CN1702884A - 一种有机发光表面元件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种制造有机发光表面元件(OLED)的方法，其中首先一个第一连接电极、一个有机功能层和一个第二连接电极被相继沉积在一个基材上，所述方法用于以干涉层系统的形式制造第二连接电极，该干涉层系统具有n个金属子层和n+1个氧化物子层，所述层级被成对沉积，即每组中间包含一个金属子层，其中n是整数且≥1。对于设计覆盖大表面积的顶端－发射器OLED，这种方法具有非常高的透光性的优点，同时保持位于远离基材的连接电极的薄膜电阻很低，从而允许在小于10V的情况下进行操作。
Description
技术领域
本发明涉及一种制造包含权利要求1的前序所述特征的有机发光表面元件的方法。本发明还涉及有机发光表面元件，所述有机发光表面元件可用上述方法制造。
背景技术
这类表面元件也被称为有机发光二极管(在下文中缩写为OLED)。功能层系或多层是此类OLED的必要组件，该功能层系或多层是基于有机材料的，并且它的制造有一些限制，特别是与温度相关的限制。OLED的基本结构包括一个刚性或柔性的基材(玻璃、塑料、晶片、印刷电路板、胶片等)，在沉积真正发光层系统之前，一个通常透明的连接电极(前电极)被首先沉积在该基材上。一个连接电极(后电极)随后被沉积在这个层系统上。一旦在两个连接电极之间施加一个电压，就可以产生光，并且电流在其间流动。
本领域普通技术人员不仅熟悉具有不透明的后电极的OLED(例如U.S.4,539,507)，还熟悉具有透明的后电极的OLED(参阅U.S.5,703,436和5,707,745)，由于前一种OLED通过透明基材发射光所以也叫做“底部发射器”，后一种OLED可以被建造在不透明的基材上，在这种情况下它们被称为“顶部发射器”。但是，在后一个例子中，即使当基材和功能层系统至少在处于关闭状态是透明的时，OLED也可以是完全透明的。
由于OLED将电流转化为光，当元件覆盖一个大的表面积时，这两个电极必须可以传导大量的电流。典型的电流密度为50mA/cm2。但是，在光透明度的要求和通常伴随较低薄膜电阻的连接电极的较大的层厚度的要求之间确实存在矛盾。可以理解，一个比较厚的(金属或导电的氧化物)电极同时具有较低的薄膜电阻和较低的透光率。
连接电极可以通过梳状电极(例如，该电极可以是遍步连接电极表面的薄金属导体轨迹)或更经常地通过置于连接电极边缘的母线提供电压。后一种配置的好处是侧面母线可以在边缘区域内被光学镀膜，并且通过对发光元件的锁定(lock-through)，该侧面母线是不可见的。
位于邻近基材的透明铟锡氧化物(ITO)前电极在显示器应用中很普遍。例如，该类电极可以是150nm厚并具有一个约为10Ω/平方单位的薄膜电阻(从而获得150μΩ/cm的精确电阻)。当一个2.5A的电流被接入通过母线在两侧接触的连接电极时，这导致了从显示器的边缘到它的中心之间的一个12.5V的压降。然而，这个差别与预期的10V操作电压不相容。
此外，这样低的薄膜电阻只能在电极层被置于200℃或更高温度的基片上才能实现(例如通过磁场辅助的阴极溅射)。由于有机层在如此的高温下将会分解，上述沉积过程使这样的电极像位于远离基材的OLED后电极一样没有用处。
尽管由纯金属层(例如金或银)构成的连接电极也是可能的，反过来，只有存在比较低的厚度和相对高的薄膜电阻时，它们才是足够透明的(关于金，参见X.Zhou等，Appl.Phys.Lett.81(2002)，922)。
本领域普通技术人员对将玻璃或塑料基材上的光学高度透明的层系统用做可以反射红外辐射的绝热层是很熟悉的。由于这样的层系统由特定顺序的各自带有不同折射率的电介质(氧化物、氧氮化物等)和金属层组成，它们也被称为干涉层系统。电介质层对于金属层有一个反射降低效应，从而减少了它们自身的高光反射。当同时具有很低的厚度(在几毫微米范围内)和很低的欧姆薄膜电阻时，这些层系统具有大于7 5％的非常高的透光率。
此外，这些层系统还被描述作为邻近基材并用于大表面显示器(例如平板显示器)的电极(DE 197 33 053 A1，DE 199 48 839 A1，DE 10039 412 A1)。另外，可以提供多个金属层，并且每个金属层分别嵌在两个绝缘层之间。ITO适用于氧化物层而银适用于金属层。然而，目前这样的电极很少用于OLED显示器的应用中。一方面，可以用普通ITO电极实现的导电性(同时确保同步的高透明性)对LCD已经完全够用。另一方面，在沉积后，层几乎总是由湿-化学方法构成(再细分为区域)，在多层系统中很难实现该湿-化学方法，因为在蚀刻时氧化物和金属层表现不同，因此不能产生特别清楚的界线。而使用激光束构造这样的层系也是已知的。
发明内容
本发明的目的是使有机发光表面元件的上述类型也可以从远离基材的一端显示高的透光率，其中位于远离基材端的电极是用于维持尽可能低的薄膜电阻，且它的沉积在可以与有机功能层相匹配的温度下进行。
根据本发明，在功能层被沉积后，包含至少一个金属层和其间含有金属层的至少两个氧化层的干涉层系被沉积到表面元件上，从而实现了上述目的。这样的氧化物层也被称为“透明导体氧化物”，缩写为TCO。铟锡氧化物(ITO)只是众多可用材料中的一种，尽管它也是这种应用中最常用的。铟铈氧化物(ICO)也可以在这里使用。另外，可以使用锡氧化物和锌氧化物制造TCO层，其中金属掺杂可以增强或产生导电性。
上述层系统也可称为“IMI”层，其中“I”代表ITO而“M”代表金属层。如果两个(或更多个)金属层中的每一个都有一个中间TCO层，它们可以被称为IMIMI层。但是，这个名称并没有排除其它TCO材料的使用。
尽管，如提到的，这样的层系统本身是已知的，但将它们用做远离基材的顶部电极并不为本领域普通技术人员所知晓。例如，这些系统不能被完全沉积然后整体地被构建(局部刻蚀)；相反它们必须被一层一层地刻蚀。此外，以前有观点认为有机发光层显示的热稳定性太低以至于不能接受层系统的这种方式的沉积。通常，单独的ITO层在相对高的温度下被沉积在基材上，以便层可以显示尽量低的薄膜电阻。另外，ITO可以只通过溅射而不是蒸汽沉积的方式被沉积，其中溅射微粒以相当大的能量(高达10eV)撞击基材表面。在传统的蒸汽沉积过程中，撞击微粒具有最大能量为0.3eV的较低能量，该能量对有机层没有不利的影响。
最重要的是，这样的透明连接电极最好充当用于顶部-发射器类型OLED(被动矩阵、主动矩阵、像素显示、照明符号)和发射表面(台灯、衬套、墙纸等)的覆盖层，其中发射的光不需或不打算通过基材本身辐射。显然当干涉层系统被沉积，基材中的工艺温度必须不能超过有机功能层不受损害的承受限度。温度限制为大约80℃，并且当通过溅射沉积位于远离基材的连接电极时也一直保持。如果需要，可以对基材和已经沉积在其上的那些层进行冷却。
这样的远离基材的连接电极，在被沉积后，不必被构建或再细分；然而，在“显示”模式中，它只充当用于全部显示器像素的一个普通电极。由于临近基材并处于像素下的电极被再次细分(构建)，所以像素被单独或“一个像素接着一个像素”地触发。在这种情况下，每个像素可以通过控制或位于基材上的总线，或通过相关的交换电子来激活。此外，通过使用独立装填物，像素被相互分开，从而导致相邻的像素未被激活。
在“发光表面”的应用中，连接电极不需要被细分，因为在整个区域维持尽量均匀的能量供应是很重要的。
根据本发明的远离基材的连接电极的特征在于高哈克Q(Haacke′sQ)因子，例如通过在光学透光度(按百分比)和薄膜电阻(按Ω/平方单位)间的一个良好比率。
由于不需要建构远离基材的电极，层系统可以被蚀刻到的最差程度不再是缺点。用于透明导体氧化物的沉积或溅射过程可以被设置为当镀膜开始时基材是冷的，并且初始时使用低溅射速率。当层变厚时可以增加该速率。这种方法得到的TCO层(例如ITO或ICO层)可以随后显示出稍高的薄膜电阻，尽管，在整个层系统中，薄膜电阻主要通过金属层的低电阻来定义。
最初的TCO层被沉积到有机层系统上后，该TCO层在后续的层沉积中保护该系统，这使后续步骤的实现变得相对简单。
由一些每层中带有一个中间的TCO层的金属层组成的三明治的沉积，可以更全面地降低薄膜电阻。TCO层的光学干涉行为使得这样的三明治层系统对可见光保持高的透明度。然而，如果金属层太厚，它会马上变为不透明。
TCO层可以从金属目标以更适宜的方式喷射出来(在工作空气中使用氧气成分)；但是层也可以从处于惰性(氩)气体中的氧化物目标中被沉积。反过来，金属层必然在惰性(氩)气体中被沉积。
附图说明
通过实施例的展示和下面的详细说明，将使本发明的细节和优点变得更明显。
图是示意图，其中：
图1显示了处于“播放”状态的一个主动矩阵OLED的视图，其中突出了一个可以被单独激发的单个像素。
图2显示了具有如本发明结构的OLED的横截面。
具体实施方式
一个主动矩阵OLED被构建为基材1上的顶部发射器显示器件；可以被激发为整体发光的发射表面3的边缘2与基材1的边缘圆周形地保持一小段距离。发射表面3强调一个单独的像素4以及通向它的总线5。像素4被这些线单独激发。发射表面3的整体被其它像素覆盖，这些像素没有在此显示。
图2阐明了层结构，这个主动矩阵OLED就是基于该结构；根据本发明，该OLED具有一个透明的IMI顶部电极。从基材1开始，随后是总线5和交换电极6，再后是远离基材的较低栅状电极7。基材1和栅状电极7可能对可见光是透明的(底部发射器)或不透明的(对于顶部发射器)。在由例如ITO，即按照上述现有技术所描述的方式的金属或多层系统组成的电极7上，沉积着由有机材料构成的发光功能层8。反过来，这个功能层可以包含多个子层——未在此示出。这样的有机发光功能层经常在文章中被描述，因此在此就不需要过多地讨论它们了。
一个远离基材且被设置为干涉层系统的高度透明连接电极被沉积在发射层上，该电极整体被指定为9。该系统包括一个直接沉积于功能层8上的第一导电氧化物子层9.1。该系统还包括一个金属的易导电的子层9.2和一个第二导电氧化物子层9.3。
用一组箭头标出功能层8的优选发光方向和穿过远离基材的连接电极9(当作为顶部发射器使用时)的光线通道。
干涉层系统的子层优选地通过直流阴极溅射在真空中进行溅射，如果需要可以用磁场辅助(磁溅射)。这个方法是已知的，并且经常被描述。因此，涉及特定的溅射参数(工作气体、氧局部气压、层厚度、溅射速率)，可以参考相关的现有技术，特别是DE 199 48 839 A1。
在优选实施例中，两个导电氧化物层由ITO构成，金属层由银构成，如果需要可以结合占重量的10％的铜，用于增加它们的硬度和机械抵抗力。除了ITO，铟铈氧化物(ICO)也可以被沉积为一个氧化物导电层。临近基材的电极7也可以类似地由ITO构成。它不必是透明的且可以例如为150nm厚；功能层8为50-500nm，优选为150nm厚。子层9.1的厚度为30-70nm，金属子层9.2为5-20nm厚，氧化物子层9.3为30-70nm厚。上述厚度比率已经在图2中予以考虑，虽然它显然不能被测量。
连接电极9的透光率是80％或更多(朝向空气)。整体上，它的薄膜电阻是小于4Ω/平方单位，最好小于3Ω/平方单位，而2.5Ω/平方单位是最理想的。按这种方式装备的表面元件最理想的是用于上述类型的大区域应用的顶部发射器。此外，这些应用还可以在低于10V的低电压下操作，该电压最适合应用于这样的例子中。
Claims (15)
1.一种制造有机发光表面元件(OLED)的方法，其中首先一个第一电极，一个有机功能层和一个第二电极被相继沉积在一个基材(1)上，其特征在于所述第二连接电极以透明干涉层系统的形式制造，该透明干涉层系统具有n个金属子层(9.2)和n+1个透明导体氧化物子层(9.1，9.3)，上述子层成对沉积，每对中间包含一个金属子层，其中n是整数且≥1。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述子层通过直流溅射或脉冲直流溅射或交流-叠加的直流溅射(磁控溅射)沉积。
3.按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述氧化物子层(9.1，9.3)在反应工作气体中由金属或合金阴极被溅射。
4.按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述氧化物子层(9.1，9.3)在惰性工作气体中由氧化物阴极被溅射。
5.按照上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于所述氧化物子层(9.1，9.3)以铟锡氧化物或铟铈氧化物的形式被沉积。
6.按照上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于所述金属子层(9.2)，在惰性工作气体中，由银或银与其它金属特别是铜的合金被沉积。
7.按照上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于位于远离基材的所述连接电极(9)被沉积为具有小于3Ω/平方单位，优选小于2.5Ω/平方单位的薄膜电阻的层系，并且所述电极对于可见光的透光率高于80％。
8.按照上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于在沉积位于远离基材的所述连接电极(9)的过程中，不能超过80℃的基材温度，如果需要可以通过冷却所述基材和已经沉积在上面的那些层来限制所述温度。
9.按照上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于如果位于远离基材的所述连接电极(9)具有优选的150nm的总厚度，所述氧化物子层被沉积为厚度介于30-70nm之间且所述金属子层被沉积为厚度介于5-20nm之间。
10.一种包含一个基材(1)、一个邻近基材的电极(7)、一个适于发射光的有机可激活功能层(8)和远离基材的透明电极(9)，特别是根据上述方法权利要求中任一项所制造的光发射表面元件，其特征在于所述远离基材的透明连接电极(9)包括具有n个金属子层(9.2)和n+1个透明导体氧化物子层(9.1，9.3)的干涉层系统，所述子层被成对沉积，每对中间包含一个金属子层，其中n是整数且≥1。
11.按照权利要求10所述的表面元件，其中所述基材(1)由玻璃、塑料胶片或晶片组成。
12.按照权利要求10或11所述的表面元件，该元件的远离基材的连接电极(9)包括至少两个由铟锡氧化物或铟铈氧化物组成的氧化物子层(9.1，9.3)，以及至少一个由银或银与另一种金属，优选铜的合金构成的金属子层(9.2)。
13.根据上述的产品权利要求中的任一项所述的表面元件，其中所述功能层(8)被细分为像素，以便制造一个可以被一个像素一个像素激发的顶部发射显示器，所述远离基材的连接电极(9)充当所有像素的共同采集器。
14.根据权利要求10-12中的任一项所述的表面元件，其中所述功能层(8)和电极(7，9)不再被细分，以便形成均匀发光的顶部发射器区域(3)。
15.一种使用根据上述的产品权利要求中的任一项所述的表面元件的方法，所述表面元件被用作一个顶部发射器OLED，特别适用于覆盖一个较大表面区域的应用。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101960638A (zh) * | 2007-12-27 | 2011-01-26 | 法国圣-戈班玻璃公司 | 用于有机发光器件的基板、以及包括该基板的有机发光器件 |
| CN102246220A (zh) * | 2008-12-09 | 2011-11-16 | 伊格尼斯创新公司 | 用于发射型显示器的低功率电路和驱动方法 |
| CN107421681A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种压力传感器及其制作方法 |
| CN115411205A (zh) * | 2021-05-28 | 2022-11-29 | 曜凌光电股份有限公司 | 发光装置 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8339031B2 (en) * | 2006-09-07 | 2012-12-25 | Saint-Gobain Glass France | Substrate for an organic light-emitting device, use and process for manufacturing this substrate, and organic light-emitting device |
| TWI338533B (en) * | 2006-09-18 | 2011-03-01 | Au Optronics Corp | White organic electroluminescent elements and display using the same |
| CN102941711B (zh) * | 2006-11-17 | 2016-08-24 | 法国圣-戈班玻璃公司 | 用于有机发光装置的电极、其酸蚀刻以及包括它的有机发光装置 |
| FR2913146B1 (fr) * | 2007-02-23 | 2009-05-01 | Saint Gobain | Electrode discontinue, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et leurs fabrications |
| KR100928959B1 (ko) | 2007-08-28 | 2009-11-26 | (주)알지비테크놀러지 | 고분자 유기발광 필름 벽지 |
| FR2924274B1 (fr) * | 2007-11-22 | 2012-11-30 | Saint Gobain | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication |
| FR2936358B1 (fr) | 2008-09-24 | 2011-01-21 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'un masque a ouvertures submillimetriques pour grille electroconductrice submillimetrique, masque a ouverture submillimetriques, grille electroconductrice submillimetrique. |
| FR2936362B1 (fr) | 2008-09-25 | 2010-09-10 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une grille surgrille, grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une surgrille |
| FR2944145B1 (fr) | 2009-04-02 | 2011-08-26 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee |
| FR2955575B1 (fr) | 2010-01-22 | 2012-02-24 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat. |
| KR101708847B1 (ko) | 2010-04-08 | 2017-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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| KR102392914B1 (ko) * | 2020-08-24 | 2022-04-29 | 고려대학교 산학협력단 | 유기발광소자용 전극 및 그 전극을 포함하는 유기발광소자 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4539507A (en) * | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
| US4859532A (en) * | 1986-11-27 | 1989-08-22 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent laminated product |
| JPH02251428A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 透明導電性フィルム |
| US5707745A (en) * | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
| US5703436A (en) * | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
| GB2332094A (en) * | 1996-09-04 | 1999-06-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Electrode deposition for organic light-emitting devices |
| JP4354019B2 (ja) * | 1997-04-18 | 2009-10-28 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| DE69729394T2 (de) * | 1996-11-29 | 2005-06-02 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Organische elektrolumineszente Vorrichtung |
| US5998803A (en) * | 1997-05-29 | 1999-12-07 | The Trustees Of Princeton University | Organic light emitting device containing a hole injection enhancement layer |
| JPH10183112A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-14 | Sony Corp | 電界発光素子 |
| DE19733053A1 (de) * | 1997-07-31 | 1999-02-04 | Leybold Ag | Transparentes Substrat |
| JP2000012879A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Toppan Printing Co Ltd | 光電変換素子用透明電極およびそれを用いた光電変換素子 |
| CA2353506A1 (en) * | 1998-11-02 | 2000-05-11 | 3M Innovative Properties Company | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays |
| GB9907120D0 (en) * | 1998-12-16 | 1999-05-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light-emissive devices |
| EP1076368A2 (en) * | 1999-08-11 | 2001-02-14 | Eastman Kodak Company | A surface-emitting organic light-emitting diode |
| DE19948839A1 (de) * | 1999-10-11 | 2001-04-12 | Bps Alzenau Gmbh | Leitende transparente Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JP2001160486A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-12 | Sony Corp | 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ |
| US6884093B2 (en) * | 2000-10-03 | 2005-04-26 | The Trustees Of Princeton University | Organic triodes with novel grid structures and method of production |
| US6841932B2 (en) * | 2001-03-08 | 2005-01-11 | Xerox Corporation | Display devices with organic-metal mixed layer |
| US7071615B2 (en) * | 2001-08-20 | 2006-07-04 | Universal Display Corporation | Transparent electrodes |
| US6569697B2 (en) * | 2001-08-20 | 2003-05-27 | Universal Display Corporation | Method of fabricating electrodes |
| US6765351B2 (en) * | 2001-12-20 | 2004-07-20 | The Trustees Of Princeton University | Organic optoelectronic device structures |
| DE10215210B4 (de) * | 2002-03-28 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
| JP2004079422A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US6965197B2 (en) * | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101960638A (zh) * | 2007-12-27 | 2011-01-26 | 法国圣-戈班玻璃公司 | 用于有机发光器件的基板、以及包括该基板的有机发光器件 |
| CN102246220A (zh) * | 2008-12-09 | 2011-11-16 | 伊格尼斯创新公司 | 用于发射型显示器的低功率电路和驱动方法 |
| CN107421681A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种压力传感器及其制作方法 |
| CN115411205A (zh) * | 2021-05-28 | 2022-11-29 | 曜凌光电股份有限公司 | 发光装置 |
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