CN1791287A - 有机发光显示器件的透明阳极和电极引出线的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机发光显示器件的透明阳极和电极引出线的制造方法,涉及有机电致发光显示器件的基板制造的技术领域;其步骤如下:制作掩膜板;用该掩膜板在ITO透明导电薄膜的玻璃基板上直接溅射上所需的电极引出线部分的金属层;旋涂正性光刻胶胶膜;曝光;显影、烘烤;对金属铬刻蚀;对ITO透明导电薄膜刻蚀;脱膜。本发明的制造方法中,由于使用的是一次涂布光刻胶,所以相应只用了一次显影一次烘烤和脱膜过程,减少了有机材料及其他杂质在器件基板上残留的概率,从而缩短了生产时间,提高了生产效率;另外由于只用一种图形进行曝光排除了阳极同阳极引出线之间的对位误差,提高了成品率。
Description
技术领域
本发明涉及电子显示器件的技术领域,特别是涉及有机电致发光显示器件的基板制造。
背景技术
目前的有机电致发光器件一般是由上,下两个电极和夹在其中间的具有半导体性质的有机材料薄膜组成,其中的有机层薄膜可以通过热蒸发,旋涂或其他成膜方法制备,其中的阳极是透明导电的氧化銦锡ITO。当在器件的两端加上正向直流电压时,通过电子和空穴载流子的注入和复合而发光。有机电致发光显示器件是一种平板型矩阵器件,需要将阳极与阴极隔离柱图案化的刻在具有一定尺寸与形状的基板上。另外如图1所示,为了更好的增加有机发光器件与驱动IC模块的连接性能,往往会在已覆盖有ITO透明导电薄膜2的玻璃基板1上再溅射上一层导电性能优良的金属层9以便形成覆盖有金属的电极引出线7。在这种制造工艺中透明阳极即氧化銦锡ITO的像素线8以及电极引出线7均是通过传统的湿法光刻法分别实现的。在图1中,A表示一次曝光并刻蚀金属层9,B表示二次曝光并刻蚀透明导电薄膜2;由于使用了两次湿法光刻法,从工艺上说非常繁复,生产效率低,更重要的是由于两次涂覆有机光刻胶,多次烘烤,以及脱膜导致ITO表面残留有机物质和其他杂质的概率大大增加,即使进行了深度的UV紫外清洗以及多次的湿法清洗也无法彻底去除已存在的表面沾污。另外由于两次曝光的图形不同,必然存在引出线与阳极线条的对位误差。当进行小分子有机材料进行蒸发镀膜时,由于有机薄膜层(一般包括空穴传输层/发光层/电子传输层)的疏松结构和一般小于1500的较薄的总厚度使得基板本身的清洁程度尤为重要。ITO表面残留的有机物质和其他杂质在有机电致发光显示器件中会造成阴极和阳极的短路和断路,形成显示屏上的断线和串线,而对位误差同样会造成串线,这些都会影响器件的发光亮度、发光效率、器件寿命等性能,降低器件的成品率。
发明内容
针对上述现有技术中存在的缺点,本发明所要解决的技术问题是提供一种可以克服现有有机电致发光器件基板制造技术中重复加工的不足,以提高成品率和生产效率,而改进的有机发光显示器件的透明阳极和电极引出线的制造方法。
为了解决上述技术问题,根据本发明的一个技术方案,提供的一种有机发光显示器件的透明阳极和电极引出线的制造方法,其步骤如下:
制作掩膜板:根据设计方案制作一个金属溅射用的掩膜板;
溅射金属层:用该掩膜板在ITO透明导电薄膜的玻璃基板上按照厚度及材料等技术指标直接溅射上所需的电极引出线部分的金属层,在需要形成像素线条的曝光区域不能存在金属层;
涂布正性光刻胶:采用旋涂的方法在金属及ITO表面覆盖上一层均匀分布的胶膜,只有用旋涂的方法才能获得薄而均匀的光刻胶层;
曝光:曝光所用的掩膜板必须与溅射用掩膜板是匹配的;
显影、烘烤;
对金属层进行刻蚀;
对ITO透明导电薄膜进行刻蚀;
脱膜;
所述的金属层采用导电性能优良的铬。
本发明提供的有机发光显示器件的透明阳极和电极引出线的制造方法中,由于使用的是一次涂布光刻胶,所以相应只用了一次显影一次烘烤和脱膜过程,减少了有机材料在有机电致发光器件基板上残留的概率,同时也减少了其他杂质沾污的可能性,并且缩短了生产时间,简化了生产工艺,提高了生产效率;另外由于只用一种图形进行曝光排除了阳极同阳极引出线之间的对位误差,提高了成品率;通过其后的有机功能层的蒸发制备及后盖封装,所获得的有机电致发光器件明显减少了显示屏上的断线和串线数量,从而提高了器件的性能和寿命。
以下结合附图说明对本发明的实施作进一步详细描述。
附图说明
图1为现有技术中有机发光器件基板的透明阳极和电极引出线的制造过程的示意图;
图2为本发明中有机发光器件基板的透明阳极和电极引出线的制造过程的示意图。
图3为本发明的有机发光显示器件的结构示意图;
具体实施方式
参见图2所示,在本发明的实施例中,有机发光显示器件的透明阳极和电极引出线的制造方法的步骤如下:
制作掩膜板:根据设计方案制作一个金属溅射用的掩膜板;
溅射金属层9:用该掩膜板在ITO透明导电薄膜2的玻璃基板1上按照厚度及材料等技术指标直接溅射上所需的电极引出线部分的金属层9;电极引出线一般常采用导电性能优良的金属,如铬等。这种金属与ITO玻璃衬底有很强的黏附性能,牢固度高,耐磨性强,另外它可以有较高的分辨率,此外铬对有机溶剂具有非常好的抵抗性;在需要形成像素线条的曝光区域不能存在铬金属层。
涂布正性光刻胶:采用旋涂的方法在金属及ITO表面覆盖上一层均匀分布的胶膜;只有用旋涂的方法才能获得薄而均匀的光刻胶层;
曝光:曝光所用的掩膜板必须与溅射用掩膜板是匹配的,即使用同时包括有电极引出线及ITO像素图形的铬板进行曝光;
显影、烘烤;由于显影后的光刻胶图形很好的保护住了器件需要的ITO(阳极)像素线条8及电极引出线7,所以随后的两种刻蚀液对它们不会造成影响;
对金属铬9的刻蚀;
对ITO透明导电薄膜2的刻蚀;
脱膜。
至此在透明导电玻璃1上形成了所有包括ITO(阳极)像素线条8及电极引出线7的导电部分的图形。在图2中,C表示一次曝光,两次刻蚀。
参见图3所示,在有机发光器件的基板制作过程中,还需要在ITO透明导电薄膜2的玻璃基板1上制造绝缘层3,这需要通过正性光刻胶来形成,并在此基础上制作阴极隔离柱4,在制作阴极隔离柱4时使用负性光刻胶经过曝光,显影形成倒三角的形状,以起到很好的对阴极隔离的作用;在这种基板上还需要通过蒸发或旋涂的方法制备有机功能层5和金属背电极6。
Claims (4)
1、一种有机发光显示器件的透明阳极和电极引出线的制造方法,其步骤如下:
制作掩膜板;根据设计方案制作一个金属溅射用的掩膜板;
溅射金属层:用该掩膜板在ITO透明导电薄膜的玻璃基板上直接溅射上所需的电极引出线部分的金属层;
涂布正性光刻胶胶膜;
曝光;曝光所用的掩膜板必须与溅射用掩膜板是匹配的;
显影、烘烤;
对金属层进行刻蚀;
对ITO透明导电薄膜进行刻蚀;
脱膜。
2、根据权利要求1所述的有机发光显示器件的透明阳极和电极引出线的制造方法,其特征是,所述的溅射金属层的步骤中,在需要形成像素线条的曝光区域不能存在金属层。
3、根据权利要求1所述的有机发光显示器件的透明阳极和电极引出线的制造方法,其特征是,所述的涂布正性光刻胶的步骤中,采用旋涂的方法在金属及ITO表面覆盖上一层均匀分布的胶膜。
4、根据权利要求1、2或3所述的有机发光显示器件的透明阳极和电极引出线的制造方法,其特征是,所述的金属层采用铬。
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CN 200410093157 CN1791287A (zh) | 2004-12-17 | 2004-12-17 | 有机发光显示器件的透明阳极和电极引出线的制造方法 |
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CN 200410093157 CN1791287A (zh) | 2004-12-17 | 2004-12-17 | 有机发光显示器件的透明阳极和电极引出线的制造方法 |
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2004
- 2004-12-17 CN CN 200410093157 patent/CN1791287A/zh active Pending
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