侦测盘片上缺陷讯号的方法
技术领域
本发明有关于讯号侦测的领域,特别是关于在盘片上侦测缺陷讯号(defect signal)的方法与装置。
背景技术
现今,盘片型式的储存媒介由于具备强大的储存能力而被广泛用来保存资料。这种盘片型式的储存媒介,例如光盘片,亦即CD-R盘片、CD-RW盘片、DVD-R盘片、DVD-RW盘片、DVD+R盘片、DVD+RW盘片、或DVD-RAM盘片等,也对储存于其中的资料提供较佳的保护以免于损伤。然而对于资料储存而言,上面所描述的特色并不意味着光盘片为完美的储存媒介,某些缺陷可能发生于它们裸露的表面上,例如深的刮痕(deep scratch)、浅的刮痕(shallow scratch),甚至于指纹(fingerprint)等等,这些缺陷(defect)不只导致系统读写时发生错误,也会于读写资料时产生对系统的干扰。因此侦测盘片上的缺陷以保护系统避免出现被干扰或不稳定的情况是很重要的事。
以往现有技术是利用讯号振幅(amplitude)的差异,例如射频位准(RF level,RFLVL)或是次电波讯号附加(sub-beam added,SBAD)讯号,来侦测盘片上的缺陷。如图1A所示,为通过已知的射频位准侦测方法来侦测深缺陷所得的讯号示意图。在图1A中,射频讯号110于时段120有一个凹陷区域112。这表示凹陷区域112相对应的资料因缺陷而受损,以至于无法读出时段120中的射频讯号110。更进一步而言,凹陷区域112的深度显示缺陷的深度。由射频讯号110经过一低通滤波器所形成的射频位准(RFLVL)讯号114显现出射频讯号110的封包(envelope)。侦测临界值130为一固定的直流参考电位。当RFLVL讯号114于时段120中低于侦测临界值130时,缺陷旗标讯号140从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1),代表侦测到一缺陷。此外,FE/TE(focusing error/tracking error)讯号150分别于时段120的起点和终点产生正凸波(surge)152及负凸波154来显示聚焦(focusing)及循轨(tracking)的错误讯号。然而,当缺陷旗标讯号140由低准位提升至高准位时,伺服机系统,例如聚焦与循轨伺服机,及资料路径控制系统,例如前级放大器、分片器(slicer)或锁相回路,就能得知系统侦测到缺陷讯号,因而可以利用一些适当的保护方法及装置来降低潜在的干扰与不稳定性。
参考图1B,为通过已知的射频位准侦测方法来侦测浅缺陷所得的讯号示意图。在图1B中,射频讯号110-1于时段120-1中有一凹陷区域112-1。这也表示凹陷区域112-1相对应的资料因缺陷而受损,以至于时段120-1中的射频讯号110-1无法被完全读出。但是凹陷区域112-1的深度可能只是受到一浅缺陷的影响,例如一个浅刮痕,不似图1A所示的凹陷区域112那么深。RFLVL讯号114-1显现出射频讯号110-1的封包。侦测临界值130-1如同图1A所示的侦测临界值130为一固定的直流参考电位。很明显的,RFLVL讯号114-1总是高于侦测临界值130-1,因为浅缺陷并未造成足够深的凹陷区域112-1。因此,不只缺陷旗标讯号140-1对浅缺陷无反应,而且除了一些噪声外,FE/TE讯号150-1并没有明显的改变。更进一步而言,由于并未侦测到浅缺陷,一些保护的方法及装置并未被触发来保护系统免于潜在的干扰即不稳定性。换句话说,伺服机系统及资料路径控制系统很容易在此种缺陷情况下被影响。
