CN1658320B - 检测盘片上缺陷信号的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供检测盘片上缺陷信号的方法。该方法包含接收一射频信号并产生一对应的包络信号；使用ADefect、ADefect1、EFMDefect、中断、RPDefect以及DSPDefect检测来检测一缺陷信号并产生复数个缺陷旗标信号；以及对该些缺陷旗标信号执行一逻辑运算以检测一特定的缺陷。本发明检测缺陷的方法使得检测缺陷可以更为精确。另一方面，本发明的检测盘片上缺陷信号的方法，更能检测一特定缺陷，用以激活相关保护机制，保护系统免于干扰及不稳定性。

Description

检测盘片上缺陷信号的方法
技术领域
本发明有关于信号检测的领域，特别是关于在盘片上检测缺陷信号(defect signal)的方法与装置。
背景技术
现今，盘片型式的储存媒介由于具备强大的储存能力而被广泛用来保存数据。这种盘片型式的储存媒介，例如光盘片，亦即CD-R盘片、CD-RW盘片、DVD-R盘片、DVD-RW盘片、DVD+R盘片、DVD+RW盘片、或DVD-RAM盘片等，也对储存于其中的数据提供较佳的保护以免于损伤。然而对于数据储存而言，上面所描述的特色并不意味着光盘片为完美的储存媒介，某些缺陷可能发生于它们裸露的表面上，例如深的刮痕(deep scratch)、浅的刮痕(shallow scratch)，甚至于指纹(fingerprint)等等，这些缺陷(defect)不只导致系统读写时发生错误，也会于读写数据时产生对系统的干扰。因此检测盘片上的缺陷以保护系统避免出现被干扰或不稳定的情况是很重要的事。
以往现有技术是利用信号振幅(amplitude)的差异，例如射频位准(RF level，RFLVL)或是次电波信号附加(sub-beam added，SBAD)信号，来检测盘片上的缺陷。如图1A所示，为通过已知的射频位准检测方法来检测深缺陷所得的信号示意图。在图1A中，射频信号110于时段120有一个凹陷区域112。这表示凹陷区域112相对应的数据因缺陷而受损，以至于无法读出时段120中的射频信号110。更进一步而言，凹陷区域112的深度显示缺陷的深度。由射频信号110经过一低通滤波器所形成的射频位准(RFLVL)信号114显现出射频信号110的包络(envelope)。检测临界值130为一固定的直流参考电位。当RFLVL信号114于时段120中低于检测临界值130时，缺陷旗标信号140从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1)，代表检测到一缺陷。此外，FE/TE(focusing error/tracking error)信号150分别于时段120的起点和终点产生正凸波(surge)152及负凸波154来显示聚焦(focusing)及循轨(tracking)的错误信号。然而，当缺陷旗标信号140由低准位提升至高准位时，伺服机系统，例如聚焦与循轨伺服机，及数据路径控制系统，例如前级放大器、分片器(slicer)或锁相回路，就能得知系统检测到缺陷信号，因而可以利用一些适当的保护方法及装置来降低潜在的干扰与不稳定性。
参考图1B，为通过已知的射频位准检测方法来检测浅缺陷所得的信号示意图。在图1B中，射频信号110-1于时段120-1中有一凹陷区域112-1。这也表示凹陷区域112-1相对应的数据因缺陷而受损，以至于时段120-1中的射频信号110-1无法被完全读出。但是凹陷区域112-1的深度可能只是受到一浅缺陷的影响，例如一个浅刮痕，不似图1A所示的凹陷区域112那么深。RFLVL信号114-1显现出射频信号110-1的包络。检测临界值130-1如同图1A所示的检测临界值130为一固定的直流参考电位。很明显的，RFLVL信号114-1总是高于检测临界值130-1，因为浅缺陷并未造成足够深的凹陷区域112-1。因此，不只缺陷旗标信号140-1对浅缺陷无反应，而且除了一些噪声外，FE/TE信号150-1并没有明显的改变。更进一步而言，由于并未检测到浅缺陷，一些保护的方法及装置并未被触发来保护系统免于潜在的干扰即不稳定性。换句话说，伺服机系统及数据路径控制系统很容易在此种缺陷情况下被影响。
