CN1767123A - 排列碳纳米管的方法和利用其制备场致发射器件的方法 - Google Patents

排列碳纳米管的方法和利用其制备场致发射器件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1767123A
CN1767123A CNA2005101096106A CN200510109610A CN1767123A CN 1767123 A CN1767123 A CN 1767123A CN A2005101096106 A CNA2005101096106 A CN A2005101096106A CN 200510109610 A CN200510109610 A CN 200510109610A CN 1767123 A CN1767123 A CN 1767123A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mould
aqueous solution
pattern
dimples
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005101096106A
Other languages
English (en)
Inventor
郑得锡
吴泰植
裵民钟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of CN1767123A publication Critical patent/CN1767123A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82BNANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312Organic layers, e.g. photoresist
    • H01L21/3121Layers comprising organo-silicon compounds
    • H01L21/3122Layers comprising organo-silicon compounds layers comprising polysiloxane compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/0234Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02359Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment to change the surface groups of the insulating layer
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/304Field emission cathodes
    • H01J2201/30446Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453Carbon types
    • H01J2201/30469Carbon nanotubes (CNTs)
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/734Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742Carbon nanotubes, CNTs
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/734Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742Carbon nanotubes, CNTs
    • Y10S977/745Carbon nanotubes, CNTs having a modified surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明提供一种排列碳纳米管(CNT)的方法和一种利用其制备场致发射器件(FED)的方法。排列CNT的方法包括:制备具有凹纹图案的模;将包含两亲性有机材料和CNT的水溶液涂布在衬底的表面上;将所述模附着于该衬底表面上,由于毛细力引起水溶液在所述凹纹图案中流动;及从衬底表面除去模,从而在衬底表面上垂直排列CNT。

Description

排列碳纳米管的方法和利用其制备场致发射器件的方法
                          技术领域
本发明涉及一种排列(aligning)碳纳米管(CNT)的方法及一种利用其制备场致发射器件(FED)的方法。
                          背景技术
在FED中,电子从形成在阴极上的发射体中发射出来。近年来,由CNT构成的发射体已经广泛地用在FED中。CNT具有良好的电子发射性质及化学和机械耐久性,并且不断开展对它们的物理性质和可应用性的研究。
通常,利用其中碳纳米管直接生长在衬底上的化学气相沉积(CVD)方法,或者其中使用包含CNT和树脂的糊剂的方法形成碳纳米管发射体。然而,CVD方法需要高温过程,因而,不能应用于玻璃衬底,并且后者的方法不能提供CNT的良好排列。
当形成CNT发射体时,将CNT垂直排列在阴极上是重要的,因为放电电流依据CNT的排列状态变化。
                          发明内容
本发明提供一种利用Langmuir-Blodgett法和在聚二甲基硅氧烷(PDMS)模(mo1d)中产生的毛细力,在衬底上垂直排列碳纳米管(CNT)的方法,其中该Langmuir-Blodgett法是一种将有机材料形成为薄膜的方法,该毛细力用在微接触(micro-contact)印刷中。
本发明还提供一种利用上述排列方法制备场致发射器件(FED)的方法。
根据本发明的一个方面,提供一种排列CNT的方法,包括:制备具有凹纹图案(intaglio pattern)的模;将包含两亲性有机材料和CNT的水溶液涂布在衬底的表面上;将所述模附着于该衬底表面上,由于毛细力引起水溶液在所述凹纹图案中流动;及从衬底表面除去模,从而在衬底表面上垂直排列CNT。
该方法还可以包括,在将水溶液涂布在衬底表面上后,排列构成有机材料并连接CNT的有机分子。
该模可以是PDMS模。
模的制备可以包括:利用光刻法形成具有与凹纹图案相匹配的纳米级浮凸图案的母版(master);将PDMS涂布在该母版上并固化涂布的PDMS;及从母版分离固化的PDMS,从而形成模。该方法还可以包括表面处理模,以便该模具有疏水表面。可以利用CF4等离子体表面处理模。
衬底可以具有亲水表面。衬底可以是玻璃衬底。在该情况下,可以将导电的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)涂布在衬底表面上。
水溶液可以包括亲水溶剂。CNT可以是两亲性CNT。
水溶液中CNT的侧面可以连接构成有机材料的有机分子的亲水基。该水溶液还可以包括可以热固化的有机材料。
在引起的水溶液在凹纹图案中的流动中,有机分子的疏水基可以连接凹纹图案的内壁。
在垂直排列CNT中,每个CNT的一端可以垂直连接衬底表面。
根据本发明的另一个方面,提供一种排列CNT的方法,包括:制备具有凹纹图案的模;制备包含两亲性有机材料和CNT的水溶液;将所述模浸入该水溶液中,由于毛细力引起水溶液在所述凹纹图案中流动;将模附着于该衬底表面上;及从衬底表面除去模,从而在衬底表面上垂直排列CNT。
该方法可以包括在制得水溶液后,排列构成有机材料并连接CNT的有机分子。当将模浸入水溶液中时,模可以垂直布置在水溶液的表面上。
根据本发明的再一个方面,提供一种制备场致发射器件(FED)的方法,包括:制备具有凹纹图案的模;将包含两亲性有机材料和两亲性CNT的水溶液涂布在形成于衬底上的阴极表面上;将模附着于阴极表面,由于毛细力引起水溶液在所述凹纹图案中流动;及从阴极表面除去模,从而在阴极表面垂直排列CNT。
根据本发明的再一个方面,提供一种制备FED的方法,包括:制备具有凹纹图案的模;制备包含两亲性有机材料和两亲性CNT的水溶液;将所述模浸入该水溶液中,由于毛细力引起水溶液在所述凹纹图案中流动;将模附着于形成在衬底表面上的阴极表面上;及从阴极表面除去模,从而在阴极表面垂直排列CNT。
                          附图说明
通过参考附图详述其示例性实施方案,本发明的上述和其它特点和优点将变得更加显而易见,附图中:
图1至4为图示根据本发明实施方案的一种排列碳纳米管(CNT)的方法的剖视图;
图5为根据本发明实施方案利用制备FED的方法制得的一种场致发射器件(FED)的剖视图;及
图6至9为根据本发明另一实施方案的一种排列CNT的方法的剖视图。
                        具体实施方式
在下文中,将参考下面示例性的实施例更详细地描述本发明。在全部附图中,相同的标号是指相同的元件,为了清楚,放大了元件的尺寸和厚度。
本发明提供一种利用Langmuir-Blodgett法和在聚二甲基硅氧烷(PDMS)模中产生的毛细力,在衬底上垂直排列碳纳米管(CNT)的方法,其中该Langmuir-Blodgett法是一种将有机材料形成为薄膜的方法,该毛细力用在微接触印刷中。
图1至4为图示根据本发明实施方案的一种排列CNT的方法的剖视图。图3为图2所示的部分A的放大图。
参考图1,制得具有纳米级凹纹图案101的PDMS模100。PDMS模100具有疏水表面。PDMS模100为常用于微接触印刷的模。为了制备PDMS模100,将光致抗蚀剂以预定的厚度涂布在衬底如硅片上,并利用光刻法形成图案,从而得到具有纳米级浮凸图案的母版。然后,将软PDMS涂布到该母版上并固化。随后,从母版分离固化的PDMS,留下具有凹纹图案101的PDMS模100,该凹纹图案匹配所述浮凸图案。当利用CF4等离子体等表面处理PDMS模100时,PDMS模100具有疏水表面。
接着,将在亲水溶剂中包含两亲性有机材料和CNT 140的水溶液120涂布到衬底110的表面上。所述两亲性有机材料由具有亲水基130a和疏水基130b的有机分子130组成。包含在水溶液120中的CNT 140可以是具有亲水侧面和疏水末端的两亲性CNT。从而,有机分子130位于水溶液120的表面上,并且水溶液120中的CNT 140的侧面连接有机分子130的亲水基130a。水溶液120还可以包括可热固化的有机材料,以便CNT 140可以容易地连接有机分子130。
