CN1607877A - 平面发光元件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种平面发光元件及其制造方法，此元件是包括一透明基板；一介电材料层，配置在透明基板上；一半透明金属层，配置在介电材料层上，其中介电材料层与半透明金属层是构成一半透镜结构；一透明阳极，配置在半透明金属层上；一发光层，配置在透明阳极上；以及一金属阴极，配置在发光层上。

Description

平面发光元件及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种平面发光元件(Flat Panel Lighting Device)及其制造方法，且特别是有关于一种具有金属微腔结构的平面发光元件及其制造方法。

背景技术

所有可自体发光的各种材料中，有机电激发光材料是为近几年开发出来极具潜力的材料之一。而有机电激发光元件是为其中一种平面发光元件，其非但具有简单的制程结构及低驱动电压等优点，更重要的是其除了可使用玻璃基板之外，还可使用于塑胶(Rigid Plastic)基板和可弯曲式(Flexible)基板，因此有机电激发光元件可更广泛的应用于光电产品上。

而对于所有应用在照明的发光元件而言，除了高亮度和高电光转换效率的要求外，近年来更是朝向节能、省电以及环保的方向发展。有机电激发光元件一方面可以符合发光元件的节能、省电、环保的要求，另一方面亦可达到照明的均匀性、平面化、以及大面积化的要求，因此对于未来平面发光元件而言，有机电激发光元件将会是最佳的选择。

然而，对于传统的有机电激发光元件而言，如何将内部所产生的光线有效的导出元件之外部，是目前所遭遇最重要且最需要突破的课题之一。由于有机电激发光元件结构中，阳极和发光层的材料的折射率皆大于基板，因此当光线入射角大于临界角时，将会在阳极和发光层之间形成全反射，而导致阳极/发光层有波导(Wave Guide)现象产生。意即大于临界角的光线将会局限在阳极和发光层之间反射，而无法入射进入基板。依据相同的原理，由于基板的折射率是大于空气的折射率，因此当光线入射角大于临界角时，将会在基板形成全反射，而导致基板的波导现象。

为了促进有机电激发光元件外部量子效率，数种方法已被提出。

其中，在(G.Gu etc，Opt.Lett.22(1997)p.396)所揭露的方法中，其是在阳极导线的侧面和其余区域镀上一层金属反射层，以使有机电激发光元件之外部量子效率提升一至二倍。然而，此种方法必须增加金属镀膜和金属微影制程，因此会大幅增加元件的制造成本。

另外，在(H.Yokogawa etc，SID′01(2001)p.405)所揭露的方法中，是利用于阳极和透明基板之间形成一层气凝胶厚膜，以使有机电激发光元件之外部量子效率提升约一倍左右。然而，由于气凝胶取得不易，且涂布制作方法非常复杂，因此此种方法不适用于元件的量产。

再者，在(IEDM′94(1994)p.571，J.Appl.Phys.80(1996)p.207，J.Appl.Phys.85(1996)p.3032，J.Appl.Phys.8(1999)p.2407)等许多文献中，其是使用微腔(Micro-cavity)原理的多层介电质镀膜以减低入射光与反射光的干涉以及增加穿透率的原理，借以增进元件之外部量子效率。但是由于多层介电层因制程因素容易产生有裂痕(Crack)或针孔(Pin-Hole)的问题，因此湿气与气体容易经由裂痕或针孔路径而渗入扩散至元件中，而导致元件使用寿命缩短。

另外，Lu等人(IDEM′00(2000)，p.607)以及Madigan等人(Appl.Phys.Lett.76(2000)p.1650)是使用较高折射率的基板，以及在发光面上贴附凸透镜以增加外部量子效率的方法，以使外部量子效率增加。然而，此种方法无法提供元件长久的使用，而且所贴附的透镜直径太大且厚度太厚，因此有违电子元件微小化的趋势。

在美国专利US5936347和US6080030中，是以热压方式在玻璃基板上直接制造出半凸透镜或半凹透镜的几何形状，借以增加元件之外部量子效率。然而，由于玻璃的热压不仅温度高，而且容易造成玻璃局部翘曲，且耗时(升温和冷却)，因此并非适合于元件量产。

