

根据本发明的另一特征，凹陷在基本上垂直于交指的纵向的方向上延伸到栅极以外。这提供特别合适的晶体管参数，并且允许半导体在基本上垂直的方向上延伸到由场效应晶体管的导体限定的沟道区域以外。这减轻或防止了在腔和下层之间的覆盖层中的小偏离导致寄生电容的变化。如果晶体管是显示器的一部分，则这是特别有利的，在上述显示器中，覆盖的变化可能对显示质量有负面影响。

根据本发明的另一特征，凹陷在基本上与交指的纵向对准的方向上不延伸到栅极以外。这提供特别合适的晶体管参数，并且防止半导体在基本上对准的方向上延伸到由场效应晶体管的导体限定的沟道区域以外。这对于常开(normally on)晶体管是特别重要的。对于常开晶体管，在栅电极上的施加电压为零时，有机半导体就已经可以从源极到漏极和/或反之从漏极到源极运送电荷载流子。栅极以外的延伸部分导致源极和漏极之间的泄漏通路。

该结构可优选用在集成电路、(薄膜)晶体管有源矩阵显示器、有源矩阵背板或电致发光器件中。

根据本发明的第二方案，提供一种制造半导体布置的方法；该方法包括以下步骤：提供衬底；施加耦合到衬底的抗蚀剂结构；抗蚀剂结构包括用于淀积含有半导体或其前体的溶液的凹陷，以及对准凹陷的至少一部分边缘且通过凸起与凹陷分开的槽；并且在凹陷中淀积溶液。

优选地，含有有机半导体的溶液的淀积是通过印刷工艺进行的，如微接触印刷、毛细管中的微型模制(MIMIC)、按需型喷墨印刷(泡沫喷射或压电)、连续喷墨印刷、丝网印刷或柔性版印刷。

参照下述实施例来说明本发明的这些和其它方案、特征和优点，并使其显而易见。

下面参照附图仅仅通过举例来介绍本发明的实施例，在附图中

图1示出根据现有技术的抗蚀剂结构的阱的剖面图；

图2示出根据现有技术的抗蚀剂结构的阱的剖面图；

图3示出根据本发明实施例的抗蚀剂结构的剖面图；

图4示出根据本发明实施例的凸起的横截面的例子；

图5示出根据本发明实施例的抗蚀剂结构的顶视图；

图6示出包括根据本发明实施例的结构的底栅结构FET的剖面图；以及

图7示出图6的FET的电极层的顶视图。

下面的说明主要涉及可适用于有机半导体结构的本发明的实施例。然而，应该理解的是本发明不限于这种应用，而是也可以适用于很多其他的半导体布置。

例如用于形成集成电路或半导体基显示器(例如，薄膜晶体管(TFT)显示器)中的场效应晶体管的半导体布置和结构通常是通过在衬底上淀积和构图不同的层来形成的。淀积合适材料的公知的和便宜的方法是旋涂。这之后通常是构图工艺，其例如可以包括光刻胶的光刻曝光以及之后的刻蚀步骤，如本领域公知的。

然而，近年来已经出现了用于制造半导体布置的其它技术。一种非常有利的技术是在抗蚀剂层上直接印刷例如含有半导体或其前体的溶液。例如，喷墨印刷允许含有半导体的溶液的液滴淀积在所希望的位置。由于液滴可以非常小并且可以精确地定位，因此直接通过印刷工艺而不需要单独的构图步骤就可以提供所希望的图案。

半导体材料可以是不同的成分，包括无机半导体，如CdSe(作为前体提供)，颗粒形式或纳米管或纳米线形式的纳米材料型半导体，以及有机半导体。

为了便于和有助于精确地淀积含有半导体的溶液，抗蚀剂结构优选包括用于通过印刷工艺淀积的每个液滴的阱。例如，如果制造TFT显示器，则在显示区上形成均匀分布的像素FET的矩阵。含有半导体的溶液的每个液滴可以淀积成以便形成像素FET的沟道。因此，在含有半导体的溶液的喷墨印刷之前，抗蚀剂设置有均匀分布的阱阵列，所述阱具有对应于所希望的半导体尺寸的尺寸。通常，这种阱是矩形的，并且例如可以具有400μm的长度、50μm的宽度和5μm的深度。在其他实施例中，阱或凹陷当然也可以具有其他尺寸，这取决于具体实施例的需要。在有些实施例中，多个液滴可以淀积在单个凹陷中。

图3示出根据本发明实施例的抗蚀剂结构的剖面图。抗蚀剂结构耦合到衬底上，在该衬底上直接或完全或部分地通过中间层形成半导体布置。

用于淀积含有半导体的溶液的凹陷301形成在抗蚀剂303中。此外，在抗蚀剂303中形成对准凹陷301的至少一部分边缘的槽305。槽305通过凸起307与凹陷301分开。

在印刷期间，含有半导体的溶液309的液滴滴落在凹陷301中。液滴的表面将与抗蚀剂的平面形成角度θ。在现有技术的抗蚀剂结构中，当θ超过通常在10-20°范围内的给定值时，将发生润湿。

然而，如图3所示，当液滴与槽305接触时，相关的接触角不再是液滴的表面与抗蚀剂的平面的角度。此外，用于润湿效应的相关接触角是液滴的表面和与其接触的表面之间的角度，在这种情况下是槽305的侧壁311。因此，含有半导体的溶液的连续润湿的相关接触角是φ。如图3所示，这个角远远小于θ。在所示的例子中，θ大约为60°(这将引起进一步的润湿)，而角度φ大约为-30°。因此，在所示的例子中，其中槽的侧壁基本上垂直于抗蚀剂303的平面，发生润湿时液滴表面与衬底的平面之间的角度θ比不存在槽的情况下高大约90°。因此，槽线的功能是使液体不动。

因此，根据所示出的实施例，通过提供对准凹陷边缘的槽，实现了抗蚀剂结构的润湿性能的大大改善。因此可以相当大地增加最大接触角。例如，这允许在给定区域内提供的半导体材料的量大大增加。这提供了自对准工艺的优点，其可以防止凹陷外部的抗蚀剂区域的润湿、在凹陷内部施加较厚的半导体层并具有更可靠的和可再现的工艺。

应该注意的是，上述印刷工艺假设含有半导体的溶液和抗蚀剂表面之间的接触角是控制润湿特性的主要效应。本领域技术人员应该理解其它效应如由于表面张力的梯度引起的Marangoni力，对含有有机半导体的溶液的润湿可能具有影响，因此获得的改善可能小于在给出的例子中所述的改善。

应该注意图3示出例如对应于单个晶体管的单个半导体淀积的结构。具体地说，晶体管可以是用于显示器的像素晶体管。在包括多个晶体管的半导体布置中，其它槽和凹陷将形成在抗蚀剂结构中。例如，对于矩阵显示器，其它晶体管将形成在距离所示晶体管(通常在两个垂直方向上)为给定距离L的位置上。因此，可以以至多为像素尺寸的最大距离L在抗蚀剂层中形成其它凹陷，所述像素尺寸通常为100-1000μm。用于相邻像素的晶体管将使用这个凹陷来形成。

对于有些目的来说，在很小的距离上将基底抗蚀剂层的高度减小到凹陷的高度是有利的。例如，可以通过凸起和外壁来形成槽，所述外壁与凸起尺寸相同或者甚至比凸起小。换言之，在有些实施例中，可以从不用于形成凹陷或槽的区域除去抗蚀剂层。

在优选实施例中，凹陷和槽形成在相同层中，并且它们具有相同的深度。这允许简单的制造工艺，其中在槽和凹陷之间不需要差别。具体地说，槽和凹陷的深度优选等于层的深度，从而凹陷和层可以简单地通过除去整个层来进行。

抗蚀剂层优选具有1-5μm量级的厚度。优选地，抗蚀剂区域覆盖半导体布置的整个区域，但是在有些实施例中，在其中形成凹陷的区域外部不存在抗蚀剂。

抗蚀剂结构的图案可以使用本领域技术人员公知的不同技术来形成，包括光刻、压凸、微接触印刷或注射模制。

抗蚀剂结构优选由聚合物材料制成，并且含有有机半导体的溶液优选是有机半导体，包括聚亚苯基亚乙烯基、聚噻吩基-亚乙烯基、聚芴、载体材料和低聚物的混合物、(特别是并五苯)、聚芳胺、聚噻吩等，低聚物和非半导电单体的共聚物。这些有机半导体可以包括任何侧链(特别是烷基、烷氧基，但不是排他的)，如本领域技术人员公知的。此外，抗蚀剂层还可以具有第二种用途。例如，抗蚀剂层还可以用作例如第二和第三金属层之间的隔离物，其利用额外的掩模来进行构图。考虑到下层，优选使用湿化学刻蚀。介质层优选在光刻胶之上，以便避免光刻胶对有机半导体的稳定性具有不希望的影响。

含有半导体的溶液的淀积优选通过印刷工艺进行，但是也可以使用任何合适的工艺，这也在本发明的范围内。印刷例如可以是按需型喷墨印刷(其例如可以是泡沫喷射或压电印刷)、连续喷墨印刷、丝网印刷、柔性版印刷、微接触印刷或毛细管中的微型模制(MIMIC)。

凸起的横截面形状或尺寸可以由本领域技术人员来确定，以便适合具体的应用。图4示出根据本发明实施例的凸起的横截面的例子。

如图所示，该横截面可以例如是矩形的，具有圆形边缘或者是截头圆锥形。尤其是，截头圆锥形是有利的，因为它允许简单的结构，这允许最大接触角的优化。

在有些实施例中，远离衬底的凸起的端部宽度大于靠近衬底的凸起的端部宽度。例如，图4所示的凸起的宽度在凸起的顶部可以比在底部的大。

中间壁的这种倒置截锥形状是特别有利的，因为它允许印刷液体(液滴)相对于衬底的接触角大于90°；即具有用于抗蚀剂结构的相对薄的层，可以提供大量材料。

在其它实施例中，靠近衬底的凸起的端部宽度大于远离衬底的凸起的端部宽度。例如，图4所示的凸起的宽度在凸起的顶部可以小于在底部的宽度。这允许较小的最大接触角，但是可以提供在机械上更健壮的结构。

图5示出根据本发明实施例的抗蚀剂结构的顶视图。图5对应图3的抗蚀剂结构的顶视图。

如图5所示，槽305优选基本上包围凹陷。因此，槽优选在沿着抗蚀剂层的平面的所有方向上限制液滴的流动。

此外，如图所示，凹陷的优选形状对应于基本上是矩形的形状，其中角部是圆形的。因此，在优选实施例中，在基本上垂直于凹陷方向的方向上在凹陷的边缘中，即，在抗蚀剂层的平面中不存在不连续或尖锐的角部。这允许改进润湿性能，由此减小了沿着边缘的具体位置中的过量液体。

抗蚀剂结构和含有半导体的溶液处于场效应晶体管(FET)结构的优选实施例部分中。因此，使用该抗蚀剂结构以便于形成一个或多个FET。

一般情况下，具有有机半导体的FET可具有两种结构：底栅结构或顶栅结构。图6示出包括根据本发明实施例的结构的底栅结构FET的剖面图。

该FET包括三个电极：源极601、漏极603和栅极605。源极和漏极601、603位于一个导电层中，栅极605位于另一导电层中。有机半导体与源极601和漏极603接触，并形成这些电极之间的沟道。含有半导体的液体通过栅极介质607(栅极在有机半导体上的垂直投影与沟道重叠)与栅极605分开。在底栅结构中，有机半导体可以作为最后层提供。

图6示出在干燥之前的FET结构，该干燥步骤通常会蒸发溶剂，并且留下将要包含在凹陷内的干燥半导体层。

优选源极和漏极601、603作为一对交指型电极提供。图7示出图6的FET的电极层的顶视图。

如图所示，源极和漏极601、603具有指状物，这些指状物基本上平行取向并在第一方向701上延伸。栅极设置成使得其垂直投影与指状物交叠，但是不与电极指的端部交叠。因此它在所述第一方向701上在第一和第二极限之间延伸。优选地，凹陷在第一方向701上不延伸到栅极的投影边缘之外。因此，凹陷在基本上与交指型指状物的纵向701对准的方向上不延伸到栅极之外。

这个限制特别有利于具有常开半导体材料的晶体管。在这种情况下，当栅极上的施加电压为零或更高时，有机半导体可以从源极向漏极运载电荷载流子，和/或反之亦然。栅极以外的延伸部分将导致源极和漏极之间的泄漏路径，这是因为如果没有栅极与这个区域交叠，通过栅极电压不能防止电荷载流子的运输。

此外，栅极605的投影在第二方向703(通常基本上垂直于第一方向)上延伸，并在这个方向上与源极和漏极601、603的指状物交叠。在优选实施例中，凹陷优选在第二方向703上延伸到栅极605的投影边缘之外。因此，凹陷优选在基本上垂直于交指型指状物的纵向的方向703上延伸到栅极605之外。

通过允许凹陷在第二方向上与栅极交叠，可以防止或减轻凹陷与下层之间的交叠中的小偏离对晶体管特性具有负面影响。

用于形成源极、漏极和栅极的合适导电材料包括金、钯、铂和其它(贵)金属，氧化物导体，如ITO，聚合导体，如聚苯胺和聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)，特别是与多元酸相结合。对于n型半导体，除了已经描述过的用于p型半导体的金属之外，还可以使用具有较低功函数的金属。

合适的栅极介质包括所有种类的有机绝缘体，并且原则上还包括无机绝缘体。

在优选实施例中，该半导体布置是集成电路或显示器或电致发光器件的一部分。

因此优选地，使用上述结构形成多个FET。具体地说，FET可以用在显示器中，例如作为具有电泳光电层的显示器中的像素晶体管。

本发明可以以任何合适的方式并使用任何合适的方法、工艺和材料来实施。本发明的实施例的元件和部件可以任何合适的方式物理地、功能性地和逻辑地实施。实际上，可以用单一单元、用多个单元或作为其它功能单元的一部分来实施这种功能性。因此，本发明可以用单一单元来实施，或者可以物理地和功能性地分布在不同单元之间。

尽管已经结合优选实施例介绍了本发明，但是不打算将本发明限于这里所述的具体形式。此外，本发明的范围只受到所附权利要求的限制。在权利要求书中，术语“包括”不排除存在其它元件或步骤。此外，尽管是单独地列出，但是多个装置、元件或方法步骤可通过例如单一单元或处理器来实施。附加地，尽管独立的特征可以包含在不同权利要求中，但是这些特征也可以有利地组合，并且不同权利要求中的包含不暗示着特征的组合是不可行的和/或不利的。此外，单个的参考不排除多个。因此参考“一个”、“第一”、“第二”等不排除多个。

Claims (18)

1.一种制造半导体布置的方法，该方法包括以下步骤：

提供衬底；

施加耦合到该衬底的抗蚀剂结构；该抗蚀剂结构(303)包括凹陷(301)以及限制该凹陷的至少一部分的凸起(307)，该凸起(307)具有内侧壁和外侧壁(311)，该内侧壁形成该凹陷(301)的壁；

在该凹陷中淀积含有半导体或其前体的溶液(309)；

其特征在于，

淀积该溶液(309)，使得其润湿该抗蚀剂结构(303)一直到该外侧壁(311)，并且其中所淀积的溶液(309)的表面和所述外侧壁(311)之间的接触角小于20度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述凸起(307)包围所述凹陷(301)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述凸起(307)远离所述衬底的端部的宽度大于所述凸起(307)靠近所述衬底的端部的宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述凸起(307)靠近所述衬底的端部的宽度大于所述凸起(307)远离所述衬底的端部的宽度。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其中所述凸起(307)具有截头圆锥形的截面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述凹陷(301)的垂直于凹陷方向的截面包括圆形角部。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述凹陷(301)的垂直于凹陷方向的截面是矩形的。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述凸起(307)的内侧壁和外侧壁(311)的深度等于所述凹陷(301)的深度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中通过印刷工艺淀积所述溶液(309)。

10.根据权利要求9所述的方法，其中通过喷墨印刷工艺淀积所述溶液(309)。

11.一种用于半导体布置的结构；包括耦合到衬底的抗蚀剂结构；该抗蚀剂结构包括：

用于淀积包含半导体或者其前体的溶液(309)的凹陷(301)以及限制该凹陷(301)的至少一部分的凸起(307)，该凸起具有内侧壁和外侧壁(311)，该内侧壁形成该凹陷(301)的壁；

作为所述溶液(309)淀积到所述凸起(307)中的半导体或者其前体，

其特征在于所述半导体或者其前体一直延伸到所述凸起的外侧壁(311)，并且其中所淀积的溶液(309)的表面和所述外侧壁(311)之间的接触角小于20度。

12.一种包括根据权利要求11所述的抗蚀剂结构的电子器件。

13.根据权利要求12所述的电子器件，其中场效应晶体管包括具有多个互相交叉的电极的源极(601)和漏极(603)，以及跨越所述多个交叉电极延伸的栅极(605)。

14.根据权利要求13所述的电子器件，其中所述凹陷(301)在垂直于互相交叉的指状部的纵向的方向上延伸超过所述栅极(605)。

15.根据权利要求14所述的电子器件，其中所述凹陷(301)在与互相交叉的指状部的纵向对准的方向上不延伸超过所述栅极(605)。

16.根据权利要求15所述的电子器件，设置有集成电路，其中所述凹陷(301)包括形成场效应晶体管的有源层的半导体。

17.根据权利要求16所述的电子器件，设置有有源矩阵背板或有源矩阵显示器。

18.一种电致发光器件，包括根据权利要求11所述的抗蚀剂结构。

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