CN1682354A - 研磨剂组合物、其制备方法及研磨方法 - Google Patents

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Abstract

研磨剂组合物，它是用于基板的研磨的化学机械研磨用研磨材料，含有(A)磨粒、(B)水系介质、(C)酒石酸、(D)三羟基甲基氨基甲烷及(E)选自丙二酸和马来酸的1种或1种以上，更好的是为了防止配线金属部的凹陷，还含有具有在配线金属表面形成保护膜的功能的苯并三唑等化合物。

Description

研磨剂组合物、其制备方法及研磨方法
技术领域
本发明涉及研磨剂，特别涉及用于半导体集成电路基板的制造工序的研磨剂，更具体涉及适合于作为阻挡膜材料使用了钽或钽化合物的埋入铜配线的形成的研磨剂及使用了该研磨剂的半导体集成电路基板的制造方法。
背景技术
近年来，随着半导体集成电路的高集成化·高功能化，希望对实现微细化·高密度化的微细加工技术进行开发。半导体集成电路的制造工序，特别是多层配线形成工序中，层间绝缘膜和埋入配线的平坦化技术是非常重要的。即，随着半导体制造工序的微细化·高密度化而使配线多层化，各层的表面的凹凸易变大，为了防止其阶差超过光刻的焦点深度等问题，多层配线形成工序中的高平坦化技术变得非常重要。
作为配线材料，铜由于其电阻率比以往使用的Al合金低、电迁移耐性良好，所以正倍受瞩目。铜的氯化物气体的蒸气压较低，很难通过以往可用的反应性离子腐蚀法(RIE：Reactive Ion Etching)加工成配线形状，所以配线的形成采用金属镶嵌(Damascene)法。它是在绝缘膜形成配线用槽型或通路等凹部后形成阻挡膜，然后利用溅射法或电镀法等成膜将铜埋入槽内，接着通过化学机械研磨法(CMP：化学蒸气淀积，以下称为CMP)除去剩余的铜和阻挡膜直至凹部以外的绝缘膜表面露出，从而实现表面平坦化的方法。近年，同时形成在凹部埋入了铜的铜配线和通路部的双金属镶嵌(Dual Damascene)法成为了主流。
这种铜埋入配线的形成中，为了防止铜扩散至绝缘膜中，将由钽、钽合金或氮化钽等钽化合物形成的膜作为阻挡膜。因此，在表面平坦化的同时，在埋入铜的配线部分以外，必须通过CMP除去露出的阻挡膜。但是，由于阻挡膜比铜硬得多，所以大多数情况下不能够获得足够的研磨速度。因此，如图1所示，提出了由除去配线金属膜的第1研磨工序和除去阻挡膜的第2研磨工序组成的2阶段研磨法。
图1为表示通过CMP形成埋入配线的方法的截面图，(a)表示研磨前，(b)表示除去配线金属膜4的第1研磨工序的结束后，(c)表示除去阻挡膜3的第2研磨工序结束后。如图1(a)所示，在Si基板1上形成了绝缘膜2，该绝缘膜2中形成有用于形成埋入配线5的槽，其上又形成了阻挡膜3，阻挡膜3上再形成配线金属膜4(Cu膜)，在第1研磨工序中除去配线金属膜4，在第2研磨工序中除去阻挡膜3。
但是，采用了以往的研磨剂的CMP中，存在铜埋入配线5的凹陷(dishing)和腐蚀更严重的问题。这里，所谓凹陷是指易发生于较宽的配线部、如图2所示、表示配线部的配线金属膜4被过度研磨、中央部呈现凹入的状态。所谓腐蚀是指易发生于密集的配线部、如图3所示、与配线密度低的部分相比密集的配线部的绝缘膜2被过度研磨、绝缘膜2变薄的现象。图2和图3中省略了阻挡膜3。
上述第1研磨工序有时还可分为2个阶段，即，以高研磨速度除去阻挡膜材料近旁的铜的第1工序，然后改变研磨工艺，以不引起凹陷和腐蚀为前提研磨至阻挡膜材料的表面的第2工序。
第2研磨工序中，由于一般以几乎相同的速度研磨铜配线、阻挡膜和绝缘膜，所以在除去配线部位以外的铜的第1研磨工序中未获得平坦面的情况下，即使在第2研磨工序，在配线部位诱发凹陷和腐蚀，最终也不会形成表面平坦的配线结构。因此，作为第1工序用研磨剂组合物，提出了在具有对铜的研磨速度快、且对阻挡膜的研磨速度极慢的选择性的同时还必须难以引发凹陷和腐蚀的各种研磨剂(例如，参考日本专利特开2002-170790号公报)。
另一方面，作为半导体基板上的绝缘膜，以往主要使用SiO2等无机材料，但近年来随着用于半导体集成电路的高集成化的配线的高密度化，被称为Low-k材料的低介电常数的新材料正倍受瞩目。但是，由于大多数Low-k材料由有机材料或有机无机的混合材料形成，所以在与以往同样的CMP工序中研磨时，除了存在半导体集成电路基板表面上出现凹凸和裂纹的问题，还有绝缘膜剥离的问题。为了控制该剥离，希望获得以低研磨压力进行CMP、且可获得与以往同样高的研磨速度的CMP工序和用于此工序的研磨剂组合物。
发明的揭示
因此，本发明的目的是提供在形成有铜埋入配线的半导体集成电路基板的制造工序的CMP工序中，可抑制凹陷、腐蚀和绝缘膜的剥离等配线缺损，兼具即使在低研磨压力下也能够以高研磨速度对铜进行研磨、且可以低研磨速度对成为阻挡膜的钽或钽化合物进行研磨的研磨选择性，特别适合于半导体集成电路基板的研磨的研磨剂组合物，以及使用了该研磨剂组合物的半导体集成电路基板的制造方法。
本发明提供了研磨剂组合物，它是用于基材的研磨的化学机械研磨用研磨剂，该组合物的特征是，含有(A)磨粒、(B)水系介质、(C)酒石酸、(D)三羟基甲基氨基甲烷、(E)选自丙二酸和马来酸的1种或1种以上。
本发明的研磨剂组合物(以下称为本研磨剂组合物)即使在低压力下研磨时，也适用于对铜的高速研磨。此外，这种情况下不易出现凹陷和腐蚀。另外，由于对钽或氮化钽等钽化合物的研磨速度较慢，所以，如果在以钽或钽化合物为阻挡膜、形成铜埋入配线的半导体集成电路基板的制造中的第1研磨工序采用本研磨剂组合物，则对铜的研磨速度快而对阻挡膜的研磨速度慢的选择性良好，因此比较理想。
另外，本发明还提供了半导体集成电路基板的制造方法，它是在晶片上形成绝缘膜、隔着钽或钽化合物形成的阻挡膜在绝缘膜中形成铜埋入配线的半导体集成电路基板的制造方法，该方法的特征是，包括使前述晶片的表面与研磨底盘(pad)接触，在前述基板和前述研磨底盘间供给上述研磨剂组合物，对形成于前述晶片表面的铜进行研磨的步骤。
附图的简单说明
图1为表示利用CMP的埋入配线的形成方法的截面图，(a)为研磨前，(b)为除去配线金属膜的第1研磨工序结束后，(c)为除去阻挡膜的第2研磨工序结束后。
图2为表示凹陷的形成过程的截面图，(a)为研磨前，(b)为研磨后。
图3为表示腐蚀的形成过程的截面图，(a)为研磨前，(b)为研磨后。
实施发明的最佳方式
本研磨剂组合物包含下述(A)～(E)的成分。(A)磨粒、(B)水系介质、(C)酒石酸、(D)三羟基甲基氨基甲烷(以下称为HMAM)、(E)选自丙二酸和马来酸的1种或1种以上。
作为本研磨剂组合物所含的成分(A)的磨粒，除了α-氧化铝、β-氧化铝、δ-氧化铝、γ-氧化铝、θ-氧化铝等铝氧化物之外，还可例举二氧化铈、二氧化硅等。这些磨粒可单独使用也可适当组合使用。另外，在对半导体集成电路无不良影响的前提下，也可包含其它的无机材料或有机材料形成的磨粒。
磨粒为氧化铝的情况下，其平均粒径较好为0.001～0.5μm，更好为0.01～0.3μm。氧化铝中特别好的是γ-氧化铝。本研磨剂组合物中所含的氧化铝以质量比计较好为0.05～5％，更好为0.09～3％。
磨粒为二氧化铈时，其平均粒径较好为0.001～0.5μm，更好为0.01～0.3μm。此外，本研磨剂组合物中所含的二氧化铈以质量比计较好为0.1～10％，更好为1～5％。
磨粒为二氧化硅时，其平均粒径较好为0.001～0.5μm，更好为0.01～0.3μm。此外，本研磨剂组合物中所含的二氧化硅以质量比计较好为0.5～15％，更好为1～10％。
磨粒的粒径如果过小，则不能够获得充分的研磨速度，粒径如果过大，则导致被研磨表面出现损伤。氧化铝、二氧化硅、二氧化铈如果分别具有上述范围内的平均粒径，则可维持高研磨速度且被研磨表面不会受损伤。这里，磨粒的平均粒径是指将与其它成分混合前的状态下的磨粒分散于水中，用激光散射法测定的值，例如，采用日机装社制的MICROTRAC HRA MODEL9320-X100测定。
此外，研磨剂组合物中的磨粒的含量如果过少，则存在研磨速度变慢的倾向，如果磨粒含量过多，则研磨剂组合物的粘度上升，变得难以处理。此外，存在损伤发生率提高的可能。如果氧化铝、二氧化硅、二氧化铈分别具有上述范围内的磨粒含量，则可维持高研磨速度且研磨剂组合物的粘度不会过高。
制造半导体集成电路基板时，必须避免会对电路造成不良影响的杂质混入。因此，特别在用于半导体集成电路基板的研磨时，本研磨剂组合物中的磨粒较好为具有99％以上的纯度的高纯度氧化物，其纯度更好是在99.5％以上。磨粒由多种形成时，最好混合使用分别具有99％以上的纯度的各磨粒。从纯度的角度看，最好不在磨粒中混入会对半导体集成电路产生不良影响的钠离子等。
作为成分(B)，最好单独使用离子交换水等高纯度的水。但是，也可采用以水为主成分的水与可溶于水的醇类等有机溶剂的混合系分散介质。对该醇类无特别限定，例如可例举乙醇、丙醇、丁醇等具有碳原子数1～5的烷基的脂肪族醇。考虑到研磨后的被研磨物易洗涤和挥发成分对作业环境的影响等，成分(B)最好只由水形成。
成分(C)的酒石酸、成分(D)的THMAM、成分(E)的选自丙二酸及马来酸的1种或1种以上的这3种成分，通过这3种成分的组合来提高研磨特性。研磨剂组合物中仅包含上述3成分中的任1种成分或2种成分，不能获得对铜的研磨速度快、对钽或钽化合物的研磨速度慢、且不易引起凹陷等问题的特性。3种成分齐全才能获得上述特性。
通过使研磨剂组合物中含有THMAM，存在对钽或钽化合物的研磨速度变慢的倾向。为了维持该特性且提高对铜的研磨速度并不易引起凹陷或腐蚀的问题，必须加入上述成分(C)和成分(E)。在含有THMAM的研磨剂组合物中仅加入成分(C)的酒石酸，不会获得不易引起凹陷的问题的足够的研磨速度。在研磨剂组合物中同时加入成分(C)、(D)、(E)这3种成分，才能够在低研磨压力下也对铜具有高研磨速度，且钽等具有低研磨速度，并不会引起凹陷等问题。
这里，本研磨剂组合物中的酒石酸的含量，对应于本研磨剂组合物的总质量以质量比计较好为0.01～10％，更好为0.1～2％。此外，THMAM较好为0.1～10％，更好为1～8％。丙二酸及/或马来酸合计较好为0.01～10％，更好为0.1～2％。这些成分的含量如果过少，则不能够充分获得上述效果，可能无法获得足够的研磨速度。另一方面，即使含量分别超过上述范围，添加效果也不会有所提高。
为了防止配线金属部的凹陷，本研磨剂组合物中除了成分(A)～(E)之外，最好还包含具有在配线金属表面形成保护膜的功能的化合物。具体来讲，最好含有式1表示的化合物。在配线金属由铜形成的情况下，式1表示的化合物物理吸附或化学吸附于铜表面形成皮膜，藉此抑制铜的溶出。式1中，R表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的烷氧基或羧酸基。
…式1
具体来讲，可例举苯并三唑(以下称为BTA)、BTA的苯环的4或5位的一个H原子被取代为甲基的甲苯基三唑(TTA)、被羧酸基取代的苯并三唑-4-羧酸等。它们可单独使用或2种以上混合使用。从研磨特性看，上述具有形成保护膜的功能的化合物对应于本研磨剂组合物总质量的含量以质量比计较好为0.001～5％，更好为0.005～0.5％，最好为0.005～0.1％。
本研磨剂组合物最好包含氧化剂。对氧化剂的作用虽然还不明确，但认为它能够通过在作为被研磨物的铜表面形成氧化皮膜、利用机械力从基板表面除去氧化皮膜而促进研磨。但是，氧化剂的含量如果过多，则铜的腐蚀速度可能会提高，所以对应于本研磨剂组合物的总质量，其含量较好为0.1～10％，更好为0.5～5％。作为氧化剂，可使用过氧化氢、过氧化脲、过乙酸、硝酸铁、碘酸盐等，但从对半导体基板的污染少考虑，最好为过氧化氢。
根据需要本研磨剂组合物还可适当含有pH调节剂、表面活性剂、螯合剂、还原剂等。
本研磨剂组合物的pH较好为5～8。只要在此范围内，铜表面的腐蚀就较少，且能够对铜维持高研磨速度。通常，pH可通过研磨剂组合物中的酸和THMAM的配比量来调整，但也可含有pH调节剂。这种情况下，pH调节剂只要不影响到研磨性能即可，无特别限定，可使用已知的酸或碱。具体来讲，作为向酸性侧的pH调节剂可例举硝酸、硫酸、盐酸等无机酸，乙酸、丙酸、乳酸、柠檬酸、草酸、琥珀酸等有机酸。
此外，作为向碱性侧的pH调节剂，可例举氢氧化钾等碱金属化合物，伯～叔胺，羟胺，氢氧化四甲基铵和氢氧化四乙基铵等季铵盐。本发明中也可通过调整THMAM的量将pH调向碱性侧。不希望含有碱金属时，大多数情况下采用氨，但如果含氨，则有提高对钽等的研磨速度的倾向，有时会使选择性下降。特别是用于以钽或钽化合物为阻挡膜的铜配线的半导体集成电路基板的研磨时，即使研磨剂组合物中含氨，其含量也最好少一些，有时最好实质上不含氨。
另一方面，如果本研磨剂组合物中含有氨，则存在对铜的研磨速度有所提高的倾向。因此，用于以钽或钽化合物为阻挡膜的铜配线的半导体集成电路基板的研磨时，在上述选择性多少有所下降但希望提高铜的研磨速度的情况下，最好在本研磨剂中含有不会提高对钽等的研磨速度的程度的氨。具体来讲，本研磨剂中含有氨时，氨的含量较好为本研磨剂总质量的0.05～0.4％，特别好为0.1～0.3％。
以提高研磨剂组合物的分散性和防止研磨后的铜表面粗糙为目的，可添加表面活性剂。作为表面活性剂可采用阴离子性表面活性剂、阳离子性表面活性剂、非离子性表面活性剂、两性表面活性剂中的任一种。
阴离子性表面活性剂可例举月桂基硫酸铵、聚丙烯酸、烷基硫酸酯盐、烷基苯磺酸盐等。阳离子性表面活性剂可例举烷胺盐、季铵盐等。非离子性表面活性剂可例举聚氧乙烯衍生物、聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯、甘油脂肪酸酯等。两性表面活性剂可例举烷基甜菜碱、氧化胺等。
螯合剂可例举甘氨酸、丙氨酸、谷氨酸、天冬氨酸等氨基酸，甘氨酰替甘氨酸、甘氨酰替丙氨酸等肽，EDTA等聚氨基羧酸，柠檬酸等羟酸，缩合磷酸等。此外，还可含有金属螯合剂，例如研磨铜时，可使用氨茴酸铜螯合剂、喹哪啶酸铜螯合剂等。
还原剂可采用碘化氢、硫化氢等氢化合物或醛类、糖类、甲酸和草酸等已知的有机化合物。
本研磨剂组合物对研磨铜有用，特别是对绝缘膜和铜之间存在作为阻挡膜的由钽或钽化合物形成的膜的半导体集成电路基板的制造中的研磨有用。对使用本研磨剂组合物研磨半导体集成电路基板的方法无特别限定，例如，在半导体晶片表面形成半导体集成电路，使基板的内面保持于可旋转的研磨头，一边对被固定于可旋转的支承台上的研磨底盘挤压一边使其旋转的方法；将在半导体晶片表面形成有半导体集成电路的基板的内面固定于可旋转的支承台上，再将装有研磨底盘的研磨头与该半导体集成电路的表面接触，并使其旋转的方法等。
此时，较好的是使基板的表面与研磨底盘接触，将本研磨剂组合物供至基板的表面和研磨底盘之间，对形成于基板表面的铜进行研磨的方法。
为了缓冲研磨时的压力，对半导体集成电路基板表面均匀地施加压力，也可隔着缓冲材料在支承台上安装半导体集成电路基板。另外，此时为了将浆料状的研磨剂组合物均匀地供至半导体集成电路基板的表面，还可在研磨底盘设置通道或供给孔。
研磨底盘的材质有聚酯或聚氨酯等，本发明的实施例中使用了IC-1000的K-Grooved(聚氨酯材料、ロデ-ル株式会社制)，所用的研磨底盘的材质并不限定于此，可根据所用的研磨剂组合物适当地选择。
研磨压力可以根据研磨底盘的种类、上述缓冲材料的有无和种类、研磨速度、研磨剂组合物的浆料的粘性等物性而设定。因此，将本研磨剂组合物用于低介电常数(例如，介电常数为1.0～3.5)的有机材料或有机/无机复合材料形成的绝缘膜中隔着由钽或钽化合物形成的阻挡膜形成铜埋入配线的半导体集成电路基板的研磨非常有用。由有机材料或有机/无机复合材料形成的绝缘膜与SiO2等无机材料形成的绝缘膜相比，其强度弱，以高研磨压力研磨时，可能出现绝缘膜从基板剥离的现象，因此最好以低研磨压力进行研磨。
这种情况下，研磨压力较好为0.7×103～3.5×104Pa，特好为0.35×104～2.1×104Pa。若研磨压力小于0.7×103Pa，则得不到足够的研磨速度，相反若大于2.1×104Pa，则在研磨过程中会出现凹陷、腐蚀、损伤，且来自有机材料或有机/无机复合材料形成的绝缘膜会出现绝缘膜剥离等，还可能会对形成于半导体晶片上的电路或研磨后的电路的多层化带来不良影响。
如上所述，用本发明的研磨剂组合物对半导体集成电路基板的铜进行研磨的第1研磨工序结束后，进行研磨铜及阻挡膜的第2研磨工序。此外，第1研磨工序又分为2个工序，即，以高研磨速度除去至绝缘膜材料近旁的铜的第1工序，然后改变研磨工艺，以不引起凹陷和腐蚀为前提研磨至绝缘膜材料的表面的第2工序时，如果在第1工序使用本研磨剂组合物，则效果特别好。
采用CMP的第2研磨工序结束后，通常用流水充分洗涤半导体集成电路基板并干燥。大多数情况下实施超声波洗涤。
以下，采用实施例(例1、2、4)及比较例(例3、5、6)详细说明本发明，但本发明并不仅限于此。
[被研磨物]
(覆盖(blanket)晶片)
(1)铜(配线金属膜)研磨速度评价用晶片：通过电镀在基板上形成了厚1500nm的Cu层的8英寸晶片。
(2)钽(阻挡膜)研磨速度评价用晶片：通过溅射在基板上形成了厚200nm的Ta层的8英寸晶片。
(图形(pattern)晶片)
以配线密度50％，在形成于基板上的绝缘膜形成具有配线宽度50μm的图形的配线，在形成有该配线图形的绝缘膜上通过溅射形成厚25nm的Ta层，然后在其上通过电镀形成厚1500nm的Cu层的8英寸晶片(商品名：831CMP000、Sematech制)。
[例1～3]
采用表1所示的各组成的研磨剂组合物，对于铜研磨速度评价用晶片和图形晶片分别进行研磨。表1中记载的数值的单位是对应于研磨剂组合物总质量的各成分的质量比，单位为％。
研磨条件如下所述，采用膜厚测定装置(ナプソン株式会社制RT80-RG80)，测定用各研磨组合物研磨铜研磨速度评价用晶片时的研磨速度。此外，采用阶差测定装置(VEECO株式会社制デツクタツクV200Si)，测定图形晶片的研磨中配线宽度50μm的位置的凹陷，其结果示于表2。表2中，研磨速度的单位为nm/min，凹陷的单位为nm。
[研磨条件]
研磨机：Strasbaugh株式会社制研磨机6EC，研磨底盘：IC-1000 K-Grooved(ロデ-ル株式会社制)，研磨机组合物供给量：200mL/min(相当于0.082mL/(min×cm2))，研磨时间：1分钟，研磨压力：1.7×104Pa，研磨底盘的旋转数：研磨头(基板保持部)97rpm、台板(platen，固定盘)103rpm。
[例4～6]
采用表1所示的各组成的研磨机组合物，分别进行图形晶片的研磨。例4和例5中，对铜研磨速度评价用晶片进行研磨，例4和例6中，对钽研磨速度评价用晶片进行研磨，分别比较对铜的研磨速度及对钽的研磨速度。
研磨条件如下所述，采用膜厚测定装置(KLAテンコ-ル株式会社制，tencor RS-75)测定研磨铜研磨速度评价用晶片及钽研磨速度评价用晶片时的研磨速度。此外，采用阶差测定装置(KLAテンコ-ル株式会社制tencor HRP-100)，测定图形晶片的研磨中配线宽度50μm的位置的凹陷，其结果示于表2。
[研磨条件]
研磨机：アプライドマテリアル株式会社制研磨机Mirra，研磨底盘：IC-1000 K-Grooved(ロデ-ル株式会社制)，研磨机组合物供给量：200mL/min(相当于0.099mL/(min×cm2))，研磨时间：1分钟，研磨压力：0.7×104Pa，研磨底盘的旋转数：研磨头137rpm、台板143rpm。
[例7、8]
采用表1所示的各组成的研磨机组合物，与例4同样对铜研磨速度评价用晶片及钽研磨速度评价用晶片进行研磨。作为研磨条件，除了将研磨机组合物供给量改为100mL/min之外，其它与例4相同，进行研磨，结果示于表2。
                                    表1
例1  例2   例3   例4   例5   例6   例7   例8
 δ-氧化铝 2.77  2.77   2.77   2.77   2.77   2.77   0.95   0.95
  酒石酸 0.92  0.92   0   0.92   0   0.92   0.95   0.95
  丙二酸 0.92  0   1.85   0.92   1.85   0.92   0.95   0.95
  马来酸 0  0.92   0   0.92   0   0   0   0
  BTA 0.046  0.046   0.046   0.009   0   0.009   0.029   0.010
  THMAM 3.69  3.69   3.69   3.69   3.69   0   1.90   3.81
  氨 0  0   0   0   0   0.46   0.24   0
  H2O2 2.31  2.31   2.31   2.31   2.31   2.31   1.43   1.43
  水 余分  余分   余分   余分   余分   余分   余分   余分
  pH 6.5  6.5   6.5   6.5   6.5   6.5   7   7
                                      表2
例1  例2  例3   例4   例5  例6   例7   例8
铜研磨速度 838  795  1034   578   527  381   929   696
Ta研磨速度 -  -  -   0.5   -  33   3.3   1.7
凹陷 100  100  190   55   130  -   -   -
产业上利用的可能性
本发明能够在抑制研磨工序时作为缺陷的损伤的发生的同时以高研磨速度对半导体集成电路基板表面的铜配线进行研磨。特别是在具有作为阻挡膜的钽或钽化合物形成的膜的铜配线的研磨的第1研磨工序中，具有良好的选择性，因研磨发生的凹陷和腐蚀很少，能够获得极高精度的平坦的半导体集成电路基板表面。
此外，本发明在半导体集成电路基板表面的研磨工序中，即使在研磨压力下降的情况下，也能够获得高研磨速度和高选择性，因此作为绝缘膜即使采用低介电常数的有机材料或有机/无机复合材料的Low-k材料形成的膜，也不易出现绝缘膜的剥离等问题。

Claims (13)

1.研磨剂组合物，它是用于基材的研磨的化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，含有(A)磨粒、(B)水系介质、(C)酒石酸、(D)三羟基甲基氨基甲烷、(E)选自丙二酸和马来酸的1种或1种以上。
2.如权利要求1所述的研磨剂组合物，其特征还在于，对应于研磨剂组合物的总质量，以质量比计含有0.01～10％的前述(C)，含有0.01～10％的前述(D)，且含有0.01～10％的前述(E)。
3.如权利要求1或2所述的研磨剂组合物，其特征还在于，还含有式1表示的化合物，
…式1
式中，R表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的烷氧基或羧酸基。
4.如权利要求1～3中任一项所述的研磨剂组合物，其特征还在于，以质量比计还含有0.1～10％的氧化剂。
5.如权利要求1～4中任一项所述的研磨剂组合物，其特征还在于，以质量比计还含有0.05～0.4％的氨。
6.如权利要求1～5中任一项所述的研磨剂组合物，其特征还在于，前述基材为铜。
7.如权利要求5所述的研磨剂组合物，其特征还在于，前述基材为半导体集成电路基板，在前述半导体集成电路基板的绝缘膜中形成有铜埋入配线，在绝缘膜和铜之间配置了由钽或钽化合物形成的阻挡膜。
8.半导体集成电路基板的制造方法，它是在晶片上形成绝缘膜、隔着钽或钽化合物形成的阻挡膜在绝缘膜中形成铜埋入配线的半导体集成电路基板的制造方法，其特征在于，包括使前述晶片的表面与研磨底盘接触，在前述基板和前述研磨底盘间供给含有(A)磨粒、(B)水系介质、(C)酒石酸、(D)三羟基甲基氨基甲烷、(E)选自丙二酸和马来酸的1种或1种以上的化学机械研磨用研磨剂组合物，对形成于前述晶片表面的铜进行研磨的步骤。
9.如权利要求8所述的半导体集成电路基板的制造方法，其特征还在于，对应于前述研磨剂组合物的总质量，以质量比计含有0.01～10％的前述(C)，含有0.01～10％的前述(D)，且含有0.01～10％的前述(E)。
10.如权利要求8或9所述的半导体集成电路基板的制造方法，其特征还在于，前述研磨剂组合物中还含有式1表示的化合物，
Figure A038224230003C1
…式1
式中，R表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的烷氧基或羧酸基。
11.如权利要求8～10中任一项所述的半导体集成电路基板的制造方法，其特征还在于，前述研磨剂组合物中以质量比计还含有0.1～10％的氧化剂。
12.如权利要求8～11中任一项所述的半导体集成电路基板的制造方法，其特征还在于，前述研磨剂组合物中以质量比计还含有0.05～0.4％的氨。
13.如权利要求8～12中任一项所述的半导体集成电路基板的制造方法，其特征还在于，前述绝缘膜由低介电常数的有机材料或有机/无机复合材料形成。
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