CN1728447A - 具有非可逆电路元件的高频电路模组 - Google Patents

Abstract

一种具有非可逆电路元件的高频电路模组，具有由多层基板构成的电路基板(1)、和含有设在该电路基板(1)上的非可逆电路元件(K1)的高频电路元件K，非可逆电路元件(K1)，具有形成在电路基板(1)的收容部(2)内的由磁性材料的膜部构成的下磁轭(5)、收容在收容部(2)内的铁氧体部件(6)、经由电介体(7)配置在铁氧体部件(6)上的第1、第2、第3中心导体(8、9、10)、磁铁(11)、覆盖该磁铁(11)上和收容部(2)地配设的上磁轭(12)，如果用磁性材料的膜部形成下磁轭(5)，与以往的由金属板构成的下磁轭相比，部件数少、生产性好、廉价，同时能够在厚度方向使非可逆电路元件本体小型化。

Description

具有非可逆电路元件的高频电路模组

技术领域

本发明涉及具有适合用于天线共用器等的非可逆电路元件的高频电路模组。

背景技术

首先说明具有以往的非可逆电路元件的高频电路模组，图19是关于具有以往的非可逆电路元件的高频电路模组，是取下上磁轭的状态的分解立体图，图20是具有以往的非可逆电路元件的高频电路模组的剖视图。

接着，基于图19、图20，说明具有以往的非可逆电路元件的高频电路模组的构成，由叠层多块绝缘板的多层基板构成的电路基板50，具有圆形状的贯通孔50a、设在贯通孔50a的周围的凹部50b、从该凹部50b的底部朝下方设置的多个孔50c、夹持贯通孔50a形成的一对矩形状的孔50d。

此外，在电路基板50上设置布线图形51，同时在电路基板50的上面设置电容器52，该电容器52，经由连接导体53而与设在叠层间的布线图形51连接。

弯折由磁性材料构成的金属板形成的U字状的下磁轭54，具有底板54a、和从该底板54a弯折的1块侧板54b，该下磁轭54，以一对侧板54b穿过电路基板50的孔50d、用底板54a堵塞贯通孔50a的下部的方式，安装在电路基板50上。

圆板状的铁氧体部件55收容在贯通孔50a内，底面与底板54a接触。

在绝缘基板56的一面上经由电介体57上下方向部分交叉地利用薄膜形成中心导体58，具有该中心导体58的绝缘基板56，以翻过来将中心导体58侧作为下侧的状态，放置在凹部50b内，将中心导体58侧载置在铁氧体部件55上。

而且，以此状态，中心导体58的端口部58a，通过填充在孔50c内的连接导体59，连接在位于叠层间的布线图形51上，此外，中心导体58的接地部58b，通过填充在孔50c内的连接导体60，连接在下磁轭54的底板54a上，实现接地。

磁铁61，载置在绝缘基板56上，同时弯折由磁性材料构成的金属板形成的U字状的上磁轭62，具有上板62a、和从该上板62a弯折的1块侧板62b，该上磁轭62，通过以用上板62a覆盖磁铁61的状态，将侧板62b结合在下磁轭54的侧板54b上，与下磁轭54形成闭合磁路，构成以往的非可逆电路元件。

具备如此构成的以往的非可逆电路元件的高频电路模组，通过在电路基板50内收容非可逆电路元件的铁氧体部件55，谋求上下方向(厚度方向)的小型化，但需要由金属板构成的下磁轭54、和用于形成中心导体58的绝缘基板56，因而，不仅部件数多、生产性差、成本高，而且非可逆电路元件本体向厚度方向大型化。

此外，在将绝缘基板56翻过来的状态下，中心导体58的端口部58a，经由连接导体59，连接在位于叠层内的布线图形51上，并且，中心导体58的接地部58b，由于经由连接导体60连接在位于下部的底板54a上，因此其结构复杂，生产性差。

具有以往的非可逆电路元件的高频电路模组，通过在电路基板50内收容非可逆电路元件的铁氧体部件55，谋求上下方向(厚度方向)的小型化，但需要由金属板构成的下磁轭54、和用于形成中心导体58的绝缘基板56，因而，存在不仅部件数多、生产性差、成本高，而且非可逆电路元件本体向厚度方向大型化的问题。

此外，在将绝缘基板56翻过来的状态下，中心导体58的端口部58a，经由连接导体59，连接在位于叠层内的布线图形51上，并且，由于中心导体58的接地部58b，经由连接导体60连接在位于下部的底板54a上，因此存在其结构复杂，生产性差的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种具有生产性好、廉价且小型的非可逆电路元件的高频电路模组。

作为解决上述问题的第1解决方案，形成以下构成，具有：电路基板，具有布线图形，由叠层多个绝缘板的多层基板构成、高频电路元件，含有设在该电路基板上的非可逆电路元件、形成在该电路基板上的高频电路，在所述电路基板上，设置由具有底面的凹部构成的收容部；所述非可逆电路元件，具有：下磁轭，由形成在所述收容部的侧面和所述底面上的磁性材料的膜部构成、收容在所述收容部内的铁氧体部件、第1、第2、第3中心导体，经由电介体以上下方向部分交叉的方式，配置在所述铁氧体部件上、磁铁，以用铁氧体部件夹持所述第1、第2、第3中心导体的方式，配置在所述第1、第2、第3中心导体上、上磁轭，以覆盖该磁铁上和所述收容部的方式配设，与所述下磁轭构成闭合磁路。

此外，作为第2解决方案，其构成是，所述下磁轭由铁镀膜形成。

此外，作为第3解决方案，其构成是，在所述下磁轭的所述铁镀膜上设置银镀膜。

此外，作为第4解决方案，其构成是，在位于所述收容部的外周附近的所述电路基板的表面上，设置由与所述下磁轭相同的材料构成的磁性膜部，用所述磁性膜部的位置结合所述上磁轭。

此外，作为第5解决方案，其构成是，所述中心导体和所述电介体，直接通过厚膜形成在所述铁氧体部件上。

此外，作为第6解决方案，其构成是，所述中心导体各自，具有从一端延伸的端口部、和从另一端延伸的接地部，在所述铁氧体部件的侧面上，设置所述端口部和所述接地部，所述接地部与所述下磁轭连接。

此外，作为第7解决方案，其构成是，所述铁氧体部件，由四边形的板材形成，在所述铁氧体部件对向的所述侧面上，形成所述端口部和所述接地部。

此外，作为第8解决方案，其构成是，在所述收容部的所述底面上，设置与所述下磁轭非导通的多个连接图形，同时在所述电路基板上，设置与所述各连接图形连接的多个电容器，所述端口部与所述连接图形连接。

此外，作为第9解决方案，其构成是，所述电容器，设在所述电路基板的表面上，所述电容器和所述连接图形，通过设在所述电路基板的内层上的连接导体连接。

此外，作为第10解决方案，其构成是，所述高频电路元件，具有由表面弹性波元件构成的双工器，该双工器搭载在所述电路基板上，构成共用发送电路和接收电路的天线的天线共用器。

本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组，其构成是，具有：电路基板，具有布线图形，由叠层多个绝缘板的多层基板构成；高频电路元件，含有设在该电路基板上的非可逆电路元件；形成在该电路基板上的高频电路。在电路基板上，设置由具有底面的凹部构成的收容部；非可逆电路元件，具有：下磁轭，由形成在收容部的侧面和底面上的磁性材料的膜部构成；收容在收容部内的铁氧体部件；第1、第2、第3中心导体，经由电介体以上下方向部分交叉的方式配置在铁氧体部件上；磁铁，以用铁氧体部件夹持第1、第2、第3中心导体的方式配置在第1、第2、第3中心导体上；上磁轭，以覆盖该磁铁上和收容部的方式配设，与下磁轭构成闭合磁路。

如此，如果采用由磁性材料的膜部形成下磁轭，与以往的由金属板构成的下磁轭相比，部件数少、生产性好、廉价，且能够在厚度方向使非可逆电路元件本体小型化。

此外，由于下磁轭由铁镀膜形成，所以容易形成下磁轭，能够得到生产性良好的下磁轭。

此外，由于在下磁轭的铁镀膜上设置银镀膜，所以能够减小下磁轭的电阻，能够提高下磁轭上的电流的流动性，得到性能良好的下磁轭。

此外，由于在位于收容部的外周附近的电路基板的表面上设置由与下磁轭相同的材料构成的磁性膜部，在磁性膜部的位置结合上磁轭，因此能够容易进行下磁轭和上磁轭的结合，能够得到良好的组装性。

此外，由于中心导体和电介体直接通过厚膜形成在铁氧体部件上，所以不需要以往的绝缘基板，部件数减少、生产性好、廉价，同时能够在厚度方向使非可逆电路元件本体小型化。

此外，由于中心导体分别具有从一端延伸的端口部、和从另一端延伸的接地部，在铁氧体部件的侧面上，设置端口部和接地部，接地部与下磁轭连接，因此能够易于在下磁轭上连接接地部，能够使生产性良好。

此外，由于铁氧体部件用四边形的板材形成，在铁氧体部件对向的侧面上形成端口部和接地部，所以能够易于在铁氧体部件上形成端口部和接地部，能够使生产性好。

此外，由于在收容部的底面上设置与下磁轭非导通的多个连接图形，同时在电路基板上，设置与各连接图形连接的多个电容器，端口部与连接图形连接，因此容易在连接图形上连接端口部，能够提高生产性。

此外，由于电容器设在电路基板的表面上，电容器和连接图形通过设在电路基板的内层上的连接导体连接，因此电容器能够配置在电路基板表面的任意的位置上，能够提高电路基板的设计的自由度。

此外，由于高频电路元件具有由表面弹性波元件构成的双工器，该双工器搭载在电路基板上，构成共用发送电路和接收电路的天线的天线共用器，因此能够使组装在电路基板上的非可逆电路元件的厚度方向的高度大致与搭载在电路基板上的双工器相等，能够得到薄型的天线共用器。

附图说明

图1是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的主要部位的俯视图。

图2是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的主要部位的俯视图。

图3是表示本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的取下上磁轭和磁铁的状态的主要部位的俯视图。

图4是表示本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的收容部的状态的电路基板的俯视图。

图5是表示本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的收容部的状态的电路基板的主要部位的立体图。

图6是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的铁氧体部件的立体图。

图7是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的翻转铁氧体部件的状态的立体图。

图8在本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的由隔离器构成的非可逆电路元件的等价电路图。

图9是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的由循环器构成的非可逆电路元件的等价电路图。

图10是将本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组使用天线共用器时的电路图。

图11是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的用于说明非可逆电路元件的制造方法的大尺寸铁氧体部件的俯视图。

图12是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的用于说明非可逆电路元件的制造方法的大尺寸铁氧体部件的仰视图。

图13是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的用于说明非可逆电路元件的制造方法的立体图。

图14是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第2实施例中的铁氧体部件的立体图。

图15是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第2实施例的翻转铁氧体部件的状态的立体图。

图16是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第2实施例的用于说明非可逆电路元件的制造方法的大尺寸铁氧体部件的俯视图。

图17是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第2实施例的用于说明非可逆电路元件的制造方法的大尺寸铁氧体部件的仰视图。

图18是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第2实施例的用于说明非可逆电路元件的制造方法的立体图。

图19是以往的具有非可逆电路元件的高频电路模组的取下上磁轭的状态的分解立体图。

图20是以往的具有非可逆电路元件的高频电路模组的剖视图。

图中：1—电路基板，2—收容部，2a—底面，2b—侧面，3—布线图形，3a—连接图形，4—连接导体，K—高频电路元件，K1—非可逆电路元件，C1—第1电容器，C2—第2电容器，C3—第3电容器，R—电阻器，5—下磁轭，5a—磁性膜部，6—铁氧体部件，6a—一面(上面)，6b、6c—侧面，7—电介体，8—第1中心导体，8a—端口部，8b—接地部，8c—接线部，8d—接地膜部，9—第2中心导体，9a—端口部，9b—接地部，9c—接线部，10—第3中心导体，10a—端口部，10b—接地部，10c—接线部，11—磁铁，12—上磁轭，K2—双工器，k3—功率放大器，K4—SAW滤波器，A—天线，A1—天线端子，13—发送侧端子，14—接收侧端子，15—大尺寸铁氧体部件，16—带状铁氧体部件，16a、16b—侧面，17—隔板，S1、S2—双点划线。

具体实施方式

如果说明本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组，图1是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例中的主要部位的俯视图，图2是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例中的主要部位的俯视图，图3是在本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例中，表示取下上磁轭和磁铁的状态的主要部位的俯视图。

此外，图4是表示本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的收容部的状态的电路基板的俯视图，图5是表示本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的收容部的状态的电路基板的主要部位的立体图，图6是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例中的铁氧体部件的立体图，图7是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的翻转铁氧体部件的状态的立体图。

此外，图8是在本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例中，由隔离器构成的非可逆电路元件的等价电路图，图9是在本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例中，由循环器构成的非可逆电路元件的等价电路图，图10是将本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组使用天线共用器时的电路图。

此外，图11是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的用于说明非可逆电路元件的制造方法的大尺寸铁氧体部件的俯视图，图12是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的用于说明非可逆电路元件的制造方法的大尺寸铁氧体部件的仰视图，图13是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例的用于说明非可逆电路元件的制造方法的立体图。

此外，图14是本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第2实施例中的铁氧体部件的立体图，图15是在本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第2实施例中，翻转铁氧体部件的状态的立体图，图16是在本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第2实施例中，用于说明非可逆电路元件的制造方法的大尺寸铁氧体部件的俯视图，图17是在本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第2实施例中，用于说明非可逆电路元件的制造方法的大尺寸铁氧体部件的仰视图，图18是在本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第2实施例中，用于说明非可逆电路元件的制造方法的立体图。

下面，参照图1～图7说明本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组，用于天线共用器等的高频电路模组的电路基板1，由叠层多块LTCC(低温烧制陶瓷)等绝缘板的多层基板构成，在一面(上面侧)上设置具有底面2a和侧面2b的四边形状的凹部构成的收容部2。

然后，在该电路基板1的上面或叠层间设置布线图形，同时在收容部2的底面2a设置布线图形3的一部分即多个(3个)连接图形3a，这些连接图形3a，通过设在电路基板1内的由银等构成的各自的连接导体4，与设在电路基板1的上面的布线图形3连接。

第1电容器C1、第2电容器C2、第3电容器C3，由芯片型的电容器或通过薄膜或者厚膜形成的电容器构成，第1电容器C1、第2电容器C2、第3电容器C3，与设在收容部2的附近的电路基板1的上面的布线图形3连接，以分散在收容部的外周的状态配置，同时电阻器R，由芯片型的电阻器或通过薄膜或者厚膜形成的电阻器构成，该电阻器R，在第3电容器C3附近与布线图形3连接。

另外，此处未图示，形成第1电容器C1、第2电容器C2、第3电容器C3、或电阻器R以外的电容器或电阻器等各种电子元件搭载在电路基板1上的构成。

接着，说明高频电路元件K1之一即由隔离器构成的非可逆电路元件K1的构成，其构成包括：形成在电路基板1上的下磁轭5；由YIG(Yttriumiron garnet)等构成的四边形的板材构成的铁氧体部件6；以经由电介体7上下方向一部分交叉的状态形成在铁氧体部件6上的第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10；配置在第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10上的磁铁；覆盖磁铁11地配置，与下磁轭结合并与下磁轭5形成闭合磁路的上磁轭12；第1电容器C1、第2电容器C2、第3电容器C3；电阻器R。

下面，详细说明非可逆电路元件K1的构成，接地用的下磁轭5，具有：膜部5，通过磁性材料即铁等的镀膜等形成，设在收容部2的底面2a和侧面2b上的磁性材料；磁性膜部5b，连接在该膜部5a上，设在位于收容部2的外周附近的电路基板1的上面(表面)上。

另外，下磁轭5，也可以在收容部2收容预先形成“ュ”形状或箱状的磁性板。

然后，设在收容部2的内面的膜部5a形成与连接图形3a非导通的状态，同时设在电路基板1的表面上的磁性膜部5b连接在接地用的布线图形上。

其结果，第1电容器C1、第2电容器C2、第3电容器C3和电阻器R一方侧的电极，与连接在连接导体4上的热侧的布线图形3连接，同时第1电容器C1、第2电容器C2、第3电容器C3和电阻器R另一方侧的电极，与连接在磁性膜部5b上的接地侧的布线图形3连接实现接地。

在铁氧体部件6的一面6a侧(上面侧)上直接利用蒸镀或溅射等薄膜技术、或印刷或涂布等厚膜技术形成。电介体7和第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10。

并且，电介体7，在是薄膜或厚膜的情况下，使用氮化硅、钛酸钡系、钛酸铅系等，此外，第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10，在是薄膜的情况下，使用银或铝等，另外，在是厚膜的情况下，使用银膏或银-钯膏。

此外，第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10，尤其，如图6、图7所示，具有从一端延伸的端口部8a、9a、10a，和从另一端延伸的接地部8b、9b、10b，该端口部8a、9a、10a和接地部8b、9b、10b，设在与四边形的铁氧体部件6对向的侧面6b、6c上，同时在铁氧体部件6对向的另一侧面6d(下面侧)上设置接地膜部8d，其处于与连接在端口部8a、9a、10a上的接线部8c、9c、10c、和连接在接地部8b、9b、10b上的接线部8c、9c、10c非导通的状态。

然后，将具有如此构成的铁氧体部件6插入收容部2内，将各接线部8c、9c、10c放置在连接图形3a上，把端口部8a、9a、10a软钎焊连接在连接图形3a上，同时在底面2a上的膜部5a上载置接地膜部8d，将接地部8b、9b、10b软钎焊在下磁轭5上接地。

其结果，第1中心导体8，形成端口部8a侧经由连接图形3a连接在第1电容器C1的一端侧上、接地部8b侧与下磁轭5接地的状态；此外，第2中心导体9，形成端口部9a侧经由连接图形3a连接在第2电容器C2的一端侧上、接地部9b侧与下磁轭5接地的状态；另外，第3中心导体10，形成端口部10a侧经由连接图形3a连接在第3电容器C3和电阻器R的一端侧上、接地部10b侧与下磁轭5接地的状态。

平板状的磁铁11放置在第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10上，同时由磁性板构成的“コ”形状或箱状的上磁轭12，覆盖磁铁11和收容部2地配置。

然后，上磁轭12的侧部软钎焊在下磁轭5的磁性膜部5b上，同时上磁轭12与下磁轭5磁耦合，与下磁轭5形成闭合磁路，构成由隔离器构成的非可逆电路元件K1。

具有如此构成的由隔离器形成的非可逆电路元件K1，如图8的等价电路图所示，形成：第1中心导体8的端口部8a和第1电容器C1的一端连接，第1中心导体8的接地部8b和第1电容器C1的另一端接地的状态，此外，形成：第2中心导体9的端口部9a和第2电容器C2的一端连接，第2中心导体9的接地部9b和第2电容器C2的另一端接地的状态，另外，形成：第3中心导体10的端口部10a和第3电容器C3及电阻器R的一端连接，第3中心导体10的接地部10b和第3电容器C3的另一端接地的状态。

另外，在上述实施例中，用由隔离器构成的非可逆电路元件进行了说明，但也可以用无电阻器R的由循环器构成的非可逆电路元件。

并且，由循环器构成的非可逆电路元件，如图9的等价电路图所示，形成：第1中心导体8的端口部8a和第1电容器C1的一端连接，第1中心导体8的接地部8b和第1电容器C1的另一端接地的状态，此外，形成：第2中心导体9的端口部9a和第2电容器C2的一端连接，第2中心导体9的接地部9b和第2电容器C2的另一端接地的状态，另外，形成第3中心导体10的端口部10a和第3电容器C3及电阻器R的一端连接，第3中心导体10的接地部10b和第3电容器C3的另一端接地的状态。

此外，在电路基板1的一面侧形成高频电路元件K，搭载由表面弹性波元件构成的双工器K2，同时在该电路基板1上除了非可逆电路元件K1或由双工器K2构成的高频电路元件K外，此处未图示，但搭载功率放大器K3或由表面弹性波构成的SAW滤波器K4，形成具有高频电路的天线共用器。

另外，图10是在天线共用器中应用本发明的高频电路模组时的电路图，该天线共用器的发送侧，具有与天线端子A1连接的双工器K2、与该双工器K2连接的非可逆电路元件K1、与该非可逆电路元件K1连接的功率放大器K3、发送侧端子13，从发送侧端子13输入的发送信号被功率放大器K3放大，通过非可逆电路元件K1。

此外，该非可逆电路元件K1，是用天线反射被功率放大器K3放大的发送信号，防止向功率放大器K3逆流的高频电路元件K，通过该非可逆电路元件K1，阻止信号从天线A侧向功率放大器K3流动，同时通过非可逆电路元件Ki的发送信号，经由双工器K2，从天线端子A1输出。

另外，天线共用器的发送侧，具有与天线端子A1连接的双工器K2、与该双工器K2连接的SAW滤波器K4、和接收侧端子14，从天线端子A1输入的接收信号，经由双工器K2，通过带通滤波器即SAW滤波器K4，从接收侧端子14输出。

另外，该双工器K2由2个带通滤波器(未图示)构成，在发送信号的频带，高频连接天线端子A1和非可逆电路元件K1，在接收信号的频带，高频连接天线端子A1和SAW滤波器K4。

下面，参照图11～图13说明本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第1实施例中的非可逆电路元件的制造方法，首先，如图11、图12所示，准备四边形的大尺寸铁氧体部件15，在该大尺寸铁氧体部件15上，能够以多个短条状形成四边形的带状铁氧体部件16。

此外，在图11、图12所示的实施例中，用双点划线S1的位置划分大尺寸铁氧体部件15，能够形成3个带状铁氧体部件16，同时由该双点划线S1、和与该双点划线S1正交的双点划线S2划分的四边形的区域分别形成单一的铁氧体部件6。

接着，如图11所示，在大尺寸铁氧体部件15的上面的分别与带状铁氧体部件16对应的位置上，利用厚膜或薄膜一列地形成多组第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10和电介体7，同时，如图12所示，在大尺寸铁氧体部件15的下面的分别与带状铁氧体部件16对应的位置上利用厚膜或薄膜形成多组第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10的接线部8c、9c、10c及与该接线部8c、9c、10c非导通状态的接地膜部8d。

此时，多组的各个第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10和接地部8b、9b、10b的端部，以位于带状铁氧体部件16的纵向(双点划线S1方向)的侧部的方式配置，其结果，在相邻的带状铁氧体部件16间中心导体8、9、10彼此间成连接状态。

接着，如果沿双点划线S1的位置切断大尺寸铁氧体部件15，如图13所示，以多个短条状，形成四边形的带状铁氧体部件16，同时在各带状铁氧体部件16上形成纵向配置的对向的侧面16a、16b。

而后，如图13所示，多张带状铁氧体部件16形成相同朝向(中心导体侧为上方的状态)，经由板状的隔板17叠层。

另外，也可以不使用隔板17，叠层多张带状铁氧体部件16。

接着，在叠层多张带状铁氧体部件16的状态下，如图13所示，在多张带状铁氧体部件16的侧面16a上通过相同的工序，形成端口部或接地部，同时也在多张带状铁氧体部件16的侧面16b上，通过相同的工序，形成端口部或接地部。

于是，如图6、图7所示，形成：第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10的端口部8a、9a、10a与接线部8c、9c、10c连接，同时各铁氧体部件6上的第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10和接地部8b、9b、10b与接地膜部8d连接的状态。

接着，如果沿双点划线S2的位置切断各大尺寸铁氧体部件16，形成图6、图7所示的各铁氧体部件6，结束本发明的非可逆电路元件的铁氧体部件6的制造。

此外，图14、图15，根据本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第2实施例，说明该第2实施例的构成，在铁氧体部件6的另一面(下面)上沿有第1实施例中形成的接线部8c、9c、10c和接地膜部8d，第2实施例的铁氧体部件6的其它构成与第1实施例相同，对于同一部件，附加同一符号，此处省略其说明。

下面，参照图16～图18说明本发明的具有非可逆电路元件的高频电路模组的第2实施例中的非可逆电路元件的制造方法，首先，如图16、图17所示，准备四边形的大尺寸铁氧体部件15，在该大尺寸铁氧体部件15上，能够以多个短条状形成四边形的带状铁氧体部件16。

此外，在图16、图17所示的实施例中，沿双点划线S1的位置划分大尺寸铁氧体部件15，能够形成3个带状铁氧体部件16，同时由该双点划线S1、和与该双点划线S1正交的双点划线S2划分的四边形的区域分别形成单一的铁氧体部件6。

接着，如图16所示，形成：在大尺寸铁氧体部件15的上面分别与带状铁氧体部件16对应的位置上利用厚膜或薄膜一列地形成多组第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10和电介体7，同时，如图17所示，在大尺寸铁氧体部件15的下面成为什么也不形成的状态。

此时，多组的各个第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10和接地部8b、9b、10b的端部，以位于带状铁氧体部件16的纵向(双点划线S1方向)的侧部的方式配置，其结果，在相邻的带状铁氧体部件16间中心导体8、9、10彼此间成连接状态。

接着，如果用双点划线S1的位置切断大尺寸铁氧体部件15，如图18所示，以多个短条状，形成四边形的带状铁氧体部件16，同时在各个带状铁氧体部件16上，形成纵向配置的对向的侧面16a、16b。

而后，如图18所示，多张带状铁氧体部件16形成相同朝向(中心导体侧为上方的状态)，经由板状的隔板17叠层。

另外，也可以不使用隔板17，叠层多张带状铁氧体部件16。

接着，在叠层多张带状铁氧体部件16的状态下，如图18所示，在多张带状铁氧体部件16的侧面16a上，通过相同的工序，形成端口部或接地部，同时也在多张带状铁氧体部件16的侧面16b上通过相同的工序，形成端口部或接地部。

于是，如图14、图15所示，形成在各铁氧体部件6上的第1中心导体8、第2中心导体9、第3中心导体10上，形成与端口部8a、9a、10a的接地部8b、9b、10b的状态。

接着，如果沿双点划线S2的位置切断各个大尺寸铁氧体部件16，形成图14、图15所示的各个铁氧体部件6，结束本发明的非可逆电路元件的铁氧体部件6的制造。

另外，在上述实施例中，说明了从大尺寸铁氧体部件1 5形成带状铁氧体部件16，但也可以预先形成带状铁氧体部件16，在该带状铁氧体部件16上形成中心导体。

Claims (10)

1.一种具有非可逆电路元件的高频电路模组，其特征在于：

具有：

电路基板，其具有布线图形，由叠层多块绝缘板的多层基板构成；

高频电路元件，其含有设在该电路基板上的非可逆电路元件；

形成在上述电路基板上的高频电路，

在所述电路基板上设置由具有底面的凹部构成的收容部，

所述非可逆电路元件，具有：

下磁轭，其由形成在所述收容部的侧面和所述底面上的磁性材料的膜部构成；

收容在所述收容部内的铁氧体部件；

第1、第2、第3中心导体，其夹隔电介体以上下方向部分交叉的方式配置在所述铁氧体部件上；

磁铁，其配置在所述第1、第2、第3中心导体上，并由该磁铁与所述铁氧体部件夹着所述第1、第2、第3中心导体；

上磁轭，其以覆盖该磁铁上和所述收容部的方式配设，与所述下磁轭构成闭合磁路。

2.如权利要求1所述的具有非可逆电路元件的高频电路模组，其特征在于：所述下磁轭通过铁镀膜形成。

3.如权利要求2所述的具有非可逆电路元件的高频电路模组，其特征在于：在所述下磁轭的所述铁镀膜上设置银镀膜。

4.如权利要求1所述的具有非可逆电路元件的高频电路模组，其特征在于：在位于所述收容部的外周附近的所述电路基板的表面上设置由与所述下磁轭相同的材料构成的磁性膜部，以所述磁性膜部的位置结合所述上磁轭。

5.如权利要求1所述的具有非可逆电路元件的高频电路模组，其特征在于：所述中心导体和所述电介体，直接通过厚膜形成在所述铁氧体部件上。

6.如权利要求1所述的具有非可逆电路元件的高频电路模组，其特征在于：所述中心导体分别具有从一端延伸的端口部、和从另一端延伸的接地部，在所述铁氧体部件的侧面上设置所述端口部和所述接地部，所述接地部与所述下磁轭连接。

7.如权利要求6所述的具有非可逆电路元件的高频电路模组，其特征在于：所述铁氧体部件由四边形的板材形成，在所述铁氧体部件对向的所述侧面上形成所述端口部和所述接地部。

8.如权利要求6所述的具有非可逆电路元件的高频电路模组，其特征在于：在所述收容部的所述底面上设置与所述下磁轭非导通的多个连接图形，同时在所述电路基板上设置与所述各连接图形连接的多个电容器，所述端口部与所述连接图形连接。

9.如权利要求8所述的具有非可逆电路元件的高频电路模组，其特征在于：所述电容器，设在所述电路基板的表面上，所述电容器和所述连接图形通过设在所述电路基板的内层上的连接导体连接。

10.如权利要求1所述的具有非可逆电路元件的高频电路模组，其特征在于：所述高频电路元件，具有由表面弹性波元件构成的双工器，该双工器搭载在所述电路基板上，构成共用发送电路和接收电路的天线的天线共用器。

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