CN1754128B - 用于制备抗蚀剂基底的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于制备具有成起伏结构形式的抗蚀剂层的基底的方法，该起伏结构代表衍射结构。该抗蚀剂至少在一定区域与导电层相邻，导电层在通过电子束对抗蚀剂层曝光时散射一次电子和/或产生二次电子。使用这种方法，将抗蚀剂层和导电层的材料和曝光参数彼此调节来使得抗蚀剂在与电子束相碰撞的区域之外也被曝光，从而起伏结构的侧面获得倾斜的形状。
Description
技术领域
本发明涉及一种制备基底的方法，该基底具有成起伏结构形式的抗蚀剂层，该起伏结构代表一种衍射结构，并且该基底具有导电层，该导电层在抗蚀剂层由电子束曝光时散射一次电子和/或产生二次电子。
而且，本发明涉及抗蚀剂底版和抗蚀剂基底。
背景技术
其光学性质随视角而变化的光学可变元件不但经常用于防止比如信用卡、纸币等有价凭证被伪造或复制，而且用于对任何产品包装的产品保护。这些光学可变元件具有真的全息图、计算机全息图的衍射结构，或带有并排放置的光栅场的光栅图像的衍射结构。通常说来，全息图是衍射光栅的叠加。但是，光栅图像是由多个并排放置的光栅场构成的，每个光栅场具有均匀的衍射光栅。不同的光栅场的衍射光栅可能在光栅常数、方位角、由各个衍射光栅覆盖的图像区域的轮廓或外形方面彼此不同。光栅常数对应于光栅刻线之间的距离，并且对于在从某个视角观看时可见的光栅图像中各个图像区域的颜色而言至关重要。方位角描述了光栅刻线相对于参考方向的倾斜度，并且负责图像区域在从某观看方向观察时的可见度。在此技术的基础上，可以产生例如移动图像的光学可变元件，或也可以产生有立体感的显现图像。
对于光学可变元件的大规模生产，通常要制造所谓的“母结构”，其具有成空间起伏结构形式的有关光学可变元件的各个相信息。这通常是具有光致抗蚀剂涂层的玻璃基底、塑料基底、金属基底或半导体基底，在其中存在成峰、谷形式的衍射结构。从该母结构开始，通过将该起伏结构复制和成型，可以产生任何希望形状的压印工具，并且通过该压印工具，由起伏结构所代表的衍射结构可以大量地转移到适当的基底上。可以通过全息曝光或电子束光刻来产生将该起伏结构。
电子束光刻包括使用电子束刻写对电子束敏感(sensitive)的所谓电子束抗蚀剂层。
术语“抗蚀剂”在本文中应指辐射敏感胶漆，术语“光致抗蚀剂”指对光敏感，术语“电子束抗蚀剂”指对电子束的曝光的敏感性。而且，抗蚀剂的类型是公知的，它们对具体地为光的电磁辐射和对电子的曝光敏感。
从化学的观点来看，抗蚀剂是成膜材料，其溶解性能在光照辐射或粒子辐射下改变。
“正性抗蚀剂”指的是当暴露于辐射时通过活性基团的降解或转化而变得更加易溶的抗蚀剂材料。在随后的处理中，辐射曝光区域被溶解，而非辐射曝光区域则被留下。
“负性抗蚀剂”指的是当暴露于辐射时通过交联或聚合而变得难于溶解或不溶的抗蚀剂材料。于是，在这种情形中，通过随后的处理非辐射曝光区域被溶解，而辐射曝光区域则被留下。
尽管在微电子和微机械中通常应用电子束光刻时需要电子束刻写区域的锐利的界限，并且目标是起伏结构的侧面相对于基底表面成直角地延伸，但是代表光学可变元件的衍射结构的起伏结构通常应具有平坦倾斜的侧面或具有确定陡度的侧面。
至于产生起伏结构的平坦倾斜侧面，已知有不同的方法：
已知使用不同的辐射剂量，对沿给定侧面并排设置的多个轨迹进行曝光。根据辐射剂量的强度，将抗蚀剂材料曝光至预定深度，从而在显影之后，其结果就是具有平坦侧面的起伏结构。
还已知将具有不同敏感度的多种光致抗蚀剂一个在另一个上涂覆，并且在多次照射中采用不同的掩模对所述层进行曝光。通过该过程，其结果就是成台阶状的侧面，这大致形成了起伏结构的平坦延伸的侧面。
这些已知的方法耗时，并且需要特殊类型的抗蚀剂，这些抗蚀剂针对侧面问题而被调节，并且对于它们的其它性质也并非最优。用于形成侧面的多次曝光处理以及采用不同类型的抗蚀剂工作显著地增加了处理时间。具体而言，需要使用相对不敏感的抗蚀剂材料进行工作。
发明内容
从该现有技术出发，本发明的问题就是提供一种方法，通过该方法能够以一种简单的方式可以在抗蚀剂层中制备具有平坦侧面或具有确定陡度的侧面的起伏结构，用于电子束光刻，具体地用于产生类全息结构。而且，本发明的问题是创建一种适于执行该方法的抗蚀剂基底和用于压印工具的抗蚀剂底版。
这些问题通过具有独立权利要求的特征的方法、抗蚀剂基底和抗蚀剂底版而解决。而且，从属权利要求的主题关于实施例和细节。
由于抗蚀剂层通常是不导电的，所以对于电子束曝光需要额外的导电层，从而转向入射电子束的电子(“一次电子”)。该导电层可以是其上设置有抗蚀剂层的基底，或者是例如金属层或导电聚合物层的额外的导电层。当一次电子碰撞导电层时，这些电子部分地被散射和/或产生所谓的“二次电子”，这些二次电子从导电层中发射出来。散射的一次电子以及二次电子也扩散开来进入到相邻的抗蚀剂层中，使得该抗蚀剂层还在电子束已直接碰撞的区域外被曝光(“相邻效应”)。由于曝光以这种方式变宽或变得模糊，因此该效应是不受欢迎的，应尽可能地抑制。
本发明基于这样的发现：该额外曝光的活动范围取决于电子束能量和所使用的导电材料，以及通过适当地选择曝光参数和导电材料，相邻效应可以被选择性地用来制备倾斜侧面，比如制备抗蚀剂底版所需的倾斜侧面。
采用根据本发明的方法，抗蚀剂层和导电层的材料以及曝光参数可以对彼此调节，使得在电子束碰撞区域之外也进行抗蚀剂层的曝光，使得起伏结构的侧面获得倾斜形状。对此的基本点在于，通过导电层中所含的更高原子数的金属、抗蚀剂更软的渐变、电子更高的加速电压以及更模糊和更大的射束宽度，可以制备更平坦的侧面。
与用于制备具有成起伏结构形式的抗蚀剂层的基底的传统方法相比，该方法具有这样的优点，它可以在明显更短的时间内进行，因为仅需要一个单一的曝光步骤。此外，曝光时间也减少了，由于使用二次电子，增加了总共的有效曝光剂量。而且，该方法可以用于范围宽泛的抗蚀剂类型。所以，该方法不像已知的方法那样取决于不敏感抗蚀剂材料的使用。起伏结构倾斜的侧面也导致压印胶漆和压印模型之间优良的分离性能，压印模型是由起伏结构成型的。
对于导电层，由于需要它们优良的工作性质，因此优选地使用钨、金、钯、铬、铝或它们的混合物的金属层或金属合金层。例如，使用钨、金或金钯合金获得了高比率的散射和二次电子发射。因为所使用的化学元素的原子数越大，相邻效应越强烈，因此优选地使用高原子数的金属，具体地为原子数大于50。
导电层可以形成抗蚀剂层的承载基底，或可以用作单独的层。在一些实施例中，可能需要在电子束曝光之后去除导电层。对此，可以使用各种溶剂。电子束曝光受到在0.1到100keV范围内的电子束能量的影响，优选地是1到50keV。
根据第一实施例，导电层设置在抗蚀剂层和基底之间。使用负性抗蚀剂作为抗蚀剂层，使得通过一次电子的背散射和二次电子的发射，与导电层相邻并接近直接曝光区域的抗蚀剂区域也被曝光。在负性抗蚀剂的显影期间，未曝光的区域被去除，而由电子束直接曝光和由相邻效应额外曝光的区域则得以保留在基底上。
根据第二实施例，使用了正性抗蚀剂，在其上将导电层设置在背对基底的表面上。这里，通过一次电子的正向散射和二次电子的发射，与导电层相邻并且位于直接曝光区域之外的抗蚀剂区域被类似地曝光。在显影期间，曝光的区域被去除，而既没有被直接曝光也没有由相邻效应曝光的区域则得以保留在基底上。
根据该方法其它的实施例，电子束曝光可以和电磁辐射形式的光学曝光相结合。
在这样的实施例中，例如可以在基底上施加正性抗蚀剂，其可以用电磁辐射或电子束曝光。在该方法中，首先进行光学曝光。在光学曝光期间，意于进行电子束曝光的区域用不透明的掩模覆盖。在光学曝光之后，将导电层施加到尚未显影的正性抗蚀剂上。之前用不透明掩模覆盖的区域则在电子束的作用下曝光，电子束的正向散射和从导电层发射出来的二次电子作用于位于导电层之下的抗蚀剂的曝光以及接近被电子束直接碰撞的区域的区域的曝光。然后，使用适当的溶剂去除导电层，并且将正性抗蚀剂显影。
在改进的实施例中，使用了负性抗蚀剂。这里，沿辐射方向观看，负性抗蚀剂设置于导电层之前。为了避免在光学曝光过程中的反射效应，在抗蚀剂层和导电层之间可以提供吸收光照辐射的层。
在另外的实施例中，沿辐射方向看，将不同的抗蚀剂层一个在另一个后面设置。例如，沿辐射方向看，可以将可由电磁辐射曝光的第一抗蚀剂层设置在可由电子束曝光的第二抗蚀剂层之前。这里，导电层可以设置在两个抗蚀剂层之间，或沿辐射方向看位于可由电子束曝光的第二抗蚀剂层之后。
本方法不同的实施例用于制备基底，该基底提供了具有类起伏结构的抗蚀剂层。根据本发明的方法制备的基底，即所谓的“抗蚀剂底版”在显影之后根据已知方法电伏打成型和复制，从而产生压印模具，具体地为压印圆柱体。通过压印模具可以制备安全元件，用于保护有价凭证，比如纸币、支票、ID卡等。在产品保护的领域内，也经常使用压印衍射结构。
附图说明
下面，将参考附图以举例的方式对本发明进行说明。
图1A和图1B示出了涂覆有负性抗蚀剂的基底用电子束的曝光以及显影之后基底的横截面视图；
图2A到图2C是穿过设置有负性抗蚀剂的基底的横截面视图，其用电子束以不同的辐射剂量曝光；
图3A到图3C示出了显影之后图2A到图2C的基底；
图4A到图4C是穿过设置有正性抗蚀剂的基底的横截面视图，其用电子束以不同的辐射剂量曝光；
图5A到图5C示出了显影之后图4A到图4C的基底；
图6A到图6C示出了一方法的连续程序步骤，该方法包括光学曝光和另一用电子束的曝光的组合；
图7A到图7C示出了另一方法的连续程序步骤，该方法包括光学曝光和另一用电子束的曝光的组合；
图8A到图8E示出了一方法的连续程序步骤，其中，在基底上施加了两层抗蚀剂层，它们分别用于光学曝光和用于电子束曝光；以及
图9示出了抗蚀剂基底的改进的实施例；
图10示出了一实施例，其中导电层施加在一分离载体上。
具体实施方式
图1A是基底1的横截面视图，其上涂布了由导电材料制成的导电层2。导电层2例如可以由金属、金属合金或导电聚合物制备。由负性抗蚀剂制成的抗蚀剂层3位于导电层2上。由于负性抗蚀剂3通常是不导电的，导电层2用于转向随电子束4入射的电子。在基底1足够导电时，则可以舍弃导电层2。
由于导电层2散射随电子束4入射的一次电子并且由导电层2额外发射二次电子，所以在由电子束4碰撞的目标区域5附近形成了曝光区域6，通过其将邻近目标区域5的负性抗蚀剂3的区域曝光。曝光区域6的范围决定于所使用的材料、电子的加速电压、辐射剂量，而辐射剂量取决于电子束4的强度以及刻写速度。
一次电子的散射和二次电子的发射被称为相邻效应。用于导电层2的材料的原子数越大，相邻效应也越大。为了获得高比率的一次电子散射和二次电子发射，对于导电层2优选地使用例如钨或金的高原子数金属。具体而言，金钯合金是适当的，它比纯金产生更均匀的导电层2。而且，铬或铝对于导电层2也是可用的元素。
根据本发明，具有决定重要性的是，将导电层、抗蚀剂和射束数据对彼此调节从而在接近入射射束的区域中由于相邻效应的曝光被作用至所希望的程度。
在将负性抗蚀剂3显影之后，结果就是起伏结构7，其表示在图1B的横截面视图中。起伏结构7具有侧面倾角8，该侧面倾角8显然小于90度。根据本发明，原则上所有的侧面角的陡度可以被制造得小于90度，在30度和89度间的角度是优选的。
在负性抗蚀剂3中形成扩充衍射结构的情形，其过程例如如下所示：
使用厚度大约为2毫米的石英板作为基底1。在该石英板上，气相沉积厚约80纳米的AuPd层作为导电层。在该导电层2上，旋涂了厚250纳米的由电子束负性抗蚀剂材料制备的负性抗蚀剂3，并将其进行培烤。通过电子束4对负性抗蚀剂3进行曝光，其中的电子已经被加速至5keV。将电子束4沿着为衍射光栅所确定的线引导，并将在这些线的区域中的负性抗蚀剂3曝光。通过电子束4，衍射光栅一定程度上被刻写到抗蚀剂层3中。衍射光栅通常覆盖光栅区域的表面，其外形或轮廓由衍射图像的设计所给定。在电子束4的单个路径中间的距离通常合计到1微米。
图2A到图2C示出了曝光区域6根据辐射剂量的范围。图2A示出了在低辐射剂量的情形时曝光区域6的范围。图2B是在中等辐射剂量的情形，而图2C是在高辐射剂量的情形。最佳辐射剂量由根据所选择的抗蚀剂材料和相邻层材料的试验来确定。
图3A到图3C示出了起伏结构7，其产生于显影之后的图2A到图2C中的负性抗蚀剂3。在低辐射剂量时，起伏结构7在显影后仅具有隔开的隆起9。在图2B所示的中等辐射剂量导致图3B所示的具有近似正弦曲线横截面轮廓的起伏结构7。但是，过高辐射剂量导致如图3C所示的起伏结构7，其中显影的负性抗蚀剂层3仅仅具有隔开的凹陷10。
具体而言，根据图3B的起伏结构7具有优点，因为从该起伏结构成型的压印工具在压印其间表现出最好的分离性能，并且因为作为衍射光栅的压印材料在宽的视角区域内具有高的亮度。
本方法也可以使用正性抗蚀剂进行。这样的实施例示出在图4A至图4C中。在该实施例中，使用厚度大约为2毫米的石英板作为基底1。在该石英板上，涂覆厚250纳米的由电子束正性抗蚀剂材料制备的正性抗蚀剂11，并将其固化。在正性抗蚀剂11上，气相沉积厚度大约为40纳米的转向层12。通过电子束4进行曝光，其中的电子已经被加速至5keV。如图2A至2C和图3A到图3C的实施例中所示，对刻写操作进行作用。光栅线通常以大约1微米的距离进行刻写。通过随电子束4入射的一次电子的正向散射和转向层12中发射的二次电子，曝光区域6也位于正向抗蚀剂层11的区域中。由电子束4的电流和刻写速度决定的辐射剂量通过试验进行优化。
在曝光之后，导电层12可选地被去除。对此，本领域普通技术人员已知的溶剂是适当的。对于金，例如，位于Rowel Ma的Transene公司的TFA类型的金蚀刻溶液是适当的。对于铬，位于3055Osgood Ct.Fermont CA94548的Cyantek公司的TR-14类型的蚀刻溶液是适当的。
图5A至图5C示出了显影之后的正性抗蚀剂层11的横截面轮廓。如图5A所示的正性抗蚀剂层的横截面轮廓是图4A的电子束4低辐射剂量的结果。同样地，如图5B和5C所示的正性抗蚀剂层的横截面轮廓是图4B和4C所示的电子束4的辐射剂量的结果。在低辐射剂量时，曝光区域仅仅略微延伸超出正性抗蚀剂层11的表面，而进入至正性抗蚀剂层11中。因此，在显影之后，仅有隔开的凹陷13形成在正性抗蚀剂层11的表面中。但是，在中等辐射剂量时，正性抗蚀剂层11在显影之后显现出近乎正弦曲线的轮廓，这是特别希望的，因为压印的胶漆可以很容易地从由正性抗蚀剂层11制备的压印结构分离开，并且完成的可变光学元件在大的视角区域上具有高的光学亮度。当选择的辐射剂量很高时，结果是如图5C所示的隔开的隆起。
应该提及的是，在使用电子束4曝光之后，以及在正性抗蚀剂层11显影之前，转向层12必须通过适当蚀刻溶液溶解。
当转向层12是放置在分离箔40上时，如图10所示，也可以不进行转向层12的溶解。箔40或转向层12可以在曝光过程期间与抗蚀剂层接触，然后可以通过剥离而很容易地去除。
通过本文所述的相邻效应，抗蚀剂层的曝光也可以用在这样的方法中，其中光学曝光与电子束曝光相结合。图6A至图6C示出了这样的方法的连续步骤。
通过如图6A至图6C所示的方法，涂布厚度约为250纳米的第一正性抗蚀剂15，它可以通过蓝光和电子束进行曝光。这样的正性抗蚀剂例如是Hoechst公司的AZ 5206型抗蚀剂材料。
根据图6A，通过叠加正性抗蚀剂15中的空间扩展的、均匀一致的波场16，实现全息曝光。在全息曝光过程期间，正性抗蚀剂15的之后将用电子束4曝光的区域由不透明掩模17覆盖，不透明掩模17位于透明薄膜18的底侧。全息曝光技术对于本领域的技术人员是公知的。
全息曝光在正性抗蚀剂15中产生了具有正弦曲线轮廓的潜光栅结构，如图6A和6B中虚线所代表的那样。在全息曝光之后，在尚未显影的正性抗蚀剂15上气相沉积转向层19，转向层19由金制成，优选地具有20到100纳米的厚度。根据图6B，正性抗蚀剂15在全息曝光期间由掩模17覆盖的区域之后由电子束4曝光。通过电子束4的曝光可以实现来使得外形或轮廓受限的光栅图像的光栅区域由不同的衍射光栅填充。由于一次电子的散射和导电层19中二次电子的发射，曝光区域6以这样的程度延伸到正性抗蚀剂层15中，来使得由电子束4刻写的光栅线在显影之后也具有如图6C所示的正弦曲线轮廓。但是，在正性抗蚀剂层15的显影之前，转向层19必须在蚀刻溶液的作用下被去除。
对于组合了光学曝光和电子束曝光的方法，也可以类似地选择负性抗蚀剂。在图7A至7C中示出了这样的方法的步骤。
在该方法中，在基底1上施加转向层20，在转向层20上覆盖有减反射层21。在减反射层21上，涂布负性抗蚀剂22，该负性抗蚀剂22可以使用蓝光和电子束曝光。在通过空间扩展的、均匀一致的波场16进行全息曝光期间，负性抗蚀剂层22旨在由电子束4曝光的区域由掩模17覆盖。该过程步骤示于图7A中。在全息曝光期间，减反射层21用于防止金属转向层20上的反射，这种反射可能导致波场16在负性抗蚀剂22区域内的叠加。全息曝光的结果就是如图7A和图7B中由虚线所示的潜衍射光栅。
在负性抗蚀剂22显影之前，如图7B所示用电子束4曝光，一次电子的散射和二次电子的发射确保曝光区域6延伸到负性抗蚀剂22中。当以适当方式选择电子束4的曝光参数时，结果就是图7B的横截面中所示的具有正弦曲线光栅轮廓的光栅线。
当要制备具有设置在背景之前的图案的图像时，特别要使用图6和图7所示的组合方法。背景可以使用全息曝光制备，而图案的光栅场可以通过电子束4来制备。
根据本发明的电子束记录方法当然可以与任何其它曝光方法和记录方法相组合。这适用于所有所述的实施例。
如图6A至6C所示的组合方法的实施例提供这样的优点：正性抗蚀剂的敏感性通常比负性抗蚀剂的要高。为此，在图6A至6C所示的实施例中，在显影前，必须将导电层去除。在图7A至7C所示的使用负性抗蚀剂的组合方法的实施例中，可以省略该过程步骤。
应当提及的是，负性抗蚀剂22或正性抗蚀剂15不必是由均匀的抗蚀剂材料制成的。可以设想在正性抗蚀剂15和负性抗蚀剂22的特定区域中提供不同的抗蚀剂材料，它们也可以具有不同的厚度。
而且，也可以将不同种类的抗蚀剂层一个在另一个之上设置。图8A至8E示出了这样一种方法的实施例，其中，首先在基底1上涂布导电层23。在导电层23之上，放置了负性抗蚀剂24，其在很大程度上对光学辐射不敏感。此外，负性抗蚀剂24是暗色的，从而在负性抗蚀剂24中吸收了光学辐射。但是负性抗蚀剂24适合于使用电子束4曝光。负性抗蚀剂24例如具有200纳米的层厚，这适合于电子束曝光。在负性抗蚀剂24之上，涂布厚度为400纳米的正性抗蚀剂25，该正性抗蚀剂25对光学辐射具有很高的敏感度。通过这样，如图8A所示的基底就准备好用于曝光了。
后面的曝光步骤可以以任何顺序进行。所示出的实施例以光学曝光开始。旨在用于光学曝光的区域与例如激光的全息方式的电磁辐射16相碰撞。以这样的方式曝光的区域26含有潜衍射光栅，如图8B中的虚正弦曲线所示。在区域26中的负性抗蚀剂24由于其光学非敏感性而没有受到损坏，并且作为吸收层从而避免不希望的光反射。以这样的方式光学曝光的区域26现在由掩模27覆盖，并且旨在用于电子束曝光的区域28首先用蓝光整体地预曝光，从而使得区域28中的正性抗蚀剂25可溶。由于负性抗蚀剂24对光不敏感，所以蓝光29的作用对位于区域28中的负性抗蚀剂24没有影响。
在使用蓝光29曝光之后，实现根据图8D所示的用电子束4的曝光。由于一次电子的背散射和二次电子的发射，负性抗蚀剂24被曝光来形成所希望的衍射光栅。电子束4在正性抗蚀剂25中所造成的损害是无关的，因为最后在区域28中的正性抗蚀剂被去除了。到此，就完成了曝光过程。
在潜图像的显影过程中，形成了峰谷轮廓，这示出在图8E所示的横截面视图中。在区域26中，现在出现了一全息图像，并且在区域28中负性抗蚀剂24形成了具有正弦曲线横截面轮廓的衍射光栅。
图9示出了改进的层结构，但是其与图8A所示的层结构相同的方式进行处理。在改进的层结构中，在基底1上涂布正性抗蚀剂30，正性抗蚀剂30则由导电层31覆盖。在其上是正性或负性抗蚀剂32，抗蚀剂32对光敏感。在抗蚀剂层32和导电层31之间设置的是减反射层33。以该结构，通过使用电磁辐射对抗蚀剂层32进行曝光，使用电子束4对抗蚀剂层30进行曝光，可以制备如图8E所示的起伏结构。
通过曝光和显影制备的起伏结构7可以通常光学全息地处理为抗蚀剂底版。所以，之后通过气相沉积或化学沉积施加薄的银层，镍模型在陶瓷槽中制备。该镍模型可以被复制并用作对压印层进行压印用的压印模具。最后，压印层转移到确定的基底上，例如纸币、信用卡或包装材料，有或者没有金属光亮反射背景层。
最终，应该注意，附图不是依照实际尺寸比例的。相反，附图仅适用于图示这里所述的实施例的原理。
Claims (14)
1.一种制备具有成起伏结构(7)形式的抗蚀剂层(3、11、15、22-25、30-32)的基底(1)的方法，所述起伏结构代表衍射结构，其中导电层(2、12、19、20、23、31)至少在一定区域中与所述抗蚀剂层相邻，并且在抗蚀剂层(3、11、15、22-25、30-32)通过电子束(4)的曝光期间，所述导电层散射一次电子和/或产生二次电子，其特征在于，所述抗蚀剂层(3、22、24)是由负性抗蚀剂制成时，所述导电层(2、20、23)从射线方向看设置于所述抗蚀剂层(3、22、24)之后且设置在所述抗蚀剂层和所述基底之间，以及所述抗蚀剂层(11、15、30)是由正性抗蚀剂制成时，所述导电层(12、19、31)从射线方向看设置于所述抗蚀剂层(11、15、30)之前，以及所述抗蚀剂层(3、11、15、22-25、30-32)的材料和所述导电层(2、12、19、20、23、31)的材料以及曝光参数被彼此调节来使得所述抗蚀剂层(3、11、15、22-25、30-32)在与所述电子束(4)碰撞的区域(5)之外也被曝光，从而所述起伏结构(7)的侧面获得倾斜的形状。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述起伏结构(7)制备得具有小于89度的侧面倾斜角度(8)。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述导电层(2、12、19、20、23、31)是由这样的材料制成，所述材料至少包含原子数大于50的一种金属元素。
4.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述导电层(2、12、19、20、23、31)包含元素钨、金、钯、铬、铝或它们的合金中的至少一种。
5.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述导电层(20)从射线方向看设置于所述抗蚀剂层(22)之后时，光学减反射层(21)设置在所述导电层(20)和所述抗蚀剂层(22)之间。
6.根据权利要求5的方法，其特征在于，另一抗蚀剂层(25)涂布在所述抗蚀剂层(24)上，所述另一抗蚀剂层(25)对电磁辐射敏感。
7.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述导电层(12、19、31)从射线方向看设置于所述抗蚀剂层(11、15、30)之前时，在所述抗蚀剂层(11、15、30)之上设置了另一抗蚀剂层。
8.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述抗蚀剂层是由负性抗蚀 剂制成时，所述基底是所述导电层。
9.根据权利要求1-4中任意一个的方法，其特征在于，所述抗蚀剂层是由正性抗蚀剂制成时，所述导电层设置在分离箔上。
10.根据权利要求1的方法，其特征在于，对于所述抗蚀剂层(15、22)使用对电磁辐射的曝光和所述电子束的曝光敏感的抗蚀剂材料，并且所述抗蚀剂层(15、22)的一部分在使用掩模(17)的情形下与电磁辐射相碰撞。
11.根据权利要求7的方法，其特征在于，所述另一抗蚀剂层(25、32)的一部分用电磁辐射曝光，而在射线方向看位于所述另一抗蚀剂层(25、32)之后的抗蚀剂层(24、30)用所述电子束(4)曝光。
12.根据权利要求10或11的方法，其特征在于，所述抗蚀剂层(15、22)用电磁辐射曝光的部分或在所述另一抗蚀剂层(25、32)中，制备了真的全息图。
13.根据权利要求10或11的方法，其特征在于，通过所述抗蚀剂层(15、22)或所述另一抗蚀剂层(25、32)使用电磁辐射的曝光，制备了衍射光栅。
14.根据权利要求1的方法，其特征在于，通过使用所述电子束的曝光，在所述抗蚀剂层(3、11、15、22、24、30)中制备了衍射光栅。
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110928 Termination date: 20150224 |
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