发送和接收天线开关
本发明涉及一种诸如移动终端、双频带或多频带移动电话等或者任何其它发送和接收设备之类的设备,或者涉及一种用于这种设备的模块。这种设备包括一个用于切换一个或多个发送支路的天线开关,所述发送支路的每一个通过至少一个频带发送信号,所述天线开关位于天线与所述发送和接收支路之间,所述接收支路的每一个通过至少一个频带接收信号。
本发明还涉及一种用于切换发送支路的天线开关,所述发送支路的每一个通过天线和至少一个频带发送信号,其中有至少两个接收支路,每一个接收支路通过至少一个频带和所述天线接收信号。
本发明还涉及一种用于切换发送支路的方法,所述发送支路的每一个通过天线和至少一个频带发送信号,其中有至少两个接收支路,每一个接收支路通过至少一个频带和所述天线接收信号。
这种双频带或多频带移动电话例如用在时分多址(TDMA)系统中。
从公开了混合射频切换设备的EP 1 152 543 A1可知一种现有技术的系统。根据此设备(EP 1 152 543 A1的图8、9),天线开关包括一个用于切换两个发送支路的二极管。第一发送支路(Tx GSM)通过第一低通滤波器耦合到低通+高通滤波器,而第二发送支路(TxDCS/PCS)通过第二低通滤波器耦合到所述低通+高通滤波器。此低通+高通滤波器进一步耦合到所述二极管。
尤其由于下述事实,所述已知系统是不利的:所述支路以一种复杂的方式彼此隔离,结果,所述已知系统将具有高射频(RF)损耗。
本发明的一个目的尤其是提供一种低成本设备或用于这种设备的模块,其中至少两个支路以一种简单的方式彼此隔离。
本发明的另一个目的尤其是提供一种低成本天线开关,用来以一种简单的方式使至少两个支路彼此隔离。
本发明的又一个目的尤其是提供一种方法,借此以一种简单的方式使至少两个支路彼此隔离。
根据本发明的设备或模块包括:
-至少两个发送支路,每一个发送支路通过至少一个频带发送信号,
-至少两个接收支路,每一个接收支路通过至少一个频带接收信号,
-用于切换所述发送支路的天线开关,以及
-通过所述天线开关耦合到所述支路的天线,
其中所述天线开关包括在第一发送支路与所述天线之间串联耦合的至少一个第一半导体开关和在第二发送支路与所述天线之间串联耦合的至少一个第二半导体开关,以及与至少一个接收支路并联耦合的至少一个第三半导体开关。
通过向天线开关提供诸如PIN二极管或MEMS开关或pHEMT开关之类的所述半导体开关,将所述发送支路和所述接收支路以一种简单的方式彼此很好地隔离。在通过第一发送支路进行发送期间,第一和第三半导体开关是导通的,而第二半导体开关是不导通的。结果,来自第一发送支路的高功率发送信号不能进入第二发送支路(不导通的第二半导体开关),并且不能进入所述接收支路(由导通的第三半导体开关短路)。在通过第二发送支路进行发送期间,第二和第三半导体开关是导通的,而第一半导体开关是不导通的。结果,来自第二发送支路的高功率发送信号不能进入第一发送支路(不导通的第一半导体开关),并且不能进入所述接收支路(由导通的第三半导体开关短路)。在接收期间,所有半导体开关都是不导通的。结果,低功率接收信号不能进入两个发送支路(不导通的第一和第二半导体开关),而可以进入所述接收支路(其现在未被当前不导通的第三半导体开关短路)。
在根据本发明的设备的一个实施例中,所述天线开关配有像例如PIN二极管或MEMS开关或pHEMT开关之类的第四半导体开关。由此,所述发送支路和所述另外的接收支路仍以一种简单方式被彼此隔离。在发送期间,第四半导体开关是导通的,结果,来自第一或第二发送支路的高功率发送信号不能进入所述另外的接收支路(由导通的第四半导体开关短路)。在接收期间,此第四半导体开关是不导通的,结果,低功率接收信号可以进入所述另外的接收支路(其现在未被当前不导通的第三半导体开关短路)。所述第三和第四半导体的组合允许有利地引入如下所述的另外的元件。
在根据本发明的设备的一个实施例中,所述第三半导体开关的一侧耦合到所述至少一个接收支路,并通过电感耦合到所述第一和第二半导体开关,而另一侧通过电容耦合到地,所述第四半导体开关的一侧通过所述电容耦合到地,而另一侧耦合到所述至少一个另外的接收支路,并通过另外的电容耦合到所述第一和第二半导体开关。通过向天线开关提供电容,所述第三和第四半导体开关被耦合到用于射频(RF)信号的地。所述电感和所述另外的电容提供用于源自发送支路并将被发送的高功率信号的高阻抗,并提供高频带与低频带的分离。
在根据本发明的设备的一个实施例中,所述天线开关被制成没有传输线的,这在已经引入所述半导体开关、所述电感和所述另外的电容之后是可能的,使用了较少的组件,这减少了系统的成本和尺寸以及高射频(RF)损耗。实际上,所述电感和所述另外的电容一起来取代一条或多条现有技术的传输线。
在根据本发明的设备的一个实施例中,所述第一发送支路在900MHz频带内进行发送,所述第二发送支路在1800/1900MHz频带内进行发送,所述至少一个接收支路在900MHz频带内进行接收,以及所述至少一个另外的接收支路包括用于在1800MHz频带内进行接收的第一另外的接收支路以及用于在1900MHz频带内进行接收的第二另外的接收支路。
尤其是(但不仅仅是)对于900MHz频带、1800MHz频带和1900MHz频带,重要的是提供一种具有简单拓扑的设备和天线开关。
在所述设备的一个实施例中,所述天线开关包括至少一条传输线,所述传输线的一侧耦合到所述第一半导体开关的一侧和所述天线,而所述传输线的另一侧耦合到所述第三半导体开关,以及所述传输线的抽头耦合到所述第二半导体开关的一侧。
通过向天线开关提供传输线,所述第一、第二和第三半导体开关被紧凑地耦合,并且接收支路可以根据各种可能性来被控制(切换)。代替利用具有抽头的一条传输线,当然也可以利用两条串联的传输线。
在根据本发明的设备的一个实施例中,所述天线开关还包括每接收支路的一个晶体管开关,并且该晶体管开关被串联耦合在所述接收支路和所述传输线之间。
通过向天线开关提供每接收支路的一个晶体管开关,由于所述第三半导体开关连同所述传输线一起在发送期间保护(短路)接收支路以防源自发送支路并将被发送的高功率信号,所以这些晶体管开关可以是小尺寸的,并且进一步减少了系统的尺寸。作为上述内容的另一结果,像例如砷化镓(GaAs)pHEMT开关之类的晶体管开关可以为MESFET或RF CMOS开关所取代,所述MESFET或RF CMOS开关减少了对砷化镓供应商的依赖性,因此减少了成本。与具有每(发送和接收)支路一个晶体管开关(和/或由于需要切换的高功率发送信号导致的每发送支路的多个串联的晶体管开关)的现有技术解决方案相比,第六实施例已经减少了高射频(RF)损耗(由于并联和/或串联连接的晶体管较少),并且避免(由所述传输线取代)了用于发送支路的大的晶体管开关,从而导致减小了尺寸(这些晶体管开关必须较大以便能够切换高功率发送信号)。
根据本发明的天线开关和根据本发明的方法的实施例对应于根据本发明的设备或用于所述设备的模块的实施例。
应该看到,由于只是在发送模式期间是导通的(其中所述发送模式的激活的时间间隔通常比接收模式的短,并且所述发送模式需要如此大的发送功率,以至于在发送模式期间任何偏置功率都是无关的),所以所述半导体开关可以是任何类型的半导体开关,例如各种二极管、晶体管等。
本发明尤其基于下述认识:现有技术的支路以一种昂贵而复杂的方式被隔离。并且尤其基于下述基本思想:每发送支路的一个串联半导体开关和用于一个或多个接收支路的并联半导体开关以一种低成本和简单的方式提供了良好的隔离,所述并联半导体开关用于在发送期间对所述一个或多个接收支路进行短路。
本发明尤其解决了提供低成本系统的问题,在所述低成本系统中,将至少两个支路以一种简单的方式彼此隔离,并且本发明在减少系统的尺寸方面是尤其有利的,而如由第一至第七实施例限定的许多另外的优点和/或改进现在是可能的。
还应该看到,例如在TDMA系统的双频带或多频带移动电话中,重要的是将发送支路彼此隔离、将接收支路彼此隔离、以及将发送支路与接收支路隔离并且反之亦然。
参考下述实施例,本发明的这些及其它方面将是显而易见的,并将被阐明。
图1是具有根据本发明的天线开关的设备的方框图,所述天线开关具有四个半导体开关,以及
图2是具有根据本发明的天线开关的设备的方框图,所述天线开关具有三个半导体开关、一条传输线和三个晶体管开关。
图1所示的根据本发明的设备例如是诸如双频带或多频带移动电话之类的移动终端。所述设备包括根据本发明的天线开关1,发送支路2和3,接收支路4、5和6,以及天线7。所示设备可以是完全的即用装置,但是也可以是用于这种完全的即用装置的模块,例如RF前端模块。天线开关1包括第一半导体开关11和第二半导体开关12,所述第一半导体开关11的阳极耦合到第一发送支路2,以及其阴极通过电容20耦合到天线7,所述第二半导体开关12的阳极耦合到第二发送支路3,以及其阴极通过电容20耦合到天线7。所述阴极还耦合到桥接电路,所述桥接电路包括两个并联耦合的串联电路:第一串联电路包括电感15和第三半导体开关13,其电感15耦合到所述阴极,以及其第三半导体开关13还通过电容17耦合到地;第二串联电路包括电容16和第四半导体开关14,其电容16耦合到所述阴极,以及其第四半导体开关14还通过电容17耦合到地。在电感15与第三半导体开关13之间的节点耦合到第一接收支路6以及通过电容19耦合到地。在电容16与第四半导体开关14之间的节点耦合到第二接收支路5和第三接收支路4,以及通过电感18耦合到地。
在根据本发明的设备中,第一半导体开关11串联耦合在第一发送支路2与天线7之间(注意术语“耦合”并不排除其间存在其它元件,例如电容20)。第二半导体开关12串联耦合在第二发送支路3与天线7之间(对于术语“耦合”,参见上文)。第三半导体开关13与至少一个接收支路6并联耦合(注意术语“并联耦合”用来表示第三半导体开关13未串联耦合在至少一个接收支路6与天线7之间;鉴于在接收支路6与天线7之间的耦合,所述第三半导体开关13与此耦合并联地耦合)。第四半导体开关14与至少一个另外的接收支路4、5并联耦合,并与所述第三半导体开关13并联耦合(对于术语“并联耦合”,参见上文)。
通过向天线开关1提供像例如PIN二极管或MEMS开关或pHEMT开关之类的所述半导体开关11、12、13和14,将所述发送支路和所述接收支路以一种简单的方式彼此很好地隔离:在通过第一发送支路2发送期间,第一、第三和第四半导体开关11、13和14是导通的,而第二半导体开关12是不导通的。结果,来自第一发送支路2的高功率信号不能进入第二发送支路3(不导通的第二半导体开关12),并且不能进入所述接收支路4、5和6(由导通的第三和/或第四半导体开关13和/或14短路)。在通过第二发送支路3发送期间,第二、第三和第四半导体开关12、13和14是导通的,而第一半导体开关11是不导通的。结果,来自第二发送支路3的高功率发送信号不能进入第一发送支路2(不导通的第一半导体开关11),并且不能进入所述接收支路4、5和6(由导通的第三和/或第四半导体开关13和/或14短路)。在接收期间,所有的半导体开关11-14都是不导通的。结果,低功率接收信号不能进入两个发送支路2和3(不导通的第一和第二半导体开关11和12),而可以进入所述接收支路(其现在未被当前不导通的第三和第四半导体开关13和14短路),而在所述接收支路中的滤波器(参见下文)负责对这些低功率接收信号进行适当的滤波。
电容17使得第三和第四半导体开关13和14耦合到用于射频(RF)信号的地。电感15和电容16提供用于源自发送支路2和3并将被发送的高功率信号的高阻抗,并提供高频带与低频带的分离。
在已经引入所述半导体开关11、12、13和14连同电感15和电容16之后,天线开关1可被制成没有传输线的,并且使用较少的组件,这减少了系统的成本和尺寸以及高射频(RF)损耗。实际上,电感15和电容16一起来取代一条或多条现有技术的传输线。
第一发送支路2和第一接收支路6例如使用900MHz的频带,第二发送支路3和第二接收支路5例如使用1800MHz的频带,以及第二发送支路3和第三接收支路4例如使用1900MHz的频带。尤其是(但不仅仅是)对于这些频带,重要的是提供一种具有简单拓扑的系统和天线开关。所以不排除其它频带,并且不排除另外的支路,像例如用于第四频带的第三发送支路和第四接收支路,和/或将所述第二发送支路3分成未示出的两个子支路3a和3b,每一个用于其自身的频带等。
第一和第二发送支路2和3例如包括(每一个或一起)通过每个发送支路2、3的滤波器耦合到天线开关1的功率放大器。此滤波器例如包括第一电感和第一电容的并联电路,所述并联电路的每一侧通过第二/第三电容和第一/第二传输线耦合到地,所述并联电路的一侧是与功率放大器耦合的滤波器输入,以及所述并联电路的另一侧耦合到第四电容的一侧,所述第四电容的另一侧形成与对应的半导体开关耦合的滤波器输出,所述对应的半导体开关的另一侧进一步通过第二电感耦合到偏置输入/输出,所述偏置输入/输出进一步通过第五电容耦合到地。至少所述第二电感和/或至少所述滤波器的一个电容用来调谐包括电感15和电容16的电路的谐振频率。
第一、第二和第三接收支路4、5和6例如包括(每一个或一起)通过用于每个接收支路4、5、6的滤波器耦合到天线开关1的低噪声放大器。此滤波器例如包括声表面波(SAW)滤波器或体声波(BAW)滤波器,其输入与滤波器输入耦合,以及其输出与电容的一侧耦合,所述滤波器输入进一步通过电感彼此耦合,所述电容的另一侧形成与所述电桥耦合的滤波器输出。对于第一和第二接收支路4和5,两个滤波器和两个电容连同电感18一起形成频带分离网络。电感15和电容1 6将三个(接收)频带分成两个(接收)频带加一个(接收)频带,所述两个(接收)频带通过例如所述SAW滤波器或BAW滤波器而彼此分离。结果,半导体开关11、12、13和14可以是廉价的PIN二极管,而不是使用更昂贵的pHEMT技术。
半导体开关11-14的偏置可以通过DC电流来实现,所述DC电流从所述偏置输入/输出通过所述第二电感和所述第一/第二半导体开关11/12、电感15、第三半导体开关13和第四半导体开关14以及电感18流到地。应该注意到,所述半导体的极性对射频(RF)信号没有任何影响,它仅对偏置的情况是重要的。优选地,选择极性,以便以最大效率利用偏置电流:如图1所示,一个偏置电流可以用于第一/第二半导体开关11/12和第三半导体开关13以及第四半导体开关14。