类似的情况，参考图1C，为通过已知的射频位准检测方法来检测指纹所得的信号示意图。在图1C中，射频信号110-2于时段120-2中有一凹陷区域112-2。这也表示凹陷区域112-2相对应的数据因缺陷而受到轻微的影响，以至于射频信号110-2于时段120-2有较弱的振幅。同样的，凹陷区域112-2可能只受到浅缺陷的影响，例如指纹，也不如图1B所示的凹陷区域112-1那么深。RFLVL信号114-2显现出射频信号110-2的包络，且检测临界值130-2如同图1A所示的检测临界值130为一固定的直流参考电位。RFLVL信号114-2总是高于检测临界值130-2，因为浅缺陷并未造成足够深的凹陷区域112-2。因此，不只缺陷旗标信号140-2对浅缺陷无反应，而且除了一些噪声外，FE/TE信号150-2并没有明显的改变。这情况类似于图1B所描述的情况，伺服机系统及数据路径控制系统不能被安全地保护。然而另一方面，图1B与图1C所示的缺陷根据他们受损的深度、宽度及方向，包含不同的状态。有些缺陷可能还有原始的数据，但是其它的只有已损坏的数据。因此，很难只靠检测临界值的比较来决定缺陷旗标信号。
发明内容
有鉴于此，本发明揭露一于盘片上检测缺陷信号的装置与方法，用以改进上述所提到有关检测缺陷信号的现有技术，并解决现有技术检测缺陷信号的缺点及问题。
本发明为根据各种不同的检测标准，提供检测缺陷的方法及装置使得检测缺陷可以更为精确。
另一方面，本发明的检测盘片上缺陷信号的方法及装置，更能检测一特定缺陷，用以激活相关保护机制，保护系统免于干扰及不稳定性。
本发明提供一种检测盘片上缺陷信号的方法。本方法包含下列步骤：接收一射频信号并产生一对应该射频信号的包络(envelope)信号；使用ADefect检测，将该包络信号与Adefect信号比较，以检测一深缺陷，并产生一第一缺陷旗标信号，其中Adefect检测设有一第一临界位准；使用ADefect1检测，将该包络信号与Adefect1信号比较，以检测一浅缺陷，并产生一第二缺陷旗标信号，其中Adefect1检测设有一第二临界位准；使用EFMDefect检测，以检测一异常数据长度，并产生一第三缺陷旗标信号，其中EFMDefect检测包括设定第一、第二预设数据长度，及一非常数据长度；使用中断检测，以检测一数据中断，该包络信号与该中断信号比较，并产生一第四缺陷旗标信号，其中该中断检测设有一第三临界位准；使用RPDefect检测，以检测一小缺陷及一数据中断，将该包络信号与RPDefect信号比较，并产生一第五缺陷旗标信号，其中该RPDefect检测设有一第四临界位准；使用DSPDefect检测，以通过一可变动的临界值来检测一缺陷，将该包络信号与DSPDefect信号比较，并产生一第六缺陷旗标信号，其中该DSPDefect检测设有一第四临界位准；以及对该第一、该第二、该第三、该第四、该第五以及该第六缺陷旗标信号在一第一时间内完成一逻辑运算，以检测一特定的缺陷。
本发明之一实施例中，该ADefect检测为比较该包络信号与一第一临界位准，当该包络信号低于该第一临界位准时，设置(assert)该第一缺陷旗标信号。
本发明之一实施例中，该ADefect1检测为比较该包络信号与比该第一临界位准高的一第二临界位准，当该包络信号低于该第二临界位准时，设置该第二缺陷旗标信号。
本发明之一实施例中，该EFMDefect检测更包含下列步骤：比较该射频信号的一数据帧(data frame)与一第一预设数据长度，且当有至少n1个射频信号的样式短于该第一预设长度时，设置该第三缺陷旗标信号；比较该射频信号的该数据帧与一第二预设数据长度，且当有至少n2个射频信号的样式长于该第二预设长度时，设置该第三缺陷旗标信号；比较该射频信号的该数据帧与一非常(serious)数据长度，且当有至少n3个射频信号的样式长于该非常数据长度时，设置该第三缺陷旗标信号；以及当有至少于n4个射频信号的样式介于该第一预设数据长度及该第二预设数据长度之间时，清除(de-assert)该第三缺陷旗标信号。