类似的情况,参考图1C,为通过已知的射频位准侦测方法来侦测指纹所得的讯号示意图。在图1C中,射频讯号110-2于时段120-2中有一凹陷区域112-2。这也表示凹陷区域112-2相对应的资料因缺陷而受到轻微的影响,以至于射频讯号110-2于时段120-2有较弱的振幅。同样的,凹陷区域112-2可能只受到浅缺陷的影响,例如指纹,也不如图1B所示的凹陷区域112-1那么深。RFLVL讯号114-2显现出射频讯号110-2的封包,且侦测临界值130-2如同图1A所示的侦测临界值130为一固定的直流参考电位。RFLVL讯号114-2总是高于侦测临界值130-2,因为浅缺陷并未造成足够深的凹陷区域112-2。因此,不只缺陷旗标讯号140-2对浅缺陷无反应,而且除了一些噪声外,FE/TE讯号150-2并没有明显的改变。这情况类似于图1B所描述的情况,伺服机系统及资料路径控制系统不能被安全地保护。然而另一方面,图1B与图1C所示的缺陷根据他们受损的深度、宽度及方向,包含不同的状态。有些缺陷可能还有原始的资料,但是其它的只有已损坏的资料。因此,很难只靠侦测临界值的比较来决定缺陷旗标讯号。
发明内容
有鉴于此,本发明揭露一于盘片上侦测缺陷讯号的装置与方法,用以改进上述所提到有关侦测缺陷讯号的现有技术,并解决现有技术侦测缺陷讯号的缺点及问题。
本发明为根据各种不同的侦测标准,提供侦测缺陷的方法及装置使得侦测缺陷可以更为精确。
另一方面,本发明的侦测盘片上缺陷讯号的方法及装置,更能侦测一特定缺陷,用以激活相关保护机制,保护系统免于干扰及不稳定性。
本发明提供一种侦测盘片上缺陷讯号的方法。本方法包含下列步骤:接收一射频讯号并产生一对应该射频讯号的封包(envelope)讯号;使用ADefect侦测以侦测一深缺陷并产生一第一缺陷旗标讯号;使用ADefect1侦测以侦测一浅缺陷并产生一第二缺陷旗标讯号;使用EFMDefect侦测以侦测一异常资料长度并产生一第三缺陷旗标讯号;使用中断侦测以侦测一资料中断并产生一第四缺陷旗标讯号;使用RPDefect侦测以侦测一小缺陷及一资料中断并产生一第五缺陷旗标讯号;使用DSPDefect侦测以透过一可变动的临界值来侦测一缺陷并产生一第六缺陷旗标讯号;以及对该第一、该第二、该第三、该第四、该第五以及该第六缺陷旗标讯号执行一逻辑运算以侦测一特定的缺陷。
本发明之一实施例中,该ADefect侦测为比较该封包讯号与一第一临界位准,当该封包讯号低于该第一临界位准时,设置(assert)该第一缺陷旗标讯号。
本发明之一实施例中,该ADefect1侦测为比较该封包讯号与比该第一临界位准高的一第二临界位准,当该封包讯号低于该第二临界位准时,设置该第二缺陷旗标讯号。
本发明之一实施例中,该EFMDefect侦测更包含下列步骤:比较该射频讯号的一资料框架(data frame)与一第一预设资料长度,且当有至少n1个射频讯号的样式短于该第一预设长度时,设置该第三缺陷旗标讯号;比较该射频讯号的该资料框架与一第二预设资料长度,且当有至少n2个射频讯号的样式长于该第二预设长度时,设置该第三缺陷旗标讯号;比较该射频讯号的该资料框架与一非常(serious)资料长度,且当有至少n3个射频讯号的样式长于该非常资料长度时,设置该第三缺陷旗标讯号;以及当有至少于n4个射频讯号的样式介于该第一预设资料长度及该第二预设资料长度之间时,清除(de-assert)该第三缺陷旗标讯号。
本发明之一实施例中,该中断侦测为比较该封包讯号与比该封包讯号高的一第三临界位准,当该封包讯号高于该第三临界位准时,设置该第四缺陷旗标讯号。
本发明之一实施例中,该RPDefect侦测为比较一RFRP讯号与比该第一临界位准高的一第四临界位准,当该RFRP讯号低于该第四临界位准时,设置该第五缺陷旗标讯号,其中该RFRP讯号可为射频讯号的峰端封包(peak envelope)或底端封包(bottom envelope),也有可能为射频讯号的峰端到底端(peak to bottom)的值。
本发明之一实施例中,该DSPDefect侦测为比较该封包讯号与一RFLVL_LPF讯号之间差异的绝对值与一第五临界位准,当该封包讯号与该RFLVL_LPF讯号之间差异的绝对值高于该第五临界位准时,设置该第六缺陷旗标讯号,其中该RFLVL_LPF讯号为该封包讯号经一低通滤波器(low pass filter)所产生。
附图说明
图1A为现有技术的射频位准侦测方法来侦测深缺陷所得的讯号示意图;