此外，Moller等人(J.Appl.Phys.91(2002)，p.3324)提出，将微透镜阵列(Micro-lens Arrays)制作于玻璃基板上，可使其外部量子效率增加0.5倍。然而，以此种方法制作微透镜结构并非真正的微透镜，且其在制程上非但过于耗时，而且微透镜的尺寸将随制程方式而有所限制，且随着透镜尺寸的增加也将影响元件结构，因此势必会增加元件的厚度。

另外，特别值得一提的是，对于使用塑胶基板或可弯曲式基板的有机电激发光元件而言，由于湿气与气体非常容易渗入与扩散至元件中，而影响元件的使用寿命。因此，如何有效的防止湿气与气体渗入扩散至塑胶透明基板或可弯曲式透明基板的平面发光元件中以提高元件的寿命也是重要的课题之一。

发明内容

本发明的目的就是在提供一种平面发光元件及其制造方法，以有效的提高元件之外部量子效率。

本发明的另一目的是提供一种平面发光元件及其制造方法，以解决公知改善元件外部量子效率的方法中会有无法量产、成本大幅提高以及限制元件缩小化的问题。

本发明的再一目的是提供一种平面发光元件及其制造方法，以避免湿气与气体渗入扩散至使用塑胶基板或可弯曲式基板的平面发光元件中，进而提高元件的使用寿命。

本发明提出一种平面发光元件，包括一透明基板、一介电材料层、一半透明金属层、一透明阳极、一发光层以及一金属阴极。其中，介电材料层是配置在透明基板上，且半透明金属层是配置在介电材料层上，而介电材料层与半透明金属层是构成一半透镜结构。另外，透明阳极是配置在半透明金属层上，发光层是配置在透明阳极上，其中发光层的材质可以是一有机发光材质或是一无机发光材质。而金属阴极则配置在发光层上。在本发明的平面发光元件中，金属阴极以及半透镜结构(由介电材料层与半透明金属层所组成)是构成一金属微腔结构，因此在发光层中所产生的激发光子便会在此共振腔中形成共振现象借以而改善元件之外部量子效率以及元件的整体效率。同时，本发明的半透明金属层又可以同时作为一辅助阳极之用，借以降低阳极的电阻值。

本发明提出一种平面发光元件，包括一透明基板、一介电材料层、一半透明金属层、一发光层以及一金属阴极。其中，介电材料层是配置在透明基板上，且半透明金属层是配置在介电材料层上。其中，半透明金属层是作为一阳极之用，且介电材料层与半透明金属层又同时构成一半透镜结构。另外，发光层是配置在半透明金属层上，其中发光层的材质可以是一有机发光材质或是一无机发光材质。而金属阴极则配置在发光层上。在本发明的平面发光元件中，金属阴极以及半透镜结构(由介电材料层与半透明金属层所组成)是构成一金属微腔结构，因此在发光层中所产生的激发光子便会在此共振腔中形成共振现象，借以改善元件之外部量子效率以及元件的整体效率。另外，由于半透明金属层是作为一阳极之用，因此本发明的平面发光元件可以省去阳极的制作。

本发明提出一种平面发光元件的制造方法，其是首先提供一透明基板。接着在透明基板上形成一介电材料层，并且在介电材料层上形成一半透明金属层，其中介电材料层与半透明金属层是构成一半透镜结构。之后，在半透明金属层上形成一透明阳极，在透明阳极上形成一发光层，其中发光层的材质可以是一有机发光材质或是一无机发光材质。然后，再于发光层上形成一金属阴极，以构成一平面发光元件。而利用本发明的方法所形成的平面发光元件中，金属阴极以及半透镜结构(由介电材料层与半透明金属层所组成)是构成一金属微腔结构，因此在发光层中所产生的激发光子便会在此共振腔中形成共振现象，借以改善元件之外部量子效率以及元件的整体效率。另外，本发明所形成的半透明金属层还可以同时作为一辅助阳极之用，借以降低阳极的电阻值。

本发明提出一种平面发光元件的制造方法，此方法是首先提供一透明基板。接着在透明基板上形成一介电材料层，并且在介电材料层上形成一半透明金属层，其中半透明金属层是作为一阳极之用，且介电材料层与半透明金属层又同时构成一半透镜结构。之后，在半透明金属层上形成一发光层，其中发光层的材质可以是一有机发光材质或是一无机发光材质。然后，再于发光层上形成一金属阴极，以构成一平面发光元件。而利用本发明的方法所形成的平面发光元件中，金属阴极以及半透镜结构(由介电材料层与半透明金属层所组成)是构成一金属微腔结构，因此在发光层中所产生的激发光子便会在此共振腔中形成共振现象，借以改善元件之外部量子效率以及元件的整体效率。另外，由于半透明金属层是作为一阳极之用，因此本发明的平面发光元件可以省去制作阳极的步骤。

本发明的平面发光元件及其制造方法，不但可降低制程复杂度，适于量产制程，而且还可降低透明基板和元件的总厚度，进而达到元件缩小化的要求。

本发明将半透镜结构的介电材料层配置在塑胶透明基板或可弯曲式透明基板表面上，除了可用来增进元件之外部量子效率之外，还可有效的防止湿气与气体渗透扩散至元件内部，借以增加元件的寿命。

附图说明

图1是依照本发明一第一实施例之一平面发光元件的剖面示意图；

图2是依照本发明第一实施例的另一平面发光元件的剖面示意图；

图3是依照本发明第一实施例的另一平面发光元件的剖面示意图；

图4是依照本发明第一实施例的另一平面发光元件的剖面示意图；

图5是依照本发明第一实施例的另一平面发光元件的剖面示意图；

图6是依照本发明第一实施例的另一平面发光元件的剖面示意图；

图7是依照本发明一第二实施例之一平面发光元件的剖面示意图；

图8是依照本发明第二实施例的另一平面发光元件的剖面示意图；

图9是依照本发明第二实施例的另一平面发光元件的剖面示意图；以及

图10是依照本发明第二实施例的另一平面发光元件的剖面示意图。

具体实施方式

为让本发明的上述和其他目的、特徵、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

第一实施例

图1，其绘示为依照本发明一第一实施例之一平面发光元件的剖面示意图。

请参照图1，本实施例的平面发光元件的制造流程是首先提供一透明基板100，其中透明基板100可以是一塑胶基板或一可弯曲式基板。之后，在透明基板100上形成一介电材料层102，并且在介电材料层102上形成一半透明金属层104，其中介电材料层102与半透明金属层104是构成一半透镜结构106。

在本实施例中，形成介电材料层102的方法是以物理气相沉积法或化学气相沉积法所形成，其中物理气相沉积法例如是溅镀法、蒸镀法或离子电镀法(Ion plating)。而介电材料层102的材质例如是TiO₂、SiO₂、Ta₂O₅、SiNx、SiOxNy、SiOx、SiC、GeN、GeCrN、ZnS-SiO₂、(ZnS：50wt％～，SiO₂：0～50wt％)、Al及Al合金的氮化物及氧化物(AlN、Al₂O₃)、Ti的氮化物、Ge及Ge合金的氮化物、Fe的氧化物(Fe₂O₃、Fe₃O₄)、Bi的氮化物及氧化物(BiNx、Bi₂O₃)、Ca的氟化物及氧化物(CaF₂、CaO)、Cd的氧化物及硫化物(CdO、Cd₂O₃、CdS)、Ce的氧化物及氟化物(CeO₂、CeF₃)、Cs的溴化物及碘化物(CsBr、CsI)、砷化铟(InAs)、锑化铟(InSb)、铟的氧化物(In₂O₂)、钾的溴化物及氯化物(KBr、KCl)、镧的氟化物及氧化物(LaF₃、La₂O₃)、锂的氟化物(LiF)、镁的氧化物及氟化物(MgO、MgF₂)、氟化钠(NaF)、钕的氧化物及氟化物(Nd₂O₃、NdF、NdF₃)、铅的氯化物、氟化物、硫化物及碲化物(PbCl、PbF₂、PbS、PbTe)、铂的氧化物(PtO₂)、锑的氧化物及硫化物(Sb₂O₃、Sb₂S₃)或碳化硅(SiC)，且其厚度例如是100埃至5000埃。

另外，形成半透明金属层104的方法是以物理气相沉积法或化学气相沉积法所形成，其中物理气相沉积法例如是溅镀法或离子电镀法。而半透明金属层104的材质例如是Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、AlTi、AgPdCu(APC)、AgCuCr(ACC)或AgCuAu(ACA)，且其厚度例如是20埃至1000埃。

之后，在半透明金属层104上形成一透明阳极108，其中形成透明阳极108的方法例如是一溅镀法或一离子电镀法，而透明阳极108的材质例如是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铝锌氧化物(AZO)，且其厚度例如是200埃至5000埃。

续之，在透明阳极108上形成一发光层110。其中，形成发光层110的方法例如是一蒸镀法、一旋转涂布法、一喷墨法或一印刷法。而发光层110的材质例如是一有机发光材料或一无机发光材料，且其厚度例如是500埃至3000埃。发光层110所发出的光线包括篮光、绿光、红光、白光以及其他单色光。

接着，在发光层110上形成一金属阴极112，以构成一电激发光元件。其中形成金属阴极112的方法例如是一蒸镀法或一溅镀法。而金属阴极112的材质例如是铝、铝/氟化锂、钙、镁/银或银，且其厚度例如是500埃至3000埃。

本实施例的平面发光元件包括一透明基板100、一介电材料层102、一半透明金属层104、一透明阳极108、一发光层110以及一金属阴极112。其中，介电材料层102是配置在透明基板100上，半透明金属层104是配置在介电材料层102上，且介电材料层102与半透明金属层104是构成一半透镜结构106。另外，透明阳极108是配置在半透明金属层104上，发光层110是配置在透明阳极108上，而金属阴极112则配置在发光层110上。

其中，金属阴极112以及半透镜结构106(由介电材料层102与半透明金属层104所组成)是构成一金属微腔结构，因此在发光层110中所产生的激发光子便会在此共振腔中形成共振现象，借以改善元件之外部量子效率以及元件的整体效率。

另外，半透明金属层104可以同时作为一辅助阳极之用，借以降低阳极的电阻值，进而降低元件的能量耗损。

再者，介电材料层102可以作为半透明金属层104之一光学补偿层，借以控制半透明金属层104的整体光学性质。除此之外，介电材料层102还可以提升半透明金属层104与透明基板100之间的附着性，而且介电材料层102还具有阻挡水气并降低表面粗糙度等功效。

请见图2所示，其绘示为依照本发明第一实施例的另一平面发光元件的剖面示意图。

请参照图2，本实施例的平面发光元件更包括在形成透明阳极108与半透明金属层104之后，再配合一微影蚀刻法或一光刻技术的方式，而形成间隙114以及图案化的透明阳极108a与半透明金属层104a，借以定义出画素结构的位置。或者是利用一遮罩镀膜的方式，直接在透明基板100上形成图案化的透明阳极108a与半透明金属层104a。其中，半透金属层104a与介电材料层102是构成一半透镜结构106a。之后，再依序于透明阳极108a上形成一发光层110以及一金属阴极112。

此外，本发明还可以利用上述的方法，仅在透明阳极108中形成间隙114a，而形成透明阳极108a(如图3所示)，借以定义出画素结构的位置。

另外，本发明除了利用间隙114、114a以定义出画素结构的位置之外，还可以于间隙114、114a中形成一绝缘层116、116a(如图4与图5所示)，以定义出画素结构的位置。或者是直接在透明阳极108上形成一绝缘层116b(如图6所示)，以定义出画素结构的位置。

其中，于间隙114、114a中或者是直接于透明阳极108上形成绝缘层116、116a、116b的方法例如是先于透明阳极层108a上以一蒸镀法或一旋转涂布法形成一绝缘材质层(未绘示)之后，再配合一微影蚀刻法而形成绝缘层116、116a、116b，或者是利用一喷墨法或一印刷法而直接将绝缘材质填入于间隙114、114a的位置或形成在透明阳极108上，而形成绝缘层116、116a、116b。在此，绝缘层116、116a、116b的材质例如是为一感光型高分子或一非感光型高分子，且绝缘层116、116a、116b的厚度是大于0.05微米。此外，绝缘层116、116a、116b的一体电阻值是为106ohm-cm以上。

第二实施例

图7，其绘示为依照本发明一第二实施例之一平面发光元件的剖面示意图。

请参照图7，本实施例的平面发光元件的制造流程是首先提供一透明基板100，其中透明基板100可以是一塑胶透明基板或一可弯曲式透明基板。之后，在透明基板100上形成一介电材料层102，并且在介电材料层102上形成一半透明金属层104，其中半透明金属层104是作为一阳极之用，且介电材料层102与半透明金属层又同时构成一半透镜结构106。

在此，介电材料层102与半透明金属层104的形成方法以及其材质与厚度的相关说明已在第一实施例中详述，在此不再赘述。

之后，在半透明金属层104上形成一发光层110，并且在发光层110上形成一金属阴极112，以构成一电激发光元件。其中，发光层110与金属阴极112的形成方法以及其材质与厚度的相关说明已在第一实施例中详述，在此不再赘述。

本实施例的平面发光元件包括一透明基板100、一介电材料层102、一半透明金属层104、一发光层110以及一金属阴极112。其中，介电材料层102是配置在透明基板100上，半透明金属层104是配置在介电材料层102上，其中半透明金属层104是作为一阳极之用，且介电材料层102与半透明金属层104又同时构成一半透镜结构106。发光层110是配置在半透明金属层104上。而金属阴极112则配置在发光层110上。

其中，金属阴极112以及半透镜结构106(由介电材料层102与半透明金属层104所组成)是构成一金属微腔结构，因此在发光层110中所产生的激发光子便会在此共振腔中形成共振现象，借以改善元件之外部量子效率以及元件的整体效率。

另外，由于半透明金属层104是作为一阳极之用，因此本实施例的平面发光元件可省去制作透明阳极的步骤。

再者，介电材料层102可以作为半透明金属层104之一光学补偿层，借以控制半透明金属层104的整体光学性质。除此之外，介电材质层102还可以提升半透明金属层104与透明基板100之间的附着性，而且介电材质层102还具有阻挡水气并降低表面粗糙度等功效。

请见图8所示，其绘示为依照本发明第二实施例的另一平面发光元件的剖面示意图。

请参照图8，本发明的平面发光元件更包括在形成半透明金属层104之后，再配合一微影蚀刻法或一光刻技术的方式，而形成间隙118以及图案化的半透明金属层104a，以定义出画素结构的位置。或者是利用一遮罩镀膜的方式，直接在透明基板100上形成图案化的半透明金属层104a。其中，半透明金属层104a与介电材料层102是构成一半透镜结构106a。之后，再依序于半透明金属层104a上形成一发光层110以及一金属阴极112。

另外，本发明除了利用间隙118以定义出画素结构的位置之外，还可以于间隙118中形成一绝缘层120(如图9所示)，以定义出画素结构的位置。或者是直接在半透明金属层104上形成一绝缘层120a(如图10所示)，以定义出画素结构的位置。其中，形成绝缘层120、120a的方法以及其材质与厚度等相关资料与第一实施例中形成绝缘层的方法相同，在此不再赘述。

本发明的平面发光元件及其制造方法，由于金属阴极112与半透镜结构106是构成一金属微腔结构，以使发光层110所产生的激发光子在其间产生多重反射的作用，使得大部分的光子能以接近垂直的方向射出，而避免因光子发射角大于临界角而陷于元件内部无法放射出来。如此便可以增进元件之外部量子效率，并提高发光元件的整体效率。

本发明的金属微腔结构的设计可以应用在各种可见光波长范围的有机电激发光元件以及无机电激发光元件，例如全彩有机发光二极管显示器、各种单色的有机电激发光光源以及各种单色的无机电激发光光源等等。

综合以上所述，本发明具有下列优点：

1.本发明的平面发光元件及其制造方法，可有效的增进元件之外部量子效率，进而提高发光元件的整体效率。

2.本发明的平面发光元件及其制造方法，不但可降低制程复杂度，适于量产制程，而且还可达到元件缩小化的要求。

3.本发明的平面发光元件及其制造方法，可有效的防止湿气扩散渗透进行元件内部的功效，借以增加元件的寿命。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (41)

1.一种平面发光元件，其特征在于，包括：

一透明基板；

一介电材料层，配置在该透明基板上；

一半透明金属层，配置在该介电材料层上，其中该介电材料层与该半透明金属层是构成一半透镜结构；

一透明阳极，配置在该半透明金属层上；

一发光层，配置在该透明阳极上；以及

一金属阴极，配置在该发光层上。

2.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中该透明基板是为一塑胶基板或一可弯曲式基板。

3.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中该介电材料层的材质是选自TiO₂、SiO₂、Ta₂O₅、SiNx、SiOxNy、SiOx、SiC、GeN、GeCrN、ZnS-SiO₂、(ZnS：50wt％～，SiO₂：0～50wt％)、Al及Al合金的氮化物及氧化物(AlN、Al₂O₃)、Ti的氮化物、Ge及Ge合金的氮化物、Fe的氧化物(Fe₂O₃、Fe₃O₄)、Bi的氮化物及氧化物(BiNx、Bi₂O₃)、Ca的氟化物及氧化物(CaF₂、CaO)、Cd的氧化物及硫化物(CdO、Cd₂O₃、CdS)、Ce的氧化物及氟化物(CeO₂、CeF₃)、Cs的溴化物及碘化物(CsBr、CsI)、砷化铟(InAs)、锑化铟(InSb)、铟的氧化物(In₂O₂)、钾的溴化物及氯化物(KBr、KCl)、镧的氟化物及氧化物(LaF₃、La₂O₃)、锂的氟化物(LiF)、镁的氧化物及氟化物(MgO、MgF₂)、氟化钠(NaF)、钕的氧化物及氟化物(Nd₂O₃、NdF、NdF₃)、铅的氯化物、氟化物、硫化物及碲化物(PbCl、PbF₂、PbS、PbTe)、铂的氧化物(PtO₂)、锑的氧化物及硫化物(Sb₂O₃、Sb₂S₃)或碳化硅(SiC)。

4.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中该介电材料层的厚度是为100埃至5000埃。

5.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中该半透明金属层的材质包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、AlTi、AgPdCu(APC)、AgCuCr(ACC)或AgCuAu(ACA)。

6.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中该半透明金属层的厚度是为20埃至1000埃。

7.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中该透明阳极的材质包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铝锌氧化物(AZO)。

8.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中该透明阳极的厚度是为200埃至5000埃。

9.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中更包括一绝缘层，配置在该透明阳极与该发光层之间，用以定义出一画素结构的位置。

10.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中该绝缘层的材质是为一感光型高分子或一非感光型高分子，且该绝缘层的厚度是大于0.05微米。

11.如权利要求10所述的平面发光元件，其特征在于，其中该绝缘层的一体电阻值是为106ohm-cm以上。

12.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中该发光层的材质包括一有机发光材质或一无机发光材质，且该发光层所放射出的光线包括篮光、绿光、红光、白光以及其他单色光。

13.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中该发光层的厚度是为500埃至3000埃。

14.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中该金属阴极的材质包括铝、铝/氟化锂、钙、镁/银或银。

15.如权利要求1所述的平面发光元件，其特征在于，其中该金属阴极的厚度是为500埃至3000埃。

16.一种平面发光元件，其特征在于，包括：

一透明基板；

一介电材料层，配置在该透明基板上；

一半透明金属层，配置在该介电材料层上，其中该半透明金属层是作为一阳极，且该介电材料层与该半透明金属层又共同构成一半透镜结构；

一发光层，配置在该半透明金属层上；以及

一金属阴极，配置在该发光层上。

17.如权利要求16所述的平面发光元件，其特征在于，其中该透明基板是为一塑胶基板或一可弯曲式基板。

18.如权利要求16所述的平面发光元件，其特征在于，其中该介电材料层的材质是选自TiO₂、SiO₂、Ta₂O₅、SiNx、SiOxNy、SiOx、SiC、GeN、GeCrN、ZnS-SiO₂、(ZnS：50wt％～，SiO₂：0～50wt％)、Al及Al合金的氮化物及氧化物(AlN、Al₂O₃)、Ti的氮化物、Ge及Ge合金的氮化物、Fe的氧化物(Fe₂O₃、Fe₃O₄)、Bi的氮化物及氧化物(BiNx、Bi₂O₃)、Ca的氟化物及氧化物(CaF₂、CaO)、Cd的氧化物及硫化物(CdO、Cd₂O₃、CdS)、Ce的氧化物及氟化物(CeO₂、CeF₃)、Cs的溴化物及碘化物(CsBr、CsI)、砷化铟(InAs)、锑化铟(InSb)、铟的氧化物(In₂O₂)、钾的溴化物及氯化物(KBr、KCl)、镧的氟化物及氧化物(LaF₃、La₂O₃)、锂的氟化物(LiF)、镁的氧化物及氟化物(MgO、MgF₂)、氟化钠(NaF)、钕的氧化物及氟化物(Nd₂O₃、NdF、NdF₃)、铅的氯化物、氟化物、硫化物及碲化物(PbCl、PbF₂、PbS、PbTe)、铂的氧化物(PtO₂)、锑的氧化物及硫化物(Sb₂O₃、Sb₂S₃)或碳化硅(SiC)。

19.如权利要求16所述的平面发光元件，其特征在于，其中该介电材料层的厚度是为100埃至5000埃。

20.如权利要求16所述的平面发光元件，其特征在于，其中该半透明金属层的材质包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、AlTi、AgPdCu(APC)、AgCuCr(ACC)或AgCuAu(ACA)。

21.如权利要求16所述的平面发光元件，其特征在于，其中该半透明金属层的厚度是为20埃至1000埃。

22.如权利要求16所述的平面发光元件，其特征在于，其中更包括一绝缘层，配置在该半透明金属层与该发光层之间，用以定义出一画素结构的位置。

23.如权利要求16所述的平面发光元件，其特征在于，其中该绝缘层的材质是为一感光型高分子或一非感光型高分子，且该绝缘层的厚度是大于0.05微米。

24.如权利要求16所述的平面发光元件，其特征在于，其中该绝缘层的一体电阻值是为106ohm-cm以上。

25.如权利要求16所述的平面发光元件，其特征在于，其中该发光层的材质包括一有机发光材质或一无机发光材质，且该发光层所放射出的光线包括篮光、绿光、红光、白光以及其他单色光。

26.如权利要求16所述的平面发光元件，其特征在于，其中该发光层的厚度是为500埃至3000埃。

27.如权利要求16所述的平面发光元件，其特征在于，其中该金属阴极的材质包括铝、铝/氟化锂、钙、镁/银或银。

28.如权利要求16所述的平面发光元件，其特征在于，其中该金属阴极的厚度是为500埃至3000埃。

29.一种平面发光元件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一透明基板；

在该透明基板上形成一介电材料层；

在该介电材料层上形成一半透明金属层，其中该介电材料层与该半透明金属层是构成一半透镜结构；

在该半透明金属层上形成一透明阳极；

在该透明阳极上形成一发光层；以及

在该发光层上形成一金属阴极。

30.如权利要求29所述的平面发光元件的制造方法，其特征在于，其中形成该介电材料层的方法包括一溅镀法、一蒸镀法、一离子电镀法或一化学气相沉积法。

31.如权利要求29所述的平面发光元件的制造方法，其特征在于，其中形成该半透明金属层的方法包括一溅镀法或一离子电镀法。

32.如权利要求29所述的平面发光元件的制造方法，其特征在于，其中在该透明阳极与该发光层之间更包括形成有一图案化的绝缘层，用以定义出一画素结构的位置。

33.如权利要求29所述的平面发光元件的制造方法，其特征在于，其中形成该透明阳极的方法包括一溅镀法或一离子电镀法。

34.如权利要求29所述的平面发光元件的制造方法，其特征在于，其中形成该发光层的方法包括一蒸镀法、一旋转涂布法、一喷墨法或一印刷法。

35.如权利要求29所述的平面发光元件的制造方法，其特征在于，其中形成该金属阴极的方法包括一蒸镀法或一溅镀法。

36.一种平面发光元件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一透明基板；

在该透明基板上形成一介电材料层；

在该介电材料层上形成一半透明金属层，其中该半透明金属层是作为一阳极，且该介电材料层与该半透明金属层又同时构成一半透镜结构；

在该半透明金属层上形成一发光层；以及

在该发光层上形成一金属阴极。

37.如权利要求36所述的平面发光元件的制造方法，其特征在于，其中形成该介电材料层的方法包括一溅镀法、一蒸镀法、一离子电镀法或一化学气相沉积法。

38.如权利要求36所述的平面发光元件的制造方法，其特征在于，其中形成该半透明金属层的方法包括一溅镀法或一离子电镀法。

39.如权利要求36所述的平面发光元件的制造方法，其特征在于，其中在该半透明金属层与该发光层之间更包括形成有一图案化的绝缘层，用以定义出一画素结构的位置。

40.如权利要求36所述的平面发光元件的制造方法，其特征在于，其中形成该发光层的方法包括一蒸镀法、一旋转涂布法、一喷墨法或一印刷法。

41.如权利要求36所述的平面发光元件的制造方法，其特征在于，其中形成该金属阴极的方法包括一蒸镀法或一溅镀法。

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