CN1629361A - 一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法 - Google Patents

一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1629361A
CN1629361A CN 200410036182 CN200410036182A CN1629361A CN 1629361 A CN1629361 A CN 1629361A CN 200410036182 CN200410036182 CN 200410036182 CN 200410036182 A CN200410036182 A CN 200410036182A CN 1629361 A CN1629361 A CN 1629361A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nanomaterials
platinum
ratio surface
stratiform
liquid crystals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 200410036182
Other languages
English (en)
Other versions
CN1314837C (zh
Inventor
陈晓
赵继宽
柴永存
焦丽颖
张国栋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong University
Original Assignee
Shandong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong University filed Critical Shandong University
Priority to CNB2004100361824A priority Critical patent/CN1314837C/zh
Publication of CN1629361A publication Critical patent/CN1629361A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1314837C publication Critical patent/CN1314837C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法,由下述步骤组成:(1)配置模板,将非离子表面活性剂与氯铂酸溶液混合,得到均匀的溶致液晶层状相;(2)将所述溶致液晶放入电解池进行电化学沉积;(3)收集所得产物,透射电镜观察所得产物呈现有规则的层状结构形貌,层间距为7.0±0.1nm,厚度为2±0.1nm;产物的组成和高比表面积,分别利用能量弥散X射线谱和循环伏安法表征,其比表面积达61.7±0.2m2/g。本发明的方法具有模板的粘度较低,反应后易于除去,有利于在电沉积过程中传质和产物的生成,所用盐的浓度低,产物比表面积高,更有利于在电极等材料中的应用。

Description

一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法
技术领域
本发明涉及一种纳米材料的制备方法,尤其涉及一种利用层状溶致液晶电化学沉积制备高比表面层状铂纳米材料的制备方法。
背景技术
金属铂有序结构的纳米材料由于在电极、燃料电池、传感器等方面可能的应用前景而引起广泛的关注,其中模板法是制备该种材料的一种有效方法。而用溶致液晶有序结构引导其结构形成,具有模板易于去除、反应条件温和等优势。将模板方法与电化学沉积相结合又可以简单地通过控制沉积电势和沉积时间来调控纳米结构的形成和生长,是合成纳米结构材料的一个良好途径。Attard等利用溶致液晶六角相制备了金属铂的多孔膜(G S Attard,P N Bartlett,N R B Coleman,J M Elliott,J R Owen,J H Wang.MesoporousPlatinum Films from Lyotropic Liquid Crystalline Phases.Science,1997,Vol 278,838-840),Yan等则利用溶致液晶反六角相得到了金属银的纳米线(L M Huang,H T Wang,Z BWang,A Mitra,K N Bozhilov,Y S Yan.Nanowire Arrays Electrodeposited from Liquidcrystalline Phase.Adv.Mater.,2002,Vol 14,61-64)。但是他们的方法具有一定的缺点,如由于六角相和反六角相比较粘稠,不利于电化学过程的传质,所需要的金属盐的浓度较大,所得到的纳米材料的比表面积不够大等。
发明内容
针对上述现有技术的不足,本发明要解决的问题是,采用一种更利于传质的溶致液晶层状相模板,提供一种制备高比表面积金属铂层状纳米材料的方法。
本发明的目的是通过如下技术方案实现的。
本发明纳米材料的电化学沉积中涉及的两个反应方程如下:
        E0=0.485V
              E0=0.517V
总的反应方程式为:
              E0=0.503V
上述反应是在由表面活性剂与氯铂酸形成溶致液晶内的电解液中进行的,其中E0均是相对于饱和甘汞电极的电势值。
本发明的高比表面层状铂纳米材料的制备方法,由下述步骤组成:
(1)配置模板,将质量百分数为30~70wt%的非离子表面活性剂与浓度为10~80mmol/dm3氯铂酸溶液混合,得到均匀的溶致液晶层状相;
(2)将上述溶致液晶放入间距为0.5~2mm电解池,在相对于饱和甘汞电极为0.3~-0.2V的电势下进行电化学沉积,沉积时间为480~1200s;
(3)用覆有Formvo膜的铜网收集所得产物,并将其反复洗涤至表面上的溶致液晶完全被洗去,然后用透射电镜观察,所得产物呈现有规则的层状结构形貌,层间距为7.0±0.1nm,厚度为2±0.1nm;对于产物的组成和高比表面积,分别利用能量弥散X射线谱和循环伏安法表征,其比表面积达61.7±0.2m2/g。
其中,步骤(1)所述的非离子表面活性剂的质量百分数优选为40-60wt%。
其中,步骤(1)所述的非离子表面活性剂的质量百分数最优选为50wt%。
其中,步骤(1)所述的非离子表面活性剂优选十二烷基聚四氧乙烯基醚。
其中,步骤(1)所述的氯铂酸溶液的浓度优选为10~30mmol/dm3
其中,步骤(1)所述的氯铂酸溶液的浓度最优选为19.3mmol/dm3
其中,步骤(2)所述的电化学沉积电势优选为0.1~0.2V,沉积时间优选为600~1000s。
其中,步骤(2)所述的电化学沉积电势最优选为0.2V,沉积时间最优选为960s。
其中,所述步骤(1)、(2)中最优选质量百分数为50wt%十二烷基聚四氧乙烯基醚与19.3mmol/dm3氯铂酸溶液混合,电化学沉积电势为0.2V,沉积时间为960s。
采用本发明的方法制备高比表面层状铂纳米材料,得到的金属铂层状纳米材料具有规则的层状结构(如图6所示),层间距约为7.0nm,厚度约2nm;产物的组成和高比表面积分别利用能量弥散X射线谱和循环伏安法表征(如图7和图8所示),其比表面积高达61.7±0.2m2/g,能应用于电极材料、电池和催化等领域。
本发明的方法与已有的利用溶致液晶电沉积纳米材料的技术相比,具有以下的优势:模板的粘度较低,反应后易于除去,有利于在电沉积过程中传质和产物的生成,故所用盐的浓度低,在六角相和反六角相溶致液晶中的电沉积所需电解质浓度为100-2000mmol/dm3,本发明的方法只需要浓度为10~80mmol/dm3,这更有利于节约成本;得到的产物对模板的复制效果好,结构明晰;产物比表面积高,在六角相和反六角相中电沉积得到的产物比表面积约为20~30m2/g,本发明中则达到61.7±0.2m2/g,这更有利于在电极等材料中的应用。本发明通过选用质量百分含量为50wt%的非离子表面活性剂十二烷基聚四氧乙烯基醚与浓度为19.3mmol/dm3氯铂酸溶液配成的溶致液晶为模板,在图4所示的电极间距为0.5mm电解池中电沉积,选择沉积电势为0.2V,沉积时间为960s,得到具有复制液晶模板的规则层状结构和高达61.7±0.2m2/g比表面积的金属铂纳米材料,实现对产物结构和比表面性质的人为调控。
附图说明
下面结合附图对本发明做进一步说明。
图1是十二烷基聚四氧乙烯基醚与水两组份体系的相图,是如何配置溶致液晶模板的基础。
图2是十二烷基聚四氧乙烯基醚与氯铂酸溶液混合得到溶致液晶的偏光织构,典型的油纹织构定性表明模板是溶致液晶的层状相。
图3是上述溶致液晶模板的小角X射线散射曲线,进一步表明模板为层状相,其水层厚度为7.46nm。
图4是进行电化学沉积的电极装置示意图,图中数字表示的装置分别为:1、工作电极;2、对电极;3、参比电极;4、垫圈;5、铜网;6、层状相溶致液晶;7、CHI604A电化学分析仪。
图5是还原电流-沉积电势关系曲线,已据此曲线选择相对于饱和甘汞电极0.3~-0.2V的沉积电势范围。
图6是沉积产物的透射电镜照片,可以观察到有序的层状纳米结构,其层间距离约为7.0nm,基本复制了模板的结构。
图7是沉积产物的能量弥散X射线谱,分析产物的元素组成,除铜(来源于铜网)外,主要为产物铂,不含其它原子序数大于11的元素。
图8是沉积产物的循环伏安曲线,由曲线计算可以得到产物的比表面积为61.7±0.2m2/g。
具体实施方式
实施例1.层状铂纳米材料的制备方法,步骤如下:
(1)选用质量百分数为30wt%的十二烷基聚四氧乙烯基醚与10mmol/dm3氯铂酸溶液混合,得到均匀溶致液晶层状相;
(2)将上述溶致液晶放入间距2mm的电解池,在相对于饱和甘汞电极为-0.2V电压下电化学沉积480s;
(3)用透射电镜观测所得产物形貌为局部规则的层状结构,循环伏安得到其比表面积为13.1m2/g。
实施例2.层状铂纳米材料的制备方法,步骤如下:
(1)选用质量百分数为50wt%的十二烷基聚四氧乙烯基醚与19.3mmol/dm3氯铂酸溶液混合,得到均匀溶致液晶层状相;
(2)将上述溶致液晶放入间距0.5mm的电解池,在相对于饱和甘汞电极为0.2V电压下电化学沉积960s;
(3)用透射电镜观测所得产物形貌为规则的层状结构,如图6所示,循环伏安得到其比表面积为61.7±0.2m2/g。对该沉积产物进一步做能量弥散X射线谱分析(如图7所示),测得产物的组成为金属铂。
实施例3.层状铂纳米材料的制备方法,步骤如下:
(1)选用质量百分数为70wt%的十二烷基聚四氧乙烯基醚与40mmol/dm3氯铂酸溶液混合,得到均匀溶致液晶层状相;
(2)将上述溶致液晶放入间距1mm的电解池,在相对于饱和甘汞电极为0.1V电压下电化学沉积960s;
(3)用透射电镜观测所得产物形貌为规则的层状结构,循环伏安得到其比表面积为54.4m2/g。

Claims (9)

1.一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法,由下述步骤组成:
(1)配置模板,将质量百分数为30~70wt%的非离子表面活性剂与浓度为10~80mmol/dm3氯铂酸溶液混合,得到均匀的溶致液晶层状相;
(2)将上述溶致液晶放入间距为0.5~2mm电解池,在相对于饱和甘汞电极为0.3~-0.2 V的电势下进行电化学沉积,沉积时间为480~1200s;
(3)用覆有Formvo膜的铜网收集所得产物,并将其反复洗涤至表面上的溶致液晶完全被洗去,然后用透射电镜观察,所得产物呈现有规则的层状结构形貌,层间距为7.0±0.1nm,厚度为2±0.1nm;对于产物的组成和高比表面积,分别利用能量弥散X射线谱和循环伏安法表征,其比表面积达61.7±0.1m2/g。
2.如权利要求1所述的一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的非离子表面活性剂的质量百分数为40-60wt%。
3.如权利要求2所述的一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的非离子表面活性剂的质量百分数为50wt%。
4.如权利要求1、2或3所述的一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的非离子表面活性剂是十二烷基聚四氧乙烯基醚。
5.如权利要求1所述的一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的氯铂酸溶液的浓度为10~30mmol/dm3
6.如权利要求5所述的一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的氯铂酸溶液的浓度为19.3mmol/dm3
7.如权利要求1所述的一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述的电化学沉积电势为0.1~0.2V,沉积时间为600~1000s。
8.如权利要求7所述的一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述的电化学沉积电势为0.2V,沉积时间为960s。
9.如权利要求1所述的一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)、(2)中选择质量百分数为50wt%十二烷基聚四氧乙烯基醚与19.3mmol/dm3氯铂酸溶液混合,电化学沉积电势为0.2V,沉积时间为960s。
CNB2004100361824A 2004-10-29 2004-10-29 一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法 Expired - Fee Related CN1314837C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2004100361824A CN1314837C (zh) 2004-10-29 2004-10-29 一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2004100361824A CN1314837C (zh) 2004-10-29 2004-10-29 一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1629361A true CN1629361A (zh) 2005-06-22
CN1314837C CN1314837C (zh) 2007-05-09

Family

ID=34845778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100361824A Expired - Fee Related CN1314837C (zh) 2004-10-29 2004-10-29 一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1314837C (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101303325B (zh) * 2008-06-25 2011-03-30 华东师范大学 用电沉积制备铂纳米多孔电极的方法
CN103774187A (zh) * 2012-10-26 2014-05-07 北京师范大学 一种电沉积制备铂多孔纳米管的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7604129B2 (en) * 2002-10-03 2009-10-20 The Regents of the Univeristy of Colorado, a body corporate Lyotropic liquid crystal nanofiltration membranes
CN1269228C (zh) * 2002-12-30 2006-08-09 中国科学院化学研究所 铂Pt催化电极的制备方法
US7521003B2 (en) * 2003-02-14 2009-04-21 The Regents Of The University Of Colorado Functionalized nanostructured lyotropic liquid crystal polymers
JP4117704B2 (ja) * 2003-02-28 2008-07-16 学校法人早稲田大学 メソポーラス金属の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101303325B (zh) * 2008-06-25 2011-03-30 华东师范大学 用电沉积制备铂纳米多孔电极的方法
CN103774187A (zh) * 2012-10-26 2014-05-07 北京师范大学 一种电沉积制备铂多孔纳米管的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1314837C (zh) 2007-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Liu et al. Vertically aligned two-dimensional SnS 2 nanosheets with a strong photon capturing capability for efficient photoelectrochemical water splitting
Wu et al. Electrochemical synthesis and applications of oriented and hierarchically quasi-1D semiconducting nanostructures
Yang et al. Hierarchically nanostructured rutile arrays: acid vapor oxidation growth and tunable morphologies
Chen et al. Electrochemical deposition of copper oxide nanowires for photoelectrochemical applications
Wu et al. Electrochemical deposition of semiconductor oxides on reduced graphene oxide-based flexible, transparent, and conductive electrodes
Tang et al. Electrodeposition of ZnO nanotube arrays on TCO glass substrates
CN101050542A (zh) 使用电镀制造金属/碳纳米管纳米复合材料的方法
US9831362B2 (en) Roll-to-roll fabrication of ordered three-dimensional nanostructure array, related techniques, materials and products
CN101348931A (zh) 一种脉冲电沉积制备均匀透明氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法
JP2013533383A (ja) 複合体の調製法、得られる複合体及びその用途
Wang et al. Advanced supercapacitors based on α-Ni (OH) 2 nanoplates/graphene composite electrodes with high energy and power density
CN1609283A (zh) 有序多孔阳极氧化铝模板的制备方法
CN1712574A (zh) 厚度可控、自由独立超薄多孔氧化铝模板的制备方法
Wang et al. Electrochemical composite deposition of porous cactus-like manganese oxide/reduced graphene oxide–carbon nanotube hybrids for high-power asymmetric supercapacitors
Zhang et al. Synthesis and electrochemical sensing toward heavy metals of bunch-like bismuth nanostructures
CN112408368A (zh) 一种电化学制备低结构缺陷石墨烯的方法
Wang et al. Fabrication of nanostructure via self-assembly of nanowires within the AAO template
CN101037783A (zh) 利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法
CN1629361A (zh) 一种高比表面层状铂纳米材料的制备方法
Yeh et al. Fabrication and characterization of ZnO nanorods on polished titanium substrate using electrochemical–hydrothermal methods
Sankar et al. Synthesis and characterization of cadmium selenide nanostructures on porous aluminum oxide templates by high frequency alternating current electrolysis
CN1187476C (zh) 交流电化学制备导电聚合物吡咯纳米材料的方法
CN115010122B (zh) 一种制备高氧化石墨烯的方法
Wang et al. Embedded vertically aligned cadmium telluride nanorod arrays grown by one-step electrodeposition for enhanced energy conversion efficiency in three-dimensional nanostructured solar cells
CN1215973C (zh) 富勒烯类纳米管的电化学制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee