CN1774610A - 确定电介质层厚度的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的确定电介质层厚度的方法包括以下步骤：提供具有电介质层(13)的导电体(11)，该电介质层(13)被至少另一个电介质层(3)从导电体(11)分离，电介质层(13)的一个表面(15)被暴露。淀积电荷到暴露的表面(15)，进而在暴露的表面(15)和导电体(11)之间产生电势差。确定与该电势差有关的电参数，并且执行测量以获得与电介质层(13)和/或另一个电介质层(3)的厚度有关的附加测量数据。通过这种方法，电介质层(13)和/或另一个电介质层(3)的厚度被确定。制造电子设备(100)的方法包括确定电介质层厚度的这种方法。确定电介质层厚度的装置(10)用来执行该方法。

Description

确定电介质层厚度的方法和装置
本发明涉及一种确定电介质层厚度的方法，包括以下步骤：提供具有电介质层的导电体，暴露该电介质层的一个表面，淀积电荷到该暴露的表面，进而在该暴露的表面和该导电体之间产生电势差，确定与该电势差有关的电参数，和从该电参数中推算出该电介质层厚度。
本发明进一步涉及一种制造电子设备的方法，在该电子设备中执行这种方法。
本发明进一步涉及一种根据这种方法确定电介质层厚度的装置。
WO 02/059631公开了一种首段中描述的确定电介质层厚度的方法。
该已知方法中，电荷dQC被淀积到电介质层的暴露表面。由于该淀积的电荷dQC，在暴露的表面和导电体之间产生电势差dV。与该电势差有关的电参数由开耳文(Kelvin)探针或门罗(Monroe)探针确定，继而从该电参数中确定电介质层厚度。电参数可以是电势差dV本身，或备选地，例如，经过电介质层的漏电流。该漏电流可以是时间相关的。
该已知方法的一个缺点在于，当电介质层被至少另一个电介质层从导电体分离时，不能确定该电介质层的厚度。
本发明的一个目的是提供一种方法，其适用于在电介质层被至少另一个电介质层从导电体分离时确定电介质层的厚度。
本发明由独立权利要求定义。从属权利要求定义了优选实施例。
本发明基于以下认识，即，在已知方法中，当电介质层被至少另一个电介质层从导电体分离时，电介质层的厚度d1不能被确定，这是因为电参数此时是厚度d1和至少另一个电介质层的厚度d2的函数。该文献的剩余部分中，该至少另一个电介质层通常仅被称为另一电介质层。当至少另一个电介质层包括多层时，厚度d2包括这些层中的每一层的厚度。通过执行测量，获得为厚度d2的另一个函数的测量数据。倘若该电介质层厚度(其选自厚度d1和厚度d2)可从电势差和测量数据中获得，则该测量数据还另外依赖于厚度d1。这意味着该电参数和该测量数据具有与厚度d1和厚度d2不同的函数依赖关系，使得至少一个未知数，即厚度d1和/或厚度d2，可以从该电参数和测量数据中确定。
测量可以包括，例如，厚度d1、厚度d2或厚度d1加厚度d2的机械、光学或电学测量。
在根据本发明的方法中，导电体可以包括例如金属、金属合金、半导体或这些材料组成的层。电介质层和另一个电介质层可以包括任何类型的电绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氧化钽、氧化铝、钛酸锶钡或氧化铪。
根据本发明的方法除了确定厚度d1之外，还适用于确定厚度d2。
根据本发明的方法特别适用于具有相对小的厚度(例如10nm或更小)的电介质层。特别是对于这种小厚度的层，备选技术通常是不可靠和/或不够准确的。
一个实施例中，电介质层具有介电常数ε1，另一电介质层具有另一个介电常数ε2，电介质层厚度例如厚度d1是从厚度d2、介电常数ε1、另一个介电常数ε2、电荷dQC和电势差dV中确定的。忽略经过电介质层和另一个电介质层的漏电流以用来推算等效电容密度C/A，即，单位面积A的电容值C，dV是dQC的函数(其也被称为Q-V关系)。从等效电容密度C/A，通过使用公式ε0A/C＝(d1/ε1+d2/ε2)可以获得厚度d1，其中，ε0是自由空间电容率。当另一个电介质层包括n层叠层时，其中n是大于1的整数，每一层具有厚度di+1，介电常数为εi+1，其中i是小于或等于n的正整数，上述公式中的项d2/ε2由di/εi的所有项的总和代替。当经过电介质层和另一个电介质层的漏电流不能忽略时，电势差与时间有相关性。例如，这种情况下厚度d1可以从作为时间函数的所测量电势差中通过用类似于已知方法的分析而确定。
备选地，特别是在厚度d2不能容易获知的情况下，执行测量的其他方法可能是优选的，例如，其可以基于电介质层和/或另一个电介质层的光谱反射。例如，这种通过测量光谱反射确定厚度d1和厚度d2的方法在US-4,999,509中是已知的。它涉及测量光谱反射，即，作为波长函数的反射光强和入射光强的比率。然后获得的测量数据使用优化的程序分析，其结果至少部分依赖于优化程序中使用的初始参数。因此，单独使用该技术通常是不够可靠和/或不够准确的，特别是当电介质层和另一个电介质层相对较薄时(例如，具有小于50nm的厚度，例如2到10nm)，或者当另一个电介质层和导电体被附加电介质层分离时。当这种方法与已知方法结合使用时，电参数在优化程序期间强加一个约束条件，进而大大减少了与优化程序中使用的初始参数的上述相关性。
如果在淀积电荷dQC和确定电参数之后，在执行测量之前，至少部分去除电介质层以暴露另一个电介质层的另一个表面，这通常是有优势的。当另一个电介质层包括多层时，这些层的上部(即，与电介质层直接接触的层)被暴露。采用这样的方式，有可能在另一个电介质层的暴露部分(即缺少电介质层的位置上)执行测量。因此，测量数据涉及厚度d1的相对小范围，允许相对容易地计算确定厚度d1。当部分去除电介质层时，优选的是关于厚度d1的测量数据尽可能的小(即根本无关)。
如果在至少部分去除电介质层的步骤中另一个电介质层的暴露部分的厚度d2基本保持恒定，则这种情况具有进一步的优势，这是因为测量数据直接涉及厚度d2。当在至少部分去除电介质层的步骤中去除另一个电介质层的一部分时，当确定电参数时剩余暴露的另一个电介质层比另一个电介质层薄。为了可靠确定厚度d1，必须考虑厚度d2的减少，这增加了执行根据本发明方法的复杂性。
如果至少部分去除电介质层的步骤包括刻蚀步骤，在很多情况下这是有优势的，这是因为对于很多材料组合来讲，刻蚀配方是已知的，其允许选择性地去除电介质层的至少一部分，同时保持厚度d2基本不变。
当至少部分去除电介质层以至少部分暴露另一个电介质层时，如果执行测量包括以下子步骤则具有进一步的优势：淀积另外的电荷到另一个暴露的表面，从而在另一个暴露表面和导电体之间产生另一个电势差，以及确定与该另一个电势差有关的另一个电参数，测量数据包括该另一个电参数。在根据本发明方法的该实施例中，暴露的另一个电介质层的厚度d2由类似于已知方法的方式确定，这具有这样的优势，即厚度d2的确定相对准确，特别是当厚度d2相对较小时，即低于50nm时。对于这种相对小的厚度，备选的方法通常不具备所需的精确度。
在根据本发明方法的另一个实施例中，导电体和另一个电介质层被附加电介质层分离，即，电介质层、另一个电介质层和附加电介质层最初形成叠层，测量数据与该附加电介质层厚度d3有关。当经过电介质层、另一个电介质层和附加电介质层的漏电流可以忽略时，厚度d1可以从公式ε0A/C＝(d1/ε1+d2/ε2+d3/ε3)获得，其中，ε3是附加电介质层的介电常数，A/C是等效电容密度C/A的倒数。
通常优选的是，在执行根据本发明的方法时确定厚度d2和厚度d3(如果存在)。
备选地，特别是在厚度d2和/或厚度d3不能容易获得的情况下，执行测量的其他方法可能是优选的，例如，其可以基于电介质层和/或另一个电介质层的光谱反射。
很多情况下，如果执行测量包括确定暴露的表面和/或另一个电介质层的另一个暴露表面的光谱反射则是优选的。该方法在现有技术中熟知，且通过与WO 02/059631中获知的方法相结合，如上面解释的，通过这种方法分析数据中的模糊程度大为减少。从WO 02/059631中获知的方法与确定光谱反射的方法的结合在导电体和另一个电介质层被附加电介质层分离时是特别有利的。通常在包括三层或更多电介质层的叠层上不能单独使用后面一个方法，但是有可能使用根据本发明的方法。
在一个实施例中，使用了作为分析中限制条件的所确定的电参数，来分析至少三层的整个叠层的光谱反射数据。另一个实施例中，电介质层在确定电参数之后被至少部分地去除，另一个电介质层在执行至少部分暴露的另一个电介质层的光谱反射测量之前被至少部分暴露。后面一个实施例具有这样的优势，即，光谱反射数据的分析相对简单，因为它仅涉及两个电介质层，而不是三个，即，仅涉及另一个电介质层和附加电介质层。
当执行制造电子设备的方法时，确定电介质层厚度的方法是优选的，该电子设备包括导电体，该导电体具有电介质层，所述电介质层被至少另一个电介质层从导电体分离。制造电子设备的方法包括以下步骤：提供具有至少另一个电介质层的导电体，提供具有电介质层的至少另一个电介质层，以及执行根据本发明的确定电介质层厚度的方法以监测提供具有至少另一个电介质层的导电体和/或提供具有电介质层的至少另一个电介质层的步骤。
很多诸如晶体管的电子设备具有电介质层，例如，该电介质层可以是位于半导体衬底和栅电极之间的栅介质，或非易失性存储设备中位于浮栅和控制栅之间的内栅介质。通常，这些电介质层包括两层或三层，有时甚至更多的相互堆叠的单独层。实例是氧化硅和氮化硅叠层，其通常被简单地称为ON层，氧化硅、氮化硅和氧化硅叠层，其通常被简单称为ONO层。其他的例子是至少包括一种比二氧化硅的介电常数高的介质材料(例如，氧化钽、氧化铪、氧化锆和氧化铝)的叠层。这些材料在现有技术中称为高K材料，通常不能直接与半导体或金属接触。因此，它们通常应用在叠层中，例如，该叠层包括一层被放置在高K材料和导电体之间的氧化硅层。
为了获得可靠的电子设备，叠层中的每个电介质层必须具有特定范围内的厚度。在电子设备的制造过程中这些层中的每一层厚度必须被准确监控。优选的是，在执行根据本发明的方法时确定厚度d2和厚度d3(如果存在)。
在电子设备的制造过程中，执行根据本发明的确定电介质层厚度的方法具有这样的优势，即，电介质层、另一个电介质层和附加电介质层(如果存在)可以在一个工具中相继形成，而不需要为测量目的在形成后续电介质层之前、淀积一层电介质层之后去除导电体。
根据本发明，电介质层的厚度可以在分离的导电体例如测试晶片上确定，其与一个或多个包括预制造的电子设备的其他导电体一样在相同的腔体相同的时间内被处理。备选地，电介质层厚度可以在包括预制备的电子设备的相同导电体上确定。后一个实施例在导电体被一个一个处理的工艺中是优选的，即所谓的单晶片工艺。
根据本发明方法的确定电介质层厚度的装置包括淀积电荷的电荷源、确定与电势差有关的电参数的测量设备、以及信号处理器装置，以从该电参数和测量数据中确定电介质层厚度。优选地，如果可行，信号处理器用来确定厚度d1、厚度d2和厚度d3。
参照附图，确定电介质层厚度的方法和装置以及制造根据本发明电子设备的方法的这些和其他方面将得以进一步的解释和描述，附图中，
图1是确定电介质层厚度的装置的截面示意图，和
图2A-2D是导电体在制造电子设备的方法的一个实施例中不同步骤中的截面示意图。
附图没有按比例示出。一般而言，相同的元件由相同的参考数字指示。
确定电介质层厚度的方法包括以下步骤：提供如图1所示的导电体11，例如其可以是硅晶片、绝缘晶片上的硅或砷化镓晶片。导电体11被固定并且电连接到导电的真空夹盘18，该导电的真空夹盘18与接地电势电连接。导电体11具有电介质层13，该电介质层可以包括任何类型的电绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氧化钽、氧化铝、硅酸铪、氧化锆、氧化镧、氧化镨(Pr2O3)，钛酸锶钡或氧化铪。电介质层13被至少另一个电介质层3从导电体11分离，另一个电介质层3可以包括任何类型的电绝缘材料，例如上述涉及电介质层13的材料。电介质层13具有被暴露的表面15。
在根据本发明方法的一个步骤中，电荷dQC被淀积到暴露的表面15，从而在暴露的表面15和导电体11之间产生电势差dV。该电势差dV是电介质层13的厚度d1和另一个电介质层3的厚度d2的函数。
图1中所示的确定电介质层厚度的装置10与WO 02/059631的图1中所示的相似。它包括电荷源16，用于淀积电荷dQC。例如，电荷源16可以是电晕放电源，其包括电晕充电导线14a(其接收正或负极性中的高电压电势)和电晕约束电极环14b(例如，保持接地电势或偏置的金属环)。优选地，电荷源16能够均匀地淀积电荷dQC到电介质层13的表面15，优选地，在半径为大约6到大约10mm的范围内。电晕放电源能够产生适于淀积电荷dQC的受控离子放电通量(离子)电流。该通量可以调整，例如，其范围大约从10-6到大约5×10-6Acm-2。
优选地，淀积的电荷dQc的数量相对较小，例如，被上述特定通量确定，该通量在小于例如30秒的时间内淀积。采用这样的方式在电介质层13和另一个电介质层3中产生的电荷陷阱的数量由于漏电流而减小，这提高了该方法的精确度。淀积的电荷dQC的数量可以通过调整高电压电势、晶片上电晕电极的高度、和/或电晕放电导线14a和离子通量限制电极14b之间的偏压来控制。电荷源16能够淀积正电荷或负电荷到表面15。优选地，电荷源16对表面15使用正电晕放电进行充电，因为负电晕放电更难控制充电均匀性。
在后续的步骤中，确定与电势差dV(因为电荷dQC的淀积而产生)有关的电参数。为达此目的，装置10进一步包括测量设备22，以确定与该电势差dV有关的电参数。例如，电势测量设备22可以是开尔文探针或门罗类型探针。它能相对于参考电极30通过测量电介质层13的接触电势来确定电势差dV。例如，这类传感器在WO 02/059631的第9页，第28-31行中描述。典型地，电极30从电介质薄膜13的顶面通过几分之一毫米的气隙分离。电荷源16和测量设备22在固定架上以固定的距离x0(例如它们中心距离2cm)相互分离。在表面15上淀积电荷dQC之后，螺线管20用来将电荷源16和测量设备22平移一个距离x0，使得测量设备22位于预先提供有电荷dQC的表面15之上。
当导电体11是半导体时，由振动开尔文或门罗电极测量的接触电势V的变化并不由电势差dV(由电荷dQC的淀积产生)单独确定，而是等于电介质层上的电压降变化dV加上半导体表面势垒的变化VSB，即，V＝dV+VSB。优选地，装置10进一步包括光源23、25，其优选地为绿光或蓝光发光二极管，以便在充电(光源23)和测量(光源25)过程中照射测试点15，进而在导电体11是半导体情况下通过压扁表面耗尽区而减小VSB的值。
装置10还包括信号处理设备12，其是一个接收与电势差有关的信号的计算机。信号处理设备12还用来控制电荷源16和螺线管20的高电压。
在确定与电势差dV有关的电参数之后，电介质层13通过刻蚀步骤被去除以暴露另一个电介质层3的另一个表面。一个实施例中电介质层13由氮化硅组成，另一个电介质层3由二氧化硅组成，刻蚀步骤包括湿法刻蚀，其中磷酸，H3PO4，用作刻蚀剂。这种刻蚀工艺对于氮化硅是有选择性的，即，氮化硅比二氧化硅更有效地去除。通过加热刻蚀剂选择比获得改善，通常大于25∶1。因此，另一个电介质层的暴露部分的厚度在至少部分去除电介质层的步骤中基本保持恒定。
这样获得的导电体11仅具有另一个电介质层3。根据本发明方法的后续步骤中，执行测量，以获得测量数据，该测量数据是至少另一个电介质层3的厚度的另一个函数。执行该测量包括以下子步骤：淀积另外的电荷dQCF到另一个电介质层3的另一个暴露的表面，以类似的方法使用装置10，从而在另一个暴露的表面和导电体11之间产生另一个电势差dVF，接着，确定与另一个电势差dVF有关的另一个电参数。
另外的电荷dQCF由电荷源16淀积，另一个电势差dVF通过测量设备22以上述类似方法确定。信号处理设备12进一步用来接收与测量数据有关的另一个信号，以从该信号和另一个信号中确定电介质层厚度。
该实施例中，电参数包括电势差dV，测量数据包括另一个电势差dVF，从电参数和测量数据中推算电介质层厚度，所述电介质层厚度选自电介质层13的厚度d1和至少另一个电介质层3的厚度d2。电介质层13具有介电常数ε1，另一个电介质层3具有另一个介电常数ε2，电介质层13的厚度d1从另一个电介质层3的厚度d2、介电常数ε1、另一个介电常数ε2、电荷dQC和电势差dV中确定。为达此目的，另一个电介质层3的厚度d2根据公式ε0A/CF＝d2/ε2从另一个电势差dVF和另外的电荷dQCF中确定，其中，ε0指自由空间电容率，A/CF是从作为dQCF函数的dVF中获得的等效电容密度的倒数。继而，电介质层13的厚度d1根据公式ε0A/C＝(d1/ε1+d2/ε2)确定，其中，A/C是从作为dQC函数的dV中获得的等效电容密度的倒数。信号处理设备12用来计算这两个公式以提供厚度d1和d2。
在该方法的备选实施例中，执行包括确定电介质层13的暴露表面15的光谱反射的测量。备选地，光谱反射可以由另一个电介质层3的另一个暴露的表面确定。在这些情况下，厚度d2以类似于US-4,999,509的方式从测量的光谱反射中确定。
另一个实施例中，导电体11和另一个电介质层3被附加电介质层33分离，如图2A中所示。该方法包括以下步骤：淀积电荷dQC到电介质层13的暴露的表面，确定与电势差dV有关的电参数，部分去除电介质层13以暴露另一个电介质层3(产生图2B所示的结构)，淀积另外的电荷dQCF到另一个电介质层3的暴露表面，类似于上面描述方法的实施例，确定与另一个电势差dVF有关的另一个电参数。该方法进一步包括以下步骤：部分去除另一个电介质层3以暴露附加电介质层33(产生图2C所示的结构)，淀积附加电荷dQCA到附加电介质层33的暴露表面，确定与附加电势差dVA有关的附加电参数。测量数据包括另一个电势差dVF和附加电势差dVA。测量数据是附加电介质层33的厚度d3的另一个函数。电介质层厚度选自厚度d1、厚度d2和厚度d3，并通过下面的公式从电参数和测量数据中推算出电介质层厚度：ε0A/CA＝d3/ε3，ε0A/CF＝(d2/ε2+d3/ε3)和ε0A/C＝(d1/ε1+d2/ε2+d3/ε3)，其中ε3是附加层33的介电常数。这里，A/C是从dV和dQC推算的等效电容密度的倒数，A/CF是从dVF和dQCF推算的等效电容密度的倒数，A/CA是从dVA和dQCA推算的等效电容密度的倒数。
该方法的一个备选实施例中，执行测量包括确定电介质层13的暴露表面15的光谱反射。备选地，光谱反射可以由另一个电介质层3的另一个暴露表面15’和/或附加电介质层33的附加暴露表面15”确定，分别如图2B和2C所示。在这些情况下，以类似于US-4,999,509的方法从测量的光谱反射中确定厚度d2和/或厚度d3。
制造根据本发明的电子设备100的方法包括以下步骤：提供具有另一个电介质层3的导电体11，提供具有电介质层13的另一个电介质层3，以及执行根据本发明的确定电介质层厚度的方法。在图2A-2D所示的实施例中，导电体11是单晶硅晶片，其在提供另一个电介质层3之前提供有附加层33。在已经提供电介质层13之后，暴露的表面提供有一层多晶硅，所述多晶硅后来被图形化以形成图2A中所示的栅层2。接着，执行上述用于确定电介质层厚度的方法以监视以下步骤：提供具有另一个电介质层3的导电体11和/或提供具有电介质层13的另一个电介质层3的步骤。为达此目的，电荷dQC被淀积到图2A中所示的层13的表面15，确定所产生的电势差dV。然后，部分电介质层13被去除以暴露另一个电介质层3的表面15’，如图2B所示，并且另外的电荷dQCF被淀积到表面15’，确定所产生的另一个电势差dVF。下面的步骤中，去除部分另一个电介质层3以暴露附加电介质层33的表面15”，如图2C所示，另外的电荷dQCA被淀积到表面15”，并且确定所产生的另一个电势差dVA。最后，附加电介质层33被部分去除以暴露导电体11，与形成的叠层相邻通过注入离子形成源区50和漏区51。
以这种方式获得的、并在图2D中示出的电子设备100是晶体管。它包括具有电介质层13的导电体11，电介质层13被至少另一个电介质层3从导电体11分离。
概括而言，根据本发明的用于确定电介质层厚度的方法包括以下步骤：提供具有电介质层13的导电体11，该电介质层13被至少另一个电介质层3从导电体11分离，电介质层13的一个表面15被暴露。在暴露的表面15上淀积电荷，从而在暴露的表面15和导电体11之间产生电势差。确定与该电势差有关的电参数，并且执行测量以获得与电介质层13的厚度和/或另一个电介质层3的厚度有关的附加测量数据。采用这样的方式，确定了电介质层13和/或另一个电介质层3的厚度。制造电子设备100的方法包括这种确定电介质层厚度的方法。确定电介质层厚度的装置10被布置成执行该方法。
应当指出上述实施例是用于说明而不是限制本发明，本领域技术人员能够设计很多备选实施例而不偏离附加权利要求书的范围。权利要求书中，圆括号中的任何参考符号不应理解为是对权利要求的限制。“包括”一词不排除有权利要求中所列元件或步骤之外的元件或步骤的存在。元件前的“一个”一词不排除有多个这样的元件的存在。

Claims (10)

1.一种确定电介质层厚度的方法，该方法包括以下步骤：
提供具有电介质层(13)的导电体(11)，该电介质层(13)被至少另一个电介质层(3)从导电体(11)分离，电介质层(13)的一个表面(15)被暴露，
淀积电荷到暴露的表面(15)，进而在暴露的表面(15)和导电体(11)之间产生电势差，该电势差是电介质层(13)厚度和至少另一个电介质层(3)厚度的函数，
确定与该电势差有关的电参数，和
执行测量，以获得测量数据，该测量数据是至少另一个电介质层(3)厚度的函数，该电介质层厚度选自电介质层(13)厚度和至少另一个电介质层(3)厚度，以及
从该电参数和测量数据推算电介质层厚度。
2.如权利要求1所述的方法，其中电介质层(13)具有一个介电常数，另一个电介质层(3)具有另一个介电常数，该电介质层厚度由该介电常数、另一个介电常数、电荷、电参数和电介质层(13)厚度或至少另一个电介质层(3)厚度确定。
3.如权利要求1所述的方法，其中在确定电参数步骤之后以及在执行测量步骤之前，该方法进一步包括至少部分去除电介质层(13)以暴露至少另一个电介质层(3)的另一个表面(15’)的步骤。
4.如权利要求3所述的方法，其中至少另一个电介质层(3)的暴露部分的厚度在至少部分去除电介质层(13)的步骤中保持基本恒定。
5.如权利要求3所述的方法，其中至少部分去除电介质层(13)的步骤包括刻蚀步骤。
6.如权利要求3所述的方法，其中执行测量的步骤包括以下子步骤：
淀积另外的电荷到暴露的另一个表面(15’)，进而在另一个暴露表面(15’)和导电体(11)之间产生另一个电势差，和
确定与另一个电势差有关的另一个电参数，测量数据包括另一个电参数。
7.如权利要求1所述的方法，其中导电体(11)和另一个电介质层(3)被附加电介质层(33)分离，测量数据是附加电介质层(33)厚度的另一个函数，该电介质层厚度选自电介质层(13)的厚度、另一个电介质层(3)的厚度和附加电介质层(33)的厚度，从电势差和测量数据中推算出该电介质层厚度。
8.如权利要求3所述的方法，其中执行测量的步骤包括确定暴露表面(15)和/或另一个暴露表面(15’)的光谱反射的步骤。
9.一种制造电子设备(100)的方法，该电子设备(100)包括具有电介质层(13)的导电体(11)，该电介质层(13)被至少另一个电介质层(3)从导电体(11)分离，
该方法包括以下步骤：
提供具有至少另一个电介质层(3)的导电体(11)，
提供具有电介质层(13)的至少另一个电介质层(3)，和
执行如权利要求1所述的确定电介质层厚度的方法，监测提供具有至少另一个电介质层(3)的导电体的步骤和/或提供具有电介质层(13)的至少另一个电介质层(3)的步骤。
10.一种根据权利要求1所述的方法确定电介质层厚度的装置，该装置包括：
电荷源(16)，用于淀积电荷，
测量设备(22)，用于确定与电势差有关的电参数，和
信号处理装置(12)，用于从电参数和测量数据确定电介质层厚度。
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