图2所示的根据本发明的设备包括天线开关10以及如图1中的发送支路2和3,接收支路4、5和6,以及天线7。天线开关10包括第一半导体开关21和第二半导体开关22,所述第一半导体开关21的阴极耦合到第一发送支路2,以及其阳极通过电容30耦合到天线7,所述第二半导体开关22的阴极耦合到第二发送支路3,以及其阳极耦合到传输线24、25的抽头。此传输线24、25的一端与第一半导体开关21的阳极耦合,而此传输线24、25的另一端与第三半导体开关23的阴极耦合。第三半导体开关23的阳极通过电容29耦合到地。第三半导体开关23的所述阴极进一步耦合到三个晶体管开关26、27和28的第一主电极,所述晶体管开关的第二主电极耦合到第三、第二和第一接收支路4、5和6。
在根据本发明的设备中,第一半导体开关21串联耦合在第一发送支路2与天线7之间(注意术语“耦合”并不排除其间存在其它元件,例如电容30)。第二半导体开关22串联耦合在第二发送支路3与天线7之间(对于术语“耦合”,参见上文)。第三半导体开关23与至少一个接收支路4、5、6并联耦合(注意术语“并联耦合”用来表示第三半导体开关23未串联耦合在至少一个接收支路4、5、6与天线7之间;鉴于在接收支路4、5、6与天线7之间的耦合,所述第三半导体开关23与此耦合并联地耦合)。
通过向天线开关10提供像例如PIN二极管或MEMS开关或pHEMT开关之类的所述半导体开关21、22和23,将所述发送支路和所述接收支路以一种简单的方式彼此很好地隔离:在通过第一发送支路2发送期间,第一和第三半导体开关21和23是导通的,而第二半导体开关22是不导通的。结果,来自第一发送支路2的高功率发送信号不能进入第二发送支路3(不导通的第二半导体开关22),并且不能进入所述接收支路4、5和6(由导通的第三半导体开关23短路)。在通过第二发送支路3发送期间,第二和第三半导体开关22和23是导通的,而第一半导体开关21是不导通的。结果,来自第二发送支路3的高功率发送信号不能进入第一发送支路2(不导通的第一半导体开关21),并且不能进入所述接收支路4、5和6(由导通的第三半导体开关23短路)。在接收期间,所有的半导体开关21-23都是不导通的。结果,低功率接收信号不能进入两个发送支路2和3(不导通的第一和第二半导体开关21和22),而可以进入所述接收支路(其现在未被当前不导通的第三半导体开关23短路)。
通过向天线开关提供传输线24、25,所述第一、第二和第三半导体开关21、22和23被耦合,并且所述接收支路4、5、6可以根据各种可能性来被控制(切换),正如下面所描述的那样。代替利用具有抽头的一条传输线24、25,当然也可以利用两条串联的传输线24和25。每条传输线24、25可以以T形网络或П形网络的形式被已知的等效电路所取代,所述T形网络或П形网络分别具有一个或两个连接到地的电容以及两个或一个串联连接的电感。
所述晶体管开关26、27和28通过控制它们的控制电极来切换接收支路4、5和6。由于所述第三半导体开关23连同所述传输线24、25一起在发送期间保护(短路)接收支路4、5和6以及晶体管开关26、27和28以防源自发送支路2和3的高功率信号,所以所述晶体管开关26、27和28可以是小尺寸的,这进一步减少了系统的尺寸。作为上述内容的另一结果,举例来说诸如砷化镓pHEMT开关之类的晶体管开关可以为MESFET或RF CMOS开关所取代,所述MESFET或RFCMOS开关减少了对砷化镓供应商的依赖性,因此减少了成本。与具有每(发送和接收)支路一个晶体管开关(和/或由于需要切换的高功率发送信号导致的每发送支路的多个串联的晶体管开关)的现有技术解决方案相比,这个实施例已经减少了射频(RF)损耗(由于并联和/或串联连接的晶体管较少),并且避免(由所述传输线取代)了用于发送支路的大的晶体管开关,从而导致减小了尺寸(这些晶体管开关必须较大以便能够切换高功率发送信号)。传输线24、25和第三半导体开关23提供了用于高功率信号的高阻抗,所述高功率信号源自发送支路2和3并将被发送。
第一发送支路2和第一接收支路6例如使用900MHz的频带,第二发送支路3和第二接收支路5例如使用1800MHz的频带,以及第二发送支路3和第三接收支路4例如使用1900MHz的频带。尤其(但不仅仅是)对于这些频带,重要的是提供一种具有简单拓扑的系统和天线开关。所以不排除其它频带,并且不排除另外的支路,像例如用于第四频带的第三发送支路和第四接收支路,和/或将所述第二发送支路3分成未示出的两个子支路3a和3b,每一个用于其自身的频带等。
第一和第二发送支路2和3例如包括(单独或一起)通过每个发送支路2、3的滤波器耦合到天线开关1的功率放大器。此滤波器例如包括第一电感和第一电容的并联电路,所述并联电路的每一侧通过第二/第三电容和第一/第二传输线耦合到地,所述并联电路的一侧是与对应的半导体开关耦合的滤波器输出,所述并联电路的另一侧通过第四电容耦合到滤波器输入以及通过第二电感耦合到偏置输入/输出,所述偏置输入/输出进一步通过第五电容耦合到地。
第一、第二和第三接收支路4、5和6例如包括(单独或一起)通过每个接收支路4、5、6的滤波器耦合到天线开关1的低噪声放大器。此滤波器例如包括声表面波或SAW滤波器,其输入与滤波器输入耦合,以及其输出与电容的一侧耦合,所述滤波器输入进一步通过电感彼此耦合,所述电容的另一侧形成与所述对应的晶体管开关耦合的滤波器输出。
半导体开关21-23的偏置可以通过DC电流来实现,所述DC电流从第三半导体开关23的阳极通过传输线24、25和所述第一/第二半导体开关21/22和在发送支路中的滤波器中的所述第一电感以及第二电感流到偏置输入/输出。应该注意到,所述半导体的极性对射频(RF)信号没有任何影响,它仅对偏置的情况是重要的。优选地,选择极性,以便以最大效率利用偏置电流:如图2所示,一个偏置电流可以用于第一/第二半导体开关21/22和第三半导体开关23。
传输线24、25在900MHz将具有大约90度的电长度,但是例如也可以做得小于90度。在发送支路中的所述滤波器(例如在滤波器输出处)中的所述(例如第二)电容用来调谐此传输线24、25。在对应于λ/4的整条传输线的情况下,这条传输线的每个部分(24和25)将对应于λ/8。如前所述,对应于λ/4的一条传输线24、25可以为两条串联的传输线24和25所取代,所述两条串联的传输线24和25的每一条对应于λ/8。
在例如“用于发送”和“用于接收”以及“用于切换”等中的表达“用于”并不排除同时或不同时地也执行其它功能。“X耦合到Y”和“在X和Y之间的耦合”以及“耦合X与Y”等的表达并不排除元件Z在X与Y之间。表达“P包括Q”和“包括Q的P”等并不排除也包括/包含元件R。术语“一”和“一个”并不排除一个或多个存在的可能性。
本发明尤其基于下述认识:现有技术的支路以一种昂贵而复杂的方式被隔离。本发明并且尤其基于下述基本思想:每发送支路的一个串联半导体开关和用于一个或多个接收支路的并联半导体开关以一种低成本和简单的方式提供了良好的隔离,所述并联半导体开关用于在发送期间对所述一个或多个接收支路进行短路。
本发明尤其解决了提供低成本的设备或用于该设备的模块的问题,在所述低成本的设备或模块中,将至少两个支路以一种简单的方式彼此隔离,并且本发明在减少所述设备的尺寸方面是尤其有利的,而许多另外的优点和/或改进现在是可能的。