衬底110可以是玻璃衬底,并经过表面处理以具有亲水表面。同时,可以将导电的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等涂布在衬底110的表面上,以便衬底110可用于一般的器件中。
接着,排列CNT 140和位于水溶液120的表面上的有机分子130。利用Langmuir-Blodgett法进行有机分子130和CNT 140的排列。即,以与水溶液120的表面平行的方向将压力P施加到有机分子130上,从而将具有连接到其上的CNT 140的有机分子130垂直排列在水溶液120的表面上。
参考图2和3,通过施压使PDMS模100紧密地附着于衬底110的表面上,从而由于毛细力引起水溶液120在凹纹图案101中流动。因为PDMS模100具有疏水表面,所以有机分子130的疏水基130b连接凹纹图案101的内壁。在该过程中,其侧面连接有机分子130的亲水基130a的每个CNT 140的一端连接衬底110的表面。
然后,从衬底110的表面除去PDMS模100,从而在衬底110的表面上垂直排列CNT 140,如图4所示。
如上所述,可以利用Langmuir-Blodgett法和在PDMS模100中产生的毛细力,将CNT 140垂直排列在衬底110上,其中该Langmuir-Blodgett法是一种将有机材料形成为薄膜的方法,该毛细力用在微接触印刷中。
可以利用上述方法制得图5所示的FED 150。即,通过利用在其上形成阴极170的衬底160进行上述方法,可以制得包括垂直排列在阴极170的表面上的CNT发射体180的FED 150。将省略FED 150的制备方法的说明,因为它与上述方法相同。
图6至9图示了根据本发明另一实施方案的一种排列CNT的方法。图7为图6所示的部分B的放大图。
参考图6和7,制得具有纳米级凹纹图案201的PDMS模200。PDMS模200具有疏水表面。将省略PDMS模200的制备方法的详细说明,因为它与制备PDMS模100的方法相同。
接着,在容器250中制备在亲水溶剂中包含两亲性有机材料和CNT 240的水溶液220。该两亲性有机材料由具有亲水基230a和疏水基230b的有机分子230组成。包含在水溶液220中的CNT 240可以是具有亲水侧面和疏水末端的两亲性CNT。从而,有机分子230位于水溶液220的表面,且水溶液220中的CNT 240的侧面连接有机分子230的亲水基230a。水溶液220还可以包括可热固化的有机材料,以便CNT 240可以容易地连接有机分子230。
接着,排列CNT 240和位于水溶液220的表面上的有机分子230。利用Langmuir-Blodgett法进行有机分子230和CNT 240的排列。即,沿与水溶液220的表面平行的方向将压力P施加到有机分子230上,从而将具有连接在其上的CNT 240的有机分子230垂直排列在水溶液220的表面上。
随后,将PDMS模200浸入水溶液220中,以便PDMS模200垂直延伸到水溶液220的表面,从而由于毛细力引起水溶液220流入PDMS模200的凹纹图案201中,如图6所示。因为PDMS模200具有疏水表面,有机分子230的疏水基230b连接凹纹图案201的内壁。
参考图8,当将PDMS模200附着于衬底210的表面时,其侧面连接有机分子230的亲水基230a的每个CNT 240的一端连接衬底210的表面。衬底210可以是玻璃衬底,并且经过表面处理以具有亲水表面。可以将导电PMMA等涂布到衬底210的表面上,以便衬底210可以用在一般器件中。
然后,从衬底210的表面除去PDMS模200,以在衬底210的表面上垂直排列CNT 240,如图9所示。
可以使用上述方法制备图5所示的FED 150。即,通过利用在其上形成阴极170的衬底160进行上述方法,可以制得包括垂直排列在阴极170的表面上的CNT发射体180的FED150。将省略FED 150的制备方法的说明,因为它与上述方法相同。
如上所述,根据本发明,利用Langmuir-Blodgett法和在PDMS模中产生的毛细力,可以将CNT垂直排列在衬底上,其中该Langmuir-Blodgett法是一种将有机材料形成为薄膜的方法,该毛细力用在微接触印刷中。从而,可以制得具有优良的场致发射性质的FED。
尽管已经参考其示例性实施方案具体地说明和描述了本发明,本领域的普通技术人员将会理解其中可以进行各种形式和细节上的变化,而不脱离由所附的权利要求书阐明的本发明的构思和范围。

Claims (44)

1.一种排列碳纳米管的方法,包括:
制备具有凹纹图案的模;
将包含两亲性有机材料和碳纳米管的水溶液涂布在衬底的表面上;
将所述模附着于该衬底表面上,由于毛细力引起水溶液在所述凹纹图案中流动;及
从衬底表面除去模,从而在衬底表面上垂直排列碳纳米管。
2.根据权利要求1的方法,还包括在将所述水溶液涂布在衬底表面上后,排列构成有机材料并连接碳纳米管的有机分子。
3.根据权利要求1的方法,其中所述模为聚二甲基硅氧烷模。
4.根据权利要求3的方法,其中所述模的制备包括:
利用光刻法,形成具有与凹纹图案相匹配的纳米级浮凸图案的母版;
将聚二甲基硅氧烷涂布在该母版上,并固化涂布的聚二甲基硅氧烷;及
从母版分离固化的聚二甲基硅氧烷,从而形成模。
5.根据权利要求4的方法,还包括表面处理所述模,以便该模具有疏水表面。
6.根据权利要求5的方法,其中所述模利用CF4等离子体进行表面处理。
7.根据权利要求1的方法,其中所述衬底具有亲水表面。
8.根据权利要求7的方法,其中所述衬底为玻璃衬底。
9.根据权利要求8的方法,其中在所述衬底表面上涂布导电的聚甲基丙烯酸甲酯。
10.根据权利要求1的方法,其中所述水溶液包括亲水溶剂。
11.根据权利要求10的方法,其中所述碳纳米管为两亲性碳纳米管。
12.根据权利要求11的方法,其中在所述水溶液中的碳纳米管的侧面连接于构成有机材料的有机分子的亲水基。
13.根据权利要求12的方法,其中所述水溶液还包括可热固化的有机材料。
14.根据权利要求12的方法,其中,在所述引起的水溶液在凹纹图案中的流动中,有机分子的疏水基连接于凹纹图案的内壁。
15.根据权利要求14的方法,其中,在所述垂直排列碳纳米管中,每个碳纳米管的一端垂直连接于该衬底表面上。
16.一种排列碳纳米管的方法,包括:
制备具有凹纹图案的模;
制备包含两亲性有机材料和碳纳米管的水溶液;
将所述模浸入该水溶液中,由于毛细力引起水溶液在所述凹纹图案中流动;
将模附着于该衬底表面上;及
从衬底表面除去模,从而在衬底表面上垂直排列碳纳米管。
17.根据权利要求16的方法,还包括在制备所述水溶液后,排列构成有机材料并连接碳纳米管的有机分子。
18.根据权利要求16的方法,其中,当将所述模浸入水溶液中时,模垂直布置在水溶液的表面上。
19.根据权利要求16的方法,其中所述模为聚二甲基硅氧烷模。
20.根据权利要求19的方法,其中所述模的制备包括:
利用光刻法,形成具有与凹纹图案相匹配的纳米级浮凸图案的母版;
将聚二甲基硅氧烷涂布在该母版上,并固化涂布的聚二甲基硅氧烷;及
从母版分离固化的聚二甲基硅氧烷,从而形成模。
21.根据权利要求20的方法,还包括表面处理所述模,以便该模具有疏水表面。
22.根据权利要求21的方法,其中所述模利用CF4等离子体进行表面处理。
23.根据权利要求16的方法,其中所述衬底具有亲水表面。
24.根据权利要求23的方法,其中所述碳纳米管为两亲性碳纳米管。
25.根据权利要求24的方法,其中在所述水溶液中的碳纳米管的侧面连接于构成有机材料的有机分子的亲水基。
26.根据权利要求25的方法,其中所述水溶液还包括可热固化的有机材料。
27.根据权利要求25的方法,其中,在所述引起的水溶液在凹纹图案中的流动中,有机分子的疏水基连接于凹纹图案的内壁。
28.根据权利要求16的方法,其中所述衬底具有亲水表面。
29.根据权利要求28的方法,其中所述衬底为玻璃衬底。
30.根据权利要求29的方法,其中在所述衬底表面上涂布导电的聚甲基丙烯酸甲酯。
31.根据权利要求27的方法,其中在所述垂直排列碳纳米管中,每个碳纳米管的一端垂直连接于该衬底表面上。
32.一种制备场致发射器件的方法,包括:
制备具有凹纹图案的模;
将包含两亲性有机材料和两亲性碳纳米管的水溶液涂布在形成于衬底上的阴极表面上;
将模附着于阴极表面,由于毛细力引起水溶液在所述凹纹图案中流动;及
从阴极表面除去模,从而在阴极表面上垂直排列碳纳米管。
33.根据权利要求32的方法,还包括在将所述水溶液涂布在阴极表面上后,排列构成有机材料并连接于碳纳米管的有机分子。
34.根据权利要求32的方法,其中所述模为具有疏水表面的聚二甲基硅氧烷模。
35.根据权利要求32的方法,其中在所述水溶液中的碳纳米管的侧面连接于构成有机材料的有机分子的亲水基。
36.根据权利要求35的方法,其中,在所述引起的水溶液在凹纹图案中的流动中,有机分子的疏水基连接于凹纹图案的内壁。
37.根据权利要求36的方法,其中,在垂直排列碳纳米管中,每个碳纳米管的一端垂直连接于阴极表面。
38.一种制备场致发射器件的方法,包括:
制备具有凹纹图案的模;
制备包含两亲性有机材料和两亲性碳纳米管的水溶液;
将所述模浸入该水溶液中,由于毛细力引起水溶液在凹纹图案中流动;
将模附着于形成在衬底表面上的阴极表面上;及
从阴极表面除去模,从而在阴极表面上垂直排列碳纳米管。
39.根据权利要求38的方法,还包括在制备所述水溶液后,排列构成有机材料并连接碳纳米管的有机分子。
40.根据权利要求38的方法,其中,当将所述模浸入水溶液中时,模垂直布置在水溶液的表面上。
41.根据权利要求38的方法,其中所述模为具有疏水表面的聚二甲基硅氧烷模。
42.根据权利要求38的方法,其中在所述水溶液中的碳纳米管的侧面连接于构成有机材料的有机分子的亲水基。
43.根据权利要求42的方法,其中,在所述引起的水溶液在所述凹纹图案中的流动中,有机分子的疏水基连接于凹纹图案的内壁。
44.根据权利要求43的方法,其中,在垂直排列碳纳米管中,每个碳纳米管的一端垂直连接于衬底表面。
CNA2005101096106A 2004-09-14 2005-09-14 排列碳纳米管的方法和利用其制备场致发射器件的方法 Pending CN1767123A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040073364A KR20060024564A (ko) 2004-09-14 2004-09-14 카본나노튜브의 정렬방법 및 이를 이용한 전계방출소자의제조방법
