CN1755519A - 光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法 - Google Patents

光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法 Download PDF

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Abstract

一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。

Description

光刻掩模基板，光刻掩模，曝光掩模， 光刻掩模基板制造方法，以及半导体装置制造方法
本发明要求日本在先专利申请JP2004-284093为优先权，在这里公开并引入作为参考。
发明背景
本发明设计一种光刻掩膜(mask blank)基板，一种光刻掩膜，一种曝光掩膜，一种光刻掩膜基板制造方法，以及一种半导体装置制造方法。
多种方案制成的方法用于选择一个具有良好平整度的掩模基板吸附到曝光系统的掩模台上(例如JP-A-2003-50458)。
然而，依照常规的方法，至于多个掩模基板的每一个(光刻掩膜基板)，需要获得表示主表面的表面形状的信息和表示吸附到曝光系统的掩模台之前后主表面的平整度，或者通过模拟基于主表面设置之前的平整度和曝光系统吸附掩模的机构而导出主表面设置在曝光系统中获得的平整度，从而获得主表面的平整度信息。因此，就要求大量个时间和精力用于选择在被曝光系统的掩模台吸附后具有良好平整度的掩模基板。
发明简述
因此，本发明的一个目的是提供一种光刻掩模(坯料)基板，光刻掩模(坯料)，曝光掩模，半导体装置，和它们的制造方法。这样，在掩模基板被曝光系统吸附后，不需要如常规技术中要求的模拟掩模基板的平面，且在定位准确性和聚焦束方面良好。
在重复多次测试之后，我们发现，通过在曝光系统设置曝光掩模，光刻掩模基板的主表面，形成曝光掩模，为了在半导体装置基板上形成令人满意的线宽和图案尺寸65nm节点的精度的电路图案，在曝光系统一侧被吸附的掩模台需要满足下面条件(1)和(2)。
要注意的是这里的图案尺寸65nm节点在《半导体国际技术之路》(光刻技术)所示的《65nm(hp65)的半间距技术节点》中提到。
尤其是，作为第一方面，
(1)除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或更少；以及
(2)平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。
作为第二方面，
(1)除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或更少；以及
(2)在平面测量区域的角部分的形状是这样的，对在对角线方向上的主表面的表面形状做测量，该对角线方向通过主表面的中心且连接光刻掩模基板的四个角部分两个角点，在主表面上，除了从外部外围端点表面向内10mm的区域，外部矩形区域的角的高度不少于-0.02μm且不超过0.05μm，用作内部矩形区域的角的高度的参考，内部矩形区域为在主表面上，除了从外部外围端部表面向内15mm的区域。
在这里，在参照平面的高度上，平整度是不同的，该平整度可以在主平面中表面形状的最高点和最低点之间的基板的前主平面的边上随意地确定(相对于实际的绝对平面(焦平面)，测量平面的最高点和最低点之间高度不同，测量表面的不同高度由最小平方(least-squares)方法计算)。
甚至当第一条件(1)的平整度相同时，平面检测区域的边缘部分的形状可能是平面形状，下垂形状(滚降形状)，滚棱形状(rolled-edgeshape)，或者上升形状(斜坡甲板形状)朝向外部外围边。在这点上，本申请的发明者发现条件(2)是用于平面测量区域的角部分和达到本发明必须的。
当这些条件令人满意，当曝光系统附着掩模台时，这就可能实现0.24μm平整度或者更少的曝光掩模，其中要求曝光掩模的图案尺寸65nm节点。如果角部分的形状不是恰当的，曝光掩模的基板吸附时是变形的，以致转印图案的位置准确性，例如转印图案之间的位置偏移量，和转印图案在线宽方面的均匀性都降低。
此发明具有下述结构。
(结构1)
一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模(空白区)基板，其中：
在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及
平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。
以这种结构，光刻掩模基板在被光学系统的掩模台吸附后，没有要求更多的时间和努力的情况下，获得良好的平整度。进一步，通过使用基于这种光刻掩模基板制造的曝光掩模，加强转印图案的位置准确性成为可能。
在这里，依照以测量平面为基础的最小正方形的方法，关于实质的绝对平面(目标平面)的计算，基板表面的测量平面的平整度处于最大值和最小值之间是不同的。主表面的表面形状是不限定的。这就使任何形状例如凸面形，凹面形，桶形，或者半圆柱形成为可能。
这个定义的原因，如前面所述的条件(1)，平面测量区域是除从外部外围端部表面朝内2mm区域之外的区域，也就是测量外部外围部分是困难的，即使这种测量是可能的，测量值也往往不能指示准确性。进一步因为从制造过程的特性-外部外围部分的形状变成滚降形状(roll-off shape)是显而易见的。
除了中心部分，平面测量区域的边缘部分具有滚降形状(roll-offshape)。角部分是例如临近拐角的区域。平面测量区域是当测量光刻掩模基板时的测量目标区域。尤其是，例如，8mm方形区域具有对角的至高点，一个148mm方形的顶点和一个132mm方形的顶点。例如，当光刻掩模基板的主表面是152mm的方形，平面测量区域是148mm方形区域。
曝光系统是，例如，一个分档器。光刻掩模基板可以是一个刻线基板，用在刻线中，作为掩模用于减小曝光系统。光刻掩模基板吸附在曝光系统的掩模台上，例如，被处理到曝光掩模上。
(结构2)
平面测量区域，包括一个图案区域，该图案区域是一个矩形区域，用于形成掩模图案，以及在平面测量区域的中心部分的上升形状是具有最高高度为0.25μm或更小的形状，作为一个参考，在图案区域的角之中的一个角最靠近所述上升形状的角部分。
图案区域是，例如，一个132mm×110mm的区域设置在主表面的中心部分。在这种情况下，作为前述条件(2)外部外围角部分的上升形状表示为148mm方形平面测量区域的每个角比132mm×110mm图案区域的相应的角要高。
优选的在吸附后的变形数目视图为，当图案区域的角用作参考点时，上升形状设置成最大0.25μm或更少。依据这种结构，就有可能完全获得在吸附后具有良好平整度的光刻掩模基板。
(结构3)
平面测量区域，包括一个图案区域，该图案区域是一个矩形区域，用于形成掩模图案，以及在平面测量区域的角部分的上升形状是这样的，对在对角线方向上的主表面的表面形状做测量，该对角线方向通过主表面的中心且连接光刻掩模基板的四个角部分两个角点，在主表面上，除了从外部外围端点表面向内10mm的区域，外部矩形区域的角的高度不少于-0.02μm且不超过0.05μm，用作内部矩形区域的角的高度的参考，内部矩形区域为在主表面上，除了从外部外围端部表面向内15mm的区域。这个形状可以是如上述条件(2)的在外部外围角上是上升形状。
(结构4)
一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，其中：
除了从光刻掩模基板主表面上的外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或更少，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，
平面测量区域，包括一个图案区域，该图案区域是一个矩形区域，用于形成掩模图案，以及
在平面测量区域的角部分的形状是这样的，对在对角线方向上的主表面的表面形状做测量，该对角线方向通过主表面的中心且连接光刻掩模基板的四个角部分两个角点，在主表面上，除了从外部外围端点表面向内10mm的区域，外部矩形区域的角的高度不少于-0.02μm且不超过0.05μm，用作内部矩形区域的角的高度的参考，内部矩形区域为在主表面上，除了从外部外围端部表面向内15mm的区域。
以这种机构，光刻掩模基板在被光学系统的掩模台吸附后，没有要求更多的时间和努力的情况下，获得良好的平整度。进一步，通过使用基于这种光刻掩模基板制造的曝光掩模，加强转印图案的位置准确性成为可能。
(结构5)
曝光系统的掩模台包括吸附部分，用于通过\吸附力粘附到所述光刻掩模基板的主表面。
吸附部件包括：三个支持部分在与主表面平行的方向线性延伸，且三个支持部分的至少一部分被用于支持主表面；以及两个吸附端口形成在三个支持部分之间。使用这样一个三线(three-line)支持型吸附部件，在吸附后获得良好平整度的光刻掩模基板成为可能。
(结构6)
光刻掩模，其中具有掩模图案的薄膜形成在依照结构1到4所述的光刻掩模基板的主表面上。
(结构7)
依照结构6的光刻掩模，其中光刻掩模适用于65nm半导体装置的图案尺寸。依照这种结构，提供该光刻掩模适应图案变得更好成为可能。
(结构8)
一种曝光掩模，其中掩模图案依照结构6所述具有掩模图案的薄膜形成在光刻掩模基板的主表面上。依照这种结构，提供该光刻掩模适应图案变得更好成为可能。
(结构9)
一种半导体装置制造方法，包括；在曝光系统的掩模台上设置依照结构8所述的曝光掩模；以及照射曝光光线到曝光薄膜上，转印掩模图案到半导体晶片上形成图案。依照这种结构，获得具有没有缺点的好的电路线的半导体成为可能。
(结构10)
一种光刻掩模基板的制造方法，该光刻掩模基板被曝光系统的掩模台吸附，包括：
基板的抛光；
测量该基板的主表面形成部分的平面测量区域的平整度，该基板的一边被掩模台吸附，该平面测量区域包括作为矩形区域用于形成掩模图案的图案区域，不包括基板的外部外围端部表面；以及
选择平面测量区域的平整度属于预定范围的基板，以及平面测量区域的四个角部分至少有三个具有朝向外部外围边上升的形状。依照这种结构，获得如结构1同样效果成为可能。
(结构11)
一种光刻掩模基板的制造方法，该光刻掩模基板被曝光系统的掩模台吸附，包括：
对基板抛光；
测量该基板的主表面形成部分的平面测量区域的平整度，该基板的一边被掩模台吸附，该平面测量区域包括作为矩形区域用于形成掩模图案的图案区域，不包括基板的外部外围端部表面；以及
选择平面测量区域的平整度属于预定范围的基板，在平面测量区域的角部分的形状是这样的，对在对角线方向上的主表面的表面形状做测量，该对角线方向通过主表面的中心且连接光刻掩模基板的四个角部分两个角点，在主表面上，除了从外部外围端点表面向内10mm的区域，外部矩形区域的角的高度不少于-0.02μm且不超过0.05μm，用作内部矩形区域的角的高度的参考，内部矩形区域为在主表面上，除了从外部外围端部表面向内15mm的区域。依照这种结构，获得如结构1同样效果成为可能。
依照本发明，在被曝光系统的掩模台吸附后，正确地获得具有良好平整度的光刻掩模基板，光刻掩模和曝光掩模成为可能。
附图简述
图1所示为光刻掩模基板10的透视图；
图2所示为光刻掩模基板10的部分截面图；
图3所示为光刻掩模基板100的透视图；
图4所示为光刻掩模基板100的部分截面图；
图5所示一个掩模台46例子的结构示意图和掩模台46的侧面视图；
图6所示为一个制造光刻掩模基板10的例子的方法流程图；
图7A和图7B所示为说明在进一步细节最后抛光过程的示意图，其中图7A所示为光刻掩模基板10的对角线部分的形状改变，图7B所示光刻掩模10的横向部分的形状改变；
图8所示为例1的主表面形状鸟瞰图；
图9所示为例2的主表面形状鸟瞰图；
图10所示为例3主表面形状鸟瞰图；
图11所示为例4的主表面形状鸟瞰图；
图12所示为例5的主表面形状鸟瞰图；
图13所示为例6的主表面形状鸟瞰图；
图14所示为例7的主表面形状鸟瞰图；
图15所示为例8的主表面形状鸟瞰图；
图16所示为例9的主表面形状鸟瞰图；
图17所示为例10的主表面形状鸟瞰图；
图18所示为接近例1的主表面形状鸟瞰图；
图19所示为接近例2的主表面形状鸟瞰图；
图20所示为接近例3的主表面形状鸟瞰图；
具体实施例
现在，参照附图，下面描述依照本发明的优选实施例。
图1和2所示为依照本发明的第一个实施例的光刻掩模基板10的一个例子。图1所示为光刻掩模基板10的透视图。图2所示为光刻掩模基板10的部分截面图，所示为沿着图1中AB线光刻掩模基板10的主表面12的形状。
光刻掩模基板10具有一个图案区域14和在主表面上的平面测量区域16，主表面12的边被掩模台吸附。主表面12是152mm方形。通常，曝光掩模的图像区域是132mm×110mm的矩形，具有四个角18。因此，既然图案区域14的设置不是通常预定的光刻掩模的台，在光刻掩模基板的图案区域14被设置成132mm方形区域，假定132mm×110mm旋转90°。在另一方面，平面测量区域16是一个具有四个角20的148mm的方形区域。平面测量区域16的平整度是0.6μm或是更少。
如图2所示，平面测量区域16中四个角部分中至少有三个形状是朝向外部外围边上升。朝向外部外围边的方向是从图案区域14的角18朝向平面测量区域16的角20的方向。上升形状的高度h为0.25μm或更少。角20的高度h与作为参考点的角18相对应。如果高度h是0.25μm或更少，角18和角20之间主表面的形状没有问题。例如，如虚线32所示，在角18和角20之间的主表面12可以一次上升比0.25μm更高。
图3和图4所示为依照本发明第一具体实施例的光刻掩模基板100的一个例子，图3所示为光刻掩模基板100的透视图。图4所示为光刻掩模基板100的部分截面图，所示为沿着图3中点线划(A′B′或A″B″)光刻掩模基板10的主表面12的形状。
光刻掩模基板100具有在主表面120上的图案区域140和平面测量区域160，主表面120的边缘被掩模台吸附。主表面120是152mm方形。曝光掩模的图案区域一般是132mm×110mm的矩形区域。因此，既然图案区域140的设置不是通常预定的光刻掩模的台，在光刻掩模基板的图案区域140被设置成132mm方形区域，假定132mm×110mm旋转90°。平面测量区域160的平整度是0.6μm或是更少。
平面测量区域160的角部分的形状为如下限定具有高度h′的形状。尤其是，这个形状为：在图3和4中，当通过基板主表面的中心O和连接基板四个角210，211，212和213(例如至高点210和212或至高点211和213)中的两个至高点，测量在对角方向(沿着对角线A′B′或A″B″)上基板主表面的表面形状，高度h′在外部矩形区域(在这里等同于图像区域140)的角190上，不小于-0.02μm且不大于0.05μm，不包括从在基板主表面上外部外围端部表面向内10mm的区域，作为参考，内部矩形区域170的角180的高度，该内部矩形区域不包括从基板主表面上的外部外围端部表面向内15mm的区域。
光刻掩模基板10，100形成有一个薄膜，该薄膜变成一个掩模图案在主表面上以致形成光刻掩模。进一步，通过使薄膜形成图案，光刻掩模基板10，100与掩模图案形成在主表面上，以致形成曝光掩模。
光刻掩模基板10，100的材料不特定限于和选择于用过的曝光材料。例如，在用ArF受激准分子激光曝光的光刻掩模或者用F2受激准分子激光曝光的光刻掩模的情况下，使用合成石英玻璃。在另一方面，在用EUV曝光的光刻掩模的情况下，基板材料具有一个低热量曝光系数(例如SiO2-TiO2-基础玻璃，合成石英玻璃，或者沉积β-石英固体溶剂的结晶玻璃)，用于抑制由曝光的热量导致的转印图案的变形。
薄膜，也就是掩模图案，形成在光刻掩模基板10，100的主表面上，薄膜由于曝光光线(从曝光光源发射的光)导致光学改变，转印到转印目标上。关于薄膜，可以做成光屏蔽膜用于屏蔽曝光光线，相位移动薄膜用于改变相位不同于曝光光线，反射薄膜用于反射曝光光线，或者光吸收薄膜用于吸收曝光光线。
关于光屏蔽薄膜，一般由Cr薄膜，有选择性地在Cr中包含氧，氮，碳，和氟等Cr合金薄膜，Cr薄膜和Cr合金薄膜的堆叠薄膜，MoSi薄膜，有选择性地在MoSi中包含氧，氮，和碳等MoSi合金薄膜，MoSi薄膜和MoSi合金薄膜的堆叠薄膜等等制造成。
关于相位移动薄膜，除了SiO2薄膜具有仅有的相位移动功能，也可以由氧化硅金属薄膜，氮化硅金属薄膜，氮氧化硅金属薄膜，碳氧化硅金属薄膜，碳氮氧化硅金属薄膜(金属：例如Mo，Ti，W或者Ta等过渡金属元素)，CrO薄膜，CrF薄膜，例如SiON薄膜的半色调(halftone)薄膜，或者例如等具有相位移动功能和光这比功能的薄膜。
关于反射薄膜，可以使用Mo/Si周期多层薄膜材料，Ru/Si周期多层薄膜，Mo/Be周期多层薄膜，Mo混合物/Si混合物周期多层薄膜，Si/Nb周期多层薄膜，Si/Mo/Ru周期多层薄膜，Si/Mo/Ru/Mo周期多层薄膜，Si/Ru/Mo/Ru周期多层薄膜等等制成。
关于光吸收薄膜，可以使用Ta，Ta合金(例如含有Ta和B材料或者含有Ta，B，和N材料)，Cr，Cr合金(例如Cr中至少加有氮，氧，碳，和氟等元素中的一种获得的材料)等等。
前面所述的薄膜可以由例如DC喷射，RF喷射，或离子光束喷射等喷射方法形成。本发明的光刻掩模也可以进一步在上述薄膜上形成耐热薄膜。
图5所示为一个吸附光刻掩模基板10，100的掩模台46例子的结构一个例子的示意图和掩模台46的侧面视图。
在这个例子中，掩模台46包括一个底部52和两个吸附部件54。底部52用于固定吸附部件54。
每个吸附部件54使三线支持型，包括三个平行的支持部分62和形成在支持部分62之间的两个吸力部分64，吸力部分64连接到真空系统(未图示)，例如，虽然底部52通过吸力粘附到光刻掩模基底10的主表面12上。在这种方式下，掩模台46保留光刻掩模基底10以致面对曝光光源44和曝光透镜44。
这里，提供两个吸附部件54以致分别与光刻掩模基底10的主表面12的相对两边相对应。每个吸附部件54的三个支持部分62在主表面12的相应边平行延伸。然而，两个吸附端口粘附在主表面12的相应边缘的附近。
每个吸附部件54可以粘附在光刻掩模基板的主表面的外围部分，即位于平面测量区域16的外面或是位于平面测量区域16的内部的上面和外面。在吸附部件54位于平面测量区域16的内部的上面和外面的情况下，至少使得三个支持部分62的一个部分连接到平面测量区域16的外部，然而，支持部分62的其他两个或一个部分连接到平面测量区域16的内部。
光刻掩模10的一部分连接到吸附部件54也许不完全平整。在这种情况，在实际使用中，通过使用例如三个支持部分62的内部两个，使掩模台46支持光刻掩模基板10。
优选的是光刻掩模基板10的主表面12外围部分的形状，不包括角部分，是卷边(roll-edge)形状。这就使通过使用每个吸附部件53的两个支持部分62完全支持光刻掩模基板10成为可能。当在平面测量区域16的边缘部分的尖端比图案区域14的边缘部分的尖端更低时，卷边(roll-edge)形状即是滚降形状(如图1)。
在本实施例中，每个掩模台的吸附部件可以具有如例如国际申请公开No.WO02/065519所示具有一个形状和结构。
在下文中，将描述本发明的光刻掩模基板的制造方法。
具有上述主表面12形状的光刻掩模基板10能够被制造，例如，通过下述的制造方法。在下文中，光刻掩模基板10可以看作与光刻掩模基板100具有主表面120的形状。
(1)在检测光刻掩模基板的主表面的表面形状和平整度之后，通过依照检测的结果局部的实施表面处理来执行表面调整，以致主表面的形状确保上面所限定的形状，如期望，在表面形状测量之前或形状被调整完之后，基板的主表面是抛光的。
(2)关于多个台的抛光处理，每个抛光程序的形状的改变是预先认识的。在每个抛光程序中基板的主表面的平整度和表面形状是适合的，表面形状和平整度打到上述限定的。
在前面所述的制造方法(1)，每个基板实施独立的处理，例如，通过在每个抛光过程中使用磁电光刻抛光(MRF)方法，因此，恰当地制造具有所要求的表面形状和平整度的光刻掩模基板10成为可能。
图6所示为依照前面所述的制造方法(2)制造光刻掩模基板10的一个方法例子的流程图。在这个例子的制造方法中，作为光刻掩模基板10的基础部件的基板是第一个准备的(S100)，然后是对这个基板实施预先打磨/抛光(S102)。预先打磨/抛光可以包括多个例如打磨，一次抛光，二次抛光等等打磨/抛光处理。打磨处理的目的是提高基板表面的平整度和磨掉基板表面的裂纹。初次抛光和第二次抛光是依次减少基板表面的粗糙度的处理。例如，初次抛光和第二次抛光通过包括氧化铈作为主元件的研磨材料进行抛光处理，和使用使用双边抛光机器执行多个基板同时进行双边抛光，然而基板在粘住的研磨垫上在表面板上部和下部表面之间旋转移动。
这时，测量抛光的基板的平整度(S104)和选择适合与最后获得满意产品的制造基板(S106)，在步骤S106中，选择制造满意的基板，例如，下列(1)到(3)。
(1)靠近住表面的中心部分具有凸出形状，和接近中心圆的每个轮廓线形状表现出相同的平整度。
(2)主平面的四个角的至少三个具有上升形状。
(3)最低水平存在中心和主表面的边缘部分之间。
相应地，在步骤S106中具有鞍形状的主表面形状的基板被移除。
在第二次抛光的抛光条件用于获得上述(1)到(3)满意的基板以致双边抛光机器的表面板准确度(当测量时，使用一定的参照长度，在表面板的表面的的表面形状上粘附研磨垫，关于参考平面在表面形状中最大值和最小值之间的不同以最小平方的方法来计算)设置成100μm或者更小，且抛光的处理压力设置成50到150g/cm2。在这种条件可以获得良好的产量。
然后，使用包括胶状硅石作为主要成分的研磨材料和皮革型研磨垫执行最后的抛光(S108)。关于在步骤(S106)的多个基板，最后的抛光是双面镜抛光。最后抛光是，如前面所述，通过使用双面抛光机器实施，同时对多个(例如大约20)基板实施双面抛光，然而基板在粘附的研磨垫的上部和下部表面板之间旋转移动。通过最后抛光，平面测量区域16的角部分(四个角)参照图2所述的上升形状处理。
后来，再次测量基板的平整度(S110)和选择制造的基板，作为光刻掩模基板10的最后的产品，平面测量区域16的基板的平整度是0.6μm或是更少，和平面测量区域16的四个角部分的最少三个具有朝向外部外围边(S112)上升的形状。
在最后抛光的要满足的条件是双面抛光机器的表面板准确性设置到50μm或更小，抛光处理压力设置成50到100g/cm2，和每个研磨垫的硬度设置成80(Asker-C)或更少。在这种条件下，可以获得优良的产品。
依照上述的制造方法，在满足必须的条件，获得适合的光刻研磨基板10成为可能，被曝光系统的掩模台吸附后曝光掩模的平整度变得良好。通过使用光刻掩模基板10，需要恰当地获得光刻掩模和曝光掩模。
在步骤S108的最后抛光中，由于掩模垫等等的下沉，基板的角部分有事在滚降方向(凸出方向)上处理。因此，在步骤S102的预先研磨/抛光中，优选抛光基板成细微凹面型。在步骤S106中，优选的基板抛光条件为在最后抛光在凸出方向上对基板进行抛光。
在步骤S104和S110中，平整度由光干涉方法检测。这个平整度的检测方法通过施加例如激光的连贯光线到基板表面，而获得反射光和观察作为反射光相位移动的基板表面的高度的不同。以这种方法，在从主表面和基板的外部外围端表面之间边界预定的区域(大约2mm)，测量不能准确地实施。考虑到这样，在这个例子中，主表面的部分没有如平面测量区域预定的区域。
第二具体实施例的光刻掩模基板100通过选择获得，在步骤S112中，基板中平面检测区域160的平整度是0.6μm或者更少，且当通过主表面的中心在对角方向测量基板主表面的表面形状以及连接到光刻掩模基板的四个角的两个角点时在平面测量区域160的角部分的形状，外部矩形区域的角高度，在基板主表面上，除了从外部外围端点表面向内10mm不少于-0.02μm且不超过0.05μm区域。作为参考，内部矩形区域的角高度，在基板的主表面上，除了从外部外围端部表面向内15mm的区域。
图7A和7B所示为在进一步的细节上解释在步骤S108中最后曝光处理的流程。图7A所示为光刻掩模基板10的对角线的形状的改变，然而图7B所示为光刻掩模基板10的横向部分的形状的改变。在步骤S108中，在步骤S106基板抛光的选择是如历史记录1和2指示的通过中间状态到最后形状。
这里，关于对角线部分，在步骤S106中基础部件的选择为靠近中心具有一个凸型，在角部分结构形状上升，在中心和角部分之间为凹部。关于横向部分，基础部件靠近中心具有一个凸出形状，在端部结构形状上升，在中心和端部之间是凹部。横向部分的端部是平坦的。进一步，在横向部分的中心和端部之间的部分是平坦的。
然后，在中间状态的记录1中，对角部分在这样的条件下抛光，在角部分的部分1和9处理比中心部分5的处理要更快(部分1和9的处理＞部分5的处理)。其间，最好的是对于中间部分3等的处理。
另一方面，在记录1中，在端部的部分1和9和中心部分5的处理推进到同样程度的条件下横向部分被抛光(部分1和部分9的处理＝部分5的处理)。期间，用于中间部分3等是良好的处理。该抛光被推进到这样一个程度，例如，部分1和9的高度和部分5的高度在横向部分彼此接近。
然后，在中间状态的记录2中，对角线部分在下面的条件下进一步抛光，即角部分的部分1和部分的处理比中心部分的部分5的处理要快(部分1和9的处理＞部分5的处理)。期间，对中间部分3等进一步做良好的处理。该抛光推进到这样的程度，例如，部分1和9的高度和部分5的高度在对角线部分彼此接近。
在另一方面，对于记录2，在端部的部分1和9和中心部分5的处理推进到同样程度的条件下横向部分被进一步抛光(部分1和部分9的处理＝部分5的处理)。依照这种抛光，部分1和部分9处理成滚降的形状。
然后，对于最后的形状，对角线部分在下面的条件下进一步抛光，即角部分的部分1和部分的处理比中心部分的部分5的处理要快(部分1和9的处理＞部分5的处理)。期间，对中间部分3等进一步做良好的处理。这个抛光结束时，然而部分1和部分9的结构形状仍然保持，否则，如果抛光持续这样，部分1和9被处理成滚降(roll-off)形状。
在另一方面，对于最后形状，横向部分在所有部分均匀的抛光以致处理成一个凸型。如果以这种方式执行抛光，光刻掩模基板10的最后抛光能够被执行得接近。
在下文中，参照具体实施例，对本发明的细节进一步描述。
依照本发明光刻掩模基板10的例1到例10，以及比较参考图6，7A，和7B描述的制造方法制造的比较例子1到3。每个光刻掩模基板的材料是合成石英玻璃，该石英玻璃相对于曝光光线是光透明的。光刻掩模基板的主表面是152mm方形，平面测量区域16的是148mm方形。既然曝光掩模的图案区域的尺寸为132mm×110mm，在光刻掩模基板中的图案区域在旋转90°的条件下设置成132mm方形。
表1所示为本发明的例子1到10和比较例子1到3的形状特征。图8到20所示为例子1到10和比较例子1到3的主表面的形状鸟瞰图。在表1中，“吸附后的平整度”表示吸附后图案区域14的平整度。
表1
  平面测量区域的平整度(μm)   平面测量区域的角部分的形状   吸附后的平整度(μm)
  例1   0.466   上升形状(3部分)   0.125
  例2   0.468   上升形状(3部分)   0.184
  例3   0.477   上升形状(4部分)   0.148
  例4   0.485   上升形状(3部分)   0.187
  例5   0.485   上升形状(4部分)   0.227
  例6   0.497   上升形状(4部分)   0.149
  例7   0.512   上升形状(4部分)   0.167
  例8   0.522   上升形状(4部分)   0.220
  例9   0.534   上升形状(4部分)   0.184
  例10   0.589   上升形状(4部分)   0.175
 比较例1   0.673   上升形状(4部分)   0.278
 比较例2   0.542   上升形状(2对角部分)   0.269
 比较例3   0.558   滚降形状   0.350
光屏蔽薄膜，包含有防止反射的功能。作为一个主要元件，铬的低薄膜重压以致由于薄膜应力是0.08μm或者更少导致平整度改变，铬是被喷射形成在包括每个光刻掩模基板的平面测量区域16上然后通过旋转应用方法以阳极电阻形成在光屏蔽薄膜上。以这种方式，获得光刻掩模。
在表1所示，在曝光系统中吸附后以及，在比较例子1到3的情况下，获得光刻掩模的平整度，在基板主表面吸附到曝光系统中的平整度，结果超出0.24μm。这个平整度表示位置的准确性以致当在半导体基板上操作减少(1/4放大)曝光形成转印图案时，聚焦目标允许十字刻线不需要满足0.24μm，结果偏移了65nm半导体图案尺寸的规范。
在比较例子1中，平面测量区域16的平整度超出0.6μm。进一步，在比较例子2和3中，具有斜坡甲板(ski-jump)的平面测量区域16的角部分的数目少于三个。
在另一方面，在例子1到10中，平面测量区域16的平整度时0.6μm或者更少，更进一步，至少三个平面测量区域16的角部分具有斜坡甲板(ski-jump)形状。因此，在例子1到10的情况下，在吸附到曝光系统之后基板主表面的平整度结果是0.24μm或者更少。在这种情况下，获得的位置准确性，其中聚焦目标容许十字刻线满足0.24μm，因此满足65nm半导体图案尺寸的规范。
然后，依照本发明的例子11到16和比较例子4到6参照图6，7A，和7B描述的制造方法制造。
表2所示为本发明的例子11到16和比较例子4到6的形状特性。在表2中，“吸附后的平整度”表示为图案140吸附后的平整度。进一步，在表2中，高度h′(1)，h′(2)，h′(3)，h′(4)分别表示为除了在基板主表面的外部外围端部表面向内10mm的区域的外部矩形区域的角190(四个部分)的高度，当作参考是，图4中除了从基板主表面上外部外围端表面向内15mm的区域的内部矩形区域170的对应角180(四个部分)的高度。
表2
  平面检测区域的平整度(μm)   高h′(1)(μm)   高h′(2)(μm)   高h′(3)(μm)   高h′(4)(μm)   吸附后平整度(μm)
  例11   0.485   -0.0089   -0.0186   -0.0008   0.0024   0.187
  例12   0.485   -0.0015   0.0065   -0.0163   -0.0098   0.227
  例13   0.497   0.0116   0.0107   -0.0021   0.0053   0.149
  例14   0.512   0.0169   0.058   0.0078   0.0161   0.167
  例15   0.534   0.0228   0.033   0.0117   0.0186   0.184
  例16   0.589   -0.0013   -0.003   -0.0069   0.0135   0.175
  比较例4   0.542   -0.0303   -0.0169   -0.0292   -0.0175   0.269
  比较例5   0.558   -0.0344   -0.0619   -0.0455   -0.0371   0.350
  比较例6   0.673   0.0178   0.0254   -0.0014   0.0093   0.278
光屏蔽薄膜，包含有防止反射的功能。作为一个主要元件，铬的低薄膜重压以致由于薄膜应力是0.08μm或者更少导致平整度改变，铬是被喷射形成在包括每个光刻掩模基板的平面测量区域160上然后通过旋转应用方法以阳极电阻形成在光屏蔽薄膜上。以这种方式，获得光刻掩模。
在表2所示，在曝光系统中吸附后以及，在比较例子4到6的情况下，获得光刻掩模的平整度，在基板主表面吸附到曝光系统中的平整度，结果超出0.24μm。这个平整度表示位置的准确性以致当在半导体基板上操作减少(1/4放大)曝光形成转印图案时，聚焦目标允许十字刻线不需要满足0.24μm，结果偏移了65nm半导体图案尺寸的规范。
在比较例子4和5中，高度h′偏移该条件不少于-0.02μm并不大于0.05μm。更进一步，在比较例子6中，平面测量区域160的平整度超过0.6μm
在另一方面，在例子11到16中，平面测量区域160的平整度为0.6μm或者更少，更进一步，所有四个部分高度h′不少于-0.02μm并不大于0.05μm。因此，在例子11到16的情况下，在吸附到曝光系统之后基板主表面的平整度结果是0.24μm或者更少。在这种情况下，获得的位置准确性，其中聚焦目标容许十字刻线满足0.24μm，因此满足65nm半导体图案尺寸的规范。
然而本发明依据具体实施例描述，本发明的技术范围不仅限于此，对于本领域技术人员能够对上述具体实施例的改变或改进是显而易见。在权利要求书中的这些改变和改进显然落入本发明的技术范围。

Claims (11)

1、一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，其中：
在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，矩形平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及
平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。
2、一种如权利要求1所述的光刻掩模基板，其中：
平面测量区域，包括一个图案区域，该图案区域是一个矩形区域，用于形成掩模图案，以及
在平面测量区域的角部分的上升形状是具有最高高度为0.25μm或更小的形状，作为一个参考点，在图案区域的角之中的一个角最靠近所述上升形状的角部分。
3、一种如权利要求1所述的光刻掩模基板，其中：
平面测量区域，包括一个图案区域，该图案区域是一个矩形区域，用于形成掩模图案，以及
在平面测量区域的角部分的上升形状是这样的，对在对角线方向上的主表面的表面形状做测量，该对角线方向通过主表面的中心且连接光刻掩模基板的四个角部分的两个角点，在主表面上，除了从外部外围端表面向内10mm的区域，外部矩形区域的角的高度不少于-0.02μm且不超过0.05μm，用作内部矩形区域的角的高度的参考，内部矩形区域为在主表面上，除了从外部外围端部表面向内15mm的区域。
4、一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，其中：
除了从光刻掩模基板主表面上的外部外围端部表面向内2mm的区域，矩形平面测量区域的平整度为0.6μm或更少，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台(mask stage)吸附，
平面测量区域，包括一个图案区域，该图案区域是一个矩形区域，用于形成掩模图案，以及
在平面测量区域的角部分的形状是这样的，对在对角线方向上的主表面的表面形状做测量，该对角线方向通过主表面的中心且连接光刻掩模基板的四个角部分的两个角点，在主表面上，除了从外部外围端点表面向内10mm的区域，外部矩形区域的角的高度不少于-0.02μm且不超过0.05μm，用作内部矩形区域的角的高度的参考，内部矩形区域为在主表面上，除了从外部外围端部表面向内15mm的区域。
5、如权利要求1或4所述的光刻掩模基板，其中：
曝光系统的掩模台包括吸附(chuck)部件，用于通过吸力粘附所述光刻掩模基板的主表面，
吸附部件包括：
三个支持部分在与主表面平行的方向线性延伸，且三个支持部分的至少一部分被用于支持主表面；以及
两个吸附端口形成在三个支持部分之间。
6、一种光刻掩模，其中：
具有掩模图案的薄膜，形成在依照权利要求1或4的光刻掩模基板的主表面上。
7、一种如权利要求6所述的光刻掩模，其中：
光刻掩模适用于65nm半导体装置的图样尺寸(design rule)。
8、一种曝光掩模，其中：
通过依照权利要求6所述的形成有图案的薄膜，将掩模图案形成在光刻掩模基板的主表面上。
9、一种半导体装置制造方法，包括；
在曝光系统的掩模台上设置依照权利要求8所述的曝光掩模；以及
照射曝光光线到曝光掩膜上，转印掩模图案到半导体晶片上形成图案。
10、一种光刻掩模基板的制造方法，该光刻掩模基板被曝光系统的掩模台吸附，包括：
基板的抛光；
测量该基板的主表面形成部分的平面测量区域的平整度，该基板的一边被掩模台吸附，该平面测量区域包括作为矩形区域用于形成掩模图案的图案区域，不包括基板的外部外围端部表面；以及
选择平面测量区域的平整度属于预定范围的基板，以及平面测量区域的四个角部分至少有三个具有朝向外部外围边上升的形状。
11、一种光刻掩模基板的制造方法，该光刻掩模基板被曝光系统的掩模台吸附，包括：
对基板抛光；
测量该基板的主表面形成部分的平面测量区域的平整度，该基板的一边被掩模台吸附，该平面测量区域包括作为矩形区域用于形成掩模图案的图案区域，不包括基板的外部外围端部表面；以及
选择平面测量区域的平整度属于预定范围的基板，在平面测量区域的角部分的形状是这样的，对在对角线方向上的主表面的表面形状做测量，该对角线方向通过主表面的中心且连接光刻掩模基板的四个角部分两个角点，在主表面上，除了从外部外围端点表面向内10mm的区域，外部矩形区域的角的高度不少于-0.02μm且不超过0.05μm，用作内部矩形区域的角的高度的参考，内部矩形区域为在主表面上，除了从外部外围端部表面向内15mm的区域。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102187275A (zh) * 2008-11-26 2011-09-14 Hoya株式会社 掩模板用基板
CN102436136A (zh) * 2010-05-24 2012-05-02 信越化学工业株式会社 合成石英玻璃衬底及其制备方法
CN102636953A (zh) * 2011-02-10 2012-08-15 信越化学工业株式会社 形成模板的衬底以及检测方法
CN104820339A (zh) * 2014-01-30 2015-08-05 格罗方德半导体公司 掩膜结构及其制法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100710960B1 (ko) * 2004-09-29 2007-04-24 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크, 노광용 마스크,마스크 블랭크용 기판의 제조방법 및 반도체 제조방법
JP4958147B2 (ja) * 2006-10-18 2012-06-20 Ｈｏｙａ株式会社 露光用反射型マスクブランク及び露光用反射型マスク、多層反射膜付き基板、並びに半導体装置の製造方法
JP5222660B2 (ja) 2008-08-07 2013-06-26 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP5335351B2 (ja) 2008-10-01 2013-11-06 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板セット、マスクブランクセット、フォトマスクセット、及び半導体デバイスの製造方法
KR101548035B1 (ko) * 2008-12-17 2015-08-27 아사히 가라스 가부시키가이샤 반사형 마스크용 저팽창 유리 기판 및 그의 가공 방법
MY155168A (en) * 2009-12-11 2015-09-15 Shinetsu Chemical Co Photomask-forming glass substrate and making method
JP5937873B2 (ja) * 2011-04-13 2016-06-22 Hoya株式会社 フォトマスク用基板セット、フォトマスクセット、及びパターン転写方法
JP6339807B2 (ja) * 2014-01-16 2018-06-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 露光用マスクの製造方法、露光用マスクの製造システム、及び半導体装置の製造方法
US10558126B2 (en) 2014-02-24 2020-02-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
CN103839825A (zh) * 2014-02-24 2014-06-04 京东方科技集团股份有限公司 一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法
JP6256422B2 (ja) * 2014-08-07 2018-01-10 旭硝子株式会社 マスクブランク用ガラス基板
CN105373072A (zh) * 2014-09-01 2016-03-02 富泰华工业（深圳）有限公司 高精度平面加工系统及方法
US10948814B2 (en) 2016-03-23 2021-03-16 AGC Inc. Substrate for use as mask blank, and mask blank
JP6233538B2 (ja) * 2016-03-23 2017-11-22 旭硝子株式会社 マスクブランク用基板およびマスクブランク
JP6727879B2 (ja) * 2016-03-30 2020-07-22 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
WO2018020994A1 (ja) * 2016-07-27 2018-02-01 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、半導体デバイスの製造方法、マスクブランク用基板、マスクブランク及び転写用マスク
CN112563147B (zh) * 2020-12-07 2023-05-12 英特尔产品（成都）有限公司 用于检测半导体芯片产品脱袋的方法、装置和系统

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2508841Y2 (ja) * 1990-02-28 1996-08-28 ホーヤ株式会社 フオトマスクブランクス用保持具
JP3241656B2 (ja) * 1998-02-19 2001-12-25 日本電気株式会社 露光装置
JP4245743B2 (ja) * 1999-08-24 2009-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 エッジリンス装置およびエッジリンス方法
JP3608654B2 (ja) * 2000-09-12 2005-01-12 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク
KR100855527B1 (ko) * 2001-02-13 2008-09-01 가부시키가이샤 니콘 유지장치, 유지방법, 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP3627805B2 (ja) * 2001-04-20 2005-03-09 信越化学工業株式会社 フォトマスク用ガラス基板及びその製造方法
JP3572053B2 (ja) 2001-05-31 2004-09-29 株式会社東芝 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法およびサーバー
CN1264196C (zh) * 2001-05-31 2006-07-12 株式会社东芝 曝光掩模的制造方法及其应用
US6537844B1 (en) * 2001-05-31 2003-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server
JP3947154B2 (ja) * 2001-05-31 2007-07-18 株式会社東芝 マスク基板情報生成方法およびマスク基板の製造方法
JP2003195483A (ja) * 2001-12-28 2003-07-09 Hoya Corp フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法
JP2004029735A (ja) * 2002-03-29 2004-01-29 Hoya Corp 電子デバイス用基板、該基板を用いたマスクブランクおよび転写用マスク、並びにこれらの製造方法、研磨装置および研磨方法
DE10314212B4 (de) * 2002-03-29 2010-06-02 Hoya Corp. Verfahren zur Herstellung eines Maskenrohlings, Verfahren zur Herstellung einer Transfermaske
JP3984116B2 (ja) * 2002-07-09 2007-10-03 株式会社東芝 フォトマスクの製造方法
US20040137828A1 (en) * 2002-07-17 2004-07-15 Hoya Corporation Glass substrate for a mask blank, method of producing a glass substrate for a mask blank, mask blank, method of producing the mask blank, transfer mask, and method of producing a transfer mask
JP3681381B2 (ja) * 2002-08-23 2005-08-10 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法
CN100545748C (zh) * 2003-03-20 2009-09-30 Hoya株式会社 中间掩模用基板及其制造方法和光刻掩模板及其制造方法
JP2004302280A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Hoya Corp マスクブランクス用基板の製造方法、及びマスクブランクスの製造方法、並びに転写マスクの製造方法
TWI329779B (en) 2003-07-25 2010-09-01 Shinetsu Chemical Co Photomask blank substrate, photomask blank and photomask
JP4314462B2 (ja) * 2003-07-25 2009-08-19 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク用基板の製造方法
JP4232018B2 (ja) * 2003-07-25 2009-03-04 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク用基板の選定方法
KR100710960B1 (ko) * 2004-09-29 2007-04-24 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크, 노광용 마스크,마스크 블랭크용 기판의 제조방법 및 반도체 제조방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102187275A (zh) * 2008-11-26 2011-09-14 Hoya株式会社 掩模板用基板
CN102187275B (zh) * 2008-11-26 2013-09-04 Hoya株式会社 掩模板用基板、掩模板用基板组及半导体器件的制造方法
CN102436136A (zh) * 2010-05-24 2012-05-02 信越化学工业株式会社 合成石英玻璃衬底及其制备方法
CN102436136B (zh) * 2010-05-24 2016-08-24 信越化学工业株式会社 合成石英玻璃衬底及其制备方法
CN102636953A (zh) * 2011-02-10 2012-08-15 信越化学工业株式会社 形成模板的衬底以及检测方法
CN108153111A (zh) * 2011-02-10 2018-06-12 信越化学工业株式会社 形成模板的衬底以及检测方法
US10948817B2 (en) 2011-02-10 2021-03-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Mold-forming substrate and inspection method
CN104820339A (zh) * 2014-01-30 2015-08-05 格罗方德半导体公司 掩膜结构及其制法

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