图1B为现有技术的射频位准侦测方法来侦测浅缺陷所得的讯号示意图;
图1C为现有技术的射频位准侦测方法来侦测指纹所得的讯号示意图;
图2为根据本发明所绘示的一应用缺陷侦测装置的光驱方块示意图;
图3A至图3F为根据本发明所绘示的缺陷侦测方法流程图;以及
图4为根据本发明的缺陷侦测方法来侦测不同的缺陷所得的讯号示意图。
图中符号说明:
110、110-1、110-2~射频讯号;
112、112-1、112-2~凹陷区域;
114、114-1、114-2~射频位准讯号;
120、120-1、120-2~时段;
130、130-1、130-2~侦测临界值;
140、140-1、140-2~侦测旗标讯号;
150、150-1、150-2~FE/TE讯号;
152~正凸波;154~负凸波;
202~盘片;204~主轴马达;206~推动马达;208~镜片;209~读写头;210~伺服机控制单元;212~功率驱动器;220~前级放大器;230~分片器;240~锁相回路;250~译码器;260~缺陷侦测装置;270~逻辑组合单元;280~资料路径控制单元;
311、312、313、314、315、321、322、323、324、325、342、352、362、331、332、333、341、342、343、344、345、351、352、353、354、355、361、362、363、364、365~步骤;
401~ADefect位准;402~ADefect1位准;
404~中断位准;405~RPDefect位准;
41、42、43、44、45、46~射频讯号;
411、421、431、441、451、461~封包讯号;
412、422、432、442、452、462~RFRP(峰端维持)讯号;
413、423、433、443、453、463~RFRP(底端反向)讯号;
414、424、434、444、454、464~RFRP(峰-底)讯号;
415、425、435、445、455、465~ADefect旗标讯号;
416、426、436、446、456、466~ADefect1旗标讯号;
417、427、437、447、457、467~EFMDefect旗标讯号;
418、428、438、448、458、468~RPDefect旗标讯号;
419、429、439、449、459、469~中断旗标讯号。
具体实施方法
本发明的一些实施例将会在此较详细地介绍。不过,必须要了解本发明除了以下详述的实施例之外,还可以以其它较大范围的实施例来实施,本发明所保护的范围应在附录的申请专利范围之内。此外,为使例证简洁以及使本发明易于了解,一些无关的细节并未描绘出来。
请参考图2,其为根据本发明所描绘的一应用缺陷侦测装置的光驱方块示意图。在图2中,伺服机控制单元210透过功率驱动器212控制相关机电装置,例如主轴马达204的转速、推动马达206的移动,以及镜片208些微的循轨与聚焦的移动。也就是说,伺服机控制单元210可以使得镜片208不只是对准盘片202的正确轨道,也可于资料读取与转移时有较好的聚焦。透过读取头209于水平方向上粗略的移动及镜片208于水平方向上些微的循轨移动,以及镜片208于垂直方向上些微的聚焦移动,伺服机控制单元210可以使得镜片208于盘片202的正确轨道上有较好的聚焦。资料路径控制单元280包含一前级放大器220、分片器(slicer)230、锁相回路(phase lock loop,PLL)240及译码器250。前级放大器220由镜片208接收资料讯号并产生各种不同的讯号,例如数据处理用的射频讯号、伺服机控制单元210用的伺服机控制讯号,即FE/TE讯号、以及侦测缺陷用的其它讯号,即8到14个位调变(eight to fourteen modulation,EFM)讯号及射频位准(RFLVL)讯号。分片器230将由前级放大器220输出来的射频讯号数字化。