KR73364/04 2004-09-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1767123A true CN1767123A (zh) 2006-05-03

Family

ID=36164413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005101096106A Pending CN1767123A (zh) 2004-09-14 2005-09-14 排列碳纳米管的方法和利用其制备场致发射器件的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7348274B2 (zh)
JP (1) JP4812380B2 (zh)
KR (1) KR20060024564A (zh)
CN (1) CN1767123A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102607545A (zh) * 2012-04-12 2012-07-25 厦门大学 基于碳纳米管阵列场发射的微机械陀螺仪
CN110683508A (zh) * 2019-10-18 2020-01-14 北京元芯碳基集成电路研究院 一种碳纳米管平行阵列的制备方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8101519B2 (en) * 2008-08-14 2012-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Mold, manufacturing method of mold, method for forming patterns using mold, and display substrate and display device manufactured by using method for forming patterns
KR101583517B1 (ko) * 2008-11-26 2016-01-20 삼성전자주식회사 1차원 나노 구조물 배열 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US8062568B2 (en) * 2009-08-27 2011-11-22 Korea University Research And Business Foundation Nano pattern writer
KR101161060B1 (ko) * 2009-11-30 2012-06-29 서강대학교산학협력단 나노입자를 기둥형태로 조직화시키기 위한 배열장치 및 그 배열방법
US20120315459A1 (en) * 2010-02-15 2012-12-13 Bunshi Fugetsu Carbon nanotube sheet and process for production thereof
DE102016013279A1 (de) * 2016-11-08 2018-05-09 H&P Advanced Technology GmbH Verfahren zur Herstellung eines Elektronenemitters mit einer Kohlenstoffnanoröhren enthaltenden Beschichtung
KR101898215B1 (ko) * 2016-12-30 2018-09-13 한국화학연구원 세포 관찰이 가능한 탄소나노튜브-그래핀 하이브리드 투명 전극, 이의 제조방법 및 용도
KR102378177B1 (ko) * 2020-04-06 2022-03-25 한국과학기술원 수직 방향으로 정렬된 나노패턴을 갖는 2차원 재료의 제조방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6630772B1 (en) * 1998-09-21 2003-10-07 Agere Systems Inc. Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
JP4697829B2 (ja) * 2001-03-15 2011-06-08 ポリマテック株式会社 カーボンナノチューブ複合成形体及びその製造方法
US7147894B2 (en) * 2002-03-25 2006-12-12 The University Of North Carolina At Chapel Hill Method for assembling nano objects
CN1296994C (zh) * 2002-11-14 2007-01-24 清华大学 一种热界面材料及其制造方法
WO2004055852A2 (en) * 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Field emission device, and method of manufacturing such a device
US7641863B2 (en) * 2003-03-06 2010-01-05 Ut-Battelle Llc Nanoengineered membranes for controlled transport

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102607545A (zh) * 2012-04-12 2012-07-25 厦门大学 基于碳纳米管阵列场发射的微机械陀螺仪
CN110683508A (zh) * 2019-10-18 2020-01-14 北京元芯碳基集成电路研究院 一种碳纳米管平行阵列的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060024564A (ko) 2006-03-17
JP2006086125A (ja) 2006-03-30
JP4812380B2 (ja) 2011-11-09
US20070238272A1 (en) 2007-10-11
US7348274B2 (en) 2008-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1767123A (zh) 排列碳纳米管的方法和利用其制备场致发射器件的方法
US6969690B2 (en) Methods and apparatus for patterned deposition of nanostructure-containing materials by self-assembly and related articles
US8216636B2 (en) Method of aligning nanotubes
JP3538335B2 (ja) 微細構造体製作用の方法及び同製作用のモールド
Chen et al. Controlled growth and modification of vertically-aligned carbon nanotubes for multifunctional applications
US7147894B2 (en) Method for assembling nano objects
JP4555529B2 (ja) パターン化されたカーボンナノチューブ
KR20020073329A (ko) 액체 엠보싱에 의해 정밀하게 형성되는 장치의 제조
CN1350659A (zh) 聚合物薄膜图案成形方法及其应用
JP2007022064A (ja) 疏水性表面を有する高分子基材製造用鋳型の製造方法
KR20100016766A (ko) 정렬된 나노구조물을 구비한 회로 기판 및 그 제조 방법
KR20050114032A (ko) 고분자 재료를 이용한 플렉서블 이미터 및 그 제조 방법
KR101175556B1 (ko) 패턴화된 금속필름의 제조방법
Xiong et al. Directed assembly of high density single-walled carbon nanotube patterns on flexible polymer substrates
KR100590632B1 (ko) 유전영동을 이용한 나노물질의 패터닝방법
US11156914B2 (en) Damascene template for nanoelement printing fabricated without chemomechanical planarization
KR20080105388A (ko) 용액 중 전이를 통한 미세입자 막 형성방법
KR20050028350A (ko) 나노패턴 구조물 및 그 제조 방법
KR101081717B1 (ko) 나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법, 이를 이용한 나노선 형성 방법 및 그 방법으로 형성된 나노선을 이용한 나노선 소자
KR20180057898A (ko) 구조 일체형 플렉서블 투명전극 및 이의 제조방법
TWI317346B (en) Method for making nano-scaled mould having micro-holes
Cho Development of high-rate nano-scale offset printing technology for electric and bio applications
Bowen et al. A1. Introduction
CN113937243A (zh) 基于基板表面亲疏水性处理的高ppi量子点阵列制备方法
TW200815121A (en) Nano-scaled mould having micro-holes

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication