CN1738003A - 晶片切割的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种晶片切割的方法，于切割完毕后能直接进行自动扩片与捡晶。该方法包括：首先提供一晶片，该晶片利用一支撑载具承载，且该支撑载具与该晶片之间依序包含有一黏着层与一扩张膜。接着于该晶片的一表面形成一光致抗蚀剂图案，以定义出该晶片的切割道。随后进行一各向异性蚀刻工艺，去除未被该光致抗蚀剂图案覆盖的该晶片，以形成多个管芯。最后分离该黏着层与该支撑载具。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶片切割的方法，尤指一种于切割完毕后能直接进行自动扩片与捡晶的晶片切割的方法。
背景技术
当晶片经历了数十至数百道半导体工艺而制作出多个呈阵列排列的集成电路或微机电结构后，即会利用切割工艺将晶片切割出多个管芯(die)，以便进行后续的封装工艺，进而制作出可与电路板电连接的芯片(chip)。
请参考图1，图1为一现有利用切割机台进行切割工艺的方法示意图。如图1所示，欲进行切割工艺的一晶片10贴附于一黏着层12上，例如一胶带，而黏着层12同时黏着于一支撑框架14上，藉此固定晶片10的位置。当切割机台完成晶片10的对位后即会利用切割刀16，依照预先设定好的切割道(scribe line)，将晶片10切割成多个管芯18。其中在形成多个管芯18后则可视切割道的线宽进行一扩片工艺，亦即利用拉伸黏着层12使管芯18的间距扩大，以利进行后续的捡晶工艺。
上述利用切割机台的切割刀16进行切割工艺的方式，为目前最广泛使用的切割方式，然而由于切割刀16具有一定的宽度，在半导体工艺的线宽逐渐下降，利用切割刀16的切割工艺已无法应用于高集成度的晶片的切割工艺，而且当晶片表面配置的管芯数目过多时，这种利用切割刀16进行切割工艺的方式，更严重降低产能(throughput)。因此利用蚀刻方式进行切割工艺的方法便成为另一种选择。
请参考图2，图2为一现有利用蚀刻方式进行切割工艺的方法示意图。如图2所示，首先，一欲进行切割工艺的晶片30利用一黏着层32贴附于一支撑载具34上，同时晶片30的表面并包含有一光致抗蚀剂图案36，用以定义切割道图案。接着进行一各向异性蚀刻工艺，去除未被光致抗蚀剂图案36覆盖的晶片30直至蚀穿晶片30，即可形成多个管芯38。
现有技艺利用蚀刻方式进行切割工艺固然可以降低切割道的线宽，增加晶片30表面的管芯配置数目，然而在切割道的线宽变窄的情况下，在进行完切割工艺后，往往无法顺利地进行后续的捡晶工艺。因为支撑载具34为一刚性物体，例如一支撑晶片，因此无法利用前述的扩片工艺，直接利用拉伸黏着层32的方式使管芯38的间距加大。在此情况下，目前现有的作法是将管芯38表面的光致抗蚀剂图案36去除，并将黏着层32去除以分离管芯38与支撑载具34后，再采用人工方式进行捡晶工艺，如此一来将严重影响产能，并可能因人为因素造成管芯38受损而使合格率下降。
有鉴于此，申请人拟提供一种晶片切割的方法，可适用于切割以及后续的自动扩片与捡晶工艺，以达到生产自动化的目的，进而提高产能与合格率。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题是提供一种晶片切割的方法，以克服现有技术无法解决的难题。
根据本发明的一个优选实施例，提供一种晶片切割的方法，其包括：提供一支撑载具，且该支撑载具的一上表面依序包含有一黏着层与一扩张膜；提供一晶片，并将该晶片的一底表面贴附于该扩张膜上；进行一切割工艺，将该晶片切割成多个管芯；以及分离该扩张膜与该支撑载具。
根据本发明的另一优选实施例，提供一种晶片切割的方法。首先提供一晶片，该晶片利用一支撑载具承载，且该支撑载具与该晶片之间依序包含有一黏着层与一扩张膜。接着于该晶片的一表面形成一光致抗蚀剂图案，以定义出该晶片的切割道。随后进行一各向异性蚀刻工艺，去除未被该光致抗蚀剂图案覆盖的该晶片，以形成多个管芯。最后分离该黏着层与该支撑载具。
由于本发明晶片切割的方法利用一黏着层与一扩张膜接合晶片与支撑载具，在完成切割工艺而形成多个管芯后，再利用不伤害扩张膜的方式，如加热或照光，分离扩张膜与支撑载具。因此当扩张膜与无法扩张的支撑载具分离后，便可直接进行一自动扩片工艺来增加管芯的间距，以利后续捡晶与焊晶工艺。
为了便于更近一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图。然而附图仅供参考与辅助说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为一现有利用切割机台进行切割工艺的方法示意图；
图2为一现有利用蚀刻方式进行切割工艺的方法示意图；
图3至图8为本发明一优选实施例进行切割工艺的方法示意图。
附图标记说明
10 晶片 12 黏着层
14 支撑框架 16 切割刀
18 管芯 30 晶片
32 黏着层 34 支撑载具
36 光致抗蚀剂图案 38 管芯
50 支撑载具 52 黏着层
54 扩张膜 56 晶片
58 光致抗蚀剂图案 60 管芯
具体实施方式
请参考图3至图8，图3至图8为本发明一优选实施例进行切割工艺的方法示意图。如图3所示，首先提供一支撑载具50，如一空白晶片，并于支撑载具50的表面依序形成一黏着层52与一扩张膜54，其中扩张膜54为一可扩张并具有黏性的薄膜，例如一塑性材质的薄膜，黏着层52则为一热分离胶带或一紫外线胶带等可利用加热或照射紫外线等方式加以去除的胶带，或为其它具黏性且于去除过程中不会影响扩张膜54的黏性的材质。如图4所示，接着将一晶片56贴附并固定于扩张膜54的表面。
如图5所示，接着于晶片56的表面涂布一光致抗蚀剂层(图未示)，并利用曝光暨显影工艺形成一光致抗蚀剂图案58，用以于晶片56的表面定义出切割道图案。然后如图6所示，进行一各向异性蚀刻工艺，例如一干式蚀刻，蚀刻未被光致抗蚀剂图案58覆盖的晶片56直至蚀穿晶片56的底部，以形成多个管芯60，最后再将光致抗蚀剂图案58去除。
随后如图7所示，去除黏着层52使扩张膜54与支撑载具50分离。其中分离扩张膜54与支撑载具50的步骤需视黏着层52的特性而采用不同的方式，例如若使用热分离胶带作为黏着层52，则可利用加热方式来分离扩张膜54与支撑载具50，且值得注意的是扩张膜54的熔点必须高于黏着层52的熔点，以避免因温度过高造成扩张膜54丧失其黏性，而使扩张膜54表面的管芯60脱落。另外，若使用紫外线胶带作为黏着层52，则可利用照射紫外线方式使黏着层52丧失其黏性，以分离扩张膜54与支撑载具50。
如图8所示，在扩张膜54已脱离支撑载具50的情况下，由于扩张膜54具有可拉伸的特性，因此可直接进行一自动扩片工艺，亦即利用拉伸扩张膜54使管芯60的间距加大，以利于后续进行自动捡晶工艺与焊晶工艺，进而完成管芯60的封装工艺。
由上述可知，由于本发明晶片切割的方法利用一黏着层与一扩张膜接合晶片与支撑载具，在完成切割工艺而形成多个管芯后，便可利用加热或照光等并不伤害扩张膜的方式分离扩张膜与支撑载具。当扩张膜与无法扩张的支撑载具分离后，由于扩张膜具有可拉伸的特性，因此可直接进行一自动扩片工艺以增加管芯的间距，以利后续捡晶与焊晶工艺。
相较于现有技术，本发明晶片切割的方法由于利用各向异性蚀刻方式进行切割工艺，不仅可达到较精细的切割道线宽，以增加管芯的配置数目，同时于切割工艺完成后更可直接进行自动扩片工艺与自动化捡晶工艺。反观现有技术于利用蚀刻方式进行完切割工艺后，并无法进行扩片工艺，而必须仰赖人工方式捡晶，大幅影响工艺时间及生产合格率。因此，本发明晶片切割的方法可有效提高产能，并减少人工捡晶造成管芯受损的风险。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (19)
1.一种晶片切割的方法，其包括：
提供一支撑载具，且该支撑载具的一上表面依序包含有一黏着层与一扩张膜；
提供一晶片，并将该晶片的一底表面贴附于该扩张膜上；
进行一切割工艺，将该晶片切割成多个管芯；以及
分离该扩张膜与该支撑载具。
2.如权利要求1所述的方法，其中该黏着层为一热分离胶带。
3.如权利要求2所述的方法，其中分离该扩张膜与该支撑载具利用加热方式达成。
4.如权利要求3所述的方法，其中该扩张膜为一具扩张性的胶带，且该胶带的熔点大于该热分离胶带的熔点。
5.如权利要求1所述的方法，其中该黏着层为一紫外线胶。
6.如权利要求5所述的方法，其中分离该扩张膜与该支撑载具利用照射紫外线方式达成。
7.如权利要求6所述的方法，其中该扩张膜为一具扩张性的胶带。
8.如权利要求1所述的方法，其中该切割工艺包括：
于该晶片的一上表面形成一光致抗蚀剂图案，用以定义该晶片的切割道；
进行一各向异性蚀刻工艺，去除未被该光致抗蚀剂图案覆盖的该晶片。
9.如权利要求8所述的方法，另包含于该切割工艺完成后进行一去除该光致抗蚀剂图案的步骤。
10.如权利要求1所述的方法，另包含于分离该扩张膜与该支撑载具后进行一扩片暨捡晶工艺。
11.一种晶片切割的方法，其包括：
提供一晶片，该晶片利用一支撑载具承载，且该支撑载具与该晶片之间依序包含有一黏着层与一扩张膜；
于该晶片的一表面形成一光致抗蚀剂图案，以定义出该晶片的切割道；
进行一各向异性蚀刻工艺，去除未被该光致抗蚀剂图案覆盖的该晶片，以形成多个管芯；以及
分离该黏着层与该支撑载具。
12.如权利要求11所述的方法，其中该黏着层为一热分离胶带。
13.如权利要求12所述的方法，其中分离该扩张膜与该支撑载具利用加热方式达成。
14.如权利要求13所述的方法，其中该扩张膜为一具扩张性的胶带，且该胶带的熔点大于该热分离胶带的熔点。
15.如权利要求11所述的方法，其中该黏着层为一紫外线胶。
16.如权利要求15所述的方法，其中分离该扩张膜与该支撑载具利用照射紫外线方式达成。
17.如权利要求16所述的方法，其中该扩张膜为一具扩张性的胶带。
18.如权利要求11所述的方法，另包含于该各向异性蚀刻工艺完成后进行一去除该光致抗蚀剂图案的步骤。
19.如权利要求11所述的方法，另包含于分离该扩张膜与该支撑载具后进行一扩片暨捡晶工艺。
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