锁相回路240使得数字化的射频讯号与系统定时器同步,且根据系统定时器计算数字化的射频讯号的长度。译码器250解译数字化的射频讯号至一主机(未图标)。为了侦测各种不同的讯号,缺陷侦测装置260透过不同的缺陷侦测方法来设定相对应的缺陷旗标讯号,从前级放大器220接收各种不同的讯号,以及从分片器230及锁相回路240接收EMF讯号。其中,不同的缺陷侦测方法包含ADefect侦测方法、ADefect1侦测方法、EFMDefect侦测方法、RPDefect侦测方法、中断侦测方法、及DSPDefect侦测方法,用以设置(set)ADefect旗标讯号、ADefect1旗标讯号、EFMDefect旗标讯号、RPDefect旗标讯号、中断旗标讯号及DSPDefect旗标讯号。此缺陷侦测装置260可为一微处理器,或为一数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP),其内部储存上述该些侦测方法的韧体,用以执行相对应的缺陷侦测。逻辑组合单元270对该些缺陷旗标讯号执行适当的逻辑运算,例如简单的“或”运算或者“及”运算,来精确地侦测缺陷。当此运算结果显示侦测到一缺陷时,逻辑组合单元270会触发缺陷保护(defectprotection)方法及装置来保护相对应的单元,例如伺服机控制单元210、前级放大器220、分片器230、锁相回路240、及译码器250。此逻辑组合单元270可为数字逻辑电路,由使用者设计所需的运算逻辑。
如图3A到图3F所示,其为根据本发明所绘示的缺陷侦测方法流程图。参阅图3A,其为ADefect缺陷侦测方法流程图。首先,比较RFLVL讯号与ADefect位准(步骤311),其中RFLVL讯号为射频讯号的封包,且ADefect位准为固定的直流参考电位。当RFLVL讯号低于ADefect位准时,ADefect旗标设成逻辑状态1(步骤315)。当RFLVL讯号高于ADefect位准时,则判断是否在一缺陷延迟时间内(步骤312)。当在该缺陷延迟时间内,RFLVL讯号高于ADefect位准,则ADefect旗标设成设成逻辑状态1(步骤314)。然而,当未于该缺陷延迟时间内,RFLVL讯号高于ADefect位准时,则ADefect旗标设成逻辑状态0(步骤313)。ADefect侦测方法可用于侦测深缺陷,例如刮痕。ADefect旗标讯号从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1),代表侦测到一缺陷。
参阅图3B,其为ADefect1缺陷侦测方法流程图。图3B中的所有步骤与图3A类似。首先,比较RFLVL讯号与ADefect1位准(步骤321),其中RFLVL讯号为射频讯号的封包,且ADefect1位准为固定的直流参考电位,其中ADefect位准与ADefect1位准主要的差别在于ADefect1位准高于ADefect位准,使得ADefect1侦测对于浅缺陷及指纹较ADefect侦测敏感。当RFLVL讯号低于ADefect1位准时,ADefect1旗标设成逻辑状态1(步骤325)。当RFLVL讯号高于ADefect1位准时,则判断是否在一缺陷延迟时间内(步骤322)。当在该缺陷延迟时间内,RFLVL讯号高于ADefect1位准,则ADefect1旗标设成设成逻辑状态1(步骤324)。然而,当未于缺陷延迟时间内,RFLVL讯号高于ADefect1位准时,则ADefect1旗标设成逻辑状态0(步骤323)。ADefect1旗标讯号从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1),代表侦测到一缺陷。