本发明之一实施例中，该中断检测为比较该包络信号与比该包络信号高的一第三临界位准，当该包络信号高于该第三临界位准时，设置该第四缺陷旗标信号。
本发明之一实施例中，该RPDefect检测为比较一RFRP信号与比该第一临界位准高的一第四临界位准，当该RFRP信号低于该第四临界位准时，设置该第五缺陷旗标信号，其中该RFRP信号可为射频信号的峰端包络(peak envelope)或底端包络(bottom envelope)，也有可能为射频信号的峰端到底端(peak to bottom)的值。
本发明之一实施例中，该DSPDefect检测为比较该包络信号与一RFLVL_LPF信号之间差异的绝对值与一第五临界位准，当该包络信号与该RFLVL_LPF信号之间差异的绝对值高于该第五临界位准时，设置该第六缺陷旗标信号，其中该RFLVL_LPF信号为该包络信号经一低通滤波器(low pass filter)后的一个缓慢渐降的信号。
附图说明
图1A为现有技术的射频位准检测方法来检测深缺陷所得的信号示意图；
图1B为现有技术的射频位准检测方法来检测浅缺陷所得的信号示意图；
图1C为现有技术的射频位准检测方法来检测指纹所得的信号示意图；
图2为根据本发明所绘示的一应用缺陷检测装置的光驱方块示意图；
图3A至图3F为根据本发明所绘示的缺陷检测方法流程图；以及
图4为根据本发明的缺陷检测方法来检测不同的缺陷所得的信号示意图。
图中符号说明：
110、110-1、110-2～射频信号；
112、112-1、112-2～凹陷区域；
114、114-1、114-2～射频位准信号；
120、120-1、120-2～时段；
130、130-1、130-2～检测临界值；
140、140-1、140-2～检测旗标信号；
150、150-1、150-2～FE/TE信号；
152～正凸波；154～负凸波；
202～盘片；204～主轴马达；206～推动马达；208～镜片；209～读写头；210～伺服机控制单元；212～功率驱动器；220～前级放大器；230～分片器；240～锁相回路；250～译码器；260～缺陷检测装置；270～逻辑组合单元；280～数据路径控制单元；
311、312、313、314、315、321、322、323、324、325、342、352、362、331、332、333、341、342、343、344、345、351、352、353、354、355、361、362、363、364、365～步骤；
401～ADefect位准；402～ADefect1位准；
404～中断位准；405～RPDefect位准；
41、42、43、44、45、46～射频信号；
411、421、431、441、451、461～包络信号；
412、422、432、442、452、462～RFRP(峰端维持)信号；
413、423、433、443、453、463～RFRP(底端反向)信号；
414、424、434、444、454、464～RFRP(峰-底)信号；
415、425、435、445、455、465～ADefect旗标信号；
416、426、436、446、456、466～ADefect1旗标信号；
417、427、437、447、457、467～EFMDefect旗标信号；
418、428、438、448、458、468～RPDefect旗标信号；
419、429、439、449、459、469～中断旗标信号。
具体实施方法
本发明的一些实施例将会在此较详细地介绍。不过，必须要了解本发明除了以下详述的实施例之外，还可以以其它较大范围的实施例来实施，本发明所保护的范围应在附录的申请专利范围之内。此外，为使例证简洁以及使本发明易于了解，一些无关的细节并未描绘出来。
请参考图2，其为根据本发明所描绘的一应用缺陷检测装置的光驱方块示意图。在图2中，伺服机控制单元210通过功率驱动器212控制相关机电装置，例如主轴马达204的转速、推动马达206的移动，以及镜片208些微的循轨与聚焦的移动。也就是说，伺服机控制单元210可以使得镜片208不只是对准盘片202的正确轨道，也可于数据读取与转移时有较好的聚焦。通过读取头209于水平方向上粗略的移动及镜片208于水平方向上些微的循轨移动，以及镜片208于垂直方向上些微的聚焦移动，伺服机控制单元210可以使得镜片208于盘片202的正确轨道上有较好的聚焦。数据路径控制单元280包含一前级放大器220、分片器(slicer)230、锁相回路(phase lock loop，PLL)240及译码器250。前级放大器220由镜片208接收数据信号并产生各种不同的信号，例如数据处理用的射频信号、伺服机控制单元210用的伺服机控制信号，即FE/TE信号、以及检测缺陷用的其它信号，即8到14个位调变(eight to fourteen modulation，EFM)信号及射频位准(RFLVL)信号。分片器230将由前级放大器220输出来的射频信号数字化。锁相回路240使得数字化的射频信号与系统定时器同步，且根据系统定时器计算数字化的射频信号的长度。译码器250解译数字化的射频信号至一主机(未图标)。为了检测各种不同的信号，缺陷检测装置260通过不同的缺陷检测方法来设定相对应的缺陷旗标信号，从前级放大器220接收各种不同的信号，以及从分片器230及锁相回路240接收EMF信号。其中，不同的缺陷检测方法包含ADefect检测方法、ADefect1检测方法、EFMDefect检测方法、RPDefect检测方法、中断检测方法、及DSPDefect检测方法，用以设置(set)ADefect旗标信号、ADefect1旗标信号、EFMDefect旗标信号、RPDefect旗标信号、中断旗标信号及DSPDefect旗标信号。此缺陷检测装置260可为一微处理器，或为一数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)，其内部储存上述该些检测方法的韧体，用以执行相对应的缺陷检测。逻辑组合单元270对该些缺陷旗标信号执行适当的逻辑运算，例如简单的“或”运算或者“及”运算，来精确地检测缺陷。当此运算结果显示检测到一缺陷时，逻辑组合单元270会触发缺陷保护(defect protection)方法及装置来保护相对应的单元，例如伺服机控制单元210、前级放大器220、分片器230、锁相回路240、及译码器250。此逻辑组合单元270可为数字逻辑电路，由使用者设计所需的运算逻辑。
如图3A到图3F所示，其为根据本发明所绘示的缺陷检测方法流程图。参阅图3A，其为ADefect缺陷检测方法流程图。首先，比较RFLVL信号与ADefect位准(步骤311)，其中RFLVL信号为射频信号的包络信号，且ADefect位准为固定的直流参考电位。当RFLVL信号低于ADefect位准时，ADefect旗标设成逻辑状态1(步骤315)。当RFLVL信号高于ADefect位准时，则判断是否在一缺陷延迟时间内(步骤312)。当在该缺陷延迟时间内，RFLVL信号高于ADefect位准，则ADefect旗标设成设成逻辑状态1(步骤314)。然而，当未于该缺陷延迟时间内，RFLVL信号高于ADefect位准时，则ADefect旗标设成逻辑状态0(步骤313)。ADefect检测方法可用于检测深缺陷，例如刮痕。ADefect旗标信号从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1)，代表检测到一缺陷。
参阅图3B，其为ADefect1缺陷检测方法流程图。图3B中的所有步骤与图3A类似。首先，比较RFLVL信号与ADefect1位准(步骤321)，其中RFLVL信号为射频信号的包络，且ADefect1位准为固定的直流参考电位，其中ADefect位准与ADefect1位准主要的差别在于ADefect1位准高于ADefect位准，使得ADefect1检测对于浅缺陷及指纹较ADefect检测敏感。当RFLVL信号低于ADefect1位准时，ADefect1旗标设成逻辑状态1(步骤325)。当RFLVL信号高于ADefect1位准时，则判断是否在一缺陷延迟时间内(步骤322)。当在该缺陷延迟时间内，RFLVL信号高于ADefect1位准，则ADefect1旗标设成设成逻辑状态1(步骤324)。然而，当未于缺陷延迟时间内，RFLVL信号高于ADefect1位准时，则ADefect1旗标设成逻辑状态0(步骤323)。ADefect1旗标信号从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1)，代表检测到一缺陷。
参阅图3C，其为EFMDefect缺陷检测方法流程图。当一数据领域(sector)或数据帧(frame)有至少n1个射频信号的样式短于一第一预设数据长度，EFMDefect旗标设成逻辑状态1(步骤331)。例如，对CD与DVD而言第一预设数据长度为3T。当此数据领域或数据帧有至少n2个射频信号的样式长于一第二预设数据长度时，EFMDefect旗标设成逻辑状态1(步骤332)。例如，此第二预设数据长度对于CD及DVD而言，分别为11T与14T。当此数据领域或数据帧有至少n3个射频信号的样式长于一非常(serious)数据长度时，例如18T，EFMDefect旗标设成逻辑状态1(步骤333)。另一方面，当此数据领域或数据帧有至少n4个射频信号的样式介于第一预设数据长度与第二预设数据长度之间，EFMDefect旗标设成逻辑状态0。EFMDefect检测方法可用于检测异常的信号长度，且为实时缺陷检测方法。其中，当变量n1、n2、n3及n4的数值较小时，EFMDefect检测方法较为敏感。EFMDefect旗标信号从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1)，代表检测到一缺陷。
参阅图3D，其为中断缺陷检测方法流程图。图3D中的所有步骤与图3A类似。首先，比较RFLVL信号与中断位准(步骤341)，其中RFLVL信号为射频信号的包络，且中断位准为固定的直流参考电位，其中中断位准的设定高于RFLVL信号以检测因全反射而产生的缺陷。当RFLVL信号高于中断位准时，中断旗标设成逻辑状态1(步骤345)。当RFLVL信号低于中断位准时，则判断是否在一缺陷延迟时间内(步骤342)。当在该缺陷延迟时间内，RFLVL信号低于中断位准，则中断旗标设成逻辑状态1(步骤344)。然而，当未于缺陷延迟时间内，RFLVL信号低于中断位准时，则中断旗标设成逻辑状态0(步骤343)。中断旗标信号从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1)，代表检测到一缺陷。
参考图3E，其为RPDefect缺陷检测方法流程图。图3E中的所有步骤与图3A类似。首先，比较RFRP信号与RPDefect位准(步骤351)，其中RFRP信号可能为射频信号的峰端包络或底端包络，也有可能为射频信号的峰端到底端的值，且RPDefect位准为固定的直流参考电位。当RFRP信号低于RPDefect位准时，RPDefect旗标设成逻辑状态1(步骤355)。当RFRP信号高于RPDefect位准时，则判断是否在一缺陷延迟时间内(步骤352)。当在该缺陷延迟时间内，RFRP信号高于RPDefect位准，则RPDefect旗标设成设成逻辑状态1(步骤354)。然而，当未于缺陷延迟时间内，RFRP信号高于RPDefect位准时，则RPDefect旗标设成逻辑状态0(步骤353)。RPDefect旗标信号从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1)，代表检测到一缺陷。RPDefect检测方法通过进一步处理射频信号来检测缺陷，所以对于缺陷检测较为敏感。由于对检测缺陷的敏感度，使得RPDefect检测适合用来检测小刮痕以及中断缺陷。
参考图3F，其为DSPDefect缺陷检测方法流程图。图3F中的所有步骤与图3A类似。首先，比较RFLVL信号与RFLVL_LPF信号之间差异的绝对值与一预设临界值(步骤361)，其中RFLVL_LPF信号为RFLVL信号经过低通滤波器的后一个缓慢渐降的信号。当RFLVL信号与RFLVL_LPF信号之间差异的绝对值高于该预设临界值，则DSPDefect旗标设成逻辑状态1(步骤365)。当RFLVL信号与RFLVL_LPF信号之间差异的绝对值低于该预设临界值时，则判断是否在一缺陷延迟时间内(步骤362)。当在该缺陷延迟时间内，RFLVL信号与RFLVL_LPF信号之间差异的绝对值低于该预设临界值，则DSPDefect旗标设成逻辑状态1(步骤364)。而当未于缺陷延迟时间内，RFLVL信号与RFLVL_LPF信号之间差异的绝对值低于该预设临界值时，则DSPDefect旗标设成逻辑状态0(步骤363)。DSPDefect旗标信号从低准位(逻辑状态0)提升至高准位(逻辑状态1)，代表检测到一缺陷。DSPDefect检测方法通过一可变动的临界值来检测缺陷，因此不需要固定的直流参考电位。
以下将举一最佳实施例来说明上述数种缺陷检测方法的应用。请参考图4，其为根据本发明的缺陷检测方法来检测不同的缺陷所得的信号示意图。在图4中，射频信号41有一深凹陷区域，因此它的包络信号411也有一深凹陷区域。根据的前提过的ADefect1及ADefect检测方法，当包络信号411低于ADefect1位准402及ADefect位准401时，ADefect1旗标信号416及ADefect旗标信号415分别由逻辑状态0设成逻辑状态1。因为此凹陷区域足够宽，且产生异常数据长度，所以EFMDefect旗标信号417一样也由逻辑状态0设成逻辑状态1。中断旗标信号419对此凹陷区域没有任何反应，因为包络信号411总是低于中断位准404。RFRP(峰端维持)信号412及RFRP(底端反向)信号413分别表示射频信号41的峰端包络及反向底端包络。因此，RFRP(峰-底)信号414由RFRP(峰端维持)信号412减RFRP(底端反向)信号413所得到。当RFRP(峰-底)信号414低于RPDefect位准405时，RPDefect旗标信号由逻辑状态0设成逻辑状态1。如此，由深缺陷所造成的深凹陷区域，例如刮痕，可以通过ADefect、ADefect1、EFMDefect及RPDefect检测方法而检测出来，因为它的深度及宽度对于缺陷检测而言，够深且够宽。
射频信号42有一浅及窄的凹陷区域，因此它的包络信号421也有相同的形式。根据ADefect1检测方法，当此包络信号421低于ADefect1位准402时，ADefect1旗标信号426由逻辑状态0设成逻辑状态1。RFRP(峰端维持)信号422及RFRP(底端反向)信号423分别表示射频信号42的峰端包络及反向底端包络。更进一步，RFRP(峰-底)信号424由RFRP(峰端维持)信号422减RFRP(底端反向)信号423所得到。然而ADefect旗标信号425、EFMDefect旗标信号427、中断旗标信号429对此浅且窄的凹陷区域没有任何反应，因为包络信号421总是高于ADefect位准401，也并不满足的前所提的EFMDefect检测方法的条件，亦即并无检测到异常的数据长度，而且总是低于中断位准404。如此浅且窄的凹陷区域可能是由一浅刮痕所引起，只能由ADefect1及RPDefect检测方法来检测出来，因为它的深度及宽度不符合其它的缺陷检测条件。
射频信号43有一浅及宽的凹陷区域，因此它的包络信号431也有相同的形式。当此包络信号431低于ADefect1位准402时，ADefect1旗标信号436由逻辑状态0设成逻辑状态1。因为此凹陷区域足够宽，也产生异常数据长度，EFMDefect旗标信号437一样由逻辑状态0设成逻辑状态1。RFRP(峰端维持)信号432及RFRP(底端反向)信号433分别表示射频信号43的峰端包络及反向底端包络。更进一步，RFRP(峰-底)信号434由RFRP(峰端维持)信号432减RFRP(底端反向)信号433所得到。当RFRP(峰-底)信号434低于RPDefect位准405时，RPDefect旗标信号由逻辑状态0设成逻辑状态1。然而ADefect旗标信号435及中断旗标信号439对此浅且宽的凹陷区域没有任何反应，因为包络信号431总是高于ADefect位准401且低于中断位准404。如此浅且宽的凹陷可能是由一浅缺陷所引起，且因为它的深度及宽度不符合其它的缺陷检测条件，所以只能由ADefect1、EFMDefect及RPDefect检测来检测出来。
射频信号44有一浅及宽的凹陷区域，因此它的包络信号441也有相同的形式。当此包络信号441低于ADefect1位准402时，ADefect1旗标信号446由逻辑状态0设成逻辑状态1。RFRP(峰端维持)信号442及RFRP(底端反向)信号443分别表示射频信号44的峰端包络及反向底端包络。更进一步，RFRP(峰-底)信号444由RFRP(峰端维持)信号442减RFRP(底端反向)信号443所得到。因为RFRP(峰-底)信号444总是高于RPDefect位准405，所以RPDefect旗标信号448对此浅且宽的凹陷区域没有反应。此外，ADefect旗标信号445、EFMDefect旗标信号447以及中断旗标信号449都对此浅且宽的凹陷区域没有任何反应，因为此包络信号441总是高于ADefect位准401，也并无检测到异常的数据长度，且总是低于中断位准404。如此浅且宽的凹陷区域可能是由指纹所造成，在此情况下，因为它的深度及宽度不符合其它的缺陷检测条件，只能由ADefect1检测来检测出来。
至于射频信号45及射频信号46，两者皆由很强信号的强度所造成，例如强光反射。射频信号45于其峰端及底端包络具有强振幅的区域，此区域也称为中断缺陷区域。因此它的包络信号451有此相对应的形式。由于此中断缺陷区域足够宽，且产生异常数据长度，EFMDefect旗标信号457由逻辑状态0设成逻辑状态1。当包络信号451高于中断位准404，中断旗标信号459也由逻辑状态0设成逻辑状态1。至于其它的旗标信号，因为包络信号451总是高于ADefect1位准402及ADefect位准401，ADefect1旗标信号456及ADefect旗标信号455对此包络信号451没有任何反应。RFRP(峰端维持)信号452及RFRP(底端反向)信号453分别表示射频信号45的峰端包络及反向底端包络。更进一步，RFRP(峰-底)信号454由RFRP(峰端维持)信号452减RFRP(底端反向)信号453所得到。因为RFRP(峰-底)信号454总是高于RPDefect位准405，所以RPDefect旗标信号458对这种中断缺陷区域没有任何反应。这种中断缺陷区域只能通过的前提过的EFMDefect检测及中断检测方法来检测出来。
射频信号46由其底端包络形成反向凹陷区域，因此它的峰端包络信号461有相对应的形式。EFMDefect旗标信号467由逻辑状态0设成逻辑状态1，因为此中断缺陷区域足够宽，且产生异常数据长度。RFRP(峰端维持)信号462及RFRP(底端反向)信号463分别表示射频信号46的峰端包络及反向底端包络。更进一步，RFRP(峰-底)信号464有一由RFRP(峰端维持)信号462减RFRP(底端反向)信号463所形成的深凹陷区域。当RFRP(峰-底)信号464低于RPDefect位准405时，RPDefect旗标信号468由逻辑状态0设成逻辑状态1。当包络信号461高于中断位准404时，中断旗标信号469由逻辑状态0设成逻辑状态1。然而因为包络信号461高于ADefect1位准402及ADefect位准401，所以ADefect1旗标信号466及ADefect旗标信号465对此包络信号461没有任何反应。这种中断缺陷区域只能由的前提过的EFMDefect、RPDefect及中断检测方法来检测出来。
一般而言，比起ADefect检测，ADefect1检测方法较适合检测小且浅的缺陷区域。RPDefect检测方法对于检测小刮痕较敏感。因此，应该了解到本发明所提及的缺陷检测方法，对于特定的缺陷检测可以各种方式结合而成。例如对于小刮痕检测，可以通过“或”逻辑来结合ADefect1与EFMDefect检测方法，或者小刮痕检测之外，不要检测指纹，则可通过“及”逻辑来结合ADefect1与EFMDefect检测方法等等。
本发明虽以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟习此项技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所述的权利要求范围所界定者为准。

Claims (7)

1.一种检测盘片上缺陷信号的方法，其特征是，包含：
接收一射频信号，并产生一对应该射频信号的包络信号；
使用ADefect检测，将该包络信号与Adefect信号比较，以检测一深缺陷，并产生一第一缺陷旗标信号，其中Adefect检测设有一第一临界位准；
使用ADefect1检测，将该包络信号与Adefect 1信号比较，以检测一浅缺陷，并产生一第二缺陷旗标信号，其中Adefect 1检测设有一第二临界位准；
使用EFMDefect检测，以检测一异常数据长度，并产生一第三缺陷旗标信号，其中EFMDefect检测包括设定第一、第二预设数据长度，及一非常数据长度；
使用中断检测，以检测一数据中断，将该包络信号与中断信号比较，并产生一第四缺陷旗标信号，其中该中断检测设有一第三临界位准；；
使用RPDefect检测，以检测一小缺陷及一数据中断，将RFRP信号与RPDefec信号比较，并产生一第五缺陷旗标信号，其中RPDefect检测设有一第四临界位准；
使用DSPDefect检测，以通过一可变动的临界值来检测一缺陷，将该包络信号与DSPDefec信号比较，并产生一第六缺陷旗标信号，其中DSPDefect检测设有一第五临界位准；以及
对该第一、该第二、该第三、该第四、该第五以及该第六缺陷旗标信号在一时间内完成一逻辑运算，以检测上述的缺陷。
2.如权利要求1所述的检测盘片上缺陷信号的方法，其特征是，该ADefect检测为比较该包络信号与一第一临界位准，当该包络信号低于该第一临界位准时，设置该第一缺陷旗标信号。
3.如权利要求1所述的检测盘片上缺陷信号的方法，其特征是，该ADefect1检测为比较该包络信号与比该第一临界位准高的一第二临界位准，当该包络信号低于该第二临界位准时，设置该第二缺陷旗标信号。
4.如权利要求1所述的检测盘片上缺陷信号的方法，其特征是，该EFMDefect检测更包含：
比较该射频信号内之各数据帧与一第一预设数据长度，且当有至少n1个射频信号的样式短于该第一预设长度时，设置该第三缺陷旗标信号；
比较该射频信号的该数据帧与一第二预设数据长度，且当有至少n2个射频信号的样式长于该第二预设长度时，设置该第三缺陷旗标信号；
比较该射频信号的该数据帧与一非常数据长度，且当有至少n3个射频信号的样式长于该非常数据长度时，设置该第三缺陷旗标信号；以及
当有至少n4个射频信号的样式介于该第一预设数据长度及该第二预设数据长度之间时，清除该第三缺陷旗标信号。
5.如权利要求1所述的检测盘片上缺陷信号的方法，其特征是，该中断检测为比较该包络信号与比该包络信号高的一第三临界位准，当该包络信号高于该第三临界位准时，设置该第四缺陷旗标信号。
6.如权利要求1所述的检测盘片上缺陷信号的方法，其特征是，该RPDefect检测为比较一RFRP信号与比该第一临界位准高的一第四临界位准，当该RFRP信号低于该第四临界位准时，设置该第五缺陷旗标信号，其中该RFRP信号为射频信号的峰端到底端的值。
7.如权利要求1所述的检测盘片上缺陷信号的方法，其特征是，该DSPDefect检测为比较该包络信号与一RFLVL_LPF信号之间差异的绝对值与一第五临界位准，当该包络信号与该RFLVL_LPF信号之间差异的绝对值高于该第五临界位准时，设置该第六缺陷旗标信号，其中该RFLVL_LPF信号为该包络信号经一低通滤波器后的一个缓慢渐降的信号。
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