CN1763770A - 记忆卡结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种记忆卡结构及其制造方法，该记忆卡结构包括基板、多个记忆体芯片、封胶材料以及超薄塑胶卡体。此记忆卡在制作时，先提供一基板，基板具有第一表面及对应的第二表面。第一表面具有多个对外接点，而第二表面具有至少一凹穴，凹穴周缘配置有多个内部接点，且对外接点与内部接点是电性连接。之后，将多个记忆体芯片堆叠在凹穴中，并分别电性连接记忆体芯片与内部接点，且以封胶材料包覆记忆体芯片及对应的内部接点。然后，提供一超薄塑胶卡体，覆盖在第二表面，并与基板结合。其中，超薄塑胶卡体对应记忆体芯片的位置，其厚度介于0.1～0.15mm。

Description

记忆卡结构及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种记忆装置及其制造方法，特别是涉及一种记忆卡结构及其制造方法。

背景技术

近年来，电子集成电路技术与材料进步快速，其芯片的体积日益缩小，但功能却日益强大，应用的广泛可说是无远无届，因此利用电子集成电路所生产的产品已渐朝向轻薄短小的型态，举凡电子辞典、数码相机及各种数码产品等等不胜枚举。而且，因为芯片封装技术的日益成熟，市面上已有将单一芯片或多芯片封装于厚度相当薄的卡片中，藉由芯片内可储存大量数码资料的特性，形成一种比现行磁性记录媒体的体积更小的可抽换式记忆体。此种电子媒体统称为记忆卡。

图1是一种现有习知的记忆卡的结构。请参阅图1所示，此记忆卡100包括一基板110、一记忆体芯片120、一封胶材料130以及一塑胶卡体140。基板110具有一第一表面112及对应的一第二表面114，其中第一表面112具有多个对外接点116，且第二表面114具有多个内部接点118，对外接点116与内部接点118是电性连接。此外，记忆体芯片120分别与内部接点118电性连接。另外，封胶材料130包覆记忆体芯片120及对应的内部接点118，而塑胶卡体140则藉由热熔胶142覆盖在第二表面114。

然而近几年来，由于对资料储存容量的需求日益增加，现有习知的记忆卡的资料储存容量已渐渐不符合所需。因此，如何增加记忆卡的资料储存容量的需求已成为日益迫切的问题。

由此可见，上述现有的记忆卡结构在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决记忆卡结构存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。

有鉴于上述现有的记忆卡结构存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的记忆卡结构及其制造方法，能够改进一般现有的记忆卡结构，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的记忆卡结构存在的缺陷，而提供一种新型结构的记忆卡结构，所要解决的技术问题是使其可以增加记忆卡的资讯(资讯即为信息，以下均称为资讯)储存容量，从而更加适于实用。

本发明的另一目的在于，提供一种记忆卡制造方法，所要解决的技术问题是使其可以制造上述的记忆卡结构，从而更加适于实用。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下：

本发明提出一种记忆卡结构，此记忆卡结构包括一基板、多个记忆体芯片、一封胶材料以及一超薄塑胶卡体。其中，基板具有一第一表面及对应的一第二表面，其中第一表面具有多个对外接点，第二表面具有至少一凹穴，凹穴周缘配置有多个内部接点，对外接点与内部接点是电性连接。此外，记忆体芯片堆叠在凹穴中，且记忆体芯片分别与内部接点电性连接，而封胶材料包覆记忆体芯片及对应的内部接点。超薄塑胶卡体覆盖在第二表面，其中超薄塑胶卡体对应记忆体芯片的位置，其厚度介于0.1～0.15mm。

依照本发明所述的记忆卡结构，上述的超薄塑胶卡体外型例如符合智慧型多媒体记忆卡的规格，而记忆体芯片例如是藉由多条导线电性连接内部接点，这些导线例如是金线或铝线。另外，记忆体芯片例如是两两成一组，且分别堆叠在凹穴中。其中，对应的二个记忆体芯片之间例如是以封胶材料彼此间隔。

依照本发明所述的记忆卡结构，上述的封胶材料例如包括环氧树脂或聚酰亚胺。此外，超薄塑胶卡体的材料例如是选自于由聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)及丙烯-丁二烯-苯乙烯树脂(ABS)所组成的族群或其他合适的泛用型工程塑胶。

本发明提出一种记忆卡制造方法，此记忆卡制造方法包括下列步骤：

首先，提供一基板，此基板具有一第一表面及对应的一第二表面。其中，第一表面具有多个对外接点，第二表面具有至少一凹穴，而凹穴周缘配置有多个内部接点，且对外接点与内部接点是电性连接。

接着，将多个记忆体芯片堆叠在凹穴中，并分别电性连接记忆体芯片与内部接点，且进行一封胶步骤，以一封胶材料包覆记忆体芯片及对应的内部接点。之后，提供一超薄塑胶卡体，覆盖在第二表面，并与基板结合。

其中，超薄塑胶卡体对应记忆体芯片的位置的厚度介于0.1～0.15mm。

依照本发明所述的记忆卡制造方法，上述的超薄塑胶卡体与基板结合后，其外型符合智慧型多媒体记忆卡(Smart Media Card)的规格。此外，电性连接记忆体芯片与内部接点的方法包括打线。

依照本发明所述的记忆卡制造方法，上述的记忆体芯片堆叠在凹穴的方式，例如是将记忆体芯片两两成一组分别堆叠在凹穴中。此堆叠方法，包括下列步骤：首先，将其中之一记忆体芯片配置于凹穴中。接着，电性连接记忆体芯片与部分内部接点。然后，进行封胶步骤的第一阶段，以封胶材料包覆记忆体芯片及对应的内部接点。之后，将另一记忆体芯片配置于封胶材料上。再来，电性连接另一记忆体芯片与部分内部接点。然后，进行封胶步骤的第二阶段，以封胶材料包覆另一记忆体芯片及对应的内部接点。

依照本发明所述的记忆卡制造方法，上述的电性连接记忆体芯片与内部接点的方法包括打线。此外，封胶步骤的方法包括点胶(dispensing)。另外，超薄塑胶卡体例如是藉由灌模的方法制成，灌模的方法包括下列步骤：首先，提供一模具及一真空帮浦，模具具有一模穴，真空帮浦连通至模穴。之后，进行一射出灌模步骤，以一填料机构输入一灌模材料在模具的模穴中，并同时藉由真空帮浦从模具的模穴中吸出气体。

经由上述可知，本发明是关于一种记忆卡结构及其制造方法，该记忆卡结构包括基板、多个记忆体芯片、封胶材料以及超薄塑胶卡体。此记忆卡在制作时，先提供一基板，基板具有第一表面及对应的第二表面。第一表面具有多个对外接点，而第二表面具有至少一凹穴，凹穴周缘配置有多个内部接点，且对外接点与内部接点是电性连接。之后，将多个记忆体芯片堆叠在凹穴中，并分别电性连接记忆体芯片与内部接点，且以封胶材料包覆记忆体芯片及对应的内部接点。然后，提供一超薄塑胶卡体，覆盖在第二表面，并与基板结合。其中，超薄塑胶卡体对应记忆体芯片的位置，其厚度介于0.1～0.15mm。

借由上述技术方案，本发明记忆卡结构及其制造方法至少具有下列优点：

本发明的记忆卡因在基板上设有凹穴，且使用一超薄塑胶卡体，故能将多个记忆体芯片堆叠在凹穴中，因此能增加记忆卡的资讯储存容量。此外，超薄塑胶卡体在制作时，是使用真空帮浦对模穴进行抽气，所以可制作厚度极薄的超薄塑胶卡体。

综上所述，本发明特殊结构的记忆卡结构，可以增加记忆卡的资讯储存容量。本发明特殊的一种记忆卡制造方法，可以制造上述的记忆卡结构。

其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类产品及制造方法中未见有类似的结构设计及方法公开发表或使用而确属创新，其不论在产品结构、制造方法或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的记忆卡结构具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，以下特举一较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1是一种现有习知的记忆卡的结构。

图2是本发明的一实施例的记忆卡结构图。

图3A～图3C是记忆卡内的记忆体芯片在平面上的排列方式。

图4A～图4D是本发明的一实施例的记忆卡制造方法。

图5是超薄塑胶卡体的制作示意图。

100：记忆卡                              110：基板

112：第一表面                            114：第二表面

116：对外接点                            118：内部接点

120：记忆体芯片                          130：封胶材料

140：塑胶卡体                            142：热熔胶

200：记忆卡                              202：凹穴

210：基板                                212：第一表面

214：第二表面                            216：对外接点

218：内部接点                            220，222，224：记忆体芯片

230：封胶材料                            240：超薄塑胶卡体

242：热熔胶                              310：模具

312：模穴                                316：孔洞

320：真空帮浦                            330：填料机构

332：灌模材料

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的记忆卡结构及其制造方法其具体实施方式、结构、制造方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。

图2是本发明的一实施例的记忆卡结构图。请参阅图2所示，此记忆卡200包括一基板210、多个记忆体芯片220、一封胶材料230以及一超薄塑胶卡体240。基板210具有一第一表面212及对应的一第二表面214，其中第一表面212具有多个对外接点216，而第二表面214具有至少一凹穴202，且凹穴202周缘配置有多个内部接点218，对外接点216与内部接点218是电性连接。另外，多个记忆体芯片220堆叠在凹穴202中，在本实施例中，记忆体芯片220是以两两成一组而堆叠在凹穴202中，且记忆体芯片220分别与内部接点218电性连接。

如图2所绘示，封胶材料230包覆记忆体芯片220及对应的内部接点218，而超薄塑胶卡体240覆盖在第二表面214。其中，超薄塑胶卡体240对应记忆体芯片220的位置的厚度介于0.1～0.15mm。

图3A～图3C是记忆卡内的记忆体芯片在平面上的排列方式。请同时参阅图3A～图3C所示，记忆体芯片220配置于记忆卡200上的数目如图3A所示可为1组。或者，记忆体芯片220可如图3B所示，以并列的方式配置于记忆卡200上。又或者，4组如记忆体芯片220可如图3C所示，以阵列(阵列即为数组)的方式配置于记忆卡200上。

图4A～图4D是本发明的一实施例的记忆卡制造方法。首先，请参阅图4A所示，提供一基板210，基板210具有第一表面212及对应的第二表面214。其中，第一表面212具有多个对外接点216，用以和外界进行资讯交换，而第二表面214具有至少一凹穴202，凹穴202周缘配置有多个内部接点218，且对外接点216与内部接点218藉由基板210上的图案化线路(图中未示)及盲孔(图中未示)而电性连接。

接着，请参阅图4B所示，将记忆体芯片222配置于凹穴202中，并可利用打线的方式将记忆体芯片222与部分内部接点218进行电性连接，而导线226例如为金线或铝线等电阻抗值较小的材料。之后，例如利用点胶或其他合适的封装方式将封胶材料230，例如为环氧树脂(epoxy)或聚酰亚胺(polyimide)包覆记忆体芯片222及对应的内部接点218。

之后，请参考图4C所示，将记忆体芯片224配置于封胶材料230上，并可利用打线的方式将记忆体芯片224与部分内部接点218做电性连接。

再来，请参考图4D所示，将封胶材料230例如利用点胶或其他合适的封装方式将封胶材料230包覆记忆体芯片224及对应的内部接点218。

然后，请配合参考图2所示，利用热熔胶242将超薄塑胶卡体240覆盖在第二表面214上，以保护记忆卡200的内部构件。其中，此超薄塑胶卡体240对应于记忆体芯片224的位置，其厚度介于0.1～0.15mm，且其材料为选自于由聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)及丙烯-丁二烯-苯乙烯树脂(ABS)所组成的族群或其他合适的泛用型工程塑胶。

在记忆卡200制作完成后，其外型例如是符合智慧型多媒体记忆卡的规格。但是，本实施例的记忆卡200的外型亦可以制作成符合其他种类的规格，例如CF记忆卡(Compact Flash Memory Card)、MS记忆卡(Memory StickCard)、MS Duo记忆卡(Memory Stick Duo)、xD记忆卡(xD Picture Card)、MMC记忆卡(Multi Media Card)、RS MMC记忆卡(Reduced Size Multi MediaCard)、SD记忆卡(Secure Digital Card)、Mini SD记忆卡(Mini SecureDigital Card)、μ记忆卡(μCard)、RSμ记忆卡(Reduced SizeμCard)…等其他类似功能的小型记忆卡。

为了制作出超薄塑胶卡体240，其用以制作超薄塑胶卡体240的设备及方法必须经过特别的设计，图5是超薄塑胶卡体的制作示意图。请参阅图5所示，模具310具有一模穴312，而模穴312的形状对应于超薄塑胶卡体240的外型。制作时，将灌模材料332藉填料机构330经由孔洞316填入。

在此同时，真空帮浦320将模穴312中的空气抽出，致使模穴312中的压力降低。由于模穴312中的压力极低，所以灌模材料332能均匀地充满整个模穴312，使得制作出来的超薄塑胶卡体240具有厚度极薄且材质均匀的特性。

值得注意的是，在本实施例中，记忆体芯片是采用两两成一组而堆叠在一起。然而，本发明并不限于使用上述方式将记忆体芯片进行堆叠，亦可以采用交错堆叠的方式。或者，在某些状况下，亦不限于两两成一组地堆叠在一起，也可以多个(大于两个)成一组地堆叠在一起，或单独只置放一记忆体芯片。

综上所述，在本发明的记忆卡因于基板上设有凹穴，且使用一超薄塑胶卡体，故能将多个记忆体芯片堆叠在凹穴中，因此能增加记忆卡的资讯储存容量。此外，超薄塑胶卡体在制作时，是使用真空帮浦对模穴进行抽气，所以可制作厚度极薄的超薄塑胶卡体。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (16)

1、一种记忆卡结构，其特征在于其包括：

一基板，具有一第一表面及对应的一第二表面，其中该第一表面具有多数个对外接点，该第二表面具有至少一凹穴，该凹穴周缘配置有多数个内部接点，该些对外接点与该些内部接点电性连接；

多数个记忆体芯片堆叠在该凹穴中，且该些记忆体芯片分别与该些内部接点电性连接；

一封胶材料，包覆该些记忆体芯片及对应的该些内部接点；以及

一超薄塑胶卡体，覆盖在该第二表面，其中该超薄塑胶卡体对应该些记忆体芯片的位置，其厚度介于0.1～0.15mm。

2、根据权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于其中所述的超薄塑胶卡体外型符合智慧型多媒体记忆卡的规格。

3、根据权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于其中所述的该些记忆体芯片是藉由多数条导线电性连接该些内部接点。

4、根据权利要求3所述的记忆卡结构，其特征在于其中所述的该些导线包括金线及铝线其中之一。

5、根据权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于其中所述的该些记忆体芯片两两成一组，分别堆叠在该凹穴中。

6、根据权利要求5所述的记忆卡结构，其特征在于其中对应的该二个记忆体芯片之间是以该封胶材料彼此间隔。

7、根据权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于其中所述的封胶材料包括环氧树脂及聚酰亚胺其中之一。

8、根据权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于其中所述的超薄塑胶卡体的材料是选自于由聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)及丙烯-丁二烯-苯乙烯树脂(ABS)所组成的族群。

9、一种记忆卡制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基板，该基板具有一第一表面及对应的一第二表面，其中该第一表面具有多数个对外接点，该第二表面具有至少一凹穴，该凹穴周缘配置有多数个内部接点，该些对外接点与该些内部接点电性连接；

将多数个记忆体芯片堆叠于该凹穴中，并分别电性连接该些记忆体芯片与该些内部接点，且进行一封胶步骤，以一封胶材料，包覆该些记忆体芯片及对应的该些内部接点；以及

提供一超薄塑胶卡体，覆盖在该第二表面，与该基板结合，其中该超薄塑胶卡体对应该些记忆体芯片的位置，其厚度介于0.1～0.15mm。

10、根据权利要求9所述的记忆卡制造方法，其特征在于其中所述的超薄塑胶卡体与该基板结合后，其外型符合智慧型多媒体记忆卡的规格。

11、根据权利要求9所述的记忆卡制造方法，其特征在于其中电性连接该些记忆体芯片与该些内部接点的方法包括打线。

12、根据权利要求9所述的记忆卡制造方法，其特征在于其中所述的该些记忆体芯片堆叠在该凹穴的方式，是将该些记忆体芯片两两分成一组，分别堆叠在该凹穴中。

13、根据权利要求12所述的记忆卡制造方法，其特征在于其中每对应二记忆体芯片的堆叠方法，包括以下步骤：

将其中之一记忆体芯片配置在该凹穴中；

电性连接该记忆体芯片与部分该些内部接点；

进行该封胶步骤的第一阶段，以该封胶材料包覆该记忆体芯片及对应的该些内部接点；

将另一记忆体芯片配置在该封胶材料上；

电性连接该另一记忆体芯片与部分该些内部接点；以及

进行该封胶步骤的第二阶段，以该封胶材料包覆该另一记忆体芯片及对应的该些内部接点。

14、根据权利要求13所述的记忆卡制造方法，其特征在于其中电性连接该些记忆体芯片与该些内部接点的方法包括打线。

15、根据权利要求9所述的记忆卡制造方法，其特征在于其中所述的封胶步骤的方法包括点胶(dispensing)。

16、根据权利要求9所述的记忆卡制造方法，其特征在于其中所述的超薄塑胶卡体是藉由灌模的方法制造，该灌模的方法包括以下步骤：

提供一模具及一真空帮浦，该模具具有一模穴，该真空帮浦连通至该模穴；以及

进行一射出灌模步骤，以一填料机构，输入一灌模材料在该模具的该模穴中，并同时藉由该真空帮浦从该模具的该模穴中吸出气体。

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