参阅图3C,其为EFMDefect缺陷侦测方法流程图。当一资料领域(sector)或资料框架(frame)有至少n1个射频讯号的样式短于一第一预设资料长度,EFMDefect旗标设成逻辑状态1(步骤331)。例如,对CD与DVD而言第一预设资料长度为3T。当此资料领域或资料框架有至少n2个射频讯号的样式长于一第二预设资料长度时,EFMDefect旗标设成逻辑状态1(步骤332)。例如,此第二预设资料长度对于CD及DVD而言,分别为11T与14T。当此资料领域或资料框架有至少n3个射频讯号的样式长于一非常(serious)资料长度时,例如18T,EFMDefect旗标设成逻辑状态1(步骤333)。另一方面,当此资料领域或资料框架有至少n4个射频讯号的样式介于第一预设资料长度与第二预设资料长度之间,EFMDefect旗标设成逻辑状态0。EFMDefect侦测方法可用于侦测异常的讯号长度,且为实时缺陷侦测方法。其中,当变量n1、n2、n3及n4的数值较小时,EFMDefect侦测方法较为敏感。EFMDefect旗标讯号从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1),代表侦测到一缺陷。
参阅图3D,其为中断缺陷侦测方法流程图。图3D中的所有步骤与图3A类似。首先,比较RFLVL讯号与中断位准(步骤341),其中RFLVL讯号为射频讯号的封包,且中断位准为固定的直流参考电位,其中中断位准的设定高于RFLVL讯号以侦测因全反射而产生的缺陷。当RFLVL讯号高于中断位准时,中断旗标设成逻辑状态1(步骤345)。当RFLVL讯号低于中断位准时,则判断是否在一缺陷延迟时间内(步骤342)。当在该缺陷延迟时间内,RFLVL讯号低于中断位准,则中断旗标设成逻辑状态1(步骤344)。然而,当未于缺陷延迟时间内,RFLVL讯号低于中断位准时,则中断旗标设成逻辑状态0(步骤343)。中断旗标讯号从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1),代表侦测到一缺陷。
参考图3E,其为RPDefect缺陷侦测方法流程图。图3E中的所有步骤与图3A类似。首先,比较RFRP讯号与RPDefect位准(步骤351),其中RFRP讯号可能为射频讯号的峰端封包或底端封包,也有可能为射频讯号的峰端到底端的值,且RPDefect位准为固定的直流参考电位。当RFRP讯号低于RPDefect位准时,RPDefect旗标设成逻辑状态1(步骤355)。当RFRP讯号高于RPDefect位准时,则判断是否在一缺陷延迟时间内(步骤352)。当在该缺陷延迟时间内,RFRP讯号高于RPDefect位准,则RPDefect旗标设成设成逻辑状态1(步骤354)。然而,当未于缺陷延迟时间内,RFRP讯号高于RPDefect位准时,则RPDefect旗标设成逻辑状态0(步骤353)。RPDefect旗标讯号从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1),代表侦测到一缺陷。RPDefect侦测方法透过进一步处理射频讯号来侦测缺陷,所以对于缺陷侦测较为敏感。由于对侦测缺陷的敏感度,使得RPDefect侦测适合用来侦测小刮痕以及中断缺陷。
参考图3F,其为DSPDefect缺陷侦测方法流程图。图3F中的所有步骤与图3A类似。首先,比较RFLVL讯号与RFLVL_LPF讯号之间差异的绝对值与一预设临界值(步骤361),其中RFLVL_LPF讯号为RFLVL讯号经过低通滤波器的后一个缓慢渐降的讯号。当RFLVL讯号与RFLVL_LPF讯号之间差异的绝对值高于该预设临界值,则DSPDefect旗标设成逻辑状态1(步骤365)。当RFLVL讯号与RFLVL_LPF讯号之间差异的绝对值低于该预设临界值时,则判断是否在一缺陷延迟时间内(步骤362)。当在该缺陷延迟时间内,RFLVL讯号与RFLVL_LPF讯号之间差异的绝对值低于该预设临界值,则DSPDefect旗标设成逻辑状态1(步骤364)。而当未于缺陷延迟时间内,RFLVL讯号与RFLVL_LPF讯号之间差异的绝对值低于该预设临界值时,则DSPDefect旗标设成逻辑状态0(步骤363)。DSPDefect旗标讯号从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1),代表侦测到一缺陷。DSPDefect侦测方法透过一可变动的临界值来侦测缺陷,因此不需要固定的直流参考电位。
以下将举一最佳实施例来说明上述数种缺陷侦测方法的应用。请参考图4,其为根据本发明的缺陷侦测方法来侦测不同的缺陷所得的讯号示意图。在图4中,射频讯号41有一深凹陷区域,因此它的封包讯号411也有一深凹陷区域。根据的前提过的ADefect1及ADefect侦测方法,当封包讯号411低于ADefect1位准402及ADefect位准401时,ADefect1旗标讯号416及ADefect旗标讯号415分别由逻辑状态0设成逻辑状态1。因为此凹陷区域足够宽,且产生异常资料长度,所以EFMDefect旗标讯号417一样也由逻辑状态0设成逻辑状态1。中断旗标讯号419对此凹陷区域没有任何反应,因为封包讯号411总是低于中断位准404。RFRP(峰端维持)讯号412及RFRP(底端反向)讯号413分别表示射频讯号41的峰端封包及反向底端封包。因此,RFRP(峰-底)讯号414由RFRP(峰端维持)讯号412减RFRP(底端反向)讯号413所得到。当RFRP(峰-底)讯号414低于RPDefect位准405时,RPDefect旗标讯号由逻辑状态0设成逻辑状态1。如此,由深缺陷所造成的深凹陷区域,例如刮痕,可以透过ADefect、ADefect1、EFMDefect及RPDefect侦测方法而侦测出来,因为它的深度及宽度对于缺陷侦测而言,够深且够宽。
射频讯号42有一浅及窄的凹陷区域,因此它的封包讯号421也有相同的形式。根据ADefect1侦测方法,当此封包讯号421低于ADefect1位准402时,ADefect1旗标讯号426由逻辑状态0设成逻辑状态1。RFRP(峰端维持)讯号422及RFRP(底端反向)讯号423分别表示射频讯号42的峰端封包及反向底端封包。更进一步,RFRP(峰-底)讯号424由RFRP(峰端维持)讯号422减RFRP(底端反向)讯号423所得到。然而ADefect旗标讯号425、EFMDefect旗标讯号427、中断旗标讯号429对此浅且窄的凹陷区域没有任何反应,因为封包讯号421总是高于ADefect位准401,也并不满足的前所提的EFMDefect侦测方法的条件,亦即并无侦测到异常的资料长度,而且总是低于中断位准404。如此浅且窄的凹陷区域可能是由一浅刮痕所引起,只能由ADefect1及RPDefect侦测方法来侦测出来,因为它的深度及宽度不符合其它的缺陷侦测条件。
射频讯号43有一浅及宽的凹陷区域,因此它的封包讯号431也有相同的形式。当此封包讯号431低于ADefect1位准402时,ADefect1旗标讯号436由逻辑状态0设成逻辑状态1。因为此凹陷区域足够宽,也产生异常资料长度,EFMDefect旗标讯号437一样由逻辑状态0设成逻辑状态1。RFRP(峰端维持)讯号432及RFRP(底端反向)讯号433分别表示射频讯号43的峰端封包及反向底端封包。更进一步,RFRP(峰-底)讯号434由RFRP(峰端维持)讯号432减RFRP(底端反向)讯号433所得到。当RFRP(峰-底)讯号434低于RPDefect位准405时,RPDefect旗标讯号由逻辑状态0设成逻辑状态1。然而ADefect旗标讯号435及中断旗标讯号439对此浅且宽的凹陷区域没有任何反应,因为封包讯号431总是高于ADefect位准401且低于中断位准404。如此浅且宽的凹陷可能是由一浅缺陷所引起,且因为它的深度及宽度不符合其它的缺陷侦测条件,所以只能由ADefect1、EFMDefect及RPDefect侦测来侦测出来。
射频讯号44有一浅及宽的凹陷区域,因此它的封包讯号441也有相同的形式。当此封包讯号441低于ADefect1位准402时,ADefect1旗标讯号446由逻辑状态0设成逻辑状态1。RFRP(峰端维持)讯号442及RFRP(底端反向)讯号443分别表示射频讯号44的峰端封包及反向底端封包。更进一步,RFRP(峰-底)讯号444由RFRP(峰端维持)讯号442减RFRP(底端反向)讯号443所得到。因为RFRP(峰-底)讯号444总是高于RPDefect位准405,所以RPDefect旗标讯号448对此浅且宽的凹陷区域没有反应。此外,ADefect旗标讯号445、EFMDefect旗标讯号447以及中断旗标讯号449都对此浅且宽的凹陷区域没有任何反应,因为此封包讯号441总是高于ADefect位准401,也并无侦测到异常的资料长度,且总是低于中断位准404。如此浅且宽的凹陷区域可能是由指纹所造成,在此情况下,因为它的深度及宽度不符合其它的缺陷侦测条件,只能由ADefect1侦测来侦测出来。
至于射频讯号45及射频讯号46,两者皆由很强讯号的强度所造成,例如强光反射。射频讯号45于其峰端及底端封包具有强振幅的区域,此区域也称为中断缺陷区域。因此它的封包讯号451有此相对应的形式。由于此中断缺陷区域足够宽,且产生异常资料长度,EFMDefect旗标讯号457由逻辑状态0设成逻辑状态1。当封包讯号451高于中断位准404,中断旗标讯号459也由逻辑状态0设成逻辑状态1。至于其它的旗标讯号,因为封包讯号451总是高于ADefect1位准402及ADefect位准401,ADefect1旗标讯号456及ADefect旗标讯号455对此封包讯号451没有任何反应。RFRP(峰端维持)讯号452及RFRP(底端反向)讯号453分别表示射频讯号45的峰端封包及反向底端封包。更进一步,RFRP(峰-底)讯号454由RFRP(峰端维持)讯号452减RFRP(底端反向)讯号453所得到。因为RFRP(峰-底)讯号454总是高于RPDefect位准405,所以RPDefect旗标讯号458对这种中断缺陷区域没有任何反应。这种中断缺陷区域只能透过的前提过的EFMDefect侦测及中断侦测方法来侦测出来。
射频讯号46由其底端封包形成反向凹陷区域,因此它的峰端封包讯号461有相对应的形式。EFMDefect旗标讯号467由逻辑状态0设成逻辑状态1,因为此中断缺陷区域足够宽,且产生异常资料长度。RFRP(峰端维持)讯号462及RFRP(底端反向)讯号463分别表示射频讯号46的峰端封包及反向底端封包。更进一步,RFRP(峰-底)讯号464有一由RFRP(峰端维持)讯号462减RFRP(底端反向)讯号463所形成的深凹陷区域。当RFRP(峰-底)讯号464低于RPDefect位准405时,RPDefect旗标讯号468由逻辑状态0设成逻辑状态1。当封包讯号461高于中断位准404时,中断旗标讯号469由逻辑状态0设成逻辑状态1。然而因为封包讯号461高于ADefect1位准402及ADefect位准401,所以ADefect1旗标讯号466及ADefect旗标讯号465对此封包讯号461没有任何反应。这种中断缺陷区域只能由的前提过的EFMDefect、RPDefect及中断侦测方法来侦测出来。
一般而言,比起ADefect侦测,ADefect1侦测方法较适合侦测小且浅的缺陷区域。RPDefect侦测方法对于侦测小刮痕较敏感。因此,应该了解到本发明所提及的缺陷侦测方法,对于特定的缺陷侦测可以各种方式结合而成。例如对于小刮痕侦测,可以透过“或”逻辑来结合ADefect1与EFMDefect侦测方法,或者小刮痕侦测之外,不要侦测指纹,则可透过“及”逻辑来结合ADefect1与EFMDefect侦测方法等等。
本发明虽以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明的范围,任何熟习此项技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可做各种的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视所述的权利要求范围所界定者为准。