CN1731548A - 环形陶瓷介质电容器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种环形陶瓷介质电容器，其包括二组内电极，每组内电极与一个端电极相互连接；每组内电极包括一或多层导电膜，分属于不同内电极的相邻导电膜之间间隔有陶瓷的介质膜层，介质膜层和内电极导电膜交替层叠；介质膜层与介质保护层一起被叠压形成均质的电容器体；介质保护层、介质膜层均为环状体，二组内电极的导电膜均为环形膜面，电容器体为带通孔的柱体；端电极包括外环端电极与内环端电极，其中内环端电极的金属化膜覆盖在通孔的内壁，而外环端电极的金属化膜覆盖在柱体的外壁。本发明提供一种能对信号或传输电线的高频电干扰具有综合和良好的抑制作用、且具有较好的耐压设计性能的环形陶瓷介质电容器及其制备和应用方法。

Description

环形陶瓷介质电容器

【技术领域】

本发明涉及一种电容器，更具体地说，本发明涉及一种环形结构的高频滤波电容器及其制备方法。

【背景技术】

近年来，随着信息处理设备或通讯设备的数字化、并且伴随着信息处理能力的高速化，由这些设备处理的数字信号明显地向高频化迅速发展。因此，这些设备中产生的噪声有向高频带域中进一步发展的倾向。另一方面，随着这些设备的高压化、小型化及大功率化，消除大功率的高频干扰杂波已经被迅速地列为相关领域技术改造的课题。

为了消除高频噪声，很多电子设备中逐渐增多地采用了可防止电磁波干扰或抑制电压噪声的电子部件。由于电子应用设备的小型化，相应要求这些电子部件也是小型化，并能够抑制高频带域下的电子噪声。其中，陶瓷电容器经常单独或组合地被用作为滤波器件。

但是，常规的电容器的可以等效为是由等效串联电感(ESL)、电容和等效串联电阻(ESR)构成的串联网络，在频率较低的时候，常规的电容器呈现电容特性，即阻抗随频率的增加而降低，通过低阻抗的电容就能够将信号线路中的交流成分短路消失在地线中；当频率变化达到电容器的某一谐振频率，在这点上电容的阻抗等于等效串联电阻ESR。在谐振点以上，由于ESL的作用，电容阻抗随着频率的升高而增加，这是电容呈现电感的阻抗特性。在谐振点以上，由于电容的阻抗增加，因此对信号线路中的高频交流噪声的旁路作用减弱直至消失，所以，随着电子设备中动作频率等的进一步高频化，电容器的在高频带域下的噪声去除效果下降。即传统的陶瓷电容器已不能适应近年来的高频降噪的需要，而且根据分析，电容器的引线电感是造成电容谐振频率过低的重要因素。

针对传统瓷介电容器在高频降噪中已碰到的障碍，有中国的专利文件02245406.3公开了一种引线带端子的穿心电容器，该电容器是将管式瓷介电容器或圆片瓷介电容器或多层陶瓷电容器装在螺纹外电极的外壳中，经焊接内、外电极，两端罐封树脂而制得。据称其可用于高频旁路和抑制射频干扰，具有焊接或压接方便、可靠的优点。但是，该穿心电容器的引出电极仍然在管式瓷介电容器或圆片瓷介电容器的两端轴向方向上延伸，信号线没有得到很好的屏蔽，因此，该结构的电容器在高频条件下的ESL仍然较高，滤波效果不佳。

在此方面还有中国的专利申请文件03138682.2，其公开了一种多层穿心电容器，该多层穿心电容器具有：第1内部导体，配置在电介质基体内；中间内部导体，配置在电介质基体内，经陶瓷层层叠在第1内部导体上；第2内部导体，配置在电介质基体内，经陶瓷层层叠在中间内部导体上；第1端子电极，形成于电介质基体的外侧面，连接于第1内部导体；第2端子电极，形成于电介质基体的外侧面，连接于第2内部导体；和中间端子电极，形成于电介质基体的外侧面，连接于中间内部导体。该电容器是多层片式结构，电极制作在陶瓷体内，有四端电极作为引出电极。其中的两端电极与制作在陶瓷体内电容器的两电极相连，另外的两端电极与制作在陶瓷体内导电金属线的两端相连，在陶瓷体内电容器的两电极之间，内导电金属线从中穿过。使用中，中间端子电极接地，所述第1端子电极和第2端子电极分别连接于传送信号的路径上，当电信号通过陶瓷体内的金属线，在陶瓷体内电容器可对电信号进行滤波。其通过第1内部导体和第2内部导体的结构在其中产生彼此反向地流过的电流，并借此来尽可能地抵消掉等效串联电感(ESL)。但是，该多层穿心电容器主要适合小功率的高频滤波，不能满足高压大功率的滤波要求。

【发明内容】

针对现有技术的上述缺点，本发明所要达到的技术目之一是要提供一种能对信号或传输电线的高频电干扰具有综合和良好的抑制作用、且具有较好的耐压设计性能的环形陶瓷介质电容器及其制备方法。

本发明所要达到的另一技术目的是要提供一种环形陶瓷介质电容器的滤波应用方法。

为此，本发明的技术方案是一种环形陶瓷介质电容器，该陶瓷介质电容器包括二组内电极，每组内电极与一个端电极相互连接；每组内电极包括一或多层导电膜，分属于不同内电极的相邻导电膜之间间隔有陶瓷的介质膜层，介质膜层和内电极导电膜交替层叠；电容器的顶部和底部还包括陶瓷的介质保护层，介质膜层与介质保护层一起被叠压形成均质的电容器体；而且介质保护层、介质膜层均为环状体，二组内电极的导电膜均为环形膜面，电容器体为带通孔的柱体；端电极包括外环端电极与内环端电极，二个端电极均具有连续的金属化膜，其中内环端电极的金属化膜覆盖在所述的通孔的内壁，而外环端电极的金属化膜覆盖在所述柱体的外壁。使用中，通常将本发明电容器的内环端电极与穿过环形陶瓷介质体中心孔的信号导线相焊接，外环端电极直接焊接于线路板接地线上，当电信号从中心的金属导线通过时，信号电流自内环端电极的底部向上分布流动，旁路电流自外环端电极的上部向下分布流动，相反流向的电流对高频干扰电流的抵消作用加上内、外环端电极构成的屏蔽，本发明的环形电容器就能够将杂散的高频噪声有效地滤除。因此，本发明的环形多层陶瓷介质电容器的结构特点使其具有低ESL的特点。

而且根据理论公式，环形多层陶瓷介质电容器的电容量总和按以下公式计算：C＝∑(ε₀ε_rA)/d

其中：ε₀为真空的介电常数，

ε_r为介质材料的介电常数，

A为内电极的叠盖面积，

d为内电极的间距。

根据上述公式，决定电容量的有三个可变的参数，(1)介电常数ε_r，(2)重叠面积A，(3)电极间距d。介电常数ε_r大小受到容量温度系数的要求是有限的，电极的间距考虑到耐压因素的影响也要控制在一定的范围内，重叠面积A可通过增加电极的层数得到增大，但会导致电容器体积增大，减少电极的留边量也可增大重叠面积，但会带来电容器制作上的许多问题。

用户通常需要外径较小的环形电容器，因为其具有结构紧凑坚固的特点，而这种需求可根据上述公式对设计参数进行调整来予以满足。

本发明制得的上述环形电容器有以下特点：

●结构紧凑，适合使用操作；

●额定电压50-3000V(直流电)；50-240V(交流电)；

●低的ESL(等效串联感抗)和ESR(等效串联阻抗)，电容器无极性；

●可靠性性局。

根据本发明制得的上述环形电容器，是理想的旁路、滤波、藕合及抗EMI(电磁波干扰)/RFI(无线电频率干扰)的元件，可在高频场合使用。

作为本发明电容器的具体实施结构，本发明电容器的介质保护层、介质膜层、导电膜和电容器体的截面均为圆环形或正多边环形，且所述介质保护层、介质膜层和导电膜三者的轴心线相互重合，所述通孔与所述柱体的中轴线相互重合。

为了获得不同的电容量或不同耐压等级，本发明电容器令分属于两组不同的内电极的相邻导电膜之间处于大面积叠盖、部分叠盖、邻接零叠盖、分离零叠盖关系其中之一。

所述内电极的材质为银钯合金。

所述端电极的金属化膜为单层结构或多层复合结构。

所述的单层金属化膜的材质为金属Ag。

所述的多层复合金属化膜的材质为Ag-Ni-Sn复合膜或Ag-Ni-Sn.Pb合金形成的复合膜。

本发明不仅仅对所述的环形电容器有效，对类似所述结构的，但外形不同的电容器也有效，即：陶瓷介质体的中心有一圆孔，外周边可以是方形、多边形等其他形状的电容器，仍然有效。

相应地，本发明的又一技术方案是如上所述的环形陶瓷介质电容器的制备方法，该制备方法包括对陶瓷原料进行配料、球磨而制得陶瓷介质材料，所述的制备方法还包括如下操作步骤：

A)采用流延操作，将所述的陶瓷介质材料制成厚度相等或不等的流延膜片，所述流延膜片的厚度范围为0.01mm～0.05mm；

B)在所述流延膜片上采用丝网印刷方法印上环形内电极，进而根据所述电容器的规格和性能要求，将规定片数的印有环形内电极的流延膜片进行组合、层叠；

C)将经过组合、层叠的流延膜片通过等静压或挤压操作制成一定致密度和相应厚度的生坯体；

D)根据所述电容器的外形尺寸要求，在所述生坯体的端面上印刷冲片定位环形图案，并采用高精度的冲孔设备，将所述生坯体冲孔得到环形生坯体；

E)对环形生坯体进行烧结制得的环形瓷体，然后进行无损探伤、分选，去除内部有缺陷的环形瓷体；

F)在合格的环形瓷体的内环表面及外环表面上，采用印刷金属化浆料然后烧结固化的方法或电镀的方法，形成内环端电极的金属化膜与外环端电极的金属化膜，制得所述环形陶瓷介质电容器成品。

在所述的步骤A)中陶瓷介质瓷料可以采用低温烧结的具有NPO(或COG)类超稳定温度性能的配方料或具有X7R类的稳定温度性能的配方料，以极大地降低电容器瓷体的烧结温度。

在所述的步骤B)中，所述环形内电极是采用银钯合金粉制成的内电极浆料印刷而得，银钯合金粉的配方是：银70％±5％，钯30％±5％；这样可极大的降低材料成本。在所述的步骤B)中，采用残留的灰份极低的图案印刷浆料，可消除图案印刷浆料在烧结时对环形瓷介电容器电性能及外观的影响。

在所述的步骤E)中，对环形生坯体进行烧结过程中，烧结的温度范围低于所述环形内电极的熔点；在所述的步骤F)中，所述的金属化膜为单层结构或多层复合结构，其中，所述的单层金属化膜的主要材质为Ag、Au，所述的多层复合的金属化膜的主要材质按层次为Ag-Ni-Sn或Ag-Ni-Sn.Pb合金；

本发明电容器的较佳实施例具有一个环形陶瓷介质体，在环形陶瓷介质体的中心有一个圆孔，圆孔的中轴线与环形陶瓷介质体的中轴线是相同的。所述环形陶瓷介质体是多层介质膜逐层叠压而烧成的均质体，介质膜是采用流延工艺制备而得。介质层采用两种陶瓷介质材料，其中，一种陶瓷介质材料为NPO，其介电常数在10～100之间；另一种陶瓷介质材料为X7R，其介电常数在1000～4000之间。所述环形陶瓷介质体内有两组圆环内电极，第一组圆环内电极与覆盖在圆柱形陶瓷体的圆孔上的内环端电极相连接；第二组圆环内电极与覆盖在圆柱形陶瓷介质体外表面上的外环端电极相连接。第一组和第二组圆环内电极是采用丝网印刷工艺制作，内电极采用银钯合金粉制成的内电极浆料，银钯合金粉的典型配方是：银70％，钯30％。。第一组和第二组圆环内电极面和所述环形陶瓷介质体的中轴线是垂直的，第一组和第二组圆环内电极在沿环形陶瓷介质体的中轴线方向上都不在同一平面上，在环形陶瓷介质体的中轴线方向上，第一组和第二组圆环内电极可以是重叠的，也可以是不重叠的。所述环形陶瓷介质体有两组环形端电极，是作为两组圆环内电极的引出电极，第一组环形端电极被制作在环形陶瓷介质体内圆表面上，第二组环形端电极被制作在环形陶瓷介质体的外圆表面上。所述的第一组环形端电极及第二组环形端电极为金属化的单层导电膜、或多层复合的导电膜，所述的单层导电膜为Ag、Au、膜中之一，所述的多层复合的导电膜为Ag/Ni/Sn或Ag/Ni/Sn-Pb。复合膜中之一。

结合现有技术工艺路线的可能和介质浆料的性质，为落实本发明的上述基本优点，本发明采取如下较具体改进措施：所述第一组和第二组圆环内电极间介质层的厚度大于0.01mm；所述陶瓷介质材料为COG及X7R瓷料。所述的圆环内电极厚度为0.8μm-2μm。

本发明的另一技术方案是如上所述的环形陶瓷介质电容器的应用方法，该陶瓷介质电容器包括二组内电极，每组内电极与一个端电极相互连接；每组内电极包括一或多层导电膜，分属于不同内电极的相邻导电膜之间间隔有陶瓷的介质膜层，介质膜层和内电极导电膜交替层叠；电容器的顶部和底部还包括陶瓷的介质保护层，介质膜层与介质保护层一起被叠压形成均质的电容器体；而且介质保护层、介质膜层均为环状体，二组内电极的导电膜均为环形膜面，电容器体为带通孔的柱体；端电极包括外环端电极与内环端电极，二个端电极均具有连续的金属化膜，其中内环端电极的金属化膜覆盖在所述的通孔的内壁，而外环端电极的金属化膜覆盖在所述柱体的外壁。而所述的电容器连接在滤波电路中，所述电容器的外环端电极的底部与地线相连接，而其内环端电极的底部与滤波电路中的信号线相连接。这样，信号电流自内环端电极的底部向上分布流动，旁路电流自外环端电极的上部向下分布流动，相反流向的电流对高频干扰电流的抵消作用加上外环端电极构成的屏蔽，本发明的环形电容器就能够有效抵消高频干扰电流和串联等效电感，将杂散的高频噪声有效地滤除。而且，环形多层陶瓷介质电容器的结构特点使得该电容器具有ESL低的特点。

总之，本发明的环形电容器具有旁路、滤波、藕合及抗EMI/RFI的特点，适合高频场合使用。

以下，结合具体实施例和附图对本发明的技术解决方案作进一步说明。

【附图说明】

图1为本发明电容器实施例1的结构主示意图。

图2为图1的俯视示意图。

图3为本发明电容器实施例2的结构主示意图。

图4为图2的俯视示意图。

图5为本发明制备方法实施例的流程示意框图。

【具体实施方式】

电容器实施例1：

如图1、2，所示为一种环形陶瓷介质电容器，该陶瓷介质电容器包括二组内电极4、5，内电极4与内环端电极2相互连接，内电极5与外环端电极3相互连接；每组内电极4、5分别包括多层相互平行的导电膜4i、5i，分属于不同内电极的相邻导电膜4i、5i之间间隔有陶瓷的介质膜层1j，介质膜层1j和内电极4、5的导电膜交替层叠；电容器的顶部和底部还包括陶瓷的介质保护层1k、，介质膜层1j与介质保护层1k一起被叠压形成均质的电容器体1；而且介质保护层1k、介质膜层1j均为环状体，二组内电极4、5的导电膜均为环形膜面，电容器体1为带圆形通孔6的圆柱体；二个端电极2、3均具有连续的金属化膜，其中内环端电极2的金属化膜覆盖在圆形通孔6的内壁，而外环端电极3的金属化膜覆盖在圆柱体1的外壁。介质保护层1k、介质膜层1j、导电膜4i、5i和电容器体1的截面均为圆环形，且介质保护层1k、介质膜层1j和导电膜4i、5i三者的轴心线相互重合，圆型通孔6与圆柱体1的中轴线相互重合。其中，圆型通孔6的直径为d，圆柱体1的直径为D，圆柱体1的高度为h；介质膜层1j的厚度大于0.01mm，材料为COG瓷料，内电极导电膜4i、5i厚度为0.8μm-2μm。

分属于两组不同的内电极4、5的相邻导电膜4i与5i之间处于邻接零叠盖关系，即在导电膜4i、5i共同的垂直方向上，相邻导电膜4i、5i彼此在对方表面上的投影面积的叠盖与重合。内电极4、5的材质为银钯合金。

端电极2、3的金属化膜为单层金属Ag结构。

电容器实施例2：

如图1、3，所示为一种环形陶瓷介质电容器，该陶瓷介质电容器包括二组内电极4、5，内电极4与内环端电极2相互连接，内电极5与外环端电极3相互连接；每组内电极4、5分别包括多层相互平行导电膜4i、5i，分属于不同内电极的相邻导电膜4i、5i之间间隔有陶瓷的介质膜层1j，介质膜层1j和内电极导电膜4i、5i交替层叠；电容器的顶部和底部还包括陶瓷的介质保护层1k，介质膜层1j与介质保护层1k一起被叠压形成均质的电容器体1；而且介质保护层1k、介质膜层1j均为环状体，二组内电极的导电膜4i、5i均为环形膜面，电容器体1为带正八边形通孔6的正八边形柱体，二个端电极2、3均具有连续的金属化膜，其中内环端电极2的金属化膜覆盖在正八边形通孔6的内壁，而外环端电极3的金属化膜覆盖在正八边形柱体1的外壁。介质保护层1k、介质膜层1j、导电膜4i、5i和电容器体1的截面均为正八边环形，且所述介质保护层1k、介质膜层1j和导电膜4i、5i三者的轴心线相互重合，正八边形通孔6与正八边形柱体1的中轴线相互重合。其中，圆型通孔6的直径为d，圆柱体1的直径为D，圆柱体1的高度为h；介质膜层1j的厚度大于0.01mm，材料为X7R瓷料，内电极导电膜4i、5i厚度为0.8μm-2μm。

分属于两组不同的内电极的相邻导电膜4i、5i之间处于大面积叠盖关系。内电极的材质为银钯合金。端电极的金属化膜为多Ag-Ni-Sn层复合结构。

制备方法实施例：

如图4所示：一种生产环形陶瓷介质电容器实施例1的制备方法，该制备方法包括将陶瓷介质原料、有机粘合剂及溶剂等按照NPO类型进行配料、球磨操作步骤，制得预期介电常数在10～100之间的浆料，然后进入流延操作步骤，在流延操作中，高频介质瓷料被制成厚度相等或不等的流延膜，制成的流延膜片的厚度范围为0.01mm～0.05mm；

根据环形瓷介电容器的尺寸及电性能要求，在流延膜片上用丝网法印上圆环内电极浆料，内电极浆料导电剂含银70％，钯30％。圆环内电极包括第一组内电极及第二组内电极。将带有内电极图案的流延膜片按所述的电容器的结构要求叠片，然后采用极低灰份残留的高挥发份印刷浆料对层叠后的生坯体印刷冲孔定位图形，再对生坯体进行等静压，获得致密巴块。对所获得的巴块，采用高精度的成型设备，将环形电容器生坯体一次性成型，获得环形生坯体。对生坯体进行排胶，然后采用低于环形内电极熔点的烧结温度进行烧结，制得陶瓷介质电容器的环形瓷体。对环形瓷体进行倒角，以消除电容器的棱角。对倒角后的环形瓷体进行无损探伤检测，以消除具有内部缺陷的环形瓷体，以便大大提高环形电容器的可靠性。

在检测合格的电容器环形瓷体中心通孔的表面及瓷体的外环表面上形成多层复合的Ag-Ni-Sn导电膜，这些方法包括：印刷电极后再烧结固化及电镀。

其最终产品的电容量、额定电压、外形尺寸及所使用的陶瓷介质材料参见表一。

                                          表一

外径D(mm)	介质材料	容量范围	内径d(mm)	厚度h(mm)	额定电压(Vdc)
						2.54±0.133.18±0.138.51±0.138.76±0.139.55±0.1316.3±0.1321.3±0.13	X7R&NPO	10pF-66nf10pF-200nf10pF-2.8μf10pF-6.0μf10pF-8.0μf10pF-15μf10pF-20μf	0.64±1.220.94±1.470.86±2.241.02±2.161.27±1.961.60±2.031.27±1.91	0.64±1.780.64±1.781.02±2.801.40±2.801.65±3.181.40±3.812.03±3.30	2002005007507507501000

Claims (10)

1、一种环形陶瓷介质电容器，该陶瓷介质电容器包括二组内电极(4)、(5)，每组内电极(4)或(5)与一个端电极(2)或(3)相互连接；每组内电极(4)、(5)包括一或多层导电膜(4i)、(5i)，分属于不同内电极的相邻导电膜(4i)、(5i)之间间隔有陶瓷的介质膜层(1j)，所述介质膜层(1j)和内电极导电膜(4i)、(5i)交替层叠；所述电容器的顶部和底部还包括陶瓷的介质保护层(1k)，所述的介质膜层(1j)与介质保护层(1k)一起被叠压形成均质的电容器体(1)；其特征在于：所述的介质保护层(1k)、介质膜层(1j)均为环状体，所述二组内电极的导电膜(4i)、(5i)均为环形膜面，所述的电容器体(1)为带通孔(6)的柱体；所述的端电极包括外环端电极(3)与内环端电极(2)，二个端电极(2)、(3)均具有连续的金属化膜，其中内环端电极(2)的金属化膜覆盖在所述的通孔(6)的内壁，而外环端电极(3)的金属化膜覆盖在所述柱体(1)的外壁。

2、如权利要求1所述的环形陶瓷介质电容器，其特征在于：所述的介质保护层(1k)、介质膜层(1j)、导电膜(4i)、(5i)和电容器体(1)的截面均为圆环形或正多边环形，且所述介质保护层(1k)、介质膜层(1j)和导电膜(4i)、(5i)三者的轴心线相互重合，所述通孔(6)与所述柱体(1)的中轴线相互重合。

3、如权利要求1或2所述的环形陶瓷介质电容器，其特征在于：分属于两组不同的内电极的相邻导电膜(4i)、(5i)之间处于大面积叠盖、部分叠盖、邻接零叠盖、分离零叠盖关系其中之一。

4、如权利要求1或2所述的环形陶瓷介质电容器，其特征在于：所述内电极(4)、(5)的材质为银钯合金。

5、如权利要求1或2所述的环形陶瓷介质电容器，其特征在于：所述端电极(2)、(3)的金属化膜为单层结构或多层复合结构。

6、如权利要求5所述的环形陶瓷介质电容器，其特征在于：所述的单层金属化膜的材质为金属Ag。

7、如权利要求5所述的环形陶瓷介质电容器，其特征在于：所述的多层复合金属化膜的材质为Ag-Ni-Sn或Ag-Ni-Sn.Pb复合膜。

8、一种如权利要求1～7所述的环形陶瓷介质电容器的制备方法，该制备方法包括对陶瓷原料进行配料、球磨而制得陶瓷介质材料，所述的制备方法还包括如下操作步骤：

A)采用流延操作，将所述的陶瓷介质材料制成厚度相等或不等的流延膜片，所述流延膜片的厚度范围为0.01mm～0.05mm；

B)在所述流延膜片上采用丝网印刷方法印上环形内电极，进而根据所述电容器的规格和性能要求，将规定片数的印有环形内电极的流延膜片进行组合、层叠；

C)将经过组合、层叠的流延膜片通过等静压或挤压操作制成一定致密度和相应厚度的生坯体；

D)根据所述电容器的外形尺寸要求，在所述生坯体的端面上印刷冲片定位环形图案，并采用高精度的冲孔设备，将所述生坯体冲孔得到环形生坯体；

E)对环形生坯体进行烧结制得的环形瓷体，然后进行无损探伤、分选，去除内部有缺陷的环形瓷体；

F)在合格的环形瓷体的内环表面及外环表面上，采用印刷金属化浆料然后烧结固化的方法或电镀的方法，形成内环端电极的金属化膜与外环端电极的金属化膜，制得所述环形陶瓷介质电容器成品。

9、如权利要求8所述的环形陶瓷介质电容器的制备方法，其特征在于：在所述的步骤A)中，所述的陶瓷介质材料采用的是COG类或X7R类配方的原料；在所述的步骤B)中，所述环形内电极是采用银钯合金粉制成的内电极浆料印刷而得，银钯合金粉的配方是：银70％±5％，钯30％±5％；在所述的步骤E)中，对环形生坯体进行烧结过程中，烧结的温度范围低于所述环形内电极的熔点；在所述的步骤F)中，所述的金属化膜为单层结构或多层复合结构，其中，所述的单层金属化膜的主要材质为Ag、Au，所述的多层复合的金属化膜的主要材质为Ag-Ni-Sn或Ag-Ni-Sn.Pb。

10、一种如权利要求1～7所述的环形陶瓷介质电容器的应用方法，所述的电容器连接在滤波电路中，其特征在于：所述电容器的外环端电极(3)与地线相连接，而其内环端电极(2)与滤波电路中的信号线